阅读说明：本技术 微波等离子体装置 (Microwave plasma device ) 是由 拉尔夫·施皮茨尔 于 2018-12-21 设计创作，主要内容包括：本发明涉及一种微波等离子体装置,所述微波等离子体装置包括处理空间和数量为两个以上的微波半导体。微波等离子体装置的特征在于,微波半导体以这样的方式附接到所述处理空间,使得微波半导体中的所述微波仅在所述处理空间中时干扰其他微波半导体的所述微波。本发明还涉及一种对应的方法。(The present invention relates to a microwave plasma device including a processing space and two or more microwave semiconductors. The microwave plasma device is characterized in that microwave semiconductors are attached to the process space in such a way that the microwaves in a microwave semiconductor only interfere with the microwaves of other microwave semiconductors when in the process space. The invention also relates to a corresponding method.)

微波等离子体装置

技术领域

本发明涉及一种微波等离子体装置以及用于操作微波等离子体装置的方法。

背景技术

微波辐射器用于工业用途的各个领域。例如，它们用于食品、塑料、橡胶或其他物质的加热处理。这里考虑的技术领域是使用微波辐射器来产生用于各种等离子体应用的微波等离子体，例如，蚀刻工艺、清洁工艺、改性工艺或涂覆工艺。微波的典型频率处于300MHz至300GHz的范围内。

存在各种用于产生微波的微波发生器。通常，将磁控管用于上述应用。

作为磁控管的替代，功率半导体可用于等离子应用中的微波产生。但是，它们仅具有几百瓦级别的相对较低的功率。当使用用于在高功率下产生微波的功率半导体时，可以通过组合器将若干个用于产生微波的功率半导体互连，然后耦合到矩形波导上。然后，矩形波导用作微波输入耦合装置或等离子体源的发生器。这种用于产生微波的功率半导体在下文中被称为“微波半导体”。

为了将大功率均匀地耦合到微波辐射器中，例如，DE 19600223A1和DE19608949A1描述了一种环形或同轴谐振器形式的微波分配器，其连接在处理空间的上游以实现从不同方向将微波功率均匀地耦合到所述处理空间中。这种类型的输入耦合的缺点在于，由于处理空间中的负载变化，来自电源结构的功率输入耦合的均匀性降低。