本发明属于混频器,为解决移除LNA使混频器直接对接天线,噪声性能较差的技术问题,提供一种基于噪声抵消的有源混频器,包括包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、电阻R1、电阻R2和变压器T1,晶体管M1和晶体管M2的栅端均连接偏置电压,晶体管M1的漏端连接晶体管M3和晶体管M4的源端,晶体管M2的漏端连接晶体管M5和晶体管M6的源端,晶体管M1和晶体管M2的源端分别连接变压器T1的两个输入端口,晶体管M3的栅端和晶体管M6的栅端均连接本振信号LOP,晶体管M4的栅端和晶体管M5的栅端均连接本振信号LON,晶体管M3的漏端和晶体管M5的漏端相连后与电阻R1相连,晶体管M4的漏端和晶体管M6的漏端相连后与电阻R2相连。

本申请实施例公开了一种开关电路、混频器及电子设备,该开关电路包括第一金属氧化物半导体MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及第四MOS管,该第一MOS管的栅极和该第四MOS管的栅极均连接第一端口,该第二MOS管的栅极和该第三MOS管的栅极均连接第二端口；该第一MOS管的栅极与该第一端口之间的引线的长度、该第二MOS管的栅极与该第二端口之间的引线的长度、该第三MOS管的栅极与该第二端口之间的引线的长度、该第四MOS管的栅极与该第一端口之间的引线的长度均相等；线性度较高。

本发明属于射频频段无线通信技术领域,提供一种高边带抑制的高线性度单边带混频器,用以解决现有高线性度的正交混频器因奇次谐波的干扰导致系统性能恶化的问题。本发明由RC PPF网络、本振信号模块与IQ混频器三部分构成,其中,RC PPF网络输出四路相同摆幅的差分正交中频(IF)信号,本振信号模块基于数字时延电路、产生四路1/3占空比满摆幅的差分正交本振(LO)信号,最后通过IQ混频器将四路1/3占空比满摆幅的差分正交本振(LO)信号与四路相同摆幅的差分正交中频(IF)信号混合,实现对偶次谐波与3次边带的完全抑制；同时,在IQ混频器中,采用差分电感做负载,达到匹配目的,在理想抑制的基础上保证器件高的线性度和增益。