具体实施方式

[本公开的实施方式的说明]

首先，说明本公开的实施方式。

本公开所涉及的通信用屏蔽电线具有：一对绝缘电线，具有导体和包覆该导体的外周的绝缘包覆层，该绝缘包覆层的相对介电常数为2.5以下；编织屏蔽层，包覆所述一对绝缘电线的外周；薄膜状屏蔽层，具备金属膜，且相对于所述一对绝缘电线呈纵向附加状地配置，包覆所述编织屏蔽层的外周；以及套管，包覆所述薄膜状屏蔽层的外周，且内径为3.5mm以下，所述一对绝缘电线以所述绝缘电线的外径的30倍以下的绞距彼此绞合，所述通信用屏蔽电线的特性阻抗处于100±5Ω的范围。

在上述通信用屏蔽电线中，通过将编织屏蔽层和呈纵向附加状地配置的薄膜状屏蔽层层叠且包覆一对绝缘电线绞合而成的双绞线的外周，在通信用屏蔽电线中获得较高的噪声屏蔽性。另外，通过使用两根绝缘电线绞合而成的双绞线作为信号线，信号线在向各方向弯折时示出较高的柔性，在弯折通信用屏蔽电线时不易对薄膜状屏蔽层施加过度的载荷。进而，通过使一对绝缘电线的绞距为绝缘电线的外径的30倍以下，即使通信用屏蔽电线反复承受弯折，特性阻抗也不易从100±5Ω的范围发生变化。另外，通过套管的内径抑制为3.5mm以下，呈纵向附加状地配置的薄膜状屏蔽层所形成的筒状体的外径变小，即使弯折通信用屏蔽电线，薄膜状屏蔽层也不易发生断裂等损伤。根据这些效果，获得耐弯折性优异的通信用屏蔽电线。为了使套管的内径为3.5mm以下，需要减薄绝缘包覆层而使绝缘电线细径化，但是，通过使绝缘包覆层的相对介电常数为2.5以下，即使减薄绝缘包覆层，将特性阻抗维持在预定较高的值的效果也优异，易于维持100±5Ω的范围的特性阻抗且使套管的内径为3.5mm以下。

在此，在本公开涉及的通信用屏蔽电线中，优选的是，所述绝缘电线的外径为1.5mm以下。通过将绝缘电线的外径抑制为1.5mm以下，套管的内径容易被抑制为3.5mm以下，易于使通信用屏蔽电线的耐弯折性优异。

另外，优选的是，所述绝缘电线的导体截面积为0.22mm²以下。通过将绝缘电线的导体截面积抑制得较小而使导体细径化，即使绝缘包覆层变薄，也易于抑制通信用屏蔽电线的特性阻抗的降低维持在100±5Ω的范围。根据缩小导体截面积的效果自身和减薄绝缘包覆层的效果这双方，使绝缘电线细径化，在通信用屏蔽电线中，套管的内径容易被抑制为3.5mm以下。

另一方面，优选的是，所述绝缘电线的导体截面积为0.13mm²以上。这样，通信用屏蔽电线的插入损耗被抑制得较低，易于获得良好的传送特性。

优选的是，所述薄膜状屏蔽层是高分子薄膜与所述金属膜层叠地复合而成的结构。通过高分子薄膜来提高薄膜状屏蔽层的机械强度，易于提升通信用屏蔽电线的耐弯折性。另外，通过利用高分子薄膜，易于在薄膜状屏蔽层的外周粘接套管。

优选的是，所述套管粘接于所述薄膜状屏蔽层。这样，在通信用屏蔽电线的末端等处，能够与套管一体地去除薄膜状屏蔽层。其结果是，在对通信用屏蔽电线的末端进行加工时等，能够以单一工序去除套管和薄膜状屏蔽层这双方，通信用屏蔽电线的加工性得到提高。

[本公开的实施方式的详情]

以下，使用附图对本公开的一个实施方式涉及的通信用屏蔽电线详细地进行说明。在本说明书中，关于相对介电常数、特性阻抗等依赖于测定频率及/或测定环境的各种特性，只要没有特别记载，就是针对适用通信用屏蔽电线的通信频率、例如处于300kHz～1GHz的范围的频率进行规定的，另外，是在室温、大气中测定的值。

(通信用屏蔽电线的整体结构)

图1中示出本公开的一个实施方式涉及的通信用屏蔽电线1的剖视图。通信用屏蔽电线1具有一对绝缘电线11、11绞合而成的双绞线10。各绝缘电线11具有导体12和包覆导体12的外周的绝缘包覆层13。

在双绞线10的外周设置有屏蔽体40。屏蔽体40可以一并包覆多个双绞线10束的外周，但优选在一周上连续地包覆仅一根双绞线10的外周。

屏蔽体40由编织屏蔽层20和薄膜状屏蔽层30相互层叠构成，编织屏蔽层20配置在内侧，薄膜状屏蔽层30配置在外侧。编织屏蔽层20包覆一对绝缘电线11、11的外周即双绞线10的外周。

薄膜状屏蔽层30包覆编织屏蔽层20的外周。从提升噪声屏蔽性的观点出发，优选的是，薄膜状屏蔽层30在中间不经由其他物质而以金属面直接接触编织屏蔽层20的表面来包覆编织屏蔽层20的外周。薄膜状屏蔽层30相对于一对绝缘电线11、11即相对于双绞线10呈纵向附加状地配置。即，在双绞线10的轴线方向与长条状的薄膜状屏蔽层30的面的长度方向轴一致的状态下，薄膜状屏蔽层30的面沿双绞线10的周向围绕双绞线10的外周。

