本发明提供一种压力传感器及其制备方法,压力传感器包括：第一基座,所述第一基座的顶面设置有第一沉槽,所述第一基座中还设置有第二沉槽,所述第二沉槽位于所述第一沉槽的底部；第二基座,所述第二基座中设置有用于容纳压力传感芯片的容纳槽,所述第二基座位于所述第二沉槽中；波纹膜片,所述波纹膜片覆盖所述第一沉槽且与所述第一沉槽周围的第一基座的顶面固定连接；所述波纹膜片和所述容纳槽之间形成用于填充传压油的填充空间。所述压力传感器的测试精度提高。

本发明涉及一种集成温控的微小型硅压阻式压力传感器及其制造方法,该集成温控的微小型硅压阻式压力传感器包含基板、盖板、恒温管壳、硅压阻式压力传感器芯片、温度传感器芯片和PI加热片；所述恒温管壳设置在基板和盖板之间,且两端分别与基板和盖板固定连接,形成恒温腔室；所述恒温管壳上还设置有导气管；所述硅压阻式压力传感器芯片和温度传感器芯片设置在基板上,且均位于恒温腔室内；所述PI加热片设置在恒温管壳上,用于给恒温腔室加热,使硅压阻式压力传感器芯片温度恒定；本发明不仅能保证硅压阻式压力传感器芯片温度恒定,避免温度波动对压力测量的影响,且结构简单、体积小,能满足压力传感器小型化、低功耗的要求。

本发明公开了一种十字梁膜应力集中微压传感器芯片及其制备方法,感器芯片包括承压薄膜、硅基底、压敏电阻条、金属引线和防过载玻璃基底等。具体结构为在硅基底背面刻蚀形成承压薄膜以及半岛与岛屿结构,在硅基底正面刻蚀四块钻石形区域形成十字梁。芯片背腔相邻的岛屿与岛屿之间、岛屿与半岛之间的间隙所对应的芯片正面形成应力集中区域,四个压敏电阻条布置在该应力集中区域上,利用重掺杂欧姆接触区、金属引线以及金属焊盘将压敏电阻条连接形成惠斯通电桥,十字梁的存在可以进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果。

本发明公开了一种基于多巴胺修饰聚吡咯导电水凝胶的高灵敏度压阻传感器及其制备方法,该压阻传感器的关键组成是压敏感应层,该压敏感应层采用导电水凝胶制得,尤其是所述导电水凝胶以聚丙烯酰胺链段网络为基体,以多巴胺修饰的聚吡咯纳米材料为导电相。本发明的柔性压阻传感器具有更大的柔韧性、粘附性和灵活性,能够紧密贴敷人体表面,满足形变要求,也可以减小运动伪影的影响。本发明的压阻传感器具有高灵敏度,在低压力区间(小于3kPa)高达238.9 kPa-1,在高压力区域达到12.3kPa-1,其总的压力敏感区间由可达到16kPa以上。本发明的柔性压阻传感器制备方法简单新颖,成本低廉,性能优越,在电子皮肤等传感领域显现出较大的潜力和优势。

本发明公开了一种集成ASIC芯片的无引线封装动态压力传感器,包括第一键合玻璃以及第二键合玻璃,所述第一键合玻璃与SOI压敏芯片的正面封接固定,所述第二键合玻璃与ASIC芯片的正面封接固定,所述第一键合玻璃和第二键合玻璃的底端分别与玻璃烧结座烧结固定,所述玻璃烧结座上的两组柯伐引针分别穿入第一键合玻璃以及第二键合玻璃上的引线连接孔内,在引线连接孔内填入料浆或者玻璃银粉通过烧结实现柯伐引针与芯片电极的电气连接,所述玻璃烧结座上通过柯伐引针还焊接有实现SOI压敏芯片和ASIC芯片电气连接的陶瓷电路板。本发明将具备信号处理功能的ASIC芯片和SOI压敏芯片通过无引线封装在探头最前端,解决常规封装耐温性差、频响低的问题。

