具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

实施例1

请参阅图2、图3，本申请实施例1中提供一种发光组件10。图2为本申请实施例1中提供的发光组件10的截面图；图3为本申请实施例1中提供的发光组件10的俯视图。所述发光组件10包括磊晶基板1、设置在所述磊晶基板1上的N型材料层2、设置在所述N型材料层2上的发光层3、设置在所述发光层3上的P型材料层4、包覆所述P型材料层4、所述发光层3及所述N型材料层2的钝化层5、设置在所述钝化层5上的阳极焊盘6及阴极焊盘7；具体的，所述钝化层5在所述P型材料层4上设有第一过孔51，所述钝化层5在所述N型材料层2上设有第二过孔52；所述阳极焊盘6透过所述第一过孔51电性连接于所述P型材料层4；所述阴极焊盘7透过所述第二过孔52电性连接于所述N型材料层2，其中，所述阳极焊盘6从所述P型材料层4的上表面沿着所述钝化层5延伸至所述磊晶基板1上表面，所述阴极焊盘7从所述P型材料层4的上表面沿着所述钝化层5延伸至所述N型材料表面再延伸至所述磊晶基板1上表面。

由于所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7沿着所述钝化层5延伸，因此所述阳极焊盘6与所述阴极焊盘7设置在所述发光组件10的侧表面且包围所述发光层3设置，所述阳极焊盘6和所述阴极焊盘7的截面均呈L形，这样所述阳极焊盘6与所述阴极焊盘7设于所述发光组件10的侧壁及顶部。更详细地，参照图3所示，所述阳极焊盘6部分覆盖所述钝化层5的三个侧面，所述阴极焊盘7部分覆盖所述钝化层5的三个侧面。优选所述阳极焊盘6和所述阴极焊盘7成对设置且对称位于所述发光组件10的两侧；所述阳极焊盘6和所述阴极焊盘7均设于发光组件10的侧壁及顶部，用于反射所述发光层3发射的光线。光线的传输方向在图4中用箭头表示，由于所述发光组件10的分布密度高、间距小，若相邻两个发光组件10发出的光线颜色不同，则会在相交的光线位置出现混光，造成颜色偏差。本申请的所述阳极焊盘6和所述阴极焊盘7优选为金属材质，能够反射所述发光层3发射的光线，使得光线被反射后向上射出，从而避免在相邻两个发光组件10之间出现混光而造成颜色偏差。

具体的，其中所述发光组件10为发光芯片，所述P型材料层4、所述发光层3及所述N型材料层2形成发光二极体芯片的半导体发光叠层，该发光芯片为次毫米发光二极管(MiniLED)、微发光二极体(Micro-LED)，可实现体积减小，增大发光亮度的效果。

所述发光层3的发光颜色包括红色、绿色或蓝色，对应所述发光组件10包括红色发光组件、绿色发光组件或蓝色发光组件。可形成显示面板的红色子像素，绿色子像素或蓝色子像素。

请参阅图4，本实施例通过将所述发光组件10旋转后，将多个所述发光组件10以覆晶(flip chip)的方式设置于阵列基板20上形成发光装置100。所述发光装置100具体应用为灯板或显示面板。

具体的，在本实施例中，所述阵列基板20包括多个成对设置的阳极接垫21与阴极接垫22，每对所述阳极接垫21与所述阴极接垫22在阵列基板20上成阵列设置；其中每个所述发光组件10的所述阳极焊盘6与所述阴极焊盘7分别与一对所述阳极接垫21与所述阴极接垫22电性连接。优选所述阳极焊盘6与所述阴极焊盘7采用锡膏层30连接所述阳极接垫21与所述阴极接垫22，其中所述阳极焊盘6与所述阳极接垫21之间设置一个所述锡膏层30且所述锡膏层30部分覆盖于所述阳极焊盘6的侧壁及底部，所述阴极焊盘7与所述阴极接垫22之间设置一个所述锡膏层30且所述锡膏层30部分覆盖于所述阴极焊盘7的侧壁及底部。

这样所述锡膏层30对应覆盖于所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7的侧壁及底部，同样可以实现所述锡膏层30包覆在所述发光层3的周围，从而避免光线在相邻两个发光组件10之间出现混光。可理解的是，所述阳极焊盘6和所述阴极焊盘7相离设置互相绝缘，所述阳极焊盘6和所述阴极焊盘7上的所述锡膏层30也互相绝缘。

