阅读说明：本技术 磁盘装置以及读处理方法 (Magnetic disk device and read processing method ) 是由 前东信宏 于 2019-07-15 设计创作，主要内容包括：实施方式提供一种能够提高读处理性能的磁盘装置以及读处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头,其具有对所述盘写入数据的写入头、和从所述盘读取数据的第1读取头及第2读取头；以及控制器,其在对所述盘的第1区域的第1磁道进行读取的情况下将所述第1读取头和所述第2读取头的中间部定位于所述第1磁道的第1磁道中央,在对与所述第1区域不同的所述盘的第2区域的第2磁道进行读取的情况下将所述第1读取头和所述第2读取头中的任一方定位于所述第2磁道的第2磁道中央。(Embodiments provide a magnetic disk device and a read processing method capable of improving read processing performance. The magnetic disk device according to the present embodiment includes: a disc; a head having a write head for writing data to the disk, and a 1 st read head and a 2 nd read head for reading data from the disk; and a controller that positions intermediate portions of the 1 st read head and the 2 nd read head at a 1 st track center of the 1 st track when reading a 1 st track of a 1 st region of the disk, and positions either the 1 st read head or the 2 nd read head at a 2 nd track center of the 2 nd track when reading a 2 nd track of a 2 nd region of the disk that is different from the 1 st region.)

磁盘装置以及读处理方法

本申请享受以日本专利申请2019－16893号(申请日：2019年2月1日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及磁盘装置以及读处理方法。

背景技术

近年来，开发了具有包括多个读取头的头的二维记录(Two-DimensionalMagnetic Recording:TDMR)方式的磁盘装置。在TDMR方式的磁盘装置中，多个读取头的与磁道交叉的方向的间隔(交叉磁道间隔：CTS)会根据头的斜角而变化。因此，在TDMR方式的磁盘装置中，为了读取写在盘中的数据，需要对头适当地进行定位。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够提高读处理性能的磁盘装置以及读处理方法。

本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有对所述盘写入数据的写入头、和从所述盘读取数据的第1读取头及第2读取头；以及控制器，其在对所述盘的第1区域的第1磁道进行读取的情况下将所述第1读取头和所述第2读取头的中间部定位于所述第1磁道的第1磁道中央，在对与所述第1区域不同的所述盘的第2区域的第2磁道进行读取的情况下将所述第1读取头和所述第2读取头中的任一方定位于所述第2磁道的第2磁道中央。

本实施方式涉及的读处理方法是应用于磁盘装置的读处理方法，所述磁盘装置具备盘和头，所述头具有对所述盘写入数据的写入头、和从所述盘读取数据的第1读取头以及第2读取头，所述读处理方法包括：在对所述盘的第1区域的第1磁道进行读取的情况下，将所述第1读取头和所述第2读取头的中间部定位于所述第1磁道的第1磁道中央，在对与所述第1区域不同的所述盘的第2区域的第2磁道进行读取的情况下，将所述第1读取头和所述第2读取头中的任一方定位于所述第2磁道的第2磁道中央。

附图说明

图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。

图2是表示第1实施方式涉及的头相对于盘的配置的一个例子的示意图。

图3是表示将读取头定位于基准位置的情况下的写入头和两个读取头在几何学上的配置的一个例子的示意图。

图4是表示将读取头定位于半径位置的情况下的写入头和两个读取头在几何学上的配置的一个例子的图。

图5是表示第1实施方式涉及的R/W通道50以及MPU60的构成例的框图。

图6是表示将头定位在位于交叉磁道间隔为预定值以下的盘的预定区域的对象磁道的情况下的读取头相对于中间部MP的在半径方向上的偏置(offset)量与将头定位于该对象磁道来读取了对象磁道的情况下的错误率的关系的一个例子的图。

图7是表示与图6对应的读取头的配置的一个例子的图。

图8是表示将头定位在位于交叉磁道间隔大于预定值的盘的预定区域的对象磁道的情况下的读取头相对于中间部的在半径方向上的偏置量与将头定位于该对象磁道来读取了对象磁道的情况下的错误率的关系的一个例子的图。

