根据本发明,对于各种压电材料,能够将具有单晶的晶体结构的压电体膜形成在本发明的膜结构体之上。本发明的膜结构体具备：基板；形成于所述基板上的、含氧化锆的具有四方晶的晶体结构的缓冲膜；形成于所述缓冲膜上的、外延生长的含铂族元素的金属膜；以及形成于所述金属膜上的、外延生长的含Sr(Ti-(1-x),Ru-(x))O-(3)(0≤x≤1)的膜。

维持层叠体的柔韧性的同时,降低功能层的开裂的产生。层叠体具有高分子的基材、以及形成于上述基材的第1面的结晶性的功能层,上述基材的上述第1面的表面粗糙度以算术平均粗糙度(Ra)计为3nm以下。