半导体装置具备：负极金属板(40),与第1半导体元件(11)及第2半导体元件(12)双方对置配置；正极金属板(30),在与负极金属板之间配置有第1半导体元件的状态下与负极金属板对置配置；以及输出金属板(70),在与负极金属板之间配置有第2半导体元件的状态下与负极金属板对置配置。第2半导体元件的集电极电极与输出金属板电连接,发射极电极与负极金属板电连接。第1半导体元件的集电极电极与正极金属板电连接,发射极电极与输出金属板电连接,并且第1半导体元件通过第2绝缘基板(61)而与负极金属板在电绝缘的状态下热连接。

本发明实施例公开了一种半导体光源及其驱动电路,半导体光源包括有源层、第一半导体层、第二半导体层、第一电极、第二电极和第三电极；第一半导体层和第二半导体层分别位于有源层的相对两侧；第一电极与第一半导体层欧姆接触；第三电极与第二半导体层欧姆接触；第一电极与第二电极之间设置有第一电介质层；其中,第一半导体层为P型半导体层,第二半导体层为N型半导体层；或者,第一半导体层为N型半导体层,第二半导体层为P型半导体层。该半导体光源集成有电容器,从而可以降低半导体光源与电容器的串联电感,实现较短的光脉宽和较大的光功率,简化驱动电路的设计,提升驱动电路的性能。

本发明的一个实施例公开了一种射频收发前端封装结构及系统,该封装结构包括：外壳,其中,所述外壳底部设置有金属热沉；设置于所述金属热沉上的散热垫片和基板,其中,所述散热垫片在所述金属热沉上的正投影与所述基板在所述金属热沉上的正投影不重叠；设置于所述散热垫片上的第一芯片,所述散热垫片用于对所述第一芯片进行散热；设置于所述基板上的第二芯片,所述基板用于实现所述外壳、所述第一芯片及所述第二芯片之间的电连接；与所述外壳对盒的盖板,所述外壳与所述盖板形成密闭腔体。

提供一种能够抑制电路基板的大型化的带发电功能的半导体集成电路装置。带发电功能的半导体集成电路装置(200)具有半导体集成电路装置和热电元件(1)。半导体集成电路器件包含收纳半导体集成电路芯片(230)的封装件(210)。半导体集成电路芯片(230)具有与电路基板对置的下表面、及与所述搭载面对置的上表面。热电元件(1)包括：壳体部,其具有收纳部；第一电极部,设置于收纳部内；第二电极部,其设置于容纳部内,在第一方向上与第一电极部分离并对置,具有与第一电极部不同的功函数；以及中间部,其设置于容纳部内的第一电极部与第二电极部之间,包含具有第一电极部的功函数与第二电极部的功函数之间的功函数的纳米粒子。壳体部设置在半导体集成电路芯片(230)的上表面侧。

本发明的半导体装置100包括：电路基板10；具有主电极23的半导体元件20；金属框30；以及配置在金属框30与主电极23之间的平板状的金属板40,其中,金属板40以及导电性接合材料52、53构成了用于缓和施加于金属框40与半导体元件20之间的金属板40处以及导电性接合材料52、53处的应力的应力缓和结构,该应力缓和结构的具体结构为：金属板40的厚度比金属框30的厚度薄,且在金属板40上的与主电极23相对应的位置上形成有至少一个凸部41。根据本发明的半导体装置100,即使在使用比较厚的金属框的情况下,也能够缓和施加于半导体元件与金属框之间的导电性接合材料处的应力。

本发明的一个方面是一种半导体装置的支石墓结构的形成中所使用的支撑片的制造方法,其包括：(A)准备层叠膜的工序,所述层叠膜依次具备：基材膜、压敏胶粘层、及由例如热固性树脂层形成的支撑片形成用膜；(B)通过将支撑片形成用膜单片化,而在压敏胶粘层的表面上形成多个支撑片的工序；以及(C)在利用多个针或具有平坦的前端面的部件从基材膜侧上推支撑片的状态下拾取支撑片的工序。

本发明的一个方面是一种半导体装置的支石墓结构的形成中所使用的支撑片的制造方法,其包括：(A)准备层叠膜的工序,所述层叠膜依次具备：基材膜、压敏胶粘层、及由例如热固性树脂层形成的支撑片形成用膜；以及(B)通过将支撑片形成用膜单片化,而在压敏胶粘层的表面上形成多个支撑片的工序；(B)工序依次包括：将切口形成至支撑片形成用膜的厚度方向的中途的工序；及通过扩展而将冷却状态的支撑片形成用膜单片化的工序。

本发明的半导体装置具有支石墓结构,所述半导体装置包括：基板；第一芯片,配置于基板上；多个支撑片,配置于基板上且第一芯片的周围；以及第二芯片,由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片,且支撑片由热固性树脂组合物的固化物形成、或者包括由热固性树脂组合物的固化物形成的层、以及树脂层或金属层。

本发明的支撑片形成用层叠膜依次具备基材膜、压敏胶黏层及支撑片形成用膜,且支撑片形成用膜具有至少包含拉伸弹性模量8.0MPa以上的树脂层的多层结构。所述支撑片形成用层叠膜适用于具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺,所述半导体装置包括：基板；第一芯片,配置于基板上；多个支撑片,配置于基板上且第一芯片的周围；以及第二芯片,由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片。

本发明公开了一种半导体装置,其为具有支石墓结构的半导体装置,包括：基板；第一芯片,配置于基板上；多个支撑片,配置于基板上且第一芯片的周围；以及带黏合剂片的芯片,由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片,带黏合剂片的芯片包含第二芯片及设置在第二芯片的一个面上的黏合剂片,支撑片与带黏合剂片的芯片在250℃下的剪切强度为3.2MPa以上。