图9是表示与图8对应的读取头的配置的一个例子的图。

图10是表示与图8对应的读取头的配置的一个例子的图。

图11是表示第1实施方式涉及的交叉磁道间隔与读/写偏置的关系的一个例子的图。

图12是表示第1实施方式涉及的读处理的一个例子的流程图。

图13是表示第2实施方式涉及的读取头的配置的一个例子的图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一个例子，并不限定发明的范围。

(第1实施方式)

图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。

磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下称为头放大器IC或者前置放大器)30、易失性存储器70、缓冲存储器(缓存)80、非易失性存储器90以及作为一个芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(主机)100连接。磁盘装置1例如是二维记录(Two-Dimensional Magnetic Recording:TDMR)方式的磁盘装置。

HAD具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(SPM)12、搭载有头15的臂13、以及音圈马达(VCM)14。盘10安装于主轴马达12，通过主轴马达12的驱动而旋转。臂13以及VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动，将搭载于臂13的头15移动控制到盘10的预定位置。盘10以及头15也可以设有两个以上的数量。以下，有时也将从磁盘装置1的各部或者外部设备、例如主机100传送而写入到盘10的数据称为写数据，将被传送到磁盘装置1的各部或者外部设备、例如主机100的从盘10读取到的数据称为读数据。

盘10对其记录区域分配有能够由用户利用的用户数据区域10a、和写入系统管理所需的信息的系统区10b。以下，将盘10的圆周、也即是沿着盘10的预定磁道的方向称为圆周方向，将与圆周方向交叉的方向称为半径方向。以下，将盘10的预定的圆周方向上的位置称为圆周位置，将盘10的预定的半径方向上的位置称为半径位置。另外，有时也将在盘10的磁道所写入的数据、盘10的预定的半径位置、盘10的预定磁道的半径方向上的宽度(以下简称为磁道宽度)的中心位置(以下称为磁道中央)以及盘10的预定磁道的磁道宽度内的预定的半径位置等简称为磁道。

头15将滑块作为主体，具备实际装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W向盘10写入数据。读取头15R读取记录于盘10的数据。读取头15R具有多个读取头、例如两个读取头15R1、15R2。读取头15R1例如设在距写入头15W最远的位置。读取头15R2例如设在距写入头15W比读取头15R1近的位置。换言之，读取头15R2位于写入头15W和读取头15R1之间。此外，读取头15R也可以有三个以上的读取头。以下，既有时将多个读取头、例如两个读取头15R1、15R2一并称为读取头15R，也有时将多个读取头、例如读取头15R1和15R2中的任一个简称为读取头15R。

图2是表示本实施方式涉及的头15相对于盘10的配置的一个例子的示意图。如图2所示，在半径方向上，将朝向盘10的外周的方向称为外方向(外侧)，将与外方向相反的方向称为内方向(内侧)。另外，如图2所示，在圆周方向上，将盘10旋转的方向称为旋转方向。此外，在图2所示的例子中，旋转方向以顺时针方向表示，但也可以相反(逆时针方向)。在图2中，用户数据区域10a被区分为位于内方向的内周区域IR、位于外方向的外周区域OR、位于内周区域IR与外周区域OR之间的中周区域MR。在图2所示的例子中，示出了半径位置IRP、半径位置RP0以及半径位置ORP。半径位置IRP是比半径位置RP0靠内方向的位置，半径位置ORP是比半径位置RP0靠外方向的位置。在图2所示的例子中，半径位置RP0包含于中周区域MR，半径位置ORP包含于外周区域OR，半径位置IRP包含于内周区域IR。此外，半径位置RP0既可以包含于外周区域OR，也可以包含于内周区域IR。半径位置IRP以及ORP也可以分别包含于中周区域MR。在图2中，半径位置IRP相当于内周区域IR的预定磁道的磁道中央IIL，半径位置RP0相当于中周区域MR的预定磁道的磁道中央IL0，半径位置ORP相当于外周区域OR的预定磁道的磁道中央OIL。磁道中央IIL相当于预定磁道、例如内周区域IR的预定磁道中的作为头15的目标的轨迹或者路径(以下有时也称为目标轨迹或者目标路径)。磁道中央IL0相当于预定磁道、例如中周区域MR的预定磁道中的头15的目标路径。磁道中央OIL相当于预定磁道、例如外周区域OR的预定磁道中的头15的目标路径。磁道中央IIL、IL0以及OIL位于相对于盘10为同心圆状的位置。例如，磁道中央IIL、IL0以及OIL位于正圆状的位置。此外，磁道中央IIL、IL0以及OIL也可以不是圆状，而是位于在盘10的半径方向上变动的波状的位置。