通信用屏蔽电线1还具有包覆薄膜状屏蔽层30的外周且由绝缘材料构成的套管(护套)50。套管50直接或经由粘接剂的薄层与薄膜状屏蔽层30的表面接触。优选在套管50与薄膜状屏蔽层30之间不设置粘接剂以外的物质。套管50的内径D为3.5mm以下。套管50的内径D定义为，在与通信用屏蔽电线1的轴线方向正交的剖面上，穿过被通信用屏蔽电线1的外缘围绕的区域的重心而将套管50的内周面的彼此相对的部位连结的直线中的最长直线的长度。

通信用屏蔽电线1具有通过各构成构件的材料、尺寸来确定的特性阻抗，在本实施方式中，通信用屏蔽电线1的特性阻抗为100±5Ω的范围。以下，对通信用屏蔽电线1的各构成构件详细地进行说明。

(双绞线的结构)

通信用电线1作为传送电信号的信号线而具有一对绝缘电线11、11彼此绞合而成的双绞线10。各绝缘电线11具有导体12和包覆导体12的外周的绝缘包覆层13。在本公开涉及的通信用屏蔽电线1中，构成绝缘包覆层13的材料具有2.5以下的相对介电常数。另外，双绞线10的绞距为绝缘电线11的外径的30倍以下。除此以外，双绞线10的各部分的材料、结构参数不特别限定，但以下对优选的形态进行说明。

(1)绝缘电线的结构

构成双绞线10的各绝缘电线11的外径优选为1.5mm以下。通过缩小各绝缘电线11的外径，能够缩小一对绝缘电线11、11绞合而成的双绞线10的外径，能够缩小以屏蔽体40围绕双绞线10的集合体的外径乃至配置在该集合体的外周的套管50的内径D。通过将绝缘电线11的外径设为1.5mm以下，易于将套管50的内径D抑制为3.5mm以下。从将套管50的内径D抑制得更小的观点出发，如果绝缘电线11的外径为1.3mm以下，则更加优选。越使绝缘电线11细径化，则越容易将套管50的内径D抑制得较小，因此对绝缘电线11的外径未特别设置下限。

(1-1)关于绝缘包覆层

构成各绝缘电线11的绝缘包覆层13由包含高分子材料的绝缘性材料构成，如上所述，相对介电常数为2.5以下。构成绝缘包覆层13的具体材料只要提供2.5以下的相对介电常数则不特别限定。

作为构成绝缘包覆层13的高分子材料，优选分子极性较低的材料，特别优选使用无极性的材料。作为这样的低极性或无极性的高分子材料，能够举出聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃、聚苯乙烯、聚四氟乙烯等。这些之中优选使用聚烯烃，特别优选使用聚丙烯。高分子材料也可以从上述列举的材料中混合使用多种，另外，只要不超过相对介电常数的上限，也可以混合使用上述列举的材料和上述列举的材料以外的材料。构成绝缘包覆层13的高分子材料可以交联，还可以发泡。通过发泡，能够使绝缘包覆层13的相对介电常数降低。另外，绝缘包覆层13在高分子材料之外还可以适当含有阻燃剂等添加剂。不过，绝缘包覆层13的相对介电常数针对包含添加剂的绝缘包覆层材料整体来规定。

作为绝缘包覆层13，越是使用相对介电常数较低的材料，则通信用屏蔽电线1的特性阻抗越高。另一方面，越是缩小绝缘包覆层13的壁厚，则通信用屏蔽电线1的特性阻抗越低。即，通过使用相对介电常数较低的材料作为绝缘包覆层13，即使在缩小绝缘包覆层13的壁厚而使绝缘电线11及双绞线10细径化的情况下，也能够将通信用屏蔽电线1的特性阻抗保持为不会过低，能够确保预定特性阻抗。如果将绝缘包覆层13的相对介电常数设为2.5以下，则易于在维持100±5Ω的范围的特性阻抗的状态下使绝缘电线11的外径为1.5mm以下，进一步使套管50的内径D为3.5mm以下。未特别设置相对介电常数的下限，但构成绝缘电线10的绝缘包覆层13时实际上能够使用的高分子材料的相对介电常数大致为1.3以上。

绝缘包覆层13的厚度考虑构成绝缘包覆层13的材料的相对介电常数、绝缘电线11的导体截面积等来适当选择即可，以使通信用屏蔽电线1的特性阻抗能够为100±5Ω且例如绝缘电线11的外径能够为1.5mm以下。优选的是，绝缘包覆层13的厚度可以为0.50mm以下，进一步可以为0.40mm以下。另一方面，过度减薄绝缘包覆层13难以确保需要高度的特性阻抗，因此优选绝缘包覆层13的厚度为0.20mm以上。

