具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本发明的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。同时，应当清楚，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员己知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任向具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

在本发明的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明保护范围的限制：方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其位器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本发明保护范围的限制。

如图1～6所示，一种可镀多种膜的管式PECVD石墨舟镀膜工艺，采用可镀多种膜的管式PECVD石墨舟结构，所述可镀多种膜的管式PECVD石墨舟结构包括多个依次叠放的舟片1，多个所述舟片1的叠放方向沿所述舟片的厚度方向；所述舟片1沿其长度方向上设有多个镂空区域2，所述镂空区域2用于安装硅片，且所述镂空区域2周围设有至少一个卡住所述硅片的勾点；所述镂空区域2安装硅片后，相临两个舟片1之间形成独立的且密闭的镀膜通道，所述镀膜通道的延伸方向平行于所述舟片1的长度方向，所述舟片1在其长度方向的两端分别加工有与所述镀膜通道连通的进气孔3和出气孔4；所述镀膜通道内通入镀膜气体或惰性气体；在所述舟片1的长度方向的两侧，相临两个舟片1之间的缝隙处安装有隔板5，所述隔板5通过加工在两个所述舟片1之间的缝隙处的隔板安装槽与两个所述舟片1连接，并密封所述缝隙；相临两个所述隔板5之间具有多个舟片陶瓷绝缘块6；所述舟片1在其长度方向的一端安装有电极7，相临两个舟片1的电极7分别位于舟片1的两端；

工艺流程如下：

S1：机械手抓取硅片插入所述镂空区域2的勾点上，使所述硅片位于所述镂空区域2中，一个所述镂空区域2内插入一个所述硅片或两个所述硅片，当插入一个所述硅片时，所述硅片的正面和背面分别位于两个所述镀膜通道中；当插入两个所述硅片时，两个所述硅片的背面相对设置，且两个所述硅片的正面分别位于两个所述镀膜通道中；

S2：将所述镉板5插入所述隔板安装槽内，对所述镀膜通道进行密封；

S3：根据镀膜设计要求，在所述硅片两侧的镀膜通道中分别通入镀膜气体或惰性气体，并将所述电极与电源连通，完成镀膜。

所述舟片1包括两个长度立板11、两个宽度立板12和多个中间平板13，

两个长度立板11和两个宽度立板12围成矩形，中间平板13的两端分别与两个所述长度立板11固定连接，相临两个中间平板13之间的空隙及所述中间平板13与所述宽度立板12之间的空隙形成所述镂空区域2，所述进气孔3和所述出气孔4分别设置在两个所述宽度立板12上。

镂空区域2可采用耐高温500℃以上软密封圈与硅片接触，勾点分布于镂空区域2的不同方位，保证硅片不掉落以及单通道的气密程度。

以PERC电池为例，PERC电池的制作工艺如下：制绒→正面扩散→正面SE→背面刻蚀→背面镀膜三氧化二铝→背面镀氮化硅→正面镀氮化硅→背面激光开槽→正背面丝网印刷。

PERC电池的镀膜工艺如下：

(1)机械手抓取硅片，机械手抓取硅片插入舟片镂空区域卡勾点上。单层舟片镂空区域的硅片正背面处于两个不同镀膜通道中。

(2)将所述镉板5插入所述隔板安装槽内，对所述镀膜通道进行密封；

(3)背面三氧化二铝镀膜工艺，镀膜通道气体设置如图4，设定各温区的温度、时间、气体流量、通道压力，功率及及占空比。硅片的背侧通道通入TMA和O₃，硅片的正侧通道通入N₂，通气通电后，进行，镀膜完后，用N₂吹扫硅片正侧和背侧的镀膜通道。

(4)背面氮化硅的镀膜工艺，镀膜通道气体设置如图5，设定各温区的温度、时间、气体流量、通道压力，功率及及占空比。硅片的背侧通道通入SiH₄和NH₃，硅片的正侧通道通入N₂，通气通电后，进行，镀膜完后，用N₂吹扫硅片正侧和背侧的镀膜通道。

(5)正面氮化硅的镀膜工艺，镀膜通道气体设置如图6，设定各温区的温度、时间、气体流量、通道压力，功率及及占空比。硅片的正侧侧通道通入SiH₄、NH₃和N₂O，硅片的背侧通道通入N₂，通气通电后，进行，镀膜完后，用N₂吹扫硅片正侧和背侧的镀膜通道。

(5)镀膜完后，测试正背面折射率，与常规镀膜无明显差异。

(6)烧结后Suns-Voc测试饱和暗电流密度J0，判断镀膜质量，比常规镀膜好。

本发明与常规石墨舟镀膜性能及产能对比。由同一人先后操作，工艺相似。电阻率为80Ω·cm的P型高阻片，厚度180μm，三氧化二铝膜厚8nm，烧结后Suns-Voc测试饱和暗电流密度J0。用同一炉台继续镀正背面氮化硅，同样正背面通不同比例气体，完成正背面氮化硅的镀膜。对比结果如下表所示：

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。