阅读说明：本技术 去除晶圆表面静电荷的方法 (Method for removing electrostatic charge on surface of wafer ) 是由 朱也方 于 2020-03-19 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种去除晶圆表面静电荷的方法,包括如下步骤：步骤S1,对以设定速度旋转的晶圆表面进行预处理,通过晶圆的旋转引流释放静电；步骤S2,对晶圆表面进行清洗。本发明可以避免晶圆清洗时清洗液瞬间接触晶圆表面且晶圆高速旋转而导致晶圆表面产生静电击穿效应,从而可以彻底去除晶圆表面的静电荷。(The invention discloses a method for removing electrostatic charges on the surface of a wafer, which comprises the following steps: step S1, preprocessing the surface of the wafer rotating at a set speed, and discharging static electricity through the rotation drainage of the wafer; step S2, the surface of the wafer is cleaned. The invention can prevent the cleaning liquid from instantly contacting the surface of the wafer and the wafer from rotating at high speed to cause electrostatic breakdown effect on the surface of the wafer when the wafer is cleaned, thereby thoroughly removing the electrostatic charge on the surface of the wafer.)

去除晶圆表面静电荷的方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体属于半导体制程的湿法清洗工艺中去除晶圆表面静电荷的方法。

背景技术

晶圆制造工艺技术中，为了得到集成电路所需要的图形，必须将光刻胶上的图形转移到晶圆上，完成这一图形转换的方法之一就是将未被光刻胶掩蔽的部分通过选择性刻蚀去掉。刻蚀的方法包括干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀作为常用的刻蚀方式，具有各向异性度好、适用于小尺寸刻蚀的特点。

在干法刻蚀的过程中，通常会采用大功率、高等离子密度等刻蚀工艺条件去形成高刻蚀速率，从而获得高的晶圆产出额。具体地，在晶圆所处的腔室中有某种气体电离产生的等离子体，等离子体中的活性自由基对晶圆表面产生物理性的或者化学性的选择性刻蚀。

在现有干法刻蚀工艺中，晶圆通常通过刻蚀设备腔室中的静电吸盘吸附，同时，刻蚀完成后，静电吸盘上加适当的反向电压，静电吸盘上的电荷分布变反，从而可以中和晶圆上的电荷。然而，由于晶圆上的电荷数量难以把握，静电吸盘电源加载的反向电压大小也难以把握，因此，干法刻蚀工艺完成后刻蚀腔体及晶圆表面通常仍残留较多静电荷。此外，如果刻蚀的是具有绝缘特性的膜层，会造成残留静电荷难以释放或释放不充足。

而且，随着半导体产业的不断发展，关键尺寸以及包括栅极氧化层、高k介质栅、鳍式场效晶体管等线宽不断缩小，晶圆表面很容易产生静电荷累积效应。晶圆清洗从槽式清洗改为单片式清洗后，由于化学品或者清洗液瞬间接触晶圆表面加上高速旋转，晶圆表面会产生很强的静电击穿效应，造成一种永久性的破坏，影响晶圆的良率甚至导致产品报废。而且，晶圆表面有效表面积越大，聚集静电荷情况越严重，造成的损失越大。因而，如何去除晶圆表面的静电荷成为急需解决的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种去除晶圆表面静电荷的方法，可以解决现有刻蚀工艺中晶圆表面的静电荷无法有效去除而导致晶圆缺陷甚至报废的问题。

为了解决上述问题，本发明提供的去除晶圆表面静电荷的方法，包括如下步骤：

步骤S1，对以设定速度旋转的晶圆表面进行预处理，通过晶圆的旋转引流释放静电；

步骤S2，对晶圆表面进行清洗。

进一步的，在步骤S1中，所述晶圆旋转的设定速度为小于80转/分钟。

进一步的，在步骤S1中，向所述晶圆表面喷洒雾化水进行预处理。

进一步的，在步骤S1中，向所述晶圆表面喷洒雾化异丙醇进行预处理。

进一步的，在步骤S2中，利用超低阻水进行清洗。

进一步的，在步骤S2中，利用稀释液进行清洗。

所述方法在对晶圆进行等离子干法刻蚀后且在进行湿法清洗之前。

与现有技术相比，本发明在旋转的晶圆表面喷洒雾化水或者雾化异丙醇(IPA)进行预处理，通过晶圆的旋转带走其表面的静电荷，而且控制晶圆的旋转速度可以防止发生静电击穿，然后再用超低阻值的水或者稀释液缓慢清洗晶圆表面，从而彻底去除晶圆表面的静电荷。

附图说明

图1为本发明的实施例一的步骤流程图；

图2为本发明的实施例二的步骤流程图；

图3为本发明的实施例三的步骤流程图；

图4为本发明的实施例四的步骤流程图；

图5为本发明的实施例五的步骤流程图。

具体实施方式

下面结合附图通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可以由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明亦可通过其它不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，本领域技术人员在不背离本发明的精神下可以进行各种类似推广和替换。

实施例一

在本实施例中，去除晶圆表面静电荷的方法，如图1所示，包括如下步骤：

步骤S1，对以设定速度旋转的晶圆表面进行预处理，通过晶圆的旋转引流释放静电；

步骤S2，对晶圆表面进行清洗。

其中，在步骤S1中，所述晶圆旋转的设定速度为小于80转/分钟。

在本实施例中，在旋转的晶圆表面喷洒雾化水或者雾化异丙醇(IPA)进行预处理，通过晶圆的旋转带走其表面的静电荷，而且控制晶圆的旋转速度可以防止发生静电击穿，然后再用超低阻值的水或者稀释液缓慢清洗晶圆表面，从而彻底去除晶圆表面的静电荷。

实施例二

在本实施例中，去除晶圆表面静电荷的方法，如图2所示，与实施例一不同之处在于，在步骤S1中，向所述晶圆表面喷洒雾化水进行预处理。

实施例三

在本实施例中，去除晶圆表面静电荷的方法，如图3所示，与实施例一不同之处在于，在步骤S1，向所述晶圆表面喷洒雾化异丙醇(IPA)进行预处理。

实施例四

在本实施例中，去除晶圆表面静电荷的方法，如图4所示，与实施例一不同之处在于，在步骤S2中，利用阻值小于0.04兆欧姆·厘米的水(超低阻水)对晶圆表面进行清洗。

实施例五

在本实施例中，去除晶圆表面静电荷的方法，如图5所示，与实施例一不同之处在于，在步骤S2中，利用稀释液对晶圆表面进行清洗。

其中，上述稀释液的成分和配比等可以针对不同类型的晶圆(静电强弱不同)进行调整。

以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，上述实施例仅仅是本发明的较佳实施例，本发明并不局限于上述实施方式。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员做出的等效置换和改进，均应视为在本发明所保护的技术范畴内。