盘10具有多个伺服模式SV。以下，有时也将伺服模式SV称为伺服扇区、伺服区域。多个伺服模式SV在盘10的半径方向上呈放射状延伸，在圆周方向上空开预定间隔而离散地配置。伺服模式SV包含用于将头15定位于盘10的预定的半径位置的伺服数据等。以下，有时也将在伺服扇区SV以外的用户数据区域10a写入的伺服数据以外的数据称为用户数据。

伺服数据例如包含伺服标记(Servo Mark)、地址数据以及突发(burst)数据等。地址数据由预定磁道的地址(柱面地址)、和预定磁道的伺服扇区的地址构成。突发数据是为了检测头15相对于预定磁道的磁道中央的在半径方向上的位置偏移(位置误差)而使用的数据(相对位置数据)，由预定周期的重复模式(pattern)构成。突发数据例如从预定磁道跨到与该磁道在半径方向上相邻的磁道而呈交错状写入。

在头15位于半径位置RP0的情况下，斜角例如为0°。以下，有时也将半径位置RP0称为基准位置RP0。在头15位于半径位置ORP的情况下，斜角例如为正值。随着头15在半径方向上从基准位置RP0向外方向移动，斜角的正值增大。在头15位于半径位置IRP的情况下，斜角例如为负值。随着头15在半径方向上从基准位置RP0向内方向移动，斜角的负值减少。此外，在头15位于半径位置ORP的情况下，斜角也可以为负值。另外，在头15位于半径位置IRP的情况下，斜角也可以为正值。

图3是表示将读取头15R1定位于基准位置RP0的情况下的写入头15W和两个读取头15R1、15R2在几何学上的配置的一个例子的示意图。以下，以读取头15R1的位置为基准，对头15中的写入头15W和两个读取头15R1、15R2在几何学上的配置进行说明。在图3中示出写入头15W的中心部WC、读取头15R1的中心部RC1、读取头15R2的中心部RC2、位于读取头15R1的中心部RC1与读取头15R2的中心部RC2的中间的中间部MP。以下，有时也将读取头15R1的中心部RC1与读取头15R2的中心部RC2之间的圆周方向上的间隔称为下行磁道间隔(DownTrack Separation：DTS)。有时也将读取头15R1的中心部RC1与读取头15R2的中心部RC2之间的半径方向上的间隔称为交叉磁道间隔(Cross Track Separation：CTS)或者头间隔。有时也将读取头15R与写入头15W在半径方向上的间隔、例如读取头15R1、15R2的中心部RC1、RC2与写入头15W之间的半径方向上的间隔和中间部MP与写入头15W之间的半径方向上的间隔称为读/写偏置(offset)。以下，为了便于说明，有时也将“写入头的中心部”以及“写入头的各部”简称为“写入头”，将“读取头的中心部”、“多个读取头中的两个读取头的中间部”以及“读取头的各部”简称为“读取头”。

