本公开涉及制造高纯度Al-xGa-(1-x)N(0.5≤x≤1)压电薄膜的方法以及利用该方法的高纯度Al-xGa-(1-x)N(0.5≤x≤1)压电薄膜及利用该薄膜的装置(Method of manufacturing Al-xGa-(1-x)N(0.5≤x≤1)piezoelectric thin films with high purity and their apparatus using the thin film),其中,制造高纯度Al-xGa-(1-x)N(0.5≤x≤1)压电薄膜的方法包括：在蓝宝石成膜基板形成牺牲层的步骤；以及在牺牲层上生长Al-xGa-(1-x)N(0.5≤x≤1)压电薄膜的步骤,其中,在生长Al-xGa-(1-x)N(0.5≤x≤1)压电薄膜的步骤之前,还包括：形成由Al-yGa-(1-y)N(0.5≤y≤1)构成的第一半导体层的步骤。

本发明涉及共聚物,其包含：式(I)的氟化单元(I)-CX-1X-2-CX-3X-4-,其中X-1、X-2、X-3和X-4各自独立地选自H、F和任选地被部分或者完全氟化的包含1-3个碳原子的烷基基团；和式(II)的氟化单元(II)-CX-5X-6-CX-7Z-,其中X-5、X-6和X-7各自独立地选自H、F和任选地被部分或者完全氟化的包含1-3个碳原子的烷基基团,和其中Z为式-Y-Ar-R的光活性基团,Y表示氧原子或NH基团或硫原子,Ar表示芳基基团、优选地苯基基团,并且R为包含1-30个碳原子的单齿或双齿基团。本发明还涉及用于制备该共聚物的方法、包含该共聚物的组合物、以及由所述共聚物获得的膜。

本发明涉及共聚物,其包含：衍生自式(I)的氟化单体的单元(I)CX-1X-2＝CX-3X-4,其中X-1、X-2、X-3和X-4各自独立地选自H、F和任选地被部分或者完全氟化的包含1-3个碳原子的烷基基团,在所述共聚物中,所述氟化单体的H和/或F原子部分地被式-Y-Ar-R的光活性基团替代；Y表示氧原子或NH基团或硫原子,Ar表示芳基基团、优选地苯基基团,并且R为包含1-30个碳原子的单齿或双齿基团。所述共聚物的式(I)的氟化单体包含偏氟乙烯和三氟乙烯。本发明还涉及用于制备所述共聚物的方法、包含所述共聚物的组合物、以及由所述共聚物获得的膜。