阅读说明：本技术 一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构 (Super junction metal oxide semiconductor field effect transistor structure ) 是由 不公告发明人 于 2020-06-16 设计创作，主要内容包括：本发明公开一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构,包括超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管,所述超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管的底部安装有多个输出端,多个所述第一通孔的内壁分别与多个输出端的外壁间隙配合。该超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构,避免电路板安装出现错误时,超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可能会产生爆炸,将整体的电路板造成损坏,造成经济损失,该超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构,使得超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可通过第二通孔进行散热,并通过卡杆与卡槽的卡接,将箱体盖和箱体可进行稳定的连接。(The invention discloses a super junction metal oxide semiconductor field effect transistor structure which comprises a super junction metal oxide semiconductor field effect transistor, wherein a plurality of output ends are installed at the bottom of the super junction metal oxide semiconductor field effect transistor, and the inner walls of a plurality of first through holes are in clearance fit with the outer walls of the plurality of output ends respectively. The super junction metal oxide semiconductor field effect transistor structure prevents the super junction metal oxide semiconductor field effect transistor from being exploded to damage the whole circuit board and cause economic loss when the circuit board is installed in a wrong way.)

一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构

技术领域

本发明涉及晶体管技术领域，具体为一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构。

背景技术

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，虽然现有的超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可以实现对电路的控制，但存在当超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管安装在电路板后，电路板安装出现错误时，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可能会产生***，将整体的电路板造成损坏，造成经济损失的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，以解决上述背景技术中提出的在当超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管安装在电路板后，电路板安装出现错误时，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可能会产生***，将整体的电路板造成损坏，造成经济损失的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管，所述超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管的底部安装有多个输出端，所述超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管的外壁设有保护机构；

所述保护机构包括箱体和第一通孔；

所述箱体的内壁与超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管的外壁相贴合，所述箱体的底部加工有多个第一通孔，多个所述第一通孔的内壁分别与多个输出端的外壁间隙配合。

优选的，所述箱体的内壁左右两侧均设有固定机构；

所述固定机构包括弹性片和螺栓；

两个所述弹性片分别设于箱体的内壁左右两侧，两个所述弹性片分别通过多个螺栓与箱体的内壁左右两侧螺纹相连，两个所述弹性片的内侧与超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管的外壁相抵紧。

优选的，两个所述弹性片关于超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管轴对称分布。

优选的，所述箱体的顶部设有散热机构；

所述散热机构包括箱体盖、卡槽和第二通孔；

所述箱体盖的内壁与箱体的外壁顶部间隙配合，所述箱体盖的顶部左右两侧均固接有卡槽，所述箱体盖的顶部加工有多个第二通孔。

优选的，所述箱体盖的内壁与箱体的外壁间隙为0.5-1mm。

优选的，所述第二通孔两两之间等距分布。

优选的，所述箱体的外壁左右两侧均设有连接机构；

所述连接机构包括块体、杆体、卡杆和弹簧；

两个所述块体分别固接于箱体的外壁左右两侧，两个所述块体的外侧均固接有杆体，所述杆体的内壁间隙配合有卡杆，所述杆体的内壁间隙配合有弹簧，所述弹簧的内壁与卡杆的外壁间隙配合，所述弹簧的顶部与杆体的内壁顶部固接在一起，所述弹簧的底部与卡杆的外壁固接在一起，所述卡杆的顶部与卡槽的内壁固接在一起。

优选的，所述卡杆的外侧固接有挡块。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明结构科学合理，使用安全方便。

该超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，通过箱体、第一通孔和箱体盖之间的配合，使得箱体盖和箱体可对超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管进行隔离，实现隔离。

该超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，避免电路板安装出现错误时，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可能会产生***，将整体的电路板造成损坏，造成经济损失。

该超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，通过箱体盖、第二通孔、卡杆、卡槽和弹簧之间的配合，使得超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管可通过第二通孔进行散热，实现快速散热功能。

该超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，通过卡杆与卡槽的卡接，将箱体盖和箱体可进行稳定的连接。

