一种基于气相外延反应机构的自公转基座嵌入结构

本发明涉及GaN制备相关技术领域,且公开了一种基于气相外延反应机构的自公转基座嵌入结构,包括自公转基座和安装台,自公转基座设置在安装台上,所述自公转基座的倾斜表面处设置有沉积衬底,自公转基座的倾斜表面顶部开设有与沉积衬底相邻的嵌入槽,嵌入槽内嵌入有嵌入块。该基于气相外延反应机构的自公转基座嵌入结构,在自公转基座自转倾斜面上设置嵌入块,通过对嵌入块进行维护更换,能够有效的将粘附在自转倾斜面的生长晶体清除,避免晶体堆积过多,区别于传统的自公转基座斜面结构,避免自公转基座倾斜面顶部位置晶体生长影响气流平顺流通的问题。

2021-11-02

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金刚石圆片径向生长方法及装置

本发明涉及晶体合成技术领域,尤指一种金刚石圆片径向生长方法及装置,该包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元；升降式旋转支架包括升降杆装置、横架、距离调整组件、旋转驱动组件和至少两组平行设置的旋转轴；而该生长方法通过晶圆夹持单元将多片金刚石圆片同轴夹持成柱状,然后安置在升降式旋转支架,升降式旋转支架带动金刚石圆片转动、升降及间隙控制作用下,金刚石圆片侧面暴露在工艺气体激发后的等离子体中,使得金刚石圆片只沿着侧面径向旋转生长,从而生长出大直径金刚石圆片,通过晶圆夹持单元保持金刚石圆片的厚度,通过旋转轴的研磨保持金刚石圆片的圆度。

2021-11-02

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一种可镀多种膜的管式PECVD石墨舟镀膜工艺

本发明提供一种可镀多种膜的管式PECVD石墨舟镀膜工艺,采用可镀多种膜的管式PECVD石墨舟结构,工艺流程如下：S1：机械手抓取硅片插入所述镂空区域的勾点上,使所述硅片位于所述镂空区域中,所述硅片的正面和背面分别位于两个所述镀膜通道中；S2：将所述镉板插入所述隔板安装槽内,对所述镀膜通道进行密封；S3：根据镀膜设计要求,在所述硅片两侧的镀膜通道中分别通入镀膜气体或惰性气体,并将所述电极与电源连通,完成镀膜。本发明单个设备上可以镀多种膜,节省了倒片时间,同时减少倒片过程的划伤,提升了良率。同时避免镀膜过程暴露在空气中,减少污染。

2021-11-02

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石墨盘及其修复方法

本发明提供一种石墨盘的修复方法及石墨盘,所述石墨盘包括石墨本体和在石墨本体表面沉积的涂层,所述修复方法包括：检测所述涂层是否存在裂缝；若所述涂层存在裂缝,检测与所述裂缝对应的所述石墨本体是否出现孔洞；若所述石墨本体上出现孔洞,且当所述孔洞的孔径大于预设孔径,则填充与所述孔洞匹配的石墨块至所述孔洞中。

2021-11-02

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层状陶瓷结构

在一些示例中,一种衬底支撑组件包括：单块式陶瓷主体；加热器元件,其设置在所述单块式陶瓷主体内；以及RF天线,其设置在所述单块式陶瓷主体内。一或多条功率线对所述加热器元件和所述RF天线进行供给。层状结构形成或包括在所述单块式陶瓷主体内,所述层状结构包括至少一层,所述至少一层的热导率不同于所述单块式陶瓷主体的热导率。

2021-10-29

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调节多区域衬底支撑件的温度瞬时以快速调整关键尺寸不均匀性

一种衬底处理系统包含处理室；包含多个加热器区域的衬底支撑件,其布置在所述处理室中；气体输送系统,其被配置成输送处理气体至所述处理室；以及控制器,其被配置成：与所述气体输送系统和所述多个加热器区域通信,在衬底布置在所述衬底支撑件上之后以及在所述衬底到达所述衬底支撑件的稳态温度之前的瞬时温度时段期间,启动处理的第一处理步骤,以及基于在与所述第一处理步骤对应的时段期间针对所述多个加热器区域中的相应区域所确定的平均热函数,调整在所述第一处理步骤期间对所述多个加热器区域中的每一个区域的加热。

2021-10-29

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用于制造显示装置的设备和用于制造显示装置的方法

提供了用于制造显示装置的设备和用于制造显示装置的方法。所述设备包括：第一壳体,具有第一腔室；支撑构件,设置在第一腔室中并且包括具有多个开口的框架；多个粘合图案,设置在框架上；以及多个静电支撑件,与多个开口叠置并且被支撑用于在多个开口中的相应开口中往复移动。

2021-10-29

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提高外延片发光均匀度的外延托盘

本公开公开了一种提高外延片发光均匀度的外延托盘,属于外延生长技术领域。在每相邻的两个凹槽圈之间增加一个同心的调整圈,调整圈包括的多个沿外延托盘的周向均匀分布的条形槽,条形槽内主要为空气,降低空白区域的传热效应,减小两个相邻的凹槽圈之间的空白区域会积累的热量,由此减小空白区域的温度对临近的凹槽圈内的圆形凹槽的影响。每个条形槽的长度方向均垂直于外延托盘的一条直径,条形槽构成的调整圈也接近环状,提高外延托盘整体的温度的一致性并由此提高外延片的发光均匀度与一致性。

2021-10-29

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原子层沉积装置

本发明涉及一种原子层沉积装置,反应室包括反应室主体与腔门,反应室主体的内部形成反应腔体,反应室主体上设有进气口与抽气口,腔门与反应室主体可拆卸连接；安装架与腔门固定连接,腔门与反应室主体连接时,安装架位于反应腔体的内部；第一承载件用于承载块状待包覆物,第一承载件与安装架可拆卸连接；第二承载件用于承载粉状待包覆物,第二承载件与安装架可拆卸连接；第一使用状态下,第一承载件与安装架固定连接；第二使用状态下,第二承载件与安装架连接,且驱动件与第二承载件连接,驱动件用于驱动第二承载件相对于安装架转动。该原子层沉积装置可以对不同类型的待包覆物进行沉积,适用范围更广。

2021-10-29

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用于基板处理腔室的吸附工艺和系统

本公开涉及用于在基板处理腔室中吸附的方法和系统。在一个实施方式中,一种在基板处理腔室中吸附一个或多个基板的方法包括：将吸附电压施加到基座。将基板设置在基座的支撑表面上。所述方法还包括：从施加的电压斜变吸附电压；在斜变吸附电压时检测阻抗偏移；确定发生阻抗偏移时的对应吸附电压；以及基于阻抗偏移和对应吸附电压来确定精确吸附电压。

2021-10-26

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