在图3所示的例子中，在将读取头15R1配置于基准位置RP0的情况下，写入头15W、读取头15R1、读取头15R2以及中间部MP沿着圆周方向排列。在该情况下，读取头15R1和读取头15R2在半径方向上不偏移。也即是，将读取头15R1配置于基准位置RP0的情况下的交叉磁道间隔CTS0为0。另外，在将读取头15R1配置于基准位置RP0的情况下，读取头15R1和写入头15W、读取头15R2和写入头15W、中间部MP和写入头15W分别在半径方向上不偏移。也即是，该情况下的读取头15R1和写入头15W的读/写偏置OF10、读取头15R2和写入头15W的读/写偏置OF20、中间部MP和写入头15W，分别为0。此外，在将读取头15R1配置于基准位置RP0的情况下，读取头15R1和读取头15R2也可以在半径方向上相偏移。另外，在将读取头15R1配置于基准位置RP0的情况下，写入头15W和读取头15R1以及15R2也可以在半径方向上相偏移。

在图3所示的例中，在将读取头15R1配置于基准位置RP0的情况下，写入头15W和读取头15R1在圆周方向上以间隔GP0相分离。在将读取头15R1配置于基准位置RP0的情况下，读取头15R1和读取头15R2在圆周方向上以下行磁道间隔DTS0相分离。

图4是表示将读取头15R1定位于半径位置IRP的情况下的写入头15W和两个读取头15R1、15R2在几何学上的配置的一个例子的图。

在图4所示的例子中，在将读取头15R1配置于半径位置IRP的情况下，写入头15W、读取头15R1、读取头15R2以及中间部MP(头15)相对于圆周方向以斜角θsw向内方向倾斜。随着头15在半径方向上从基准位置RP0向内方向远离，斜角θsw的绝对值变大。在头15相对于圆周方向以斜角θsw向内方向倾斜的情况下，读取头15R1和读取头15R2在半径方向上以交叉磁道间隔CTSx相分离。随着头15在半径方向上从基准位置RP0向内方向远离，交叉磁道间隔CTSx的绝对值变大。换言之，随着斜角θsw的绝对值变大，交叉磁道间隔CTSx的绝对值也变大。在将读取头15R1配置于半径位置IRP的情况下，读取头15R1和写入头15W在半径方向上以读/写偏置OF1x相分离。随着头15在半径方向上从基准位置RP0向内方向远离，读/写偏置OF1x的绝对值变大。换言之，随着斜角θsw的绝对值变大，读/写偏置OF1x的绝对值也变大。在将读取头15R1配置于半径位置IRP的情况下，读取头15R2和写入头15W在半径方向上以读/写偏置OF2x相分离。随着头15在半径方向上从基准位置RP0向内方向远离，读/写偏置OF2x的绝对值变大。换言之，随着斜角θsw的绝对值变大，读/写偏置OF2x的绝对值也变大。在读取头15R1配置于半径位置IRP的情况下，中间部MP和写入头15W在半径方向上以读/写偏置OFMx相分离。随着头15在半径方向上从基准位置RP0向内方向远离，读/写偏置OFMx的绝对值变大。换言之，随着斜角θsw的绝对值变大，读/写偏置OFMx的绝对值也变大。

在图4所示的例子中，在将读取头15R1配置于半径位置IRP的情况下，读取头15R1和读取头15R2在圆周方向上以下行磁道间隔DTSx相分离。随着头15在半径方向上从基准位置RP0向内方向远离，下行磁道间隔DTSx变小。换言之，随着斜角θsw的绝对值变大，下行磁道间隔DTSx也变小。

此外，在将读取头15R1配置于半径位置ORP的情况下，也与将读取头15R1定位于半径位置IRP的情况同样地，写入头15W、读取头15R1、15R2、中间部MP以预定的斜角向外方向倾斜。在将读取头15R1配置于半径位置ORP的情况下，读取头15R1和读取头15R2在圆周方向上可能以预定的下行磁道间隔DTSx相分离。随着头15在半径方向上从基准位置RP0向外方向远离，斜角θsw的绝对值变大。在头15相对于圆周方向以斜角θsw向外方向倾斜的情况下，读取头15R1和读取头15R2可能在外方向上以预定的交叉磁道间隔CTSx相分离。随着头15在半径方向上从基准位置RP0向外方向远离，交叉磁道间隔CTSx的绝对值变大。