在本实施例中，所述锡膏层30覆盖于所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7的侧壁及底部，可以增大所述锡膏层30与所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7的接触面积，从而增加所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7与阳极接垫21及阴极接垫22的连接强度，提升发光组件10抗推拉力性能，避免受力脱落，从而改善了显示品质。

请参阅图5a及图5b，基于同样的发明构思，本发明还提供一种发光组件10的制作方法，其包括步骤：

S110：在磊晶基板1上设置半导体发光叠层101；所述半导体发光叠层101具体为设置在所述磊晶基板1上的N型材料层2、设置在所述N型材料层2上的发光层3以及设置在所述发光层3上的P型材料层4；

S120：蚀刻所述半导体发光叠层101以形成多个半导体发光单体102；

S130：沉积钝化层5覆盖所述多个半导体发光单体102；

S140：蚀刻所述钝化层5以在每个所述半导体发光单体102上形成第一过孔51与第二过孔52；

S150：蒸镀金属材料覆盖所述钝化层5、所述第一过孔51与所述第二过孔52；

S160：图案化所述金属材料以在每个所述半导体发光单体102上形成阳极焊盘6与阴极焊盘7，其中所述阳极焊盘6与所述阴极焊盘7相对设置，所述阳极焊盘6从所述钝化层5的上表面沿着所述钝化层5的侧面延伸至所述磊晶基板1的上表面，所述阴极焊盘7从所述钝化层5的上表面沿着所述钝化层5的另一侧面延伸至所述磊晶基板1的上表面。

S170：使用雷射切割所述磊晶基板1以在所述每个半导体发光单体102四周形成槽线103；以及

S180：分离所述半导体发光单体102以形成所述发光组件10。

其中，槽线103是便于步骤S180分离所述半导体发光单体102，分离所述半导体发光单体102的方法例如扩张法，即将具有槽线103的磊晶基板1贴于胶膜上，利用胶膜的弹性形变，在将胶膜撑大的同时，磊晶基板1便会沿着槽线103劈裂，完成所述半导体发光单体102的分离。

由于在步骤S160：图案化所述金属材料以在每个所述半导体发光单体102上形成阳极焊盘6与阴极焊盘7时，选用特定的光罩进行金属材料的图案化，使得形成的阳极焊盘6与阴极焊盘7，不只分别覆盖第一过孔51与第二过孔52，所述阳极焊盘6还从所述钝化层5右侧的上表面沿着所述钝化层5的侧面延伸至所述磊晶基板1的上表面，所述阴极焊盘7从所述钝化层5左侧的上表面沿着所述钝化层5的另一侧面延伸至所述磊晶基板1的上表面，因此所述阳极焊盘6和所述阴极焊盘7的截面均呈L形，用于后续发光组件10使用时，反射所述发光层3发射的光线，从而避免在相邻两个发光组件10之间出现混光而造成颜色偏差。且在制作发光装置时，可以增大所述锡膏层与所述阳极焊盘及所述阴极焊盘的接触面积，从而增加所述阳极焊盘及所述阴极焊盘与阳极接垫及阴极接垫的连接强度，提升发光组件抗推拉力性能，避免受力脱落，从而改善了显示品质。

实施例2

请参阅图6、图7，本申请实施例2中提供一种发光组件10a，包括实施例1的全部技术特征，其区别在于实施例2中的所述发光组件10a还进一步在所述磊晶基板1的上表面，沿所述磊晶基板1四周设置有辅助凹槽11，所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7延伸至所述辅助凹槽11内。这样可进一步使得所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7覆盖在所述磊晶基板1的四周表面，进而增加所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7包覆在所述发光层3的范围，从而进一步提高光线在所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7之间被反射向所述磊晶基板1的机会，避免侧向发射的光线在相邻两个发光组件10a之间出现混光。

同理，请参阅图7，所述阳极焊盘6部分覆盖所述钝化层5的三个侧面，所述阴极焊盘7部分覆盖所述钝化层5的三个侧面。由于所述磊晶基板1四周设置有辅助凹槽11，因此述钝化层5也会覆盖到所述辅助凹槽11，所述阳极焊盘6与所述阴极焊盘7也会分别地，部分覆盖所述磊晶基板1的三个侧面。

请参阅图8，本实施例通过将所述发光组件10a旋转后，将多个所述发光组件10a以覆晶的方式设置于阵列基板20上可形成发光装置100a。所述发光装置100a的原理与实施例1相同，结构的差异仅在于所述发光组件10a不同，具体请参考前文实施例1的内容，在此不做赘述。所述锡膏层30对应覆盖于所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7的侧壁及底部，同样可以实现增大所述锡膏层30包覆在所述发光层3的周围长度，从而进一步避免光线在相邻两个发光组件10a之间出现混光。

