具体实施方式

以下，参考附图对本公开的实施方式进行详细说明。其中，本发明不限定于以下的实施方式。另外，本说明书中，所谓“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸或甲基丙烯酸，所谓“(甲基)丙烯酸酯”是指丙烯酸酯或与其对应的甲基丙烯酸酯。所谓“A或B”，只要包含A与B的任一方即可，也可均包含两者。

在本说明书中，用语“层”在以平面图的形式进行观察时，除了在整个面形成的形状的结构以外，也包含部分地形成的形状的结构。并且，在本说明书中，“工序”这一用语不仅是指独立的工序，即便在无法与其他工序明确地加以区分的情况下，只要达成该工序的预期的作用，则也包含于本用语中。并且，使用“～”所表示的数值范围表示包含“～”的前后所记载的数值分别作为最小值及最大值的范围。

在本说明书中，关于组合物中的各成分的含量，当在组合物中存在多种相当于各成分的物质的情况下，只要无特别说明，则是指组合物中存在的所述多种物质的合计量。并且，例示材料只要无特别说明，则可单独使用，也可组合使用两种以上。并且，本说明书中阶段性地记载的数值范围中，某阶段的数值范围的上限值或下限值也可替换为其他阶段的数值范围的上限值或下限值。并且，本说明书中所记载的数值范围中，该数值范围的上限值或下限值可替换为实施例中所示的值。

＜第一实施方式＞

(半导体装置)

图1是示意性地表示半导体装置的第一实施方式的剖视图。图1所示的半导体装置100包括：基板10、配置在基板10的表面上的芯片T1(第一芯片)、配置于基板10的表面上且芯片T1的周围的多个支撑片Dc、由多个支撑片Dc支撑且配置成覆盖芯片T1(第一芯片)的带黏合剂片的芯片T2c、层叠在芯片T2上的芯片T3、芯片T4、将基板10的表面上的电极(未图示)与芯片T1～芯片T4分别电连接的多个导线w；以及填充在芯片T1与芯片T2之间的间隙等中的密封材料50。带黏合剂片的芯片T2c包括芯片T2(第二芯片)以及设置在芯片T2(第二芯片)的一个面上的黏合剂片Tc。

在本实施方式中，通过多个支撑片Dc、带黏合剂片的芯片T2c而在基板10上构成支石墓结构。芯片T1与黏合剂片Tc分离。通过适当设定支撑片Dc的厚度，能够确保用于连接芯片T1的上表面与基板10的导线w的空间。

基板10可以是有机基板，也可以是引线框架等金属基板。基板10中，从抑制半导体装置100的翘曲的观点来看，基板10的厚度例如为90μm～300μm，也可为90μm～210μm。

芯片T1例如是控制器芯片，通过黏合剂片Tc与基板10黏合并通过导线w与基板10电连接。在俯视观察时的芯片T1的形状例如为矩形(正方形或长方形)。芯片T1的一边的长度例如为5mm以下，也可为2mm～5mm或1mm～5mm。芯片T1的厚度例如为10μm～150μm，也可为20μm～100μm。

芯片T2例如是存储器芯片，并经由黏合剂片Tc而黏合在支撑片Dc上。俯视时，芯片T2具有大于芯片T1的尺寸。在俯视观察时的芯片T2的形状例如为矩形(正方形或长方形)。芯片T2的一边的长度例如为20mm以下，也可为4mm～20mm或4mm～12mm。芯片T2的厚度例如是10μm～170μm，也可为20μm～120μm。另外，芯片T3、芯片T4也例如是存储器芯片，经由黏合剂片Tc黏合在芯片T2上。芯片T3、芯片T4的一边的长度只要与芯片T2相同即可，芯片T3、芯片T4的厚度也与芯片T2相同即可。

支撑片Dc发挥在芯片T1的周围形成空间的间隔物的作用。支撑片Dc是热固性树脂组合物的固化物(包含热固性树脂层的膜的固化物)。另外，如图2的(a)所示，可在芯片T1的两侧的隔开的位置配置两个支撑片Dc(形状：长方形)，也可如图2的(b)所示，在与芯片T1的角部对应的位置分别配置一个支撑片Dc(形状：正方形，共计4个)，还可如图2的(c)所示般，在与芯片T1的边对应的位置分别配置一个支撑片Dc(形状：长方形、共计4个)。在俯视观察时的支撑片Dc的一边的长度例如为20mm以下，也可为1mm～20mm或1mm～12mm。支撑片Dc的厚度(高度)例如为10μm～180μm，也可为20μm～120μm。

