本发明公开一种发光元件,其包含半导体结构,包含第一半导体层、第二半导体层位于第一半导体层上、及活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间,且第二半导体层包含第一边缘；第一绝缘结构,位于第二半导体层上接触第一边缘,且包含开孔于第二半导体层上；反射结构,位于第一绝缘结构上并通过开孔电连接第二半导体层,且包含外侧边；以及第二绝缘结构,位于第一绝缘结构及反射结构上,且包含第一绝缘开口暴露第一半导体层,以及第二绝缘开口暴露反射结构,其中,反射结构覆盖于第一绝缘结构的一部分,且位于第一绝缘结构和第二绝缘结构之间。

本公开提供了一种深紫外发光二极管的外延片及其制备方法,该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的AlN反射层、AlN应力释放层、AlN模板层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层；AlN反射层为周期性结构,AlN反射层包括交替层叠的AlN膜层和AlON膜层,AlN膜层的折射率和AlON膜层的折射率不同；AlN应力释放层为周期性结构,AlN应力释放层包括交替层叠的多个第一AlN层和多个第二AlN层,第一AlN层采用物理气相沉积的方式生长,第二AlN层采用金属有机化合物化学气相沉积的方式生长,前若干个周期中的第二AlN层的生长温度低于剩余周期中的第二AlN层的生长温度。本公开能减少外延片的位错缺陷,改善外延片的晶体质量,且还能提高AlN膜层的反光效果,提升外延片的发光效率。

发光元件包括：基板；多个突出图案,从所述基板突出；第一半导体层,设置于所述基板上；活性层,设置于所述第一半导体层上；及第二半导体层,设置于活性层上,其中,各突出图案包括：第一层,与所述基板形成为不分离的一体,并且从所述基板的上表面突出；及第二层,设置于所述第一层上,利用与所述第一层不同的材料构成。

发光元件包括：基板；多个突出图案,从所述基板突出；第一半导体层,设置于所述基板上；活性层,设置于所述第一半导体层上；及第二半导体层,设置于活性层上,其中,各突出图案包括：第一层,与所述基板形成为不分离的一体,并且从所述基板的上表面突出；及第二层,设置于所述第一层上,利用与所述第一层不同的材料构成。

本发明公开了一种氮化物近红外发光二极管的制备方法,包括如下步骤：步骤一、在蓝宝石衬底上制备外延结构层；其中,所述外延结构层依次包括：GaN成核层、GaN模板层、DBR反射层、p型InGaN空穴注入层和n-InN发光层；步骤二、将所述外延结构层表面的部分n-InN发光层刻蚀掉,得到多个电极沉积区域,其中,所述电极沉积区域对应的p型InGaN空穴注入层暴露出来；步骤三、在所述电极沉积区域沉积第一金属电极并退火,形成p型区电极；步骤四、在所述n-InN发光层上沉积第二金属电极并退火,得到初级器件；步骤五、对所述初级器件进行解理、封装,得到分立的发光二极管器件。

用于发光二极管(LED)装置的光学结构,以及包含该光学结构的用于照明应用的LED装置。所述光学结构包括导光板和棱镜片,所述导光板具有相互背离的第一表面和第二表面,棱镜片被设置在第一表面的周围部分上,并且包括在一个方向上连续布置以形成图案的多个棱镜。至少一些棱镜具有不对称结构,其中,光折射表面具有不同的倾斜度。

本公开提供了具有反射结构的红光二极管芯片及其制备方法,属于红光二极管制作领域。在衬底与n型AlInP限制层之间增加反射结构,反射结构本身反射的光线的波长范围为600～900nm,反射结构可以包括依次层叠的n个布拉格反射镜,每个布拉格反射镜所反射的光线的波长逐渐增加,对几乎红光波长范围内的所有光线进行反射,有效保证红光二极管的出光效率。在布拉格反射镜的数量较多的情况下,也可以大幅度提高对不是垂直入射的光线的反射率,最终有效提高红光二极管的外量子效率以提高红光二极管的出光效率。

公开了一种制造反射器的方法。该方法包括至少抛光多个基本平坦的衬底中的最上面的基本平坦的衬底的最上表面,将每个基本平坦的衬底变形为期望的形状,并且将变形的衬底接合在一起以形成所述反射器。在实施例中,使用模具来一起执行变形和接合。

本发明提供了一种LED外延结构以及LED芯片,其中,所述LED外延结构从下至上依次包括：衬底、缓冲层、分布式布拉格反射镜层以及半导体层,所述分布式布拉格反射镜层包括低折射率膜层和位于该低折射率膜层上的高折射率膜层,且所述高折射率膜层的厚度薄于所述高折射率膜层的光学厚度。本发明通过调整所述高折射率膜层的厚度可以减小所述分布式布拉格反射镜层的光吸收,提高分布式布拉格反射镜层的反射率和出光强度。

本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法,氮化镓基谐振腔发光二极管包括依序层叠设置的支撑基板、高对比度光栅、有源区、N型层,N型层远离有源区的端面上还设置有第一反射镜和N电极；其中,高对比度光栅由P型层和透明导电层组成,P型层的一端面与有源区贴合,P型层的另一端面上经刻蚀形成非平整的光栅结构,透明导电层设置在P型层的光栅结构间隙和表面；本方案直接使用部分P型层及透明导电层作为高对比度光栅结构以替代传统的底部反射镜结构,不仅减小了器件串联电阻,降低吸收损耗,还提高了输出光质量,且制备工艺简单,所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容,满足大规模光电集成的需要。