测量光电效应,例如,光电子发射显微镜
绝缘铜线及电线圈
本发明的绝缘铜线(10)具有铜线及包覆所述铜线的表面的绝缘覆膜(12),所述绝缘覆膜(12)包含具有酰胺键的高分子材料,在通过剥离所述绝缘覆膜(12)而形成于所述绝缘铜线的表面的剥离面(14)中,与氮原子或碳原子键合的铜原子比与氧原子键合的铜原子多,并且从剥离面(14)沿深度方向形成有含有10原子%以上的氧的含氧层(13),所述含氧层(13)的膜厚在2nm以上且30nm以下的范围内。电线圈通过卷绕上述绝缘铜线(10)而形成。

2021-10-29

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四维高时空分辨超快光子电子多模探测装置
本发明涉及一种四维高时空分辨超快光子电子多模探测装置,属于激光微纳加工及材料科学应用领域。本发明通过泵浦探测技术,将聚焦的飞秒至皮秒尺度的光子精准聚焦到微纳尺度样品,通过超快扫描电镜及CCD有机结合探测;通过超快激光激发冷却灯丝形成超快电子束进行观测;通过超快激光照射CCD进行观测,因此能够同时实现超快电子和超快光子的多模探测;还可调控探测电子,使其与光子共同作用样品,从而实现电子与光子协同作用过程的多模超快观测。本发明可以对样品进行微纳结构加工或改性,进行原位测量加工或改性超快载流子动力学研究。

2021-10-29

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一种闪烁晶体发光检测设备
本发明提供一种闪烁晶体发光检测设备,包括上料装置、具有检料部的分料筛选系统、及检测单元,上料装置能逐个将晶体输送至分料筛选系统的检料部上,检测单元能检测出位于检料部上的晶体是否合格,分料筛选系统还包括合格品放置单元和不合格品放置单元,分料筛选系统能将位于检料部上合格的晶体输送至合格品放置单元,且分料筛选系统能将位于检料部上不合格的晶体输送至不合格品放置单元。本闪烁晶体发光检测设备能准确地将合格及不合格的晶体区分开,避免批量检测及筛分的方式所筛选出的合格品中仍有不合格品的情况;同时在筛分过程中,无需花费额外的时间去查找不合格品所在位置,从而大大提高了检测及筛分效率。

2021-10-19

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一种应用于X射线光电子能谱仪的空气敏感样品的转移方法
本发明公开了一种应用于X射线光电子能谱仪的空气敏感样品的转移方法,该方法将预还原的空气敏感样品直接置于低沸点烃类溶剂中,然后再将低沸点烃类溶剂和样品的混合体系固载到XPS专用样品台上,再将其转移至XPS预抽真空室,待预抽真空至真空度至少5×10~(-8)Torr后,转移至XPS分析室进行XPS分析。本发明利用烃类物质的惰性且易挥发,通过XPS预抽真空将溶剂全部抽走,保证样品不直接暴露在空气中,简单巧妙地解决了对空气敏感的XPS样品在隔绝空气条件下的转移,可替代操作繁琐且成本昂贵的空气敏感样品的原位在线处理过程。

2021-10-15

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光电子能谱仪XPS加热测试专用样品槽
本发明公开了一种光电子能谱仪XPS加热测试专用样品槽设计和应用,首先需要制作一定尺寸可放置粉末颗粒、纤维、液体等样品的耐高温圆形小容器,其次制作一定尺寸固定圆形小容器的长方形超薄金属底座,可有效避免传输进样时样品倾洒污染仪器分析室。两者合成材料必须为耐高温Zr合金金属材料,耐高温温度范围可根据实际需求做相应调整。这种专用样品槽设计方便,成本较低,可广泛应用于金属材料、生物材料、薄膜材料、催化剂材料、纳米材料、木材、半导体、微电子等各种有机无机材料,本发明在各领域有着广阔的应用前景。

