本发明公开一种发光元件,其包含半导体结构,包含第一半导体层、第二半导体层位于第一半导体层上、及活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间,且第二半导体层包含第一边缘；第一绝缘结构,位于第二半导体层上接触第一边缘,且包含开孔于第二半导体层上；反射结构,位于第一绝缘结构上并通过开孔电连接第二半导体层,且包含外侧边；以及第二绝缘结构,位于第一绝缘结构及反射结构上,且包含第一绝缘开口暴露第一半导体层,以及第二绝缘开口暴露反射结构,其中,反射结构覆盖于第一绝缘结构的一部分,且位于第一绝缘结构和第二绝缘结构之间。

本公开提供了提高电极粘连质量的红光二极管芯片及其制备方法,属于发光二极管技术领域。p焊点所连通的一次p电极位于氧化硅键合层上,且一次p电极远离衬底的表面与氧化硅键合层远离衬底的表面齐平,绝缘的氧化硅键合层本身支撑外延结构以及一次p电极。p电极与氧化硅键合层上的外延结构可以保持较为完整的状态,不易损坏。再增加与一次p电极连通的p焊点,与一次n电极连通的n焊点,金属材料构成的电极与焊点具有较好的抵抗应力的能力且难以被破坏,保证外延结构与电极、焊点之间的稳定连接,提高电极粘连质量以提高得到的红光二极管芯片的制备良率。

本发明实施例公开了一种半导体光源及其驱动电路,半导体光源包括有源层、第一半导体层、第二半导体层、第一电极、第二电极和第三电极；第一半导体层和第二半导体层分别位于有源层的相对两侧；第一电极与第一半导体层欧姆接触；第三电极与第二半导体层欧姆接触；第一电极与第二电极之间设置有第一电介质层；其中,第一半导体层为P型半导体层,第二半导体层为N型半导体层；或者,第一半导体层为N型半导体层,第二半导体层为P型半导体层。该半导体光源集成有电容器,从而可以降低半导体光源与电容器的串联电感,实现较短的光脉宽和较大的光功率,简化驱动电路的设计,提升驱动电路的性能。

本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及一种微型半导体发光器件及其制造方法。该微型半导体发光器件包括：转移衬底；第一功能层,包括顺序连接的第一子部、第二子部和第三子部；第二功能层,包括顺序连接的第四子部、第五子部和第六子部；发光二极管；其中,第一子部与第四子部组成支撑部,二者依次层叠设置在转移衬底的一侧；第二子部与第五子部组成悬空薄壁部,二者依次层叠设置且与转移衬底无接触；第三子部、第六子部以及发光二极管组成悬空发光部且与转移衬底无接触；其中,支撑部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度,且悬空薄壁部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度。通过上述方式,能够提高悬空发光部转移的成功率。

本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及一种微型半导体发光器件及其制造方法。该微型半导体发光器件包括：转移衬底、第一功能层、第二功能层以及垂直型发光二极管；第一子部与第四子部组成支撑部,二者依次层叠设置在转移衬底的一侧；第二子部与第五子部组成悬空薄壁部,二者依次层叠设置且与转移衬底无接触；第三子部、第六子部以及垂直型发光二极管组成悬空发光部且与转移衬底无接触；其中,支撑部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度,且悬空薄壁部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度。通过上述方式,能够提高悬空发光部转移的成功率。

根据本申请的一个示例性实施方案的透明发光器件显示器包括：透明基底；设置在透明基底上的导电金属图案；设置在导电金属图案的至少一部分上的发光器件；设置在透明基底、导电金属图案和发光器件上的第一透明粘合剂层；设置在第一透明粘合剂层上的紫外截止膜；和设置在紫外截止膜上的第二透明粘合剂层。

本发明涉及半导体照明领域,公开了一种LED外延结构及其应用以及包含该结构的发光二极管及其制备方法,LED外延结构包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层、p型GaN层以及p型接触层,p型接触层从下至上依次设置的p型GaN层、p型In-(a)Ga-(1-a)N层、p型Al-(b)In-(c)Ga-(1-b-c)N层和MgN层；其中,0<a<1,0<1-a<1,0<b<1,0<c<1,0<1-b-c<1。本发明中的LED外延结构中的p型接触层可以提升与p电极的欧姆接触效果,降低欧姆接触电阻,有利于多量子阱发光层的光子溢出,从而提升发光二极管的光电特性；有利于电流扩散,提升发光二极管的抗静电能力。

本申请公开了一种发光组件及其制作方法、发光装置。发光组件包括磊晶基板、N型材料层、发光层、P型材料层、钝化层、阳极焊盘以及阴极焊盘,其中,阳极焊盘从P型材料层的上表面沿着钝化层延伸至磊晶基板上表面,阴极焊盘从P型材料层的上表面沿着钝化层延伸至N型材料表面再延伸至磊晶基板上表面。本申请一方面通过将焊盘设于发光层的侧壁及底部形成发光组件,避免相邻两个发光组件发出的不同颜色光线出现混光而造成颜色偏差,从而改善显示品质；另一方面通过将锡膏涂布在所述焊盘的侧壁及底部形成所述锡膏层,使得锡膏层与驱动基板焊盘的接触面积增大,提升发光组件抗推拉力性能,避免受力脱落,从而改善了显示品质。

在一种实施方式中,该方法用于制造光电子半导体器件并且包括以下步骤：A)提供具有接触侧(20)的光电子半导体芯片(2),B)在所述接触侧(20)上产生涂层区域(21)和保护区域(22),C)将液体涂层材料(30)施加到接触侧(20)上,其中涂层材料(30)润湿所述涂层区域(21)并且不润湿所述保护区域(22),以及D)在所述涂层区域(21)上将所述涂层材料(30)固化为至少一个电接触结构(31),使得在按规定使用时穿过所述至少一个接触结构(31)地向所述半导体芯片(2)通电。

本发明实施例提供了一种基于CSP芯片的陶瓷封装LED及其制备方法,包括盖板、陶瓷支架、内电极、导电胶、芯片以及背电极,所述陶瓷支架为荧光陶瓷；所述盖板设置在所述陶瓷支架的上面,所述内电极设置在所述陶瓷支架的上表面,所述芯片设置在所述内电极的上表面,并与所述导电胶一端相连,所述导电胶的另一端与所述内电极相连接,所述背电极设置在所述陶瓷支架的下表面；所述陶瓷支架上设有金属化通孔,所述内电极与所述背电极分别连接所述金属化通孔的两端。由于使用荧光陶瓷,光效高,并且上述结构的LED成本低廉、质量可靠、散热效率高、适合SMT工艺、全角度发光。