阅读说明：本技术 一种新型双晶体rtp普克尔盒装配 (Novel assembly of bicrystal RTP pockels box ) 是由 常亮 周煌 王盟 陈立元 于 2019-04-10 设计创作，主要内容包括：本发明涉及一种新型双晶体RTP普克尔盒装配,包含两块RTP(磷酸钛氧铷)晶体,一个半波片,和两个电极；所述的半波片插入在两块RTP晶体之间；所述的两块RTP晶体的z轴相互平行,无需正交放置；所述的半波片还可以补偿由于RTP晶体温度升高而产生的热致退偏效应,提高普克尔盒的性能。本发明降低了双晶体RTP普克尔盒的装配难度,并且还可以补偿RTP晶体在高功率激光器中工作时产生的热致退偏效应；因此具有结构简单紧凑、易加工、退偏补偿的特点；可以在激光器及其相关技术领域推广应用。(The invention relates to a novel double-crystal RTP Pockels cell assembly, which comprises two RTP (rubidium titanyl phosphate) crystals, a half-wave plate and two electrodes; the half-wave plate is inserted between the two RTP crystals; the z-axes of the two RTP crystals are parallel to each other and do not need to be orthogonally placed; the half-wave plate can also compensate the thermotropic depolarization effect generated by the temperature rise of the RTP crystal, and improve the performance of the Pockels cell. The invention reduces the assembly difficulty of the double-crystal RTP Pockels cell, and can also compensate the thermotropic depolarization effect generated when the RTP crystal works in a high-power laser; therefore, the device has the characteristics of simple and compact structure, easy processing and depolarization compensation; can be popularized and applied in the laser and the related technical field.)

一种新型双晶体RTP普克尔盒装配

技术领域

本发明涉及一种新型双晶体RTP普克尔盒装配，属于激光技术及其应用领域，尤其属于光电开关器件制造领域。

背景技术

RTP晶体作为优质的电光晶体，当用作电光开关时，单块RTP晶体具有静态双折射，必须配对使用。通常晶体的切割角度为折射率X轴或Y轴，因此配对使用时，且通常两块晶体的Z轴呈正交放置。如图2所示为目前双晶体RTP普克尔盒的主要装配方法。该装配方法存在结构复杂、加工精度要求高、装配难度大等特点，提高了产品的生产成本，降低了产品的成品率；并且由于没有退偏补偿结构，当高功率激光注入时，RTP晶体会产生比较严重的热致退偏效应，使得器件对工作温度敏感，并降低了普克尔盒的消光比等重要性能参数指标。

发明内容

针对上述现有双晶体RTP普克尔盒结构复杂、装配难度高、无法退偏补偿的问题，本发明提出一种新型双晶体RTP普克尔盒装配，如图1所示，包括两块RTP（磷酸钛氧铷）晶体，一个半波片，和两个电极。

所述的两块RTP晶体的切割方向均为X切或Y切；且所述的两块RTP晶体Z轴不必正交放置。

所述的半波片***在所述的两块RTP晶体之间，将通过第一块RTP晶体之后的线偏振光旋转90°之后，入射第二块RTP晶体，以实现无需两块晶体Z轴正交放置的目的。

所述的半波片还可以补偿由电光晶体在高功率激光器中工作时温度升高而导致的热致退偏效应。

所述的两个电极（101）可以是导电橡胶，或其他导电金属。

所述的两块电光晶体不仅可以是RTP晶体，也可以是其他对温度敏感的电光晶体，如KTP等电光晶体。

其他诸如绝缘壳体、窗口片等结构均为现有技术，在此不再赘述。

本发明的优良效果在于：在两块RTP晶体中间***半波片后，两块RTP晶体不必正交放置，极大地降低了装配难度，简化了电极结构；并且由于半波片可以对RTP晶体热致退偏效应进行补偿，降低了器件对温度的敏感性，并提高了普克尔盒的消光比等重要性能参数指标。

附图说明

图1新型双晶体RTP普克尔盒的装配方法原理示意图。

图2传统的双晶体RTP普克尔盒装配结构示意图。

具体实施方式

一种新型双晶体RTP普克尔盒装配（100），包括两块RTP（磷酸钛氧铷）晶体（102），一个半波片（103），和两个电极（101）。

所述的两块RTP晶体（102）的切割方向均为X切或Y切；且所述的两块RTP晶体（102）Z轴不必正交放置。

所述的半波片（103）***在所述的两块RTP晶体（102）之间，将通过第一块RTP晶体之后的线偏振光旋转90°之后，入射第二块RTP晶体，以实现无需两块晶体Z轴正交放置的目的。

所述的半波片（103）还可以补偿由电光晶体在高功率激光器中工作时温度升高而导致的热致退偏效应。

所述的两个电极（101）可以是导电橡胶，或其他导电金属。

所述的两块电光晶体不仅可以是RTP晶体，也可以是其他对温度敏感的电光晶体，如KTP等电光晶体。

其他诸如绝缘壳体、窗口片等结构均为现有技术，在此不再赘述。

以上所述只是本发明专利的一个具体实施方式，需指出，所描述的实施例仅为本发明的一种实施方案，而不是全部的实施案例。基于本发明的实施例，本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施案例，都属于本发明的保护范围。