一种氮化物近红外发光二极管的制备方法
阅读说明：本技术 一种氮化物近红外发光二极管的制备方法 (Preparation method of nitride near-infrared light-emitting diode ) 是由 杨帆 王超 王艳杰 吴博琦 闫兴振 王欢 高晓红 吕卅 杨佳 赵春雷 赵阳 迟 于 2021-07-12 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种氮化物近红外发光二极管的制备方法,包括如下步骤：步骤一、在蓝宝石衬底上制备外延结构层；其中,所述外延结构层依次包括：GaN成核层、GaN模板层、DBR反射层、p型InGaN空穴注入层和n-InN发光层；步骤二、将所述外延结构层表面的部分n-InN发光层刻蚀掉,得到多个电极沉积区域,其中,所述电极沉积区域对应的p型InGaN空穴注入层暴露出来；步骤三、在所述电极沉积区域沉积第一金属电极并退火,形成p型区电极；步骤四、在所述n-InN发光层上沉积第二金属电极并退火,得到初级器件；步骤五、对所述初级器件进行解理、封装,得到分立的发光二极管器件。(The invention discloses a preparation method of a nitride near-infrared light-emitting diode, which comprises the following steps: step one, preparing an epitaxial structure layer on a sapphire substrate; wherein, epitaxial structure layer includes in proper order: the GaN-based light emitting diode comprises a GaN nucleating layer, a GaN template layer, a DBR reflecting layer, a p-type InGaN hole injection layer and an n-InN light emitting layer; etching part of the n-InN light emitting layer on the surface of the epitaxial structure layer to obtain a plurality of electrode deposition areas, wherein the p-type InGaN hole injection layer corresponding to the electrode deposition areas is exposed; depositing a first metal electrode in the electrode deposition area and annealing to form a p-type area electrode; depositing a second metal electrode on the n-InN light-emitting layer and annealing to obtain a primary device; and fifthly, cleaving and packaging the primary device to obtain a discrete light-emitting diode device.)
技术领域
本发明属于发光二极管制备技术领域，特别涉及一种氮化物近红外发光二极管的制备方法。
背景技术
III族氮化物材料是第三代宽禁带半导体材料的典型代表，它包括氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)及其合金，目前，III族氮化物材料在光电子器件领域中得到了广泛应用。该体系材料可以通过调节III族元素的含量，使材料的禁带宽度从0.7eV(InN)到6.2eV(AlN)连续可调，其对应的波长覆盖从紫外到近红外的宽广的光谱范围(200～1700nm)，这一特性使得III族氮化物作为发光材料具有不可比拟的优势。