本实施例由于设置了所述辅助凹槽11，所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7延伸至所述辅助凹槽11内，因此可以提供比实施例1更大的侧向光线反射面积与更大的锡膏层接触面积，提供更好的抗混光能力与抗推拉力性能。

请参阅图9a、9b，基于同样的发明构思，本实施例还提供一种发光组件10a的制作方法，包含步骤S207至步骤S280，其中骤S210至步骤S260与实施例1中的骤S110至步骤S160的内容相同。本实施例的发光组件10a的制作方法与实施例1的发光组件10的制作方法类似，其差异在于，在磊晶基板1上设置半导体发光叠层101的步骤S210之前，还包括步骤S207：使用雷射切割所述磊晶基板1以在所述每个半导体发光单体102四周形成辅助凹槽11。因此，在步骤S250蒸镀时，金属材料即可填入所述辅助凹槽11。后续在步骤S260时，图案化所述金属材料以在每个所述半导体发光单体102上形成阳极焊盘6与阴极焊盘7。

由于所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7延伸至所述辅助凹槽11内，这样可进一步使得所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7覆盖在所述磊晶基板1的四周表面，进而增加所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7包覆在所述发光层3的周围范围，从而进一步提高光线在所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7之间被反射向所述磊晶基板1的机会，避免侧向发射的光线在相邻两个发光组件10a之间出现混光。

实施例3

请参阅图10、图11，本申请实施例3中提供一种发光组件10b，包括实施例2的全部技术特征，其区别在于实施例3中的所述发光组件10还进一步在所述辅助凹槽11中设置有切割凹槽12，所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7延伸至所述切割凹槽12内。这样可进一步使得所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7覆盖在所述磊晶基板1的四周表面并填充于所述辅助凹槽11及所述切割凹槽12内，进而增加所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7包覆在所述发光组件10b的范围，从而进一步增加侧向发射的光线在所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7之间被反射的机会，避免光线在相邻两个发光组件10之间出现混光。

同理，所述阳极焊盘6部分覆盖所述钝化层5的三个侧面，所述阴极焊盘7部分覆盖所述钝化层5的三个侧面。由于所述磊晶基板1四周设置有辅助凹槽11，因此述钝化层5也会覆盖到所述辅助凹槽11。所述辅助凹槽11中还设置有切割凹槽12，可以使所述阳极焊盘6与所述阴极焊盘7在沉积过程中更深入所述磊晶基板1中，覆盖更大面积的所述磊晶基板1侧表面。与实施例2相同，所述阳极焊盘6与所述阴极焊盘7也会分别地，部分覆盖所述磊晶基板1的三个侧面。

请参阅图12，本实施例通过将所述发光组件10b旋转后，将多个所述发光组件10b以覆晶的方式设置于阵列基板20上可形成发光装置100b。所述发光装置100b的原理与实施例2相同，结构的差异仅在于所述发光组件10b不同，具体请参考前文实施例2的内容，在此不做赘述。所述锡膏层30对应覆盖于所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7的侧壁及底部，同样可以实现增大所述锡膏层30包覆在所述发光层3的周围长度，从而进一步避免光线在相邻两个发光组件10b之间出现混光。

本实施例由于设置了所述辅助凹槽11及切割凹槽12，所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7更深入地延伸至所述切割凹槽12内，因此可以提供比实施例2更大的侧向光线反射面积与更大的锡膏层接触面积，提供更好的抗混光能力与抗推拉力性能。

请参阅图13a及图13b，基于同样的发明构思，本实施例还提供一种发光组件10b的制作方法，包含步骤S207至步骤S280，本实施例的发光组件10b的制作方法与实施例2的发光组件10a的制作方法的差异在于，在沉积钝化层覆盖所述多个半导体发光单体步骤S230之后，且在蒸镀金属材料覆盖所述钝化层5、所述第一过孔51与所述第二过孔52步骤S250之前，还包括步骤S247：使用雷射切割所述磊晶基板1以在所述每个半导体发光单体102四周形成切割凹槽12。

具体的，在所述辅助凹槽11中设置所述切割凹槽12，蒸镀时，金属材料填入辅助凹槽11与切割凹槽12。使得所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7延伸至所述切割凹槽12内，进而增加所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7包覆在所述发光层3的范围，从而进一步提高光线在所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7之间被反射的机会，避免光线在相邻两个发光组件10b之间出现混光。