驱动器IC20按照系统控制器130(详细而言为后述的MPU60)的控制，控制SPM12以及VCM14的驱动。

头放大器IC(前置放大器)30具备读放大器以及写驱动器。读放大器对从盘10读取到的读信号进行放大，并输出给系统控制器130(详细而言为后述的读/写(R/W)通道50)。写驱动器向头15输出与从R/W通道50输出的写数据相应的写电流。

易失性存储器70是当电力供给断开时所保存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70保存磁盘装置1的各部的处理所需要的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory)或者SDRAM(Synchronous Dynamic Random AccessMemory)。

缓冲存储器80是暂时记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器80也可以与易失性存储器70构成为一体。缓冲存储器80例如是DRAM、SRAM(Static Random Access Memory)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric RandomAccess memory)或者MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)等。

非易失性存储器90是即使电力供给断开、也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器90例如是NOR型或者NAND型的闪速ROM(Flash Read Only Memory：FROM)。

系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单一芯片的被称为片上系统的(System-on-a-Chip(SoC))的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括硬盘控制器(HDC)40、读/写(R/W)通道50、微处理器(MPU)60。HDC40、R/W通道50以及MPU60分别相互电连接。系统控制器130例如与驱动器IC20、头放大器IC60、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90以及主机系统100等电连接。

HDC40按照来自后述的MPU60的指示，控制主机100与R/W通道50之间的数据传送。HDC40例如与易失性存储器70、缓冲存储器80以及非易失性存储器90等电连接。

R/W通道50按照来自MPU60的指示，控制读数据以及写数据的信号处理。R/W通道50具备测定读数据的信号质量的电路或者功能。R/W通道50例如与头放大器IC30等电连接。

MPU60是控制磁盘装置1的各部的主控制器。MPU60经由驱动器IC20控制VCM14，执行头15的定位。MPU60控制对盘10写入数据的写动作，并且，选择从主机100传送的写数据的保存目的地。另外，MPU60控制从盘10读取数据的读动作，并且，控制从盘10传送至主机100的读数据的处理。MPU60与磁盘装置1的各部连接。MPU60例如与驱动器IC20、HDC40以及R/W通道50等电连接。“对头15进行定位”包含将“读取头15R1、15R2以及中间部MP(读取头15R)定位(配置)于盘10的预定位置”以及“将写入头15W定位(配置)于盘10的预定位置”等。

图5的表示本实施方式涉及的R/W通道50以及MPU60的构成例的框图。在图5中，省略了盘10等。

R/W通道50具备第1解调部510和第2解调部520。例如，第1解调部510对读取头15R1读取到的数据、例如伺服信号进行解调，并将解调后的伺服数据输出至MPU60等。与第1解调部510同样地，第2解调部520对读取头15R2读取到的伺服信号进行解调，并将解调后的伺服数据输出至MPU60等。此外，在设有三个以上的读取头的情况下，R/W通道50也可以具备与这些读取头分别对应的三个以上的解调部。

MPU60具备读/写控制部610。MPU60使各部、例如读/写控制部610等的处理在固件上执行。此外，MPU60也可以作为电路来具备各部。

读/写控制部610按照来自主机100的命令，控制数据的读处理以及写处理。读/写控制部610经由驱动器IC20控制VCM14，将头15定位于盘10上的预定的半径位置，执行读处理或者写处理。

读/写控制部610通过多个读取头、例如读取头15R1和15R2中的至少一个(读取头15R)来执行读处理。例如，读/写控制部610将读取头15R1定位于预定磁道的磁道中央，通过读取头15R1以及15R2对该磁道进行读取。读/写控制部610将读取头15R2定位于预定磁道的磁道中央，通过读取头15R1以及15R2对该磁道进行读取。另外，读/写控制部610将中间部MP定位于预定磁道的磁道中央，通过读取头15R1以及15R2对该磁道进行读取。以下，有时也将“将读取头15R1定位于预定磁道(的磁道中央)，通过读取头15R1以及15R2对该磁道进行读取”、“将读取头15R1配置于预定磁道(的磁道中央)”记载为“将读取头15R1定位于预定磁道”。有时也将“将读取头15R2定位于预定磁道(的磁道中央)，通过读取头15R1以及15R2对该磁道进行读取”、“将读取头15R2配置于预定磁道(的磁道中央)”记载为“将读取头15R2定位于预定磁道”。另外，有时也将“将中间部MP定位于预定磁道(的磁道中央)，通过读取头15R1以及15R2对该磁道进行读取”、“将中间部MP配置于预定磁道(的磁道中央)”记载为“将中间部MP定位于预定磁道”。