目前，虽然在红外LED领域中，GaAs、InP等材料都有着优异的性能，但这些III-V族半导体材料中的V族元素都有很大毒性，如其中的P、As等元素都有剧毒，限制了这些材料的应用范围。而III族氮化物不含剧毒元素，具有高效节能、安全环保等优势。近年来，科研人员已经研制出几种基于InN的异质结电致发光器件，发光峰位于1600nm左右。这些器件都是基于简单的p-n结发光器件，由于光的出射方向是随机的，因此，有很大比例的红外光是从衬底一侧出射的，没有得到有效利用。此外，对于n-InN/p-GaN异质结器件，p-GaN通常采用Mg掺杂，而Mg在GaN中的受主激活能较大，约为200meV，导致掺杂效率很低，p型材料的空穴浓度不高，继而降低异质结器件的空穴注入效率，影响发光性能。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的缺陷，提供了一种氮化物近红外发光二极管的制备方法，其能够提高器件的光提取效率。
本发明设置有p型InGaN空穴注入层，相比于p-GaN，其禁带宽度更窄，降低了Mg的受主激活能，能够提高p型材料的空穴浓度，继而提高p-n结的空穴注入效率。
本发明提供的技术方案为：
一种氮化物近红外发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
步骤一、在蓝宝石衬底上制备外延结构层；
其中，所述外延结构层依次包括：GaN成核层、GaN模板层、DBR反射层、p型InGaN空穴注入层和n-InN发光层；
步骤二、将所述外延结构层表面的部分n-InN发光层刻蚀掉，得到多个电极沉积区域，
其中，所述电极沉积区域对应的p型InGaN空穴注入层暴露出来；
步骤三、在所述电极沉积区域沉积第一金属电极并退火，形成p型区电极；
步骤四、在所述n-InN发光层上沉积第二金属电极并退火，得到初级器件；
步骤五、对所述初级器件进行解理、封装，得到分立的发光二极管器件。
优选的是，所述GaN成核层的生长源为TEGa和NH3；生长温度为500～600℃、压力500～700mbar、TEGa流量为25～45μmol/min、NH3流量为500～2000sccm。
优选的是，所述GaN模板层的生长源为TMGa和NH3；生长温度为900～1100℃、压力200～500mbar、TMGa流量为40～70μmol/min、NH3流量为1000～4000sccm。
优选的是，所述DBR反射层包括多个交替设置的InGaN层和GaN层；
其中，InGaN层中的In含量为10～40％，InGaN层的生长源为TMIn、TEGa和NH3；InGaN的生长温度为600～850℃、压力300～500mbar、TMIn流量为3～6μmol/min、TEGa流量为1～5μmol/min、NH3流量为3000～7000sccm；
GaN层的生长源为TEGa和NH3；GaN层的生长温度为600～850℃、压力300～500mbar、TEGa流量为10～45μmol/min、NH3流量为3000～7000sccm。
优选的是，每个InGaN层厚度为100～300nm；每个GaN层厚度为100～300nm。
优选的是，所述p型InGaN空穴注入层的生长源为Cp2Mg和NH3，p型InGaN空穴注入层生长温度为600～850℃、压力300～500mbar、TMIn流量为2～8μmol/min、TEGa流量为1～5μmol/min、Cp2Mg流量为0.1～1μmol/min、NH3流量为3000～7000sccm。
优选的是，所述p型InGaN空穴注入层的厚度为1～3μm。
优选的是，所述InN发光层的生长源为TMIn和NH3；InN发光层的生长温度为500～600℃、压力400～800mbar、TMIn流量为3～10μmol/min、NH3流量为5000～9000sccm。
优选的是，在所述步骤三中，沉积所述第一金属电极使用的电极材料为：单质材料Au、Ni，二元合金材料Ni-Au、Ti-Au、Zn-Au、Pt-Au或三元合金材料Ti-Pt-Au、Ti-Ni-Au或Ni-Pt-Au。
优选的是，在所述步骤四中，沉积所述第二金属电极使用的电极材料为：单质材料Au、Ni，二元合金材料Ni-Au、Ti-Au、Zn-Au、Pt-Au或三元合金材料Ti-Pt-Au、Ti-Ni-Au或Ni-Pt-Au。
本发明的有益效果是：
本发明提供的氮化物近红外发光二极管的制备方法，在InN异质结发光器件中引入了InGaN/GaN DBR结构，将衬底一侧的出射光反射到样品的上表面，提高了器件的光提取效率。
本发明提供的氮化物近红外发光二极管的制备方法，设置有p型InGaN空穴注入层，相比于p-GaN，其禁带宽度更窄，降低了Mg的受主激活能，提高了p型材料的空穴浓度，继而提高了p-n结的空穴注入效率，以达到提升器件发光效率的目的。