(1-2)关于导体

导体12能够由铜合金等金属材料构成。各绝缘电线11的导体截面积即导体12的截面积(公称截面积；以下也同样)优选为0.22mm²以下。如果缩小绝缘电线11的导体截面积而使导体12细径化，则构成双绞线10的两根导体12、12之间的距离(将导体12、12的中心连结的距离)变近，通信用屏蔽电线1的特性阻抗提高。如上所述，包覆导体12的外周的绝缘包覆层13越薄，则通信用屏蔽电线1的特性阻抗越低，但通过将各绝缘电线11的导体截面积抑制得较小到0.22mm²以下，确保通信用屏蔽电线1所要求的100±5Ω的特性阻抗，并且通过导体12的细径化自身及绝缘电线11的薄壁化这两方的效果而易于将各绝缘电线11的外径抑制得较小到1.5mm以下。

另一方面，各绝缘电线11的导体截面积优选设为0.13mm²以上。这是由于，如果导体截面积为0.13mm²以上，则能够抑制由于导体12的过度细径化而使通信用屏蔽电线1的特性阻抗比100±5Ω的范围低的情况，并且能够将插入损耗(传输损耗)抑制得较低。如果导体截面积过小，则由于导体12的电阻而使插入损耗变大，但如果将各绝缘电线11的导体截面积设为0.13mm²以上，则即使在将通信用屏蔽电线1在例如长度10m以上这样的长距离范围布线的情况下也能够将插入损耗抑制得较小，获得良好的传送特性。

构成各绝缘电线11的导体12的具体的金属材料不特别限定。但是，导体12优选具有7％以上的断裂延伸率。导体12具有越高的断裂延伸率，则越能够稳定地保持双绞线10的绞合结构，有效地抑制绞合结构的松弛。特别是，在本实施方式涉及的通信用屏蔽电线1中，编织屏蔽层20直接包覆双绞线10的外周，在双绞线10的外周不具有用于保持双绞线10的绞合结构不松弛的胶带等，但通过将导体12的断裂延伸率设为7％以上，如接下来说明地，加上将双绞线10的绞距设为绝缘电线11的外径的30倍以下的效果，不易发生双绞线10的绞合结构的松弛。进而，即使在反复弯折通信用屏蔽电线1时，也易于将双绞线10的绞合结构维持在不松弛的状态。其结果是，在通信用屏蔽电线1中，易于获得稳定的传送特性。作为具有7％以上的断裂延伸率的铜合金线，能够例示具有以下这样的成分组成的第一铜合金及第二铜合金线。

第一铜合金线含有以下的各成分元素，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成。

·Fe：0.05质量％以上且2.0质量％以下

·Ti：0.02质量％以上且1.0质量％以下

·Mg：0质量％以上且0.6质量％以下(也包括不含有Mg的形态)

第二铜合金线含有以下的各成分元素，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成。

·Fe：0.1质量％以上且0.8质量％以下

·P：0.03质量％以上且0.3质量％以下

·Sn：0.1质量％以上且0.4质量％以下

导体12也可以由单线构成，但从提高弯折时的柔性等观点出发，优选由多个裸线(例如7根)绞合而成的绞合线构成。在该情况下，也可以在绞合裸线之后进行压缩成型而形成为压缩绞合线。在导体12由绞合线构成的情况下，可以由全部相同的裸线构成，也可以由两种以上的裸线构成。

(2)双绞线的绞合结构

双绞线10是将两根绝缘电线11、11绞合而形成的。如上所述，绞合的绞距为绝缘电线11的外径的30倍以下。

在通信用屏蔽电线中，作为信号线，如果如专利文献1所记载地使用两根绝缘电线11、11不绞合而并行的线材，则在与两根绝缘电线11、11的并排方向交叉的方法中易于将信号线比较柔软地弯折，但在沿着两根绝缘电线11、11的并排方向的方向上弯折信号线时，柔性降低。如果在柔性较低的方向上使这样的通信用屏蔽电线弯折，则有可能对以薄膜状屏蔽层30为首的通信用屏蔽电线的构成构件造成较大的载荷。如果对薄膜状屏蔽层30施加载荷，则薄膜状屏蔽层30有时会发生断裂等损伤。另外，如果使用两根绝缘电线11、11并行的信号线，则在承受反复弯折时有可能使两根绝缘电线11、11之间的距离拉开而无法维持预定传送特性。例如，如果两根绝缘电线之间的距离拉开，则有可能使特性阻抗过度升高而使预定范围向较高的方向偏离。

但是，在通信用屏蔽电线1中，通过将两根绝缘电线11、11绞合而成的双绞线10用作信号线，在沿着信号线的周向的各方向上易于柔软地弯折信号线。其结果是，在弯折通信用屏蔽电线1时，不易对以薄膜状屏蔽层30为首的通信用屏蔽电线1的各构成构件施加较大的载荷。通过减轻对薄膜状屏蔽层30的载荷的施加，即使弯折通信用屏蔽电线1，薄膜状屏蔽层30也不易产生断裂等损伤，易于维持基于薄膜状屏蔽层30的噪声屏蔽性能。另外，通过两根绝缘电线11、11绞合，即使在通信用屏蔽电线1反复承受弯折时，也通过绞合结构保持两根绝缘电线11、11的相对位置而易于稳定地维持传送特性。关于特性阻抗，也易于留在100±5Ω的范围内。这样，通过将双绞线10用作信号线，在通信用屏蔽电线1中，在避免承受弯折时的构成构件的损伤及维持预定传送特性这双方的点上能够获得较高的耐弯折性。