支撑片Dc与带黏合剂片的芯片T2c在250℃下的剪切强度为3.2MPa以上、也可为3.3MPa以上、3.4MPa以上或3.5MPa以上。当支撑片Dc与带黏合剂片的芯片T2c在250℃下的剪切强度为3.2MPa以上时，能够通过支撑片Dc稳定地支撑带黏合剂片的芯片T2c，能够长时间确保半导体装置中的连接可靠性。支撑片Dc与带黏合剂片的芯片T2c在250℃下的剪切强度的上限没有特别限制，但是可为10MPa以下。

(支撑片的制作方法)

对支撑片的制作方法的一例进行说明。另外，图1所示的支撑片Dc是热固化性树脂组合物固化后的支撑片。另一方面，支撑片Da是热固化性树脂组合物完全固化之前的状态的支撑片(例如，参考图5的(b))。

首先，准备图3的(a)及图3的(b)所示的支撑片形成用层叠膜20(以下，有时称为“层叠膜20”)。层叠膜20具备基材膜1、压敏胶黏层2、及至少具有热固性树脂层的支撑片形成用膜D。基材膜1例如为聚对苯二甲酸乙二酯膜(PET(polyethylene terephthalate)膜)。压敏胶黏层2通过冲孔等形成为圆形(参考图3的(a))。压敏胶黏层2包含紫外线固化型压敏胶黏剂。即，压敏胶黏层2具有通过照射紫外线而胶黏性降低的性质。支撑片形成用膜D通过冲孔等形成为圆形，具有比压敏胶黏层2小的直径(参考图3的(a))。支撑片形成用膜D至少包括包含热固性树脂组合物的热固性树脂层5。

构成支撑片形成用膜D的热固性树脂层5的热固性树脂组合物经过半固化(B阶段)状态，通过之后的固化处理能够成为完全固化物(C阶段)状态。就在形成支撑片时，容易将支撑片与带黏合剂片的芯片在250℃下的剪切强度调整到规定的范围而言，热固性树脂组合物可含有环氧树脂、固化剂、弹性体(例如丙烯酸树脂)，并根据需要进一步含有无机填料及固化促进剂等。对于构成支撑片形成用膜D的热固性树脂层5的热固性树脂组合物的详细情况将在后面叙述。

支撑片形成用膜D的厚度例如可为5μm～180μm或20μm～120μm。通过使支撑片形成用膜的厚度在该范围内，能够构筑相对于第一芯片(例如，控制器芯片)而为适当高度的支石墓结构。

在支撑片形成用膜D中，将带黏合剂片的芯片T2c的黏合剂片Tc热压接于该支撑片形成用膜D，使支撑片形成用膜D在170℃下固化1小时后的支撑片Dc(支撑片形成用膜D的固化物)与带黏合剂片的芯片T2c在250℃下的剪切强度为3.2MPa以上。支撑片Dc(支撑片形成用膜D的固化物)与带黏合剂片的芯片T2c在250℃下的剪切强度可为3.3MPa以上、3.4MPa以上或3.5MPa以上。通过使用由此种支撑片形成用膜形成的支撑片，能够稳定地支撑经层叠的半导体芯片(带黏合剂片的芯片)。支撑片Dc(支撑片形成用膜D的固化物)与带黏合剂片的芯片T2c在250℃下的剪切强度的上限没有特别限制，例如可为10MPa以下。