附图说明

图1为本发明连接关系示意图；

图2为图1中箱体、箱体盖、第一通孔的结构示意图；

图3为图1中箱体、第一通孔和输出端的结构示意图；

图4为图1中箱体、弹性片和螺栓的结构示意图；

图5为图1中箱体盖、卡槽和第二通孔的结构示意图；

图6为图1中块体、杆体和弹簧的结构示意图。

图中：1、超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管，2、输出端，3、保护机构，301、箱体，302、第一通孔，4、固定机构，401、弹性片，402、螺栓，5、散热机构，501、箱体盖，502、卡槽，503、第二通孔，6、连接机构，601、块体，602、杆体，603、卡杆，604、弹簧。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1-6，本发明提供一种技术方案：

实施例1

一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1的底部安装有多个输出端2，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1的外壁设有保护机构3，保护机构3包括箱体301和第一通孔302，箱体301的内壁与超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1的外壁相贴合，使得超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1可放置在箱体301的内壁，箱体301的底部加工有多个第一通孔302，多个第一通孔302的内壁分别与多个输出端2的外壁间隙配合，使得输出端2可穿过第一通孔302的内壁，并与外界电路板进行连接。

实施例2

作为一种可选情况，参见图1-4，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，箱体301的内壁左右两侧均设有固定机构4，固定机构4包括弹性片401和螺栓402两个弹性片401分别设于箱体301的内壁左右两侧，两个弹性片401分别通过多个螺栓402与箱体301的内壁左右两侧螺纹相连，两个弹性片401的内侧与超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1的外壁相抵紧，使得超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1可通过弹性片401固定在箱体301的内壁，两个弹性片401关于超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1轴对称分布，使得两个弹性片401可将超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1稳定的固定在箱体301的内壁。

该实施例中的方案可以与其他实施例中的方案进行选择性的组合使用。

实施例3

作为一种可选情况，参见图1、5和6，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，箱体301的顶部设有散热机构5，散热机构5包括箱体盖501、卡槽502和第二通孔503，箱体盖501的内壁与箱体301的外壁顶部间隙配合，箱体盖501的顶部左右两侧均固接有卡槽502，箱体盖301的顶部加工有多个第二通孔503，第二通孔503用于将超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1产生的热量进行排出散热，箱体盖501的内壁与箱体301的外壁间隙为0.5-1mm，使得箱体盖501可稳定的调和在箱体301的外壁，第二通孔503两两之间等距分布，使得多个第二通孔503可均匀的将超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1产生的热量进行排出。

该实施例中的方案可以与其他实施例中的方案进行选择性的组合使用。

实施例4

作为一种可选情况，参见图1、2和6，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构，箱体301的外壁左右两侧均设有连接机构6，连接机构6包括块体601、杆体602、卡杆603和弹簧604，两个块体601分别固接于箱体301的外壁左右两侧，两个块体601的外侧均固接有杆体602，杆体602的内壁间隙配合有卡杆603，使得卡杆603可在杆体602的内壁进行升降运动，杆体602的内壁间隙配合有弹簧604，弹簧604的弹力系数为7500-8500N\M，弹簧604的内壁与卡杆603的外壁间隙配合，弹簧604给予卡杆603与卡槽502卡接的力，进而将箱体盖501和箱体301可进行稳定的贴合连接，弹簧604的顶部与杆体602的内壁顶部固接在一起，弹簧604的底部与卡杆603的外壁固接在一起，卡杆603的顶部与卡槽502的内壁固接在一起，卡杆603的外侧固接有挡块，挡块用于使用者将卡杆603进行移动。

该实施例中的方案可以与其他实施例中的方案进行选择性的组合使用。

实施例5

一种超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构的使用方法，当使用该超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管结构时，使用者将超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1放置在箱体301的内部，放置时，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1与两个弹性片401抵紧，进而将超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1的输出端2穿过第一通孔302的内壁，穿过后，使用者将箱体盖501和箱体301的顶部进行贴合，贴合后，使用者移动卡杆603，将卡杆603与卡槽502卡接，卡接后，使得箱体301和箱体盖501进行紧密的贴合，当超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1与外界电路板进行连接后，当外界电路板安装出现错误时，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1产生***，通过箱体301和箱体盖501避免超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1***造成外界电路板造成损坏，超级接面金属氧化物半导体场效应晶体管1运行时，可通过第二通孔503进行散热。

该实施例中的方案可以与其他实施例中的方案进行选择性的组合使用。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“同轴”、“底部”、“一端” 、 “顶部”、“中部”、“另一端”、“上”、“一侧”、“顶部”、“内”、“前部”、“中央”、“两端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明中， 除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置”、 “连接”、“固定”、“旋接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。