在双绞线10中，一对绝缘电线11、11绞合的绞距越小，则越易于抑制双绞线10的绞合结构的松弛。绞距越小，则也越是能够抑制通信用屏蔽电线1的弯折所引起的绞合结构的松弛。因此，能够在通信用电线10的弯折前后都稳定地维持以特性阻抗为首的通信用屏蔽电线1的传送特性。在实施方式涉及的通信用屏蔽电线1中，编织屏蔽层20直接包覆双绞线10的外周而未设置用于保持双绞线10的绞合结构的胶带等，但是，通过将双绞线10的绞距设为绝缘电线11的外径的30倍以下，有效地抑制绞合结构的松弛，即使在反复进行通信用屏蔽电线1的弯折时也易于将特性阻抗维持在100±5Ω的范围。从牢固地保持绞合结构的观点出发，双绞线10的绞距特别优选为绝缘电线11的外径的25倍以下乃至20倍以下。

从通信用屏蔽电线1的传送特性的观点出发，双绞线10的绞距的下限未特别规定，但从双绞线10的生产性、通信特性相对于绞距变动的稳定性等观点出发，设为绝缘电线11的外径的8倍以上，进一步设为12倍以上即可。此外，在绝缘电线11的外径为1.5mm以下的情况下，如果将双绞线10的绞距以绝对值表示，则大致为35mm以下，更优选为30mm以下、25mm以下即可。另一方面，绞距的绝对值为10mm以上、15mm以上即可。

在双绞线10中，作为两根绝缘电线11、11的绞合结构，优选对各绝缘电线11不施加以绞合轴为中心的扭转。在该情况下，以绝缘电线11自身的轴为中心的绝缘电线11的各部分的相对上下左右的方向不沿绞合轴发生变化。即，以绝缘电线11的轴为中心对上相同位置的部位在绞合结构的整个区域中始终朝向例如上方等相同的方向。通过不对绝缘电线11施加扭转，在绞合结构的一个间距内两根绝缘电线11、11的线间距离的变化变小，能够抑制通信用屏蔽电线1的轴线方向各部分的线间距离的变化所引起的传送特性的不稳定化。

(屏蔽体的结构)

如上所述，本实施方式涉及的通信用屏蔽电线1在双绞线10的外周具有从内侧起依次层叠编织屏蔽层20和薄膜状屏蔽层30的屏蔽体40。薄膜状屏蔽层30相对于双绞线10呈纵向附加状地配置。

构成屏蔽体40的编织屏蔽层20将由铜、铜合金、铝、铝合金等金属材料或在这些金属材料的表面上施加锡等的镀敷的材料构成的较细的金属裸线编织而成型为中空筒状。编织屏蔽层20针对双绞线10起到对噪声从外部的侵入及噪声向外部的放出进行屏蔽的作用。

构成屏蔽体40的薄膜状屏蔽层30是具有金属膜的薄膜状的材料，通过金属膜的存在针对双绞线10起到对噪声从外部的侵入及噪声向外部的放出进行屏蔽的作用。薄膜状屏蔽层30只要具有金属膜，则可以是任意形态，可以是由单独的金属膜(金属箔)构成的形态和由将金属膜与基材等其他材料复合的复合材料构成的形态中的任一种。作为复合材，能举出图2所示这样的作为基材的高分子薄膜31与金属膜32通过蒸镀、镀敷、粘接等来复合的高分子-金属复合薄膜30A作为优选的例子。通过将金属膜32与高分子薄膜31复合，与以单体使用金属膜的情况相比，能够提高薄膜状屏蔽层30整体上的机械强度及处理性。通过使薄膜状屏蔽层30的机械强度提高，即使弯折通信用屏蔽电线1，薄膜状屏蔽层30也不易发生断裂等损伤，通信用屏蔽电线1的耐弯折性得到提高。

作为单独的金属膜或复合材料中的金属膜，薄膜状屏蔽层30所使用的具体的金属种类不特别限定，但能够举出铜、铜合金、铝、铝合金等金属材料。金属膜可以由单一金属种类的膜构成，也可以由两种以上的金属种类的层层叠而成。另外，在不妨碍薄膜状屏蔽层30的噪声屏蔽所涉及的特性的范围内，在金属膜的表面也可以适当配置由有机材料构成的保护膜等金属以外的材料。

在使薄膜状屏蔽层30由高分子-金属复合薄膜30A构成的情况下，作为构成高分子薄膜31的高分子种类，能够举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等聚酯树脂、聚丙烯等聚烯烃树脂、聚氯乙烯等乙烯树脂。另外，高分子薄膜31在各种高分子种类之外还可以适当含有添加剂等。作为高分子种类，从机械强度和柔性优异等观点出发，特别优选使用PET，能够将在PET薄膜上复合铝膜的高分子-金属复合薄膜30A即Al-PET薄膜特别优选地用作薄膜状屏蔽层30。

在高分子-金属复合薄膜30A中，从充分地确保薄膜状屏蔽层30整体上的机械强度和处理性等观点出发，高分子薄膜31的厚度优选至少比金属膜32的厚度大，特别优选为10μm以上。另一方面，从确保通信用屏蔽电线1的细径性及柔性的观点等出发，作为高分子-金属复合薄膜30A整体的厚度，优选为500μm以下，特别优选为100μm以下。另外，从发挥充分的噪声屏蔽性等观点出发，构成高分子-金属复合薄膜30A的金属膜32的厚度优选为1μm以上。另一方面，从确保柔性等观点出发，金属膜32的厚度优选为30μm以下。金属膜32可以设置于高分子薄膜31的单面，也可以设置于双面。但是，在如后文所述地将薄膜状屏蔽层30粘接于套管50的情况下，如图2所示，优选仅在高分子薄膜31的单面设置金属膜32，在另一面面设置由粘接剂构成的粘接层33。