层叠膜20例如可通过将第一层叠膜与第二层叠膜贴合来制造，所述第一层叠膜具有基材膜1且在基材膜1的表面上具有压敏胶黏层2，所述第二层叠膜具有覆盖膜3且在覆盖膜3的表面上具有支撑片形成用膜D(参考图4)。第一层叠膜可经过如下工序而获得，即，在基材膜1的表面上通过涂布而形成压敏胶黏层的工序、以及通过冲孔等将压敏胶黏层加工成规定形状(例如圆形)的工序。第二层叠膜可经过如下工序而获得，即，在覆盖膜3(例如PET膜或聚乙烯膜)的表面上通过涂布而形成支撑片形成用膜的工序、以及通过冲孔等将支撑片形成用膜加工成规定的形状(例如圆形)的工序。当使用层叠膜20时，覆盖膜3在适当的时机被剥离。

如图5的(a)所示，将切割环DR贴附于层叠膜20。即，将切割环DR贴附于层叠膜20的压敏胶黏层2，成为在切割环DR的内侧配置有支撑片形成用膜D的状态。通过切割将支撑片形成用膜D单片化(参考图5的(b))。由此，可从支撑片形成用膜D获得多个支撑片Da。之后，对压敏胶黏层2照射紫外线，使压敏胶黏层2与支撑片Da之间的胶接力下降。紫外线照射后，如图5的(c)所示，通过扩展基材膜1，使支撑片Da相互分离。如图5的(d)所示，通过用上推夹具42上推支撑片Da，从压敏胶黏层2剥离支撑片Da，并且用抽吸夹头44进行抽吸来拾取支撑片Da。另外，也可通过对切割前的支撑片形成用膜D或拾取前的支撑片Da进行加热，使热固性树脂的固化反应进行。在拾取时通过支撑片Da适度的固化能够实现优异的拾取性。

(半导体装置的制造方法)

对半导体装置100的制造方法进行说明。本实施方式的制造方法包括以下的(A)～(H)的工序。

(A)准备层叠膜20的工序(参考图4)；

(B)通过将支撑片形成用膜D单片化，在压敏胶黏层2的表面上形成多个支撑片Da的工序(参考图5的(b))；

(C)从压敏胶黏层2拾取支撑片Da的工序(参考图5的(d))；

(D)在基板10上配置第一芯片T1的工序；

(E)在基板10上且第一芯片T1的周围配置多个支撑片Da的工序(参考图6)；

(F)准备带黏合剂片的芯片T2a的工序，所述带黏合剂片的芯片T2a具备第二芯片T2、及设置在第二芯片T2的一个面上的黏合剂片Ta(参考图7)；

(G)通过在多个支撑片Dc的表面上配置带黏合剂片的芯片T2a来构筑支石墓结构的工序(参考图8)；

(H)用密封材料50密封芯片T1与芯片T2之间的间隙等的工序(参考图1)。

(A)工序～(C)工序是制作多个支撑片Da工艺，已说明。(D)工序～(H)工序是使用多个支撑片Da在基板10上构筑支石墓结构的工艺。以下，参考图6～图8对(D)工序～(H)工序进行说明。

[(D)工序]

(D)工序是在基板10上配置第一芯片T1的工序。例如，首先，经由黏合剂层T1c将芯片T1配置在基板10上的规定位置。然后，芯片T1通过导线w与基板10电连接。

[(E)工序]

(E)工序是在基板10上且第一芯片T1的周围配置多个支撑片Da的工序。经过所述工序制作图6所示的结构体30。结构体30包括基板10、配置在基板10的表面上的芯片T1、及多个支撑片Da。支撑片Da的配置通过压接处理进行即可。压接处理例如优选为在80℃～180℃、0.01MPa～0.50Mpa的条件下实施0.5秒～3.0秒。另外，支撑片Da可在(E)工序的时刻完全固化而成为支撑片Dc，也可不在该时刻完全固化。优选为支撑片Da在(G)工序开始前的时刻完全固化而成为支撑片Dc。

[(F)工序]

(F)工序是准备图7所示的带黏合剂片的芯片T2a的工序。带黏合剂片的芯片T2a包括芯片T2、及设置在芯片T2的一个表面的黏合剂片Ta。带黏合剂片的芯片T2a例如能够使用半导体晶圆及切割晶粒接合一体型膜，经过切割工序及拾取工序而获得。

[(G)工序]