本发明提供的氮化物近红外发光二极管的制备方法，在蓝宝石衬底上一次性外延制备InN异质结发光器件，制备工艺简便易行。
附图说明
图1为本发明所述的样品1的结构示意图。
图2为本发明所述的DBR反射层的结构示意图。
图3为本发明所述的样品2的结构示意图。
图4为本发明所述的样品3的结构示意图。
图5为本发明所述的样品4的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
如图1-5所示，本发明提供了一种氮化物近红外发光二极管的制备方法，用于制备InGaN基红外LED芯片结构，该InGaN基红光LED芯片结构包括：蓝宝石衬底100和外延结构层；其中，所述的外延结构层包括：GaN成核层(nucleation)210、GaN模板层(template)220、InGaN/GaN基DBR反射层230、p型InGaN空穴注入层240和n-InN发光层250。
所述的氮化物近红外发光二极管的制备方法，主要包括如下步骤：
1.在蓝宝石衬底100上采用MOCVD方法依次外延生长芯片结构(外延结构层)，生长源为三甲基镓(TMGa)、三乙基镓(TEGa)、三甲基铟(TMIn)、二茂镁(Cp2Mg)和高纯氨气(NH3)。如图1所示，所述外延结构层的制备方法如下：
①制备GaN成核层210。
GaN成核层210设置在所述蓝宝石衬底100上，GaN成核层210的生长温度为500～600℃，压力500～700mbar，TEGa流量为25～45μmol/min，NH3流量为500～2000sccm。制备得到的GaN成核层210的厚度为5～50nm。
②制备GaN模板层220。
GaN模板层220设置在GaN成核层210上，GaN模板层220的生长温度为900～1100℃，压力200～500mbar，TMGa流量为40～70μmol/min，NH3流量为1000～4000sccm。制备得到的GaN模板层220厚度为1～3μm。
③制备DBR反射层230。
DBR反射层230设置在GaN模板层220上。如图2所示，DBR反射层230由InGaN层231和GaN层232交替生长构成，每对DBR由一层InGaN层231和一层GaN层232构成，整个DBR反射层的对数为10对，反射率大于85％，总厚度2～5μm。其中，位于底部的InGaN层231设置在GaN模板层220上；在InGaN层231中的In组分为10～40％，InGaN层231的生长温度为600～850℃，压力300～500mbar，TMIn流量为3～6μmol/min，TEGa流量为1～5μmol/min，NH3流量为3000～7000sccm，每层InGaN层231的厚度为100～300nm。GaN层232的生长温度为600～850℃，压力300～500mbar，TEGa流量为10～45μmol/min，NH3流量为3000～7000sccm，每层GaN层232的厚度为100～300nm。
④制备p型InGaN空穴注入层240。
p型InGaN空穴注入层240设置在DBR反射层230的GaN层232上。p型InGaN空穴注入层的生长温度为600～850℃、压力300～500mbar，TMIn流量为2～8μmol/min，TEGa流量为1～5μmol/min，Cp2Mg流量为0.1～1μmol/min，NH3流量为3000～7000sccm。制备得到的p型InGaN空穴注入层240厚度为1～3μm。
⑤制备InN发光层250。
InN发光层250设置在p型InGaN空穴注入层240上。InN发光层250的生长温度为500～600℃，压力400～800mbar，TMIn流量为3～10μmol/min，NH3流量为5000～9000sccm。制备得到的InN发光层250厚度为100～500nm。
外延结构层生长结束，得到样品1，如图1所示。
2.采用光刻、刻蚀等工艺，将样品1表面上刻蚀出多个电极沉积区域240a；其中，电极沉积区域240a对应的InN层被刻蚀掉，使p-InGaN层暴露出来，得到样品2，如图3所示。
3.采用光刻、蒸发或溅射等工艺，在样品2的电极沉积区域240a对应的p型InGaN层上沉积第一金属电极并退火，形成p型区电极310，p型区电极310厚度为30～100nm，得到样品3，如图4所示。其中，沉积第一金属电极的电极材料可以是Au、Ni等单质材料或Ni-Au、Ti-Au、Zn-Au、Pt-Au等二元合金材料，也可以是Ti-Pt-Au、Ti-Ni-Au或Ni-Pt-Au等三元合金材料。