本通信用屏蔽电线1在双绞线10的外周上以层叠的状态具有编织屏蔽层20和薄膜状屏蔽层30这两种屏蔽材料作为屏蔽体40。通过具备两种屏蔽材料，围绕双绞线10的外周的导电性材料的体积变大，与仅使用任一种屏蔽材料的情况相比较，能够实现较高的噪声屏蔽效果。即，能够有效地屏蔽噪声从外部的侵入及噪声向外部的放出。进而，在本实施方式涉及的通信用屏蔽电线1中，作为屏蔽体40，将编织屏蔽层20配置在内侧，将薄膜状屏蔽层30配置在外侧。在薄膜状屏蔽层30如图2的高分子-金属复合薄膜30A那样由金属膜32与由其他材料构成的基材31的复合体构成的情况下，在屏蔽体40的层叠结构中，如果使金属膜32的表面朝向内侧而与编织屏蔽层20接触，则通过使金属膜32与构成编织屏蔽层20的裸线直接接触而能够特别有效地提高屏蔽体40的噪声屏蔽性。

在本实施方式涉及的通信用屏蔽电线1中，薄膜状屏蔽层30相对于双绞线10呈纵向附加状地配置。薄膜状屏蔽层30沿双绞线10的周向以薄膜状屏蔽层30的表面包裹双绞线10与编织屏蔽层20的复合体的外周的方式配置在编织屏蔽层20的外周。包裹双绞线10与编织屏蔽层20的复合体的外周一周的薄膜状屏蔽层30通过使两端部彼此重合且适当地彼此粘接而无间隙地围绕该复合体的外周。通过使薄膜状屏蔽层30相对于双绞线10呈纵向附加状地配置，与呈横向卷绕状地配置的情况相比较，能够简易地进行薄膜状屏蔽层30的配置。

(套管的结构)

套管50由绝缘性材料构成，包覆薄膜状屏蔽层30的外周。套管50起到物理性地保护构成屏蔽体40的薄膜状屏蔽层30及编织屏蔽层20、内部的双绞线10的作用。

构成套管50的绝缘材料以高分子材料作为主成分，其高分子材料可以是任意材料。作为具体的高分子材料，能够举出聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、聚苯硫醚等。另外，套管50在高分子材料之外还可以适当含有阻燃剂等添加剂。构成套管50的高分子材料可以发泡，另外也可以交联。构成套管50的高分子材料可以与构成绝缘包覆层13的高分子材料相同种类，也可以不同种类。从简化通信用屏蔽电线1整体的结构及制造工序的观点出发，这些高分子材料优选为相同种类。

如上所述，套管50的内径D为3.5mm以下。套管50的内周面直接或经由粘接剂的薄层与薄膜状屏蔽层30的外周面接触，套管50的内径D越小，则由薄膜状屏蔽层30形成的筒形状的外径越小。在将由薄膜状屏蔽层30形成的筒状体以相同曲率半径在轴线方向上弯曲时，筒状体的外径越大，则施加到薄膜状屏蔽层30的形变越大。因此，套管50的内径D越小，则弯折通信用屏蔽电线1时施加到薄膜状屏蔽层30的形变越小，不易由于与形变相伴的载荷而使薄膜状屏蔽层30发生断裂等损伤。

如后文的实施例中也示出地，如果将套管50的内径D设为3.5mm以下，则能够有效地抑制在弯折通信用屏蔽电线1时使薄膜状屏蔽层30发生损伤的情况。特别是，在薄膜状屏蔽层30由高分子-金属复合薄膜30A等金属膜32与由其他材料构成的基材31的复合体构成的情况下，能够有效地抑制在金属膜32层发生断裂等损伤。如果薄膜状屏蔽层30发生损伤，则容易损害薄膜状屏蔽层30具有的噪声屏蔽特性，通过将套管50的内径D设为3.5mm以下，即使经过通信用屏蔽电线1的弯折，也能够将包括薄膜状屏蔽层30在内的屏蔽体40的噪声屏蔽特性维持得较高。

在本实施方式中，通过使薄膜状屏蔽层30呈纵向附加状地配置，与呈横向卷绕状地配置的情况相比较，在对通信用屏蔽电线1施加弯折时，薄膜状屏蔽层30容易被施加变形。但是，通过将套管50的内径D抑制为3.5mm以下，即使薄膜状屏蔽层30呈纵向附加状地配置，在弯折通信用屏蔽电线1时也能够充分地抑制薄膜状屏蔽层30发生由变形引起的损伤。

从有效地抑制弯折时的薄膜状屏蔽层30的损伤的观点出发，如果套管50的内径D为3.0mm以下，则更加优选。另一方面，从通信用屏蔽电线1的特性的观点出发，未特别设置套管50的内径D的下限。但是，如果考虑提供100±5Ω的特性阻抗的双绞线10的外径，则在利用编织屏蔽层20和薄膜状屏蔽层30围绕具有这样的外径的双绞线10再设置套管50的情况下，套管50的内径D大致为2.2mm以上。此外，在将通信用屏蔽电线1适当地包裹埋设在透明树脂中的状态下与通信用屏蔽电线1的轴线方向大致垂直地剖切来制成剖面试样之后，能够对套管50的内径D进行测量并评价。