(G)工序是以黏合剂片Ta与多个支撑片Dc的上表面接触的方式，在芯片T1的上方配置带黏合剂片的芯片T2a的工序。具体而言，经由黏合剂片Ta将芯片T2压接于支撑片Dc的上表面。该压接处理例如优选为在80℃～180℃、0.01MPa～0.50MPa的条件下实施0.5秒～3.0秒。继而，通过加热使黏合剂片Ta固化。该固化处理例如优选为在60℃～175℃、0.01MPa～1.0MPa的条件下实施5分钟以上。由此，黏合剂片Ta固化而成为黏合剂片Tc。经过该工序，在基板10上构筑支石墓结构(参考图8)。

在(G)工序后、(H)工序前，经由黏合剂片在芯片T2上配置芯片T3，进而，经由黏合剂片在芯片T3上配置芯片T4。黏合剂片只要是与上述黏合剂片Ta同样的热固性树脂组合物即可，通过加热固化而成为黏合剂片Tc(参考图1)。另一方面，通过导线w分别将芯片T2、芯片T3、芯片T4与基板10电连接。另外，层叠在芯片T1上方的芯片的数量不限于本实施方式中的三个，适当设定即可。

[(H)工序]

(H)工序是用密封材料50将芯片T1与芯片T2之间的间隙等密封的工序。经过该工序，完成图1所示的半导体装置100。

(构成热固性树脂层的热固性树脂组合物)

支撑片形成用膜D至少具有热固性树脂层5。如上所述，就在形成支撑片时，容易将支撑片与带黏合剂片的芯片在250℃下的剪切强度调整至规定的范围的观点而言，构成支撑片形成用膜D的热固性树脂层5的热固性树脂组合物含有环氧树脂、固化剂及弹性体，根据需要可进一步含有无机填料及固化促进剂等。根据本发明者等人的研究，优选为支撑片Da及固化后的支撑片Dc更有以下特性。

·性1：与带黏合剂片的芯片T2c的黏合剂片Tc的黏合强度足够高；

·特性2：在基板10的规定位置热压接支撑片Da时不易产生位置偏移(120℃下的黏合剂片5p的熔融黏度(剪切黏度)例如为4300Pa·s～50000Pa·s或5000Pa·s～40000Pa·s)；

·特性3：在半导体装置100内黏合剂片5c发挥应力缓和性(热固性树脂组合物含有弹性体(橡胶成分))；

·特性4：伴随固化的收缩率足够小；

·特性5：在拾取工序中基于照相机的支撑片Da的可见性良好(热固性树脂组合物例如含有着色剂)；

·特性6：黏合剂片5c具有足够的机械强度。

[环氧树脂]

环氧树脂若为进行固化而具有黏合作用的物质，则并无特别限定。可使用：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂等二官能环氧树脂；苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂等。并且，可应用多官能环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、含杂环的环氧树脂、脂环式环氧树脂等普遍已知的树脂。这些可单独使用一种，也可同时使用两种以上。

[固化剂]

作为固化剂，例如可列举酚树脂、酯化合物、芳香族胺、脂肪族胺、酸酐等。其中，从实现高的剪切强度(晶粒剪切强度)的观点而言，优选为酚树脂。作为酚树脂的市售品，例如可列举：DIC Corporation制造的LF-4871(商品名，BPA酚醛清漆型酚树脂)、AIR WATERINC.制造的HE-100C-30(商品名，苯基芳烷基型酚树脂)、DIC Corporation制造的Phenolite KA及TD系列、Mitsui Chemicals,Inc.制造的Milex XLC-系列及XL系列(例如Milex XLC-LL)、AIR WATER INC.制造的HE系列(例如HE100C-30)、Meiwa PlasticIndustries,Ltd.制造的MEHC-7800系列(例如MEHC-7800-4S)、JEF Chemical Corporation制造的JDPP系列、Gun Ei Chemical Industry Co.,Ltd.制造的PSM系列(例如，PSM-4326)等。这些可单独使用一种，也可同时使用两种以上。

关于环氧树脂与酚树脂的调配量，从实现高的剪切强度(晶粒剪切强度)的观点而言，环氧当量与羟基当量的当量比分别优选为0.6～1.5，更优选为0.7～1.4，进一步优选为0.8～1.3。通过使调配比在上述范围内，容易将固化性及流动性双方达到足够高的水准。