4.采用光刻、蒸发或溅射等工艺，在样品3的InN层上沉积第二金属电极320并退火。得到样品4(初级器件)，如图5所示。其中，沉积第二金属电极320的材料可以是Au、Ni等单质材料或Ni-Au、Ti-Au、Zn-Au、Pt-Au等二元合金材料，也可以是Ti-Pt-Au、Ti-Ni-Au或Ni-Pt-Au等三元合金材料。
5.将样品4进行解理、封装，得到分立的LED器件。
本发明提供的氮化物近红外发光二极管的制备方法，在InN异质结发光器件中引入了InGaN/GaN DBR结构，将衬底一侧的出射光反射到样品的上表面，提高了器件的光提取效率。此外，本发明设置有p型InGaN空穴注入层，相比于p-GaN，其禁带宽度更窄，降低了Mg的受主激活能，提高了p型材料的空穴浓度，继而提高了p-n结的空穴注入效率，以达到提升器件发光效率的目的。本技术方案在蓝宝石衬底上一次性外延制备InN异质结发光器件，制备工艺简便易行。
实施例1
所述的氮化物近红外发光二极管的制备方法，主要包括如下步骤：
1.在蓝宝石衬底100上采用MOCVD方法依次外延生长芯片结构(外延结构层)。如图1所示，所述外延结构层的制备方法如下：
①制备GaN成核层210。
GaN成核层210设置在所述蓝宝石衬底100上，GaN成核层210的生长温度为550℃，压力600mbar，TEGa流量为37.5μmol/min，NH3流量为1200sccm。制备得到的GaN成核层210的厚度为20nm。
②制备GaN模板层220。
GaN模板层220设置在GaN成核层210上，GaN模板层220的生长温度为1040℃，压力300mbar，TMGa流量为54.6μmol/min，NH3流量为2900sccm。制备得到的GaN模板层220厚度为1.5μm。
③制备DBR反射层230。
DBR反射层230设置在GaN模板层220上。如图2所示，DBR反射层230由InGaN层231和GaN层232交替生长构成，每对DBR由一层InGaN层231和一层GaN层232构成，整个DBR反射层的对数为10对，反射率大于85％，总厚度3.97μm。其中，位于底部的InGaN层231设置在GaN模板层220上；在InGaN层231中的In组分为30％，InGaN层231的生长温度为780℃，压力400mbar，TMIn流量为4.8μmol/min，TEGa流量为1.5μmol/min，NH3流量为6000sccm，每层InGaN层231的厚度为212nm。GaN层232的生长温度为780℃，压力400mbar，TEGa流量为18μmol/min，NH3流量为6000sccm，每层GaN层232的厚度为185nm。
④制备p型InGaN空穴注入层240。
p型InGaN空穴注入层240设置在DBR反射层230的GaN层232上。p型InGaN空穴注入层的生长温度为780℃、压力400mbar，TMIn流量为4.8μmol/min，TEGa流量为1.5μmol/min，Cp2Mg流量为0.2μmol/min，NH3流量为6000sccm。制备得到的p型InGaN空穴注入层240厚度为1μm。
⑤制备InN发光层250。
InN发光层250设置在p型InGaN空穴注入层240上。InN发光层250的生长温度为600℃，压力600mbar，TMIn流量为5μmol/min，NH3流量为8000sccm。制备得到的InN发光层250厚度为200nm。
外延结构层生长结束，得到样品1，如图1所示。
2.采用光刻、刻蚀等工艺，将样品1表面上刻蚀出多个电极沉积区域240a；其中，电极沉积区域240a对应的InN层被刻蚀掉，使p-InGaN层暴露出来，得到样品2，如图3所示。
3.采用光刻、蒸发或溅射等工艺，在样品2的电极沉积区域240a对应的p型InGaN层上沉积第一金属电极并退火，形成p型区电极310，p型区电极310厚度为50nm，得到样品3，如图4所示。其中，沉积第一金属电极的电极材料是Au。
4.采用光刻、蒸发或溅射等工艺，在样品3的InN层上沉积第二金属电极320并退火。得到样品4(初级器件)，如图5所示。其中，沉积第二金属电极320的材料是Au。
5.将样品4进行解理、封装，得到分立的LED器件。
实施例2
所述的氮化物近红外发光二极管的制备方法，主要包括如下步骤：
1.在蓝宝石衬底100上采用MOCVD方法依次外延生长芯片结构(外延结构层)。如图1所示，所述外延结构层的制备方法如下：
①制备GaN成核层210。
GaN成核层210设置在所述蓝宝石衬底100上，GaN成核层210的生长温度为500℃，压力700mbar，TEGa流量为31.5μmol/min，NH3流量为1500sccm。制备得到的GaN成核层210的厚度为45nm。