如果套管50的内径D为3.5mm以下，则套管50的厚度不特别限定，能够考虑所要求的保护性能等而适当确定。例如，从获得充分的保护性能的观点出发，设为0.2mm以上乃至0.4mm以上，另一方面，从避免通信用屏蔽电线1过度大径化的观点出发，能够例示设为1.0mm以下的形态。另外，从结构的简易性的观点出发，套管50优选由一层绝缘材料构成，但也可以由多个层构成。

套管50优选粘接于薄膜状屏蔽层30的外周面。特别是，优选如下形态作为薄膜状屏蔽层30：图2所示那样的在高分子薄膜31的一面设置有金属膜32且在另一面设置有粘接层33的高分子-金属复合薄膜30A使金属膜32的面朝向内侧配置，且套管50经由粘接层33粘接于薄膜状屏蔽层30。

通过呈纵向附加状地配置的薄膜状屏蔽层30粘接于套管50，在对通信用屏蔽电线1的末端进行加工时等，能够一并去除薄膜状屏蔽层30和套管50，获得较高的加工性。例如，在从套管50的外侧到薄膜状屏蔽层30为止形成了能够剖切到薄膜状屏蔽层30为止的切口之后，仅在沿着通信用屏蔽电线1的轴的方向上施加使得套管50错开的力，就能够从通信用屏蔽电线1的末端等一并去除套管50和薄膜状屏蔽层30这双方而使编织屏蔽层20露出。即，在通信用屏蔽电线中，在不使用薄膜状屏蔽层30而在编织屏蔽层20的外周直接形成套管50的情况下，能够以与去除套管50而使编织屏蔽层20露出相同的操作进行薄膜状屏蔽层30的去除。另外，易于进行末端加工的自动化。

套管50的形成能够通过压出成型来进行。套管50的压出成型能够与薄膜状屏蔽层30的纵向附加的配置作为单一工序而连续地同时实施。进而，薄膜状屏蔽层30与套管50之间的粘接也能够同时地实施。例如，在设置于由高分子-金属复合薄膜30A构成的薄膜状屏蔽层30的粘接层33由热塑性粘接剂构成的情况下，能够通过套管50的压出成型时的热量来实现粘接。因此，相对于像以往通常的通信用屏蔽电线那样不使用薄膜状屏蔽层30而在编织屏蔽层20的外周直接形成套管50的情况，能够在不使工序数增加的情况下进行纵向附加状的薄膜状屏蔽层30的导入和粘接。

(通信用屏蔽电线的特性)

如以上说明地，本实施方式涉及的通信用屏蔽电线1具有将编织屏蔽层20与呈纵向附加状地配置的薄膜状屏蔽层30这两个种类的屏蔽材料从内侧起依次层叠的结构作为屏蔽体40。因此，通信用屏蔽电线1具有较高的噪声屏蔽性。

进而，通过将包覆薄膜状屏蔽层30的外周的套管50的内径D抑制为3.5mm以下，即使薄膜状屏蔽层30采取在弯折时比较容易被施加形变的配置即纵向附加状的配置，也能够有效地抑制薄膜状屏蔽层30发生断裂等损伤。其结果是，即使经过通信用屏蔽电线1的弯折，也易于维持由包括薄膜状屏蔽层30在内的屏蔽体40发挥的较高的噪声屏蔽性。

另外，在本实施方式涉及的通信用屏蔽电线1中，通过信号线采取将一对绝缘电线11、11彼此绞合而成的双绞线10的形态，与一对绝缘电线并行的情况相比，在向各方向弯折时的柔性的高度及弯折时的传送特性的维持的点上耐弯折性优异。特别是，通过双绞线10的绞距设为绝缘电线11的外径的30倍以下，在弯折时维持特性阻抗等传送特性的效果优异。

在通信用屏蔽电线1中，为了将套管50的内径D抑制得较小，使构成双绞线10的绝缘电线11细径化是有效的，但是，如果为了绝缘电线11的细径化而将绝缘包覆层13形成得较薄，则特性阻抗降低而难以确保通信用屏蔽电线1所要求的特性阻抗。但是，通过将绝缘包覆层13的相对介电常数设为2.5以下，能够确保网络通信用的屏蔽电线所要求的100±5Ω的范围的特性阻抗且使绝缘包覆层13薄壁化到绝缘电线11的外径为1.5mm以下的程度。这样，双绞线10整体细径化，易于将套管50的内径D抑制为3.5mm以下。绝缘电线11的细径化通过导体12的细径化更加易于实现，优选将导体截面积设为0.22mm²以下。

这样，在通信用屏蔽电线1中，通过使用绝缘包覆层13的相对介电常数和绞距被规定为预定上限以下的双绞线10且限制套管50的内径D，能够确保100±5Ω的特性阻抗且获得较高的耐弯折性。即，能够使通信用屏蔽电线1易于在各方向上柔软地弯折，并且即使经过弯折也能抑制噪声屏蔽特性降低、特性阻抗超出预定范围的情况。进而，即使通信用屏蔽电线1反复承受弯折，也能够这样维持较高的耐弯折性。通过通信用屏蔽电线1具有较高的耐弯折性，能够在汽车内优选使用。通信用屏蔽电线1在汽车内的受限的空间中布线时以较小的弯曲半径承受弯折的情况也较多。特别是，在车辆的车门等运动的构件中对通信用屏蔽电线1进行布线的情况下，会反复承受弯折。这样，即使在通信用屏蔽电线1以较小的弯曲半径被施加弯折且多次反复承受弯折的情况下，通过通信用屏蔽电线1具有较高的耐弯折性，也柔性地吸收由弯折引起的载荷而易于长期稳定地维持特性阻抗、噪声屏蔽特性等预定特性。