[弹性体]

作为弹性体，例如可列举：丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、硅酮树脂、聚丁二烯、丙烯腈、环氧改性聚丁二烯、马来酸酐改性聚丁二烯、酚改性聚丁二烯、羧基改性丙烯腈等。

从实现高的剪切强度(晶粒剪切强度)的观点而言，作为弹性体优选为丙烯酸系树脂，进而，更优选为将丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯等具有环氧基或缩水甘油基作为交联性官能团的官能性单体聚合而得到的含环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物等丙烯酸系树脂。在丙烯酸系树脂中，优选为含环氧基的(甲基)丙烯酸酯共聚物以及含环氧基的丙烯酸橡胶，更优选为含环氧基的丙烯酸橡胶。含环氧基的丙烯酸橡胶是以丙烯酸酯为主要成分，主要包含丙烯酸丁酯与丙烯腈等共聚物、丙烯酸乙酯与丙烯腈等共聚物的，具有环氧基的橡胶。另外，丙烯酸系树脂不仅可具有环氧基，也可具有醇性或酚性羟基、羧基等交联性官能团。

作为丙烯酸树脂的市售品，例如可列举：Nagase ChemteX Corporation制造的SG-70L、SG-708-6、WS-023 EK30、SG-280 EK23、SG-P3溶剂变更品(商品名，丙烯酸橡胶，重均分子量：80万，Tg：12℃，溶剂为环己酮)等。

从实现高的剪切强度(晶粒剪切强度)的观点而言，丙烯酸树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为-50℃～50℃，更优选为-30℃～30℃。从实现高的剪切强度(晶粒剪切强度)的观点而言，丙烯酸树脂的重均分子量(Mw)优选为10万～300万，更优选为50万～200万。此处，Mw是指通过凝胶渗透色谱法(Gel Permeation Chromatography，GPC)测定，使用基于标准聚苯乙烯的标准曲线进行换算而得到的值。另外，通过使用分子量分布窄的丙烯酸树脂，具有能够形成高弹性的黏合剂片的倾向。

从实现高的剪切强度(晶粒剪切强度)的观点而言，相对于环氧树脂及环氧树脂固化剂的合计100质量份，热固性树脂组合物中所含的丙烯酸树脂的量优选为10质量份～200质量份，更优选为20质量份～100质量份。

[无机填料]

作为无机填料，例如可列举：氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶性二氧化硅、非晶性二氧化硅等。这些可单独使用一种，也可同时使用两种以上。

就实现高的剪切强度(晶粒剪切强度)的观点而言，无机填料的平均粒径优选为0.005μm～1.0μm，更优选为0.05μm～0.5μm。就实现高的剪切强度(晶粒剪切强度)的观点而言，无机填料的表面优选为经化学修饰。作为对表面进行化学修饰的材料，例如可列举硅烷偶联剂等。作为硅烷偶联剂的官能团的种类，例如可列举乙烯基、丙烯酰基、环氧基、巯基、氨基、二氨基、烷氧基、乙氧基等。

就实现高的剪切强度(晶粒剪切强度)的观点而言，相对于热固性树脂组合物的树脂成分100质量份，无机填料的含量优选为20质量份～200质量份，更优选为30质量份～100质量份。

[固化促进剂]

作为固化促进剂，例如可列举：咪唑类及其衍生物、有机磷系化合物、仲胺类、叔胺类、季铵盐等。就实现高的剪切强度(晶粒剪切强度)的观点而言，优选为咪唑系的化合物。作为咪唑类，例如可列举2-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑等。这些可单独使用一种，也可同时使用两种以上。

就实现高的剪切强度(晶粒剪切强度)的观点而言，相对于环氧树脂及环氧树脂固化剂的合计100质量份，热固性树脂组合物的固化促进剂的含量优选为0.04质量份～3质量份，更优选为0.04质量份～0.2质量份。

＜第二实施方式＞

图9是示意性地表示半导体装置的第二实施方式的剖视图。第一实施方式所涉及的半导体装置100是芯片T1与黏合剂片Tc分离的形态，相对于此，本实施方式所涉及的半导体装置200中，芯片T1与黏合剂片Tc接触。即，黏合剂片Tc与芯片T1的上表面及支撑片Dc的上表面接触。例如，通过适当设定支撑片形成用膜D的厚度，能够使芯片T1的上表面的位置与支撑片Dc的上表面的位置一致。

