具体实施方式

下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

参考图1，其示出了本申请一个示例性实施例提供的光刻方法的流程图，该方法包括：

步骤101，在晶圆上涂布光阻，该光阻为正性光阻。

其中，该晶圆可以是12英寸制程的晶圆，涂布光阻的过程可在涂胶机台上进行。示例性的，可将晶圆放置于涂胶机台上；在晶圆表面滴上光阻，旋转晶圆，使光阻涂布在晶圆的表面，从而实现在晶圆上涂布光阻。可选的，在晶圆上涂布光阻后，光阻的厚度大于4微米。

步骤102，对光阻进行软烘烤。

进行软烘烤的目的是为了将光阻硬化，从而便于后续的曝光。

步骤103，对光阻进行曝光后，进行冷却以释放在曝光过程中产生的气体。

示例性的，可通过掩模板对光阻进行曝光，使光线穿过掩模板上的镂空图形，对镂空图形下的光阻进行曝光。以光阻包含重氮萘醌为例，在曝光过程中，重氮萘醌产生茚甲酸的同时放出氮气(N₂)，若曝光后不能释放或者受热聚集、膨胀，则会在光阻的膜层间形成氮气气泡缺陷。

鉴于此，本申请实施例中，在进行曝光后，可对光阻进行冷却，以释放在曝光过程中产生的气体(例如由重氮萘醌产生的氮气)，以避免留存在光阻中的气体在后续的烘烤过程中受热膨胀产生缺陷。

可选的，该冷却的时间为60秒至150秒。只需在曝光后增加冷却步骤而不需要再增加额外的去除气泡的步骤，即可实现光阻内部的气泡去除，在一定程度上降低了光刻过程中形成气泡的几率的基础上，成本较低且易于实现。

步骤104，对光阻进行曝光后的烘烤。

进行曝光后的烘烤(post exposure bake，PEB)的目的是降低驻波效应的影响以及使化学反应更充分。可选的，曝光后的烘烤包括烘烤过程和烘烤后的冷却过程。由于在步骤103中进行了冷却使气体得到了释放，因此留存在光阻中的气体大部分被去除，降低了缺陷的产生。

步骤105，对曝光后的光阻进行显影。

示例性的，可将晶圆浸入至显影机台的显影液中进行显影，从而形成光阻图形。

综上所述，本申请实施例中，通过在光刻过程中，在对光阻进行曝光后进行冷却以释放曝光中产生的气体，避免留存在光阻中的气体在后续的烘烤过程中受热膨胀产生缺陷，从而能够在一定程度上降低了光刻过程中形成气泡的几率，降低了光刻图形的缺陷，提高了产品的可靠性和良率。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。