实施例

以下示出实施例。此外，本发明不由这些实施例限定。在本实施例中，各特性的评价在室温、大气中进行。

[试样的制作]

(1)导体的制作

制作了构成绝缘电线的导体。即，将纯度99.99％以上的电解铜和含有Fe、P、Sn各元素的母合金投入到高纯度碳制坩埚中，在连续铸造装置内进行真空熔炼而制成混合熔汤。在此，在混合熔汤中，包含0.61质量％的Fe、0.12质量％的P、0.26质量％的Sn。针对所获得的混合熔汤进行连续铸造，制成的铸造件。针对所获得的铸造件进行，压出加工、轧制直到为止，其后，进行拉丝直到或或为止。使用7根所获得的裸线，以绞距14mm进行绞合线加工，并且进行压缩成型。所获得的导体的导体截面积及外径在后文的表1中示出。进而，针对所获得的导体以480℃进行4小时的热处理。热处理后的导体的断裂延伸率为7％。

(2)绝缘电线的制作

在上述制作的铜合金导体的外周通过压出而形成绝缘包覆层，制作了绝缘电线。作为绝缘包覆层的材料，使用了相对介电常数2.5的聚丙烯(PP)或相对介电常数3.6的聚氯乙烯(PVC)。绝缘包覆层的厚度针对每个试样变化，将绝缘包覆层的厚度及所获得的绝缘电线的外径在后文的表1中示出。

(3)通信用屏蔽电线的制作

将上述制作的两根相同种类的绝缘电线以表1中示出的绞距绞合而形成为双绞线。此时，未对构成双绞线的绝缘电线施加扭转。

接下来，将编织屏蔽层直接围绕所获得的双绞线的外周来配置。作为编织屏蔽层，使用的镀锡软铜线(0.12TA)，设为锭数为12锭，股数为8股，间距为20mm。

进而，将薄膜状屏蔽层直接围绕编织屏蔽层的外周来配置。作为薄膜状屏蔽层，使用在PET薄膜的单面形成铝膜的材料(Al-PET)。在PET薄膜的另一面设置粘接层。薄膜状屏蔽层整体的厚度为0.05mm，铝膜的厚度为15μm。薄膜状屏蔽层使铝膜侧的面与编织屏蔽层的外周面接触而相对于双绞线呈纵向附加状地配置。

与薄膜状屏蔽层的配置同时地进行了套管的形成。套管的形成通过在薄膜状屏蔽层的外周上将聚丙烯树脂压出成型来进行。套管的厚度设为0.4mm。这样，制作了作为试样的通信用屏蔽电线。在后文的表1中示出所获得的通信用屏蔽电线中的套管的内径及整体的外径(完成外径)。套管的内径是将通信用屏蔽电线与轴线方向垂直地剖切而在剖面中测量的。

[评价]

(屏蔽层断裂为止的弯折次数)

针对各通信用屏蔽电线实施弯折试验，查验直到编织屏蔽层或薄膜状屏蔽层发生断裂为止的弯折次数。弯折试验将弯曲半径(R)设为30mm，将弯曲角度设为±90°，并施加3.9N的载荷来进行。在以100次为单位进行了弯折之后，去除弯折部位的套管，目视观察内部的薄膜状屏蔽层及编织屏蔽层的状态，确认是否发生断裂。记录直到薄膜状屏蔽层和编织屏蔽层中的至少任一个发生断裂为止的弯折次数。

(特性阻抗)

针对各通信用屏蔽电线，测量施加弯折之前的初始状态下的特性阻抗。测量使用网络分析仪并通过时域反射法(Time Domain Reflectometry；TDR法)来进行。

进而，对各通信用屏蔽电线以与上述屏蔽层断裂为止的弯折次数的评价相同的条件施加500次的弯折。其后，与初始状态同样地测量特性阻抗。

[结果]

表1中针对使通信用屏蔽电线的各部分的结构变化而得到的试样1～15一并示出各部分的结构和评价结果。对于双绞线的绞距，利用以mm为单位的绝对值和以绝缘电线的外径为基准的倍数值这双方来示出。

在直到屏蔽断裂为止的弯折次数(屏蔽层断裂弯折次数)的评价中，对于任一个试样，与编织屏蔽层的断裂相比，薄膜状屏蔽层的断裂均以较少的弯折次数发生，将观测到薄膜状屏蔽层的断裂的弯折次数在表中示出。另外，在表中，除了屏蔽层断裂弯折次数及弯折前后的特性阻抗的测定值之外，还示出与通信用屏蔽电线的特性相关的判定结果。将屏蔽层断裂弯折次数为5000次以上且在弯折前后特性阻抗均控制在100±5Ω的范围内的情况评价为特性较高的“A”。另一方面，对于将屏蔽层断裂弯折次数未达到5000次的情况或在弯折前后的至少一方特性阻抗超出100±5Ω的范围的情况或处于这双方的状态的情况，评价为特性较低的“B”。