②制备GaN模板层220。
GaN模板层220设置在GaN成核层210上，GaN模板层220的生长温度为1100℃，压力500mbar，TMGa流量为65.6μmol/min，NH3流量为3500sccm。制备得到的GaN模板层220厚度为2.5μm。
③制备DBR反射层230。
DBR反射层230设置在GaN模板层220上。如图2所示，DBR反射层230由InGaN层231和GaN层232交替生长构成，每对DBR由一层InGaN层231和一层GaN层232构成，整个DBR反射层的对数为10对，反射率大于85％，总厚度4.79μm。其中，位于底部的InGaN层231设置在GaN模板层220上；在InGaN层231中的In组分为25％，InGaN层231的生长温度为700℃，压力500mbar，TMIn流量为5.4μmol/min，TEGa流量为3.3μmol/min，NH3流量为4000sccm，每层InGaN层231的厚度为256nm。GaN层232的生长温度为700℃，压力500mbar，TEGa流量为45μmol/min，NH3流量为4000sccm，每层GaN层232的厚度为223nm。
④制备p型InGaN空穴注入层240。
p型InGaN空穴注入层240设置在DBR反射层230的GaN层232上。p型InGaN空穴注入层的生长温度为700℃、压力500mbar，TMIn流量为5.4μmol/min，TEGa流量为3.3μmol/min，Cp2Mg流量为0.6μmol/min，NH3流量为4000sccm。制备得到的p型InGaN空穴注入层240厚度为2.5μm。
⑤制备InN发光层250。
InN发光层250设置在p型InGaN空穴注入层240上。InN发光层250的生长温度为500℃，压力800mbar，TMIn流量为7.5μmol/min，NH3流量为9000sccm。制备得到的InN发光层250厚度为400nm。
外延结构层生长结束，得到样品1，如图1所示。
2.采用光刻、刻蚀等工艺，将样品1表面上刻蚀出多个电极沉积区域240a；其中，电极沉积区域240a对应的InN层被刻蚀掉，使p-InGaN层暴露出来，得到样品2，如图3所示。
3.采用光刻、蒸发或溅射等工艺，在样品2的电极沉积区域240a对应的p型InGaN层上沉积第一金属电极并退火，形成p型区电极310，p型区电极310厚度为100nm，得到样品3，如图4所示。其中，沉积第一金属电极的电极材料是Ni-Au二元合金材料。
4.采用光刻、蒸发或溅射等工艺，在样品3的InN层上沉积第二金属电极320并退火。得到样品4(初级器件)，如图5所示。其中，沉积第二金属电极320的材料是Ni-Au二元合金材料。
5.将样品4进行解理、封装，得到分立的LED器件。
实施例3
所述的氮化物近红外发光二极管的制备方法，主要包括如下步骤：
1.在蓝宝石衬底100上采用MOCVD方法依次外延生长芯片结构(外延结构层)。如图1所示，所述外延结构层的制备方法如下：
①制备GaN成核层210。
GaN成核层210设置在所述蓝宝石衬底100上，GaN成核层210的生长温度为600℃，压力500mbar，TEGa流量为25.5μmol/min，NH3流量为900sccm。制备得到的GaN成核层210的厚度为5nm。
②制备GaN模板层220。
GaN模板层220设置在GaN成核层210上，GaN模板层220的生长温度为950℃，压力200mbar，TMGa流量为45.6μmol/min，NH3流量为2000sccm。制备得到的GaN模板层220厚度为1μm。
③制备DBR反射层230。
DBR反射层230设置在GaN模板层220上。如图2所示，DBR反射层230由InGaN层231和GaN层232交替生长构成，每对DBR由一层InGaN层231和一层GaN层232构成，整个DBR反射层的对数为10对，反射率大于85％，总厚度2.59μm。其中，位于底部的InGaN层231设置在GaN模板层220上；在InGaN层231中的In组分为35％，InGaN层231的生长温度为850℃，压力300mbar，TMIn流量为3.6μmol/min，TEGa流量为1.1μmol/min，NH3流量为7000sccm，每层InGaN层231的厚度为138nm。GaN层232的生长温度为850℃，压力300mbar，TEGa流量为10.5μmol/min，NH3流量为7000sccm，每层GaN层232的厚度为120nm。