在半导体装置200中，芯片T1相对于基板10并非打线接合连接，而是经倒装芯片(flip chip)连接。另外，只要设为嵌入与芯片T2一起构成带黏合剂片的芯片T2a的黏合剂片Ta中的构成，则即使是将芯片T1打线接合到基板10的形态，芯片T1也可处于与黏合剂片Tc接触的状态。

在上述实施方式中，如图3的(b)所示，例示了具备单层结构的支撑片形成用膜D的支撑片形成用层叠膜20，但支撑片形成用层叠膜可为三层。图10所示的支撑片形成用层叠膜20A包括三层膜D2(支撑片形成用膜)，该三层膜D2依次具有热固性树脂层5、比该热固性树脂层具有更高刚性的树脂层6或金属层、热固性树脂层5。

支撑片形成用层叠膜20A例如可经过以下工序来制造。

·准备依次具备基材膜1、压敏胶黏层2、及热固性树脂层5的层叠膜的工序；

·在所述层叠膜的表面贴合比热固性树脂层5具有更高刚性的树脂层6或金属层的工序；

·在树脂层6或金属层的表面贴合热固性树脂层5的工序。

实施例

以下，通过实施例对本公开进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。

[支撑片形成用膜的制作]

＜清漆的制备＞

以表1所示组成比(单位：质量份)使用表1所示的材料。对环氧树脂、酚树脂以及无机填料，加入环己酮，搅拌混合。环己酮的含量在最终得到的清漆中调整为固体成分比例为40质量％。向其中加入弹性体，再加入偶合剂及固化促进剂，搅拌至各成分均匀，制备清漆A～清漆C。

表1所示的各成分的详情如以下所述。

·环氧树脂：YDCN-700-10(商品名，NIPPON STEEL&SUMIKIN CHEMICAL CO.,LTD.制造，邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂，环氧当量：209g/eq)

·酚树脂(固化剂)：HE-100C-30(商品名、AIR WATER INC.制造、苯酚芳烷基型酚树脂，羟基当量：170g/eq)

·酚树脂(固化剂)：PSM-4326(商品名，Gun Ei Chemical Industry Co.,Ltd.制造，苯酚酚醛清漆型酚树脂，羟基当量：105g/eq)

·无机填料：Aerosil R972(商品名、NIPPON AEROSIL CO.,LTD.制造、二氧化硅、平均粒径0.016μm)

·无机填料：SC2050-HLG(商品名、Admatechs Company Limited制造、二氧化硅填料分散液、平均粒径0.50μm)

·弹性体：SG-P3溶剂变更品(商品名、Nagase ChemteX Corporation制造、丙烯酸橡胶、重均分子量：80万、Tg：12℃、溶剂：环己酮)

·偶合剂：A-189(商品名，Momentive Performance Materials Inc.制造，γ-巯基丙基三甲氧基硅烷)

·偶合剂：A-1160(商品名、Momentive Performance Materials Inc.制造，γ-脲基丙基三乙氧基硅烷)

·固化促进剂：固唑(Curezol)2PZ-CN(商品名、SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION制造，1-氰基乙基-2-苯基咪唑)

[表1]

＜支撑片形成用膜的制作＞

(制造例1)

利用100目的过滤器对清漆A进行过滤，并进行真空脱泡。作为基材膜，准备厚度38μm的实施有脱模处理的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜，将真空脱泡后的清漆A涂布于PET膜上。对涂布的清漆A以90℃5分钟、继而130℃5分钟的两阶段进行加热干燥，获得处于B阶段状态的制造例1的支撑片形成用膜。清漆A的涂布量调整成厚度50μm。

(制造例2)

将清漆A变更为清漆B，除此以外，以与制造例1相同的方式获得制造例2的支撑片形成用膜。

(制造例3)

将清漆A变更为清漆C，除此以外，以与制造例1相同的方式获得制造例3的支撑片形成用膜。

[剪切黏度的测定]