[表1]

在表1中，在试样1～10中，使用相对介电常数2.5的聚丙烯作为绝缘包覆层的构成材料。在这些试样中的的试样1～3中，使绝缘包覆层的厚度发生变化，绝缘包覆层越厚，则初始状态下的特性阻抗的值越大。但是，在试样1～3中的任一个试样中均能够确保100±5Ω的范围的特性阻抗且将绝缘电线的外径控制为1.5mm以下。作为结果，套管的内径控制为3.5mm以下。与将套管的内径抑制为3.5mm以下对应地，薄膜状屏蔽层断裂为止的弯折次数达到5000次以上。另外，在500次弯折前后，特性阻抗的值未发生变化。这样，通过使用相对介电常数为2.5以下的材料作为绝缘包覆层，在通信用屏蔽电线中，能够确保100±5Ω的特性阻抗且获得较高的耐弯折性，能够形成为具有较高的特性的通信用屏蔽电线。

进而，在试样1及试样4～7中，使双绞线的绞距发生变化。屏蔽层断裂弯折次数及初始状态下的特性阻抗不取决于绞距而大致恒定，但绞距越大则弯折后的特性阻抗越高。在绞距为绝缘电线的外径的30倍以下的试样1及试样4～6中，即使经过弯折也使特性阻抗维持在100±5Ω的范围，与此相对地，在绞距超过绝缘电线的外径的30倍的试样7中，弯折后的特性阻抗在较高一侧超出100±5Ω的范围。根据该结果，可知的是，如果在初始状态下获得100±5Ω的特性阻抗的情况下将双绞线的绞距设为绝缘电线的外径的30倍以下，则即使经过弯折也使绞合结构维持稳定，由此能够维持100±5Ω的范围的特性阻抗。在绞距超过绝缘电线的外径的30倍的情况下，可以解释为，在承受弯折时，由于两根绝缘电线11、11之间的距离拉开而使特性阻抗超过上述范围地上升。

在试样8～10中，与试样1～3相比，增大导体截面积而使导体大径化。在试样8～10中的任一个试样中均在将套管内径抑制为3.5mm以下的范围内将绝缘包覆层形成得较厚。在试样10中，由于导体截面积过大，在将套管的内径抑制为3.5mm以下的范围内无法确保可以获得达到100±5Ω的特性阻抗的绝缘包覆层的厚度。但是，在试样8、9中，将套管的内径抑制为3.5mm以下且能够以可以获得与试样1～3的特性阻抗相比较低但控制在100±5Ω的范围内的特性阻抗的厚度形成绝缘包覆层。进而，即使经过弯折，也能够维持100±5Ω的范围的特性阻抗。

在试样11～14中，使用相对介电常数超过2.5的聚氯乙烯作为绝缘包覆层的构成材料。试样11除了绝缘包覆层的构成材料以外具有与试样1相同的结构。但是，与绝缘包覆层的相对介电常数较高对应地，与试样1的情况相比，特性阻抗从初始状态起较低，未达到100±5Ω的范围。

从试样11到试样14依次增大绝缘包覆层的厚度，但是，在以能够将套管的内径抑制为3.5mm以下的范围的厚度形成绝缘包覆层的试样11、12中，在初始状态下，未获得达到100±5Ω的特性阻抗。另一方面，如果像试样13、14这样允许套管的内径增大到超过3.5mm，则能够增大绝缘电线的外径，因此能够将绝缘包覆层形成得较厚而在初始状态下确保100±5Ω的特性阻抗。但是，由于套管的内径超过3.5mm，在弯折通信用屏蔽电线时对薄膜状屏蔽层施加较大的载荷，薄膜状屏蔽层以小于5000次的弯折次数断裂。这样，在通信用屏蔽电线中，在使用相对介电常数超过2.5的材料作为绝缘包覆层的情况下，无法在确保100±5Ω的范围的特性阻抗的同时使套管的内径为3.5mm以下而兼顾特性阻抗的确保和耐弯折性。即，在使用相对介电常数超过2.5的材料作为绝缘包覆层的情况下，无法获得具有充分的特性的通信用屏蔽电线。

以上，根据各试样的特性评价的结果，可知的是，如果使用相对介电常数为2.5以下的材料作为绝缘电线的绝缘包覆层，则能够构成确保100±5Ω的特性阻抗且将套管的内径抑制为3.5mm以下的通信用屏蔽电线。进而，如果在弯折前的初始状态下确保100±5Ω的特性阻抗且使套管的内径为3.5mm以下，则通过使双绞线的绞距为绝缘电线的外径的30倍以下，即使经过弯折，也能够抑制薄膜状屏蔽层的损伤，并且维持100±5Ω的特性阻抗。即，能够形成为具有较高的耐弯折性的通信用屏蔽电线。

以上，对本发明的实施方式详细地进行了说明，但本发明不受上述实施方式任何限定，在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种改变。

标号说明

1 通信用屏蔽电线

10 双绞线

11 绝缘电线

12 导体

13 绝缘包覆层

20 编织屏蔽层

30 薄膜状屏蔽层

30A 高分子-金属复合薄膜

31 高分子薄膜

32 金属膜

33 粘接层

40 屏蔽体

50 套管

D 套管的内径