用于蒸发燃料泄漏检测器的压力传感器(1)用于检查燃料箱和滤罐中的泄漏。所述压力传感器(1)包括传感器单元(2)、外壳(3)和密封树脂(4)。所述传感器单元(2)具有压力接收部(21)、多个导电端子(213)和成型树脂部(22)。所述外壳(3)具有流体流动路径(31)和壳体凹部(32)。所述外壳具有限定所述壳体凹部并且围绕所述成型树脂部的侧表面(222)的环形内壁表面(323),并且,所述外壳的所述内壁表面在沿着垂直于所述压力接收表面的方向的横截面中设置有平行于所述压力接收表面或者以相对于所述压力接收表面小于90°的内角(θ)倾斜的阶梯表面(326,326X)。

用于蒸发燃料泄漏检测器的压力传感器(1)用于检查燃料箱和滤罐中的泄漏。压力传感器包括传感器单元(2)、外壳(3)和密封树脂(4)。传感器单元(2)具有压力接收部(21)、多个导电端子(213)和成型树脂部(22)。外壳具有流体流动路径(31)和壳体凹部(32)。壳体凹部的除了导电端子侧上的内壁表面(323A)之外的每个剩余内壁表面(323B)在沿着垂直于传感器单元的压力接收表面(210)的轴向方向L的横截面中设有倾斜表面(327)和竖直表面(328)。倾斜表面随着朝向压力接收侧L1而向内倾斜。竖直表面从倾斜表面的压力接收侧L1上的端部延伸以限定在成型树脂部(22)的侧表面(222)与竖直表面之间的被填充密封树脂的填充间隙(34)。

得到一种能够降低制造成本的半导体压力传感器及其制造方法。绝缘膜(2)设置于第1半导体基板(1)之上,该绝缘膜(2)具有主开口(3)、导入开口(4)及将主开口(3)与导入开口(4)连接的传递开口(5)。第2半导体基板(6)经由绝缘膜(2)与第1半导体基板(1)接合,该第2半导体基板(6)具有在主开口(3)上方设置的隔膜(7)和与导入开口(4)连结的受压用压力导入口(8)。在隔膜(7)设置有将隔膜(7)的变形量转换为电气特性的变化的计量电阻(9)。

本发明公开了一种多层浮雕和岛膜结构的碳化硅压力传感器芯片及其制备方法,该芯片结构包括从下到上依次堆叠的芯片基体、碳化硅浮雕层、绝缘浮雕层和金属浮雕层；其中的碳化硅浮雕层通过设置较窄的隔离沟道将碳化硅桥路浮雕层与碳化硅外框浮雕层和碳化硅内框浮雕层分隔开,绝缘浮雕层和金属浮雕层的结构均依托于该碳化硅浮雕层,绝缘浮雕层的结构和碳化硅浮雕层结构相同,金属浮雕层的结构和碳化硅桥路浮雕层的结构相同。绝缘浮雕层将碳化硅浮雕层和金属浮雕层在除接触口之外的区域全部进行绝缘电隔离,使电信号在指定的接触口内才能得以导通,然后通过接触点金属层实现与碳化硅桥路浮雕层的电连接。

本发明公开了一种谐振式压力传感器及其制备方法,压力传感器包括碳化硅谐振器,碳化硅谐振器与压力敏感膜通过锚点相连,碳化硅谐振器包括支撑梁,支撑梁通过柔性梁与外部框架连接,支撑梁与固定电极连接并固定在锚点处,质量块结构通过谐振梁与支撑梁连接,耦合梁通过三角梁与质量块结构连接,耦合梁与可动电极连接,质量块结构与另一可动电极连接,固定电极与可动电极均为梳齿电极,并构成两对梳齿电极对,耦合梁上设置有拾振电阻,并连接有金属电极引线,通过三角梁的设计增大了耦合梁应力集中区域,配合拾振电阻的布置,提升了压力传感器的检测精度,基于第三代半导体材料碳化硅的优良特性,同时获得了高温环境下工作的长期稳定性。