＜带黏合剂片的芯片的制作＞

准备具备膜状黏合剂及压敏胶黏剂膜的切割晶粒接合一体型黏合膜(膜状黏合剂：厚度50μm、压敏胶黏剂膜：厚度110μm、Showa Denko Materials co.,Ltd.制造)、以及厚度400μm的硅晶圆。在载物台温度70℃下在切割晶粒接合一体型黏合膜的膜状黏合剂上层压硅晶圆，由此制作了切割样品。

使用全自动切割机DFD-6361(DISCO CORPORATION制造)，切断得到的切割样品。对于切断，以使用2片刀片的阶梯切割方式进行，使用切割刀片ZH05-SD3500-N1-xx-DD及ZH05-SD4000-N1-xx-BB(均为DISCO CORPORATION制造)。切断条件为刀片转速4000rpm、切断速度50mm/秒、芯片尺寸5mm×5mm。切断是以硅晶圆残留200μm左右的方式进行第一阶段的切断，接着，以在压敏胶黏剂膜上形成20μm左右的切口的方式进行第二阶段的切断。接着，使用拾取用夹头，拾取芯片，由此获得带黏合剂片的芯片。

＜评价样品的制作＞

(实施例1)

准备阻焊基板(TAIYO HOLDINGS CO.,LTD.、商品名：AUS-308)及制造例1的支撑片形成用膜，在载物台温度70℃下将阻焊基板层压至制造例1的支撑片形成用膜。接着，准备上述制作的带黏合剂片的芯片，将带黏合剂片的芯片的黏合剂片侧配置在制造例1的支撑片形成用膜上，进行热压接。热压接条件为温度120℃、时间1秒、压力0.1MPa。接着，将通过热压接得到的样品放入干燥机中，在170℃下固化1小时，制作实施例1的评价样品。

(实施例2)

除了将制造例1的支撑片形成用膜变更为制造例2的支撑片形成用膜以外，与实施例1同样地制作实施例2的评价样品。

(实施例3)

除了将制造例1的支撑片形成用膜变更为制造例3的支撑片形成用膜以外，与实施例1同样地制作实施例3的评价样品。

(比较例1)

准备阻焊基板(TAIYO HOLDINGS CO.,LTD.、商品名：AUS-308)及带黏合剂层的硅晶圆，在载物台温度70℃下将阻焊基板层压至带黏合剂层的硅晶圆的黏合剂层。接着，准备上述制作的带黏合剂片的芯片，将带黏合剂片的芯片的黏合剂片侧配置在硅晶圆上，进行热压接。热压接条件为温度120℃、时间1秒、压力0.1MPa。接着，将通过热压接得到的样品放入干燥机中，在170℃下固化1小时，制作比较例1的评价样品。

＜剪切强度的测定＞

分别使用实施例1～实施例3及比较例1的评价样品测定剪切强度。使用万能黏结强度试验机(Bond Tester)(nordson-advanced-technology(Japan)K.K制造)，通过钩住并拉动评价样品中带黏合剂片的芯片的芯片，测定了支撑片与带黏合剂片的芯片在250℃下的剪切强度。将结果示于表2。

[表2]

如表2所示，实施例1～实施例3的评价样品与比较例1的评价样品相比，剪切强度优异。以上示出：层叠在支撑片上的带黏合剂片的半导体芯片的支撑稳定性优异。

产业上的可利用性

根据本公开，提供一种在具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中，能够简化制作支撑片的工序，进而能够稳定地支撑经层叠的半导体芯片的半导体装置的制造方法。并且，本公开提供一种具有支石墓结构的半导体装置。

符号说明

1-基材膜，2-压敏胶黏层，5-热固性树脂层，6-树脂层，10-基板，20、20A-支撑片形成用层叠膜，50-密封材料，100、200-半导体装置，D-支撑片形成用膜，D2-三层膜(支撑片形成用膜)，Da-支撑片，Dc-支撑片(固化物)，T1-第一芯片，T2-第二芯片，T2a-带黏合剂片的芯片，T2c-带黏合剂片的芯片(固化物)，Ta-黏合剂片，Tc-黏合剂片(固化物)。