2021-10-15

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一种EUV多层膜光学元件的综合测试装置及其测试方法
本发明涉及一种EUV多层膜光学元件的综合测试装置及其测试方法,所述EUV多层膜光学元件的综合测试装置包括测试单元、气体注入模块以及ArF激光模块,所述ArF激光模块为测试单元提供ArF激光,本发明利用ArF激光辐照方式实现EUV光学薄膜样品的表面污染及控制实验,具有成本低、便捷、更加贴近实际工作状况、更安全的优势,所述气体注入模块为测试单元注入变换工作气体,可以实现多种不同的测试目的,通过进一步改变环境气体的含量、激光辐照功率及辐照时间,可以满足所需的各种EUV光学薄膜样品表面污染与控制实验的开展需要。

2021-10-15

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一种检测过氧化氢浓度的纳米生物传感器、制备方法及其应用
本发明公开了一种检测过氧化氢浓度的纳米生物传感器,其特征在于,其是以热共沉淀法合成的稀土上转换发光纳米粒子为基质,通过将该基质表面油酸配体环氧化,与带有氨基的供电子配体发生开环加成反应,将供电子配体键合到上转换发光纳米粒子的表面,在365nm紫外光照射下,利用光生自由电子还原的方式,在上转换发光纳米粒子表面原位生长一层金属银单质,形成表面为金属单质银、内核为稀土上转换发光纳米粒子为基质的核壳结构的纳米生物传感器。本发明还公开了其制备方法及在体表以及细胞层面实现过氧化氢浓度的检测在应用。发明提供的纳米生物传感器在水中具有分散性良好、结构稳定、生物相容性好且传感信号强度较高等优点。

2021-10-15

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基于第二类外尔半金属材料的太赫兹探测器
本发明公开了一种基于第二类外尔半金属材料的太赫兹探测器,采用第二类外尔半金属作为太赫兹的探测材料,不需要外加偏压,在室温下即可具有较高的响应度与较快的响应速度。本发明的太赫兹探测器有着广阔的应用前景,可应用于太赫兹成像、太赫兹安检、生物医学、太赫兹雷达等各个领域。特别的,本发明的太赫兹探测器不需要提供偏置电压即可产生较高的光电流响应,并且暗电流非常低;也不需要提供低温环境(例如液氦降温),在室温下即可使用,这些将非常有助于探测器的微型化和经济化。

2021-10-08

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锂电池石墨负极SBR粘结剂在极片中分布均一性的检测方法
本发明公开一种锂电池石墨负极SBR粘结剂在极片中分布均一性的检测方法,涉及锂离子电池检测技术领域,包括以下步骤:取涂布后干燥的石墨负极极片,加入到溴水中,30~70℃条件下反应30~180min,用溶剂清洗后干燥得到预处理极片;将清洗干燥后的锂电池负极极片放入到萃取剂中,40~60℃条件下分别经过动态萃取和静态萃取,用溶剂清洗后干燥得到待测极片;将待测极片用能谱测试仪测试溴元素的分布。本发明的优点为:解决了能谱测试中SBR的碳元素能谱受到石墨、导电剂等其他碳元素的干扰问题,能够有效判断石墨负极极片中SBR分布的均一与否;同时采用萃取的方式将石墨负极吸附的溴元素去除,排除了误判的可能性。

2021-10-01

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测试样品的制备方法及测试样品
本公开实施例公开了一种测试样品的制备方法。所述方法包括:提供包括失效区域的待处理结构;其中,所述待处理结构包括:多级台阶,覆盖所述台阶的介质层、位于所述台阶表面上方且设置于所述介质层中的接触插塞、以及贯穿所述台阶的虚拟沟道柱;沿相交于所述多级台阶所在斜面的预设方向,朝向所述台阶减薄所述待处理结构,以形成预处理样品;其中,所述预处理样品包括所述失效区域;沿所述预设方向,所述预处理样品表面残留的所述接触插塞的厚度大于或等于第一预设厚度;去除所述预处理样品表面残留的所述介质层,以显露所述虚拟沟道柱,形成所述测试样品。

2021-10-01

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