本公开实施例提供了一种幅值扫描系统,该幅值扫描系统包括支撑板、第一馈源结构和第二馈源结构,支撑板水平设置；第一馈源结构与支撑板连接,第一馈源结构包括第一支架、第一接收馈源及第一射频电缆线,第一支架的一端与支撑板连接,另一端与第一接收馈源连接,第一射频电缆线用于连接第一接收馈源与测量仪表；第二馈源结构与支撑板连接,第二馈源结构包括第二支架、第二接收馈源及第二射频电缆线,第二支架的一端与支撑板连接,另一端与第二接收馈源连接,第二射频电缆线用于连接第二接收馈源与测量仪表；沿支撑板长边方向上第一馈源结构与第二馈源结构之间的距离可调,和/或沿支撑板宽边方向上第一馈源结构与第二馈源结构之间的距离可调。

本发明公开了一种典型对称电极间隙结构的有效场域特征集的表征方法,该方法包括：构建对称电极间隙的仿真模型、划分有限元网格并计算静电场分布,提取两电极端部连线路径上的电场强度值,以该路径上的电场强度最小值作为边界值E-(cr),将两电极之间电场强度大于边界值的网格单元构成的区域定义为与间隙击穿具有强关联性的有效场域,并将其划分为高压电极子场域和接地电极子场域,在两个子场域内分别提取所有网格单元的电场强度和单元体积,并据此计算得出45个与电场分布有关的特征量,构成有效场域特征集,用以表征间隙结构。本发明提供的有效场域特征集可为研究触发间隙击穿的特征区域提供参考,适用于作为间隙击穿电压预测模型的输入参数。

本发明公开了一种棒-板气隙的电场分布特征集,建立棒-板气隙仿真模型,对棒电极施加高电位U,对板电极施加零电位,利用有限元法计算气隙的静电场分布,定义电场分布特征提取场域与提取路径,分别从中提取特征量；电场分布特征提取场域是以棒电极端部为顶点,顶角为θ,底面为电位等于x·U的等位面构成的圆锥形区域；电场分布特征提取路径是以棒电极端部为起点、板电极中心为终点的连线构成的路径。相比于现有技术中采用“整个区域、放电通道、电极表面、放电路径”等空间区域进行电场分布的特征定义,本发明提供兼顾了特征提取的效率和特征表达的完善性,推广性能更好,更适用于作为气隙放电电压预测模型的输入参数。

本发明公开了一种输电线路杆塔空气间隙的电场分布表征方法,其利用有限元法计算输电线路-杆塔空气间隙的静电场分布,以导线或均压环表面电场强度最大值所在位置为起点,以杆塔塔身或横担距离高压电极最近的一条平行线上的电场强度最大值所在位置为终点,将两点的连线作为电场特征提取路径；以导线或均压环上的电场强度最大值所在位置为顶点,顶角为θ,底面为电位等于x·U的等位面构成的锥形场域作为电场特征提取场域。在上述路径与场域内分别提取54个和19个与电场分布相关的特征量,用以表征输电线路杆塔空气间隙的三维空间结构。本发明兼顾了特征提取的效率和特征表达的完善性,可为输电工程外绝缘空气间隙放电电压预测模型提供输入参数。

本发明公开了一种精度高的真空微电子电场传感器,包括检测仪和放置组件,所述放置组件由顶盖和底盖组成所述顶盖和底盖组成的球形空间内设置有支撑架,所述支撑架上设置有若干静电感应组件,所述支撑架由中心球组成和若干定位杆,所述中心球的外壁设置有数量均为二的Z轴杆、Y轴杆和X轴杆,所述静电感应组件由远极板、近极板、弯杆和爪盘组成,两个所述远极板分别通过连接线电性连接于检测仪两端的开关上,同一轴线上的两个近极板之间通过中段线进行连接。本发明通过电压检测机构检测各位于三维坐标轴上的远极板上的电压值,以此得到三维坐标数值,相比于传统装置,本发明可以快速测出电场在三维空间中的分布,误差小,精度高,操作简单。

本发明公开了基于半导体器件的电场强度测量方法,包括：S1、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择两种不同型号的半导体器件,编号S-(low)、S-(high),对应的击穿场强D-(low)、D-(high)；其中,S-(low)能被待测位置处的场强击穿,S-(high)不能被待测位置处的场强击穿；S2、判断S-(low)与S-(high)之间的击穿场强之差是否小于测量允许误差,若小于,则待测位置处的场强为(D-(high)+D-(low))/2；若不小于,则进入步骤S3；S3、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择击穿场强为半导体器件S-(low)与S-(high)的击穿场强均值的半导体器件S-(mid),并放置在待测位置处；S4、判断S-(mid)是否被击穿：若被击穿,则将S-(mid)作为更新的半导体器件S-(low)并返回步骤S2；若未被击穿,则将S-(mid)作为更新的半导体器件S-(high)并返回步骤S2。