一种基于TGV技术的单刀多掷RF MEMS开关及晶元级封装方法

本发明涉及一种基于TGV技术的单刀多掷RF MEMS开关,以衬底(1)为基础,应用信号输入端(3)与总信号线(2)之间的电连接,实现信号的输入,再由分别对接于总信号线(2)的各个RF MEMS开关,基于锚点(6),配合驱动电极(9)上电荷积累带动相应悬臂梁(7)的移动,实现各RF MEMS开关所对应分支支路控制信号的输出,实现了单刀多掷控制；整个设计结构具有极低的插入损耗,以及极高的隔离度,并且基于TGV技术,免于打线,封装更简单,尺寸更小,良率更高；相应对此开关还设计了晶元级封装方法,与衬底TGV通孔技术配合使用,获得更高可靠性,并且工艺简单,成本低廉,适用于各种衬底。

2021-11-02

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微流体致动器的异质整合芯片的制造方法

一种微流体致动器的异质整合芯片的制造方法,包含以下步骤：提供第一基板,第一基板为具有驱动单元于硅基底的第一表面上；通过蚀刻部分第一基板的第二表面,产出第一腔室单元；提供第二基板,第二基板为具有控制单元于第二基板的第三表面上；通过蚀刻部分第二基板的第四表面,产出第二腔室单元；通过晶圆封装制程,执行面接合,将第一基板的第二表面与第二基板的第四表面相互接合；通过硅穿孔制程,产出至少一第一穿孔槽；沉积第一绝缘层于该多个第一穿孔槽内及相关表面上；以及沉积第一导电体于该多个第一穿孔槽内的第一绝缘层的表面。

2021-11-02

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微流体致动器的异质整合芯片

一种微流体致动器的异质整合芯片,包含：一第一基板,具有一第一腔体；一第一绝缘层,设置于第一基板上；一第一导电层,设置于第一绝缘层上,并具有至少一电极垫片；一压电层,设置于第一导电层上；一第二导电层,设置于压电层上；一第二基板,接合于第一基板,借以定义出一第二腔体,并具有一喷孔、一流体流道以及一第三腔体；一接合层,接合于第一基板与第二基板之间；一控制元件,设置于第二基板中；至少一穿孔槽,由至少一电极垫片贯穿至第二基板；以及至少一导电体,填充于至少一穿孔槽中。

2021-11-02

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一种片内阵列微流柱散热结构氮化镓功率器件及制造方法

本发明涉及一种片内阵列微流柱散热结构氮化镓功率器件及其制造方法,氮化镓功率器件自上而下依次包括器件功能层、势垒层、缓冲层和衬底层,所述衬底层中设置有阵列微流柱,所述阵列微流柱设置在有源区下面的近结区。本发明将流体散热技术引入芯片内部,实现了近结区的高效散热能力,解决了大功率氮化镓器件有源区热积累；相比传统的氮化镓器件,其功率密度可提升数倍以上,极大提高了器件最大输出功率,并维持较高的可靠性。

2021-11-02

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一种宽量程的MEMS真空计及其制作方法

本发明公开了一种宽量程的MEMS真空计及其制作方法,该MEMS真空计包括本体和键合在本体上方的盖板,本体包括具有腔体的衬底一,形成于衬底一及腔体上表面的介质层,以及形成于介质层上表面、且局部位于腔体上方的热敏部件；盖板包括衬底二,衬底二下表面通过环形支撑柱与本体键合,位于热敏部件上方的衬底二下表面形成有微纳结构,支撑柱之间存在导气通道。本发明通过设置盖板,减小了加热器与热沉之间的垂直距离,有利于提高MEMS真空计的测量上限,同时盖板上的微纳结构有利于增大加热器与热沉间气体热传导的面积,即有利于增加气体的热传导,从而提高MEMS真空计的测量下限。因此,本发明的MEMS真空计可有效扩展测量范围,实现宽量程。

2021-11-02

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晶圆级封装方法及晶圆级封装结构

本发明提供了一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构,通过将下层晶圆的第一金属密封圈的内边缘比上层晶圆的第二金属密封圈的内边缘向内延伸1mm以上,来使得上下两层晶圆有足够的工艺窗口来保证第一金属密封圈和第二金属密封圈之间的金属键合,然后对上层晶圆切边时保留要求距离的第二金属密封圈,由此,既能保证键合和切边后的晶圆级封装结构的密封效果,防止水汽、划片液等进入,又解决了后续划片时晶圆级封装结构边缘划不开的问题,且无需增加工艺制程,能够增加有效芯片的可用数量。

2021-11-02

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基于晶圆制备MEMS器件的方法

本发明提供了一种基于晶圆制备MEMS器件的方法。通过在掩模层和晶圆的第二表面之间还设置保护层,该保护层可以在掩模层被消耗殆尽后用于保护晶圆免受氟化氙气体的刻蚀攻击,避免晶圆的边缘被过早暴露出而受到氟化氙气体的侵蚀,有效保障了位于晶圆边缘位置的MEMS器件的完整性,提高了晶圆上MEMS器件的成品率。

2021-11-02

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一种基于金属辅助化学蚀刻的大高宽比探针及其制造方法

本发明公开了一种基于金属辅助化学蚀刻方法的大高宽比探针,该探针由一体化制造的基底、悬臂梁和大高宽比针尖组成。本发明采用光刻、刻蚀等常规微纳加工工艺结合金属辅助的化学湿法刻蚀制作得到。本发明利用金属辅助化学蚀刻技术,对硅进行各向异性的湿法蚀刻,得到大高宽比的针尖,且制备的针尖拥有侧面光滑、横截面形状变化小的优势。本发明基于传统微加工工艺,引进了金属辅助化学蚀刻技术,相对RIE、ICP等深硅刻蚀技术,具备低成本、可控性强等优点。

2021-11-02

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一种硅麦叠装WB封装工艺

本发明公开了一种硅麦叠装WB封装工艺,工艺步骤包括：(1)在PCB基板上固定ASIC集成芯片；(2)在ASIC集成芯片正面点涂MEMS感应器贴片固定胶,以及在焊接点点位点涂锡膏或导电银胶；(3)在MEMS感应器背面设计相对应的焊接点,把MEMS感应器定位摆放在ASIC集成芯片正面对应位置,然后经过回流焊或烘烤实现ASIC集成芯片与MEMS感应器上的焊接点导通；(4)在PCB基板上涂锡后组装外壳,外壳与PCB基板形成包裹MEMS感应器及ASIC集成芯片的腔体。本发明采用叠片焊接点点对点式设计封装布局,减少产品设计摆件空间,便于产品小型化；封装减少了金线使用,可降低产品作业成本、简化封装工艺流程。

2021-11-02

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一种超滑封装器件及其封装方法

本发明提供了一种超滑封装器件及其封装方法,包括超滑基底、封装板和超滑片,超滑基底和封装板围合形成腔室,至少一个超滑片设于腔室内,且超滑片具有超滑面,超滑基底朝向封装板的一侧具有原子级平整表面,超滑面贴合于原子级平整表面上,采用粘接片将所有的超滑片粘接,可以将所有的超滑片统一转移至待封装部件上,并将粘接片的粘接层去除既可以使得所有的超滑片统一与粘接片分离,并落入至待封装部件上,能够大大的提高转移效率,同时粘接片既可以为封装板,能够使得转移和封装在同一步骤中完成,提高整体的封装速度,超滑片转移过程也不会对超滑片的超滑面和超滑基底上的原子级平整表面产生影响。

2021-11-02

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