膜结构体、压电体膜及超导体膜

根据本发明,对于各种压电材料,能够将具有单晶的晶体结构的压电体膜形成在本发明的膜结构体之上。本发明的膜结构体具备：基板；形成于所述基板上的、含氧化锆的具有四方晶的晶体结构的缓冲膜；形成于所述缓冲膜上的、外延生长的含铂族元素的金属膜；以及形成于所述金属膜上的、外延生长的含Sr(Ti-(1-x),Ru-(x))O-(3)(0≤x≤1)的膜。

2021-10-29

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层叠体、使用了该层叠体的压电器件及压电器件的制造方法

维持层叠体的柔韧性的同时,降低功能层的开裂的产生。层叠体具有高分子的基材、以及形成于上述基材的第1面的结晶性的功能层,上述基材的上述第1面的表面粗糙度以算术平均粗糙度(Ra)计为3nm以下。

2021-10-29

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层叠体、使用了该层叠体的压电器件及压电器件的制造方法

维持层叠体的柔韧性的同时,降低功能层的开裂的产生。层叠体具有高分子的基材、以及形成于上述基材的第1面的结晶性的功能层,上述基材的上述第1面的表面粗糙度以算术平均粗糙度(Ra)计为3nm以下。

2021-10-29

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制备薄铁电材料层的方法

本发明涉及制备单畴铁电材料薄层的方法。所述方法包括：在铁电供体基板的第一面中注入轻物质,以便形成脆弱平面并限定位于该脆弱平面与基板的第一面之间的第一层；借助于介电组装层将供体基板的第一面与支承基板组装在一起；以及在脆弱平面处使供体基板断裂。介电组装层(7b)包括氧化物,该氧化物的氢浓度低于第一层(3)的氢浓度或防止氢扩散到第一层,或者介电组装层(7b)包括阻挡件,该阻挡件防止氢扩散到第一层。所述制备方法还包括：对第一层的自由面进行热处理,以便使第一层中包含的氢扩散,并引起该第一层的表面部分的多畴转变,然后对第一层进行减薄,以便至少去除该表面部分。

2021-10-22

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一种复合单晶压电基板及其制备方法

本申请人提供一种复合单晶压电基板及其制备方法,所述复合单晶压电基板由底至顶依次包括高声阻衬底层(1)、低声阻层(2)、缓冲层(3)和单晶压电层(4),其中,所述低声阻层(2)孔隙率为8×10～(19)～1×10～(22)H atoms/cm～(3),常温下对水的扩散大于3×10～(-17)cm～(2)/s,从而使键合所生成的水能够被所述低声阻层(2)吸收,或者,沿所述低声阻层(2)的疏松结构逸出所述复合单晶压电基板,从而减少甚至消除在高声阻衬底层(1)与低声阻层(2)之间的界面形成空洞等缺陷,所述方法能够方便地制备获得具有预设结构的复合单晶压电基板。

2021-10-22

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一种复合单晶压电基板及其制备方法

本申请人提供一种复合单晶压电基板及其制备方法,所述复合单晶压电基板由底至顶依次包括高声阻衬底层(1)、低声阻层(2)、缓冲层(3)和单晶压电层(4),其中,所述低声阻层(2)孔隙率为8×10～(19)～1×10～(22)H atoms/cm～(3),常温下对水的扩散大于3×10～(-17)cm～(2)/s,从而使键合所生成的水能够被所述低声阻层(2)吸收,或者,沿所述低声阻层(2)的疏松结构逸出所述复合单晶压电基板,从而减少甚至消除在高声阻衬底层(1)与低声阻层(2)之间的界面形成空洞等缺陷,所述方法能够方便地制备获得具有预设结构的复合单晶压电基板。

2021-10-22

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一种复合单晶压电基板及制备方法

本申请公开一种复合单晶压电基板及其制备方法,所述复合单晶压电基板包括硅衬底层(1)、二氧化硅层(2)和单晶压电层(3),其中,所述硅衬底层(1)的表面被损伤形成损伤层(4),所述损伤层(4)与所述二氧化硅层(2)接触,本申请提供的方法将高温工艺步骤设置于损伤层(4)形成之前,并透过所述二氧化硅层(2)“远程隔空”制备损伤层(4),使得所述二氧化硅层(2)的厚度均匀性好,损伤层(4)中用于捕获载流子的缺陷密度大,所述复合单晶压电基板的结构稳定,能够有效捕获由于硅衬底层(1)与二氧化硅层(2)界面上不可避免的缺陷而生成的载流子,从而提高基于所述复合单晶压电基板制得器件的性能。

2021-10-22

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一种复合单晶压电基板及制备方法

本申请公开一种复合单晶压电基板及其制备方法,所述复合单晶压电基板包括硅衬底层(1)、二氧化硅层(2)和单晶压电层(3),其中,所述硅衬底层(1)的表面被损伤形成损伤层(4),所述损伤层(4)与所述二氧化硅层(2)接触,本申请提供的方法将高温工艺步骤设置于损伤层(4)形成之前,并透过所述二氧化硅层(2)“远程隔空”制备损伤层(4),使得所述二氧化硅层(2)的厚度均匀性好,损伤层(4)中用于捕获载流子的缺陷密度大,所述复合单晶压电基板的结构稳定,能够有效捕获由于硅衬底层(1)与二氧化硅层(2)界面上不可避免的缺陷而生成的载流子,从而提高基于所述复合单晶压电基板制得器件的性能。

2021-10-22

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一种压电复合薄膜及其制备方法

本发明公开了一种压电复合薄膜及其制备方法,压电复合薄膜具体包括依次叠加的衬底层、低声阻层以及压电层,其中,低声阻层中掺有一定含量的氯离子,氯离子均匀分布在低声阻层之中或者位于低声阻层中的局部区域。本发明的技术方案中,加入氯离子能够有效地捕获低声阻层中的可移动的碱金属离子,形成中性的氯化物,避免低声阻层中的碱金属离子对声表面波滤波器激发的电磁场造成影响,保证声表面波滤波器的稳定性。

2021-10-22

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一种压电复合薄膜及其制备方法

本发明公开了一种压电复合薄膜及其制备方法,压电复合薄膜具体包括依次叠加的衬底层、低声阻层以及压电层,其中,低声阻层中掺有一定含量的氯离子,氯离子均匀分布在低声阻层之中或者位于低声阻层中的局部区域。本发明的技术方案中,加入氯离子能够有效地捕获低声阻层中的可移动的碱金属离子,形成中性的氯化物,避免低声阻层中的碱金属离子对声表面波滤波器激发的电磁场造成影响,保证声表面波滤波器的稳定性。

2021-10-22

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