本发明公开了一种二维共轭聚合物异质结及其制备方法和应用。所述制备方法是利用化学气相沉积法,使固体源在基底表面进行界面共聚反应,制备得到二维共轭聚合物异质结。该方法是一种普适性好、操作简便、低成本、低温常压、具备大批量生产能力的方法。而且制备的二维共轭聚合物异质结的面积为1cm～(2)以上,厚度为0.1-20nm；可以用于电子器件、光电、光伏、太阳能电池、能量存储、气体存储和分离、场效应晶体管制备等领域中。

本发明公开一种苝二酰亚胺衍生物及其制备方法和光电器件应用,本发明中,通过光照和碘的作用下,实现了苝二酰亚胺湾位的共轭拓展,湾位吡啶环的引入,可以有效拓展分子的离域电子云,进而实现材料在光电器件中性能的提升。同时,苝二酰亚胺湾位的拓展可以有效减小苝二酰亚胺湾位的空间位阻,进而提升苝二酰亚胺结构单元和Ar基团之间的分子内相互作用以及保证材料在薄膜中形成有效的Π-Π堆积,进一步提升材料的光电性能。通过Ar结构单元的改变,可以实现该类分子吸收光谱、荧光发射光谱、带隙、能级等特性的有效调控,进而可以广泛应用于各种光电器件中,体现出本发明良好的应用潜力。

本发明提供能够制造迁移率提高了的FET的碳纳米管组合物。本发明的碳纳米管组合物是包含具有(1)～(2)的特征的碳纳米管,且不含有卤素的碳纳米管组合物。(1)使上述碳纳米管分散在包含胆酸衍生物和水的溶液中而得的分散液在使用紫外可见近红外分光分析测得的波长300nm～1100nm的范围内的吸收光谱中,在波长600nm～700nm的范围显示最低的吸光度,并且在波长900nm～1050nm的范围显示最高的吸光度,上述最高的吸光度与上述最低的吸光度的比为2.5以上4.5以下。(2)使用拉曼分光分析,以波长532nm的光作为激发光测得的D谱带与G谱带的高度比((D/G)D/G×100的值)为3.33以下。

提供了用于有机薄膜晶体管的可光图案化的有机半导体(OSC)聚合物。一种聚合物掺混物,其包括至少一种有机半导体(OSC)聚合物和至少一种光敏剂,使得所述至少一种OSC聚合物是二酮基吡咯并吡咯-稠合噻吩聚合材料,其中,所述稠合噻吩是β取代的。

本发明涉及一种包含n型有机半导体(OSC)聚合物和p型OSCs的新型组合物,涉及其作为有机半导体于有机电子(OE)装置中或用于制备有机电子(OE)装置的用途,尤其是有机光伏(OPV)装置、基于钙钛矿的太阳能电池(PSC)装置、有机光电探测器(OPD)、有机场效应晶体管(OFET)和有机发光二极管(OLED),以及OE、OPV、PSC、OPD、OFET和OLED装置并包含其组合物。

本发明属于有机电子领域,具体为一种取向化气液界面聚合物半导体薄膜及其构筑方法和应用。本发明是在长方形的气液界面处,滴加聚合物半导体溶液,聚合物半导体溶液所用的溶剂与去离子水不互溶,并在气液界面上迅速铺展开；经过溶剂挥发过程,快速形成聚合物半导体薄膜；聚合物半导体为主链骨架刚性较强,其主链骨架由给体和受体构成；本发明成膜速度快(40 s内),制备的薄膜厚度可低于10 nm,具有良好的分子取向性,同时能够转移于多种介电材料表面上,用于制备有机场效应晶体管。本发明的给体-受体型共轭聚合物在柔性电子领域具有广阔的应用前景。

本发明涉及场效应晶体管、气体传感器及其制造方法。本公开的目的在于提供场效应晶体管,其为使用金属有机结构体膜作为半导体层、具有新型结构的场效应晶体管。本实施方式为场效应晶体管,是包含基板、源极、漏极、栅极和作为半导体层的金属有机结构体膜的场效应晶体管,其中,金属有机结构体膜包含具有π共轭系骨架的有机配体和金属离子以在基板的面方向上展开的方式配位的多个晶体结构经由π-π相互作用在基板上层叠的层叠结构,各晶体结构具有通过有机配体和金属离子的配位而形成的细孔,在所述层叠结构中,邻接的晶体结构的细孔在膜厚方向上连通,场效应晶体管为顶部接触型。

本发明公开了一种新型的有机PN异质结液相的生长方法,具体包括：衬底清洗、P3HT薄膜的制备、构建金属线隙生长空腔、PDIF-CN-(2)生长溶液的配制和注入、薄膜自行生长和冷却揭板、薄膜的形貌表征来验证异质结构和构建晶体管器件和基本的电学测试。本发明利用添加剂辅助的“金属线隙”工艺两步法构建PN异质结：先在衬底上先制备P3HT薄膜作为P型通道,然后在其边缘利用“金属线隙”工艺来堆垛N型通道PDIF-CN-(2)薄膜,从而实现P3HT/PDIF-CN-(2)异质结。在异质结的边缘AFM显示在底层的薄膜表现出极大的表面粗糙度,而在顶层薄膜表现出了原子级的平整度和分子台阶,从而获得高质量的异质结薄膜。基于制备的异质结薄膜构建了场效应晶体管器件,转移曲线表现出了典型的V型特征。

本发明提供了双向阈值对称的选通器,所述双向阈值对称的选通器包括衬底、第一银电极、阻变层和第二银电极,阻变层的组成材料为有机无机杂化钙钛矿,选通器采用了平面对称的双电极结构,在电压刺激下,保证了选通器的第一银电极和第二银电极均能够提供足够的银源,有利于获得双向阈值对称的选通特性,结构简单。本发明还提供了所述双向阈值对称的选通器的制备方法,包括通过真空热蒸发工艺,在衬底的顶面上沉积第一银电极和第二银电极,通过紫外臭氧设备处理沉积有第一银电极和第二银电极的衬底,配制有机无机杂化钙钛矿溶液,通过旋涂工艺对有机无机钙钛矿溶液进行旋涂,形成钙钛矿薄膜。所述双向阈值对称的选通器的制备方法简单,成本低。

本发明涉及一种吡啶并三氮唑类新型受体及其发光聚合物的合成与应用。所述发光聚合物其结构式如式I所示。以本发明吡啶并三氮唑类发光聚合物为半导体层制备的有机场效应晶体管有较高的空穴迁移率(最高为0.28cm～(2)V～(-1)s～(-1))和固态发光量子产率(最高为10％),在有机场效应晶体管及发光晶体管中均具有良好的应用前景。本发明合成了一种吡啶并三氮唑(简称PT)类新型受体及其发光聚合物,并研究了其发光特性及在OFETs中的应用。本发明的吡啶并三氮唑类聚合物进一步扩展了发光聚合物材料的种类,在有机光电子器件中具有良好的应用前景。