④制备p型InGaN空穴注入层240。
p型InGaN空穴注入层240设置在DBR反射层230的GaN层232上。p型InGaN空穴注入层的生长温度为850℃、压力300mbar，TMIn流量为3.6μmol/min，TEGa流量为1.1μmol/min，Cp2Mg流量为0.1μmol/min，NH3流量为7000sccm。制备得到的p型InGaN空穴注入层240厚度为2μm。
⑤制备InN发光层250。
InN发光层250设置在p型InGaN空穴注入层240上。InN发光层250的生长温度为500℃，压力400mbar，TMIn流量为3.6μmol/min，NH3流量为5500sccm。制备得到的InN发光层250厚度为100nm。
外延结构层生长结束，得到样品1，如图1所示。
2.采用光刻、刻蚀等工艺，将样品1表面上刻蚀出多个电极沉积区域240a；其中，电极沉积区域240a对应的InN层被刻蚀掉，使p-InGaN层暴露出来，得到样品2，如图3所示。
3.采用光刻、蒸发或溅射等工艺，在样品2的电极沉积区域240a对应的p型InGaN层上沉积第一金属电极并退火，形成p型区电极310，p型区电极310厚度为30nm，得到样品3，如图4所示。其中，沉积第一金属电极的电极材料是Ti-Ni-Au三元合金材料。
4.采用光刻、蒸发或溅射等工艺，在样品3的InN层上沉积第二金属电极320并退火。得到样品4(初级器件)，如图5所示。其中，沉积第二金属电极320的材料是Ti-Ni-Au三元合金材料。
5.将样品4进行解理、封装，得到分立的LED器件。
对比例
所述对比例红外发光二极管的制备方法，主要包括如下步骤：
1.在蓝宝石衬底上采用MOCVD方法依次外延生长芯片结构，制备方法如下：
①制备GaN成核层。
GaN成核层设置在所述蓝宝石衬底上，GaN成核层的生长温度为550℃，压力600mbar，TEGa流量为37.5μmol/min，NH3流量为1200sccm。制备得到的GaN成核层的厚度为20nm。
②制备GaN模板层。
GaN模板层设置在GaN成核层210上，GaN模板层的生长温度为1040℃，压力300mbar，TMGa流量为54.6μmol/min，NH3流量为2900sccm。制备得到的GaN模板层厚度为1.5μm。
③制备p型GaN空穴注入层。
p型GaN空穴注入层设置在GaN模板层上。p型GaN空穴注入层的生长温度为780℃、压力400mbar，TEGa流量为1.5μmol/min，Cp2Mg流量为0.2μmol/min，NH3流量为6000sccm。制备得到的p型GaN空穴注入层厚度为1μm。
④制备InN发光层。
InN发光层设置在p型GaN空穴注入层上。InN发光层的生长温度为600℃，压力600mbar，TMIn流量为5μmol/min，NH3流量为8000sccm。制备得到的InN发光层厚度为200nm。
2.采用光刻、刻蚀等工艺，在InN发光层上刻蚀出多个电极沉积区域；其中，电极沉积区域对应的InN层被刻蚀掉，使p-GaN层暴露出来。
3.采用光刻、蒸发或溅射等工艺，在多个电极沉积区域对应的p型GaN层上沉积第一金属电极并退火，形成p型区电极，p型区电极厚度为50nm。其中，沉积第一金属电极的电极材料是Au。
4.采用光刻、蒸发或溅射等工艺，InN层上沉积第二金属电极并退火。得到初级器件。其中，沉积第二金属电极的材料是Au。
5.将得到的初级器件进行解理、封装，得到分立的LED器件。
实施例1-3和对比例中，均实现了在蓝宝石衬底上一次性外延制备InN异质结发光器件，相比于对比例中的n-InN/p-GaN异质结器件，实施例1-3中引入了InGaN/GaN DBR结构，将衬底一侧的出射光反射到样品的上表面，提高了器件的光提取效率；经验证，相对与对比例中制备的发光器件，实施例1-3中制备的发光器件的高光提取效率提高约50％。此外，实施例1-3中的空穴注入层为p型InGaN，相比于对比例中的p-GaN，其禁带宽度更窄，降低了Mg的受主激活能，提高了p型材料的空穴浓度，继而提高了p-n结的空穴注入效率，以达到提升器件发光效率的目的；经验证，对比例中的p-GaN的空穴浓度为1018cm-3，实施例1-3中的p型InGaN材料的空穴浓度可达到1019cm-3。
尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
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