本实施例的切割凹槽12与实施例1的槽线103有相同的作用。因此，本实施例取消了实施例2的步骤S270。本实施例与实施例2的发光组件的制作方法实质差异在于雷射切割步骤在整个方法中的顺序不同，并未增加步骤，但是却能提供更有效果的发光组件结构。

雷射切割的步骤S247可以在第一过孔与第二过孔的开孔步骤S240之前或之后。选择在步骤S240之前执行步骤S247可以避免雷射切割时产生的碎屑飞散到第一过孔51与第二过孔52中而影响后续第一焊盘6与第二焊盘7的电性。

实施例4

请参阅图14、图15，本申请实施例4中提供一种发光组件10c，包括实施例1的全部技术特征，其区别在于实施例4中的所述发光组件10c还进一步在所述磊晶基板1上设置有切割凹槽12，所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7延伸至所述切割凹槽12内。这样可进一步使得所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7覆盖在所述磊晶基板1的四周表面并填充于所述切割凹槽12内，进而增加所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7包覆在所述发光组件10c的范围，从而进一步增加侧向发射的光线在所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7之间被反射的机会，避免光线在相邻两个发光组件10c之间出现混光。

同理，所述阳极焊盘6部分覆盖所述钝化层5的三个侧面，所述阴极焊盘7部分覆盖所述钝化层5的三个侧面。由于所述磊晶基板1四周设置有切割凹槽12，可以使所述阳极焊盘6与所述阴极焊盘7在沉积过程中更深入所述磊晶基板1中，覆盖更大面积的所述磊晶基板1侧表面。与实施例2相同，所述阳极焊盘6与所述阴极焊盘7也会分别地，部分覆盖所述磊晶基板1的三个侧面。

请参阅图16，本实施例通过将所述发光组件10c旋转后，将多个所述发光组件10c以覆晶的方式设置于阵列基板20上可形成发光装置100c。所述发光装置100c的原理与实施例2相同，结构的差异仅在于所述发光组件10c不同，具体请参考前文实施例2的内容，在此不做赘述。所述锡膏层30对应覆盖于所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7的侧壁及底部，同样可以实现增大所述锡膏层30包覆在所述发光层3的范围，从而进一步避免光线在相邻两个发光组件10之间出现混光。

本实施例由于设置了所述切割凹槽12，所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7深入地延伸至所述切割凹槽12内，因此可以提供比实施例1更大的侧向光线反射面积与更大的锡膏层接触面积，提供更好的抗混光能力与抗推拉力性能。

请参阅图17a及图17b，基于同样的发明构思，本实施例还提供一种发光组件10c的制作方法，包含步骤S310至步骤S380，本实施例的发光组件10c的制作方法与实施例1的发光组件10的制作方法的差异在于，在沉积钝化层覆盖所述多个半导体发光单体步骤S130之后，且在蒸镀金属材料覆盖所述钝化层5、所述第一过孔51与所述第二过孔52步骤S150之前，还包括步骤S347：使用雷射切割所述磊晶基板1以在所述每个半导体发光单体102四周形成切割凹槽12。

具体的，在所述磊晶基板1上设置所述切割凹槽12，蒸镀时，金属材料填入切割凹槽12。使得所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7延伸至所述切割凹槽12内，进而增加所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7包覆在所述发光层3的范围，从而进一步提高光线在所述阳极焊盘6及所述阴极焊盘7之间被反射的机会，避免光线在相邻两个发光组件10c之间出现混光。

本实施例的切割凹槽12与实施例1的槽线103有相同的作用。因此，本实施例取消了实施例1的步骤S170。本实施例与实施例1的发光组件的制作方法实质差异在于雷射切割步骤在整个方法中的顺序不同，并未增加步骤，但是却能提供更有效果的发光组件结构。

雷射切割的步骤S347可以在第一过孔与第二过孔的开孔步骤S340之前或之后。选择在步骤S340之前执行步骤S347可以避免雷射切割时产生的碎屑飞散到第一过孔51与第二过孔52中而影响后续第一焊盘6与第二焊盘7的电性。

本发明的有益效果在于，提供一种发光组件及其制作方法、发光装置，一方面通过将焊盘设于发光层的侧壁及底部形成发光组件，避免相邻两个发光组件发出的不同颜色光线出现混光而造成颜色偏差，从而改善显示品质；另一方面通过将锡膏涂布在所述焊盘的侧壁及底部形成所述锡膏层，使得锡膏层与驱动基板焊盘的接触面积增大，提升发光组件抗推拉力性能，避免受力脱落，从而改善了显示品质。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种电子装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。