读/写控制部610基于将头15、例如中间部MP定位于由来自主机100的命令等指示的作为对象的半径位置(以下称为对象位置)、例如由来自主机100的命令等指示的作为对象的磁道(以下称为对象磁道)的情况下的交叉磁道间隔，将读取头15R中的错误率(位(bit)错误率)最小的读取头定位于对象磁道。此外，读/写控制部610基于将头15定位于对象磁道的情况下的斜角、对象磁道的半径位置、或者包含对象磁道的盘10的预定区域、例如区段(zone)，将读取头15R中的错误率最小的读取头(以下有时也称为初始读取头)定位于对象磁道。区段例如相当于将盘10的用户数据区域10a在半径方向上区分而得到的多个区域中的一个区域。另外，区段包括至少一条磁道。读/写控制部610在判定为通过高飞写入(High Fly Write)等将读取头15R中的预定读取头、例如初始读取头定位于对象磁道的状态下无法读取对象磁道的情况下，将与初始读取头不同的读取头15R中的至少一个预定读取头(以下有时也称为变更读取头)定位于对象磁道。例如，读/写控制部610在将初始读取头定位于对象磁道的状态下执行了至少1次(或者多次)的重试读取(read retry)的情况下，或者在将初始读取头定位于对象磁道的状态下反复执行了重试读取的情况下，将至少一个变更读取头定位于对象磁道。此外，将初始读取头定位于预定磁道来读取了预定磁道的情况下的错误率和将变更读取头定位于预定磁道来读取了预定磁道的情况下的错误率既可以相同，也可以不同。换言之，变更读取头既可以包括也可以不包括读取头15R中的错误率最小的读取头。例如，在将相互不同的多个变更读取头分别定位于对象磁道的情况下，读/写控制部610向各部、例如磁盘装置1的各部以及主机100等输出将多个变更读取头分别定位于对象磁道而取得的多个读数据中的错误率最小的读数据。此外，在将多个变更读取头分别定位于对象磁道而取得的多个读数据中的错误率相同的情况下，读/写控制部610也可以从多个读数据中选择至少一个读数据，输出给各部、例如磁盘装置1的各部以及主机100。

读/写控制部610在判定为将中间部MP定位于对象磁道时的交叉磁道间隔为预定值、例如对象磁道的磁道宽度(或者磁道间距)以下的情况下，将中间部MP定位于对象磁道。读/写控制部610在判定为在将中间部MP定位于对象磁道的状态下无法读取对象磁道的情况下，将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道，在将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道之后将读取头15R2(或者读取头15R1)定位于对象磁道。例如，读/写控制部610输出将读取头15R1定位于对象磁道而取得的读数据和将读取头15R2定位于对象磁道而取得的读数据中的错误率小的读数据。

读/写控制部610在判定为将中间部MP定位于对象磁道时的交叉磁道间隔比预定值、例如对象磁道的磁道宽度(或者磁道间距)大的情况下，将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道。读/写控制部610在判定为在将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道的状态下无法进行读取的情况下，将读取头15R2(或者读取头15R1)定位于对象磁道。此外，读/写控制部610也可以在判定为将中间部MP定位于对象磁道时的交叉磁道间隔比预定值、例如对象磁道的磁道宽度(或者磁道间距)大的情况下，将中间部MP定位于对象磁道。

读/写控制部610在判定为将中间部MP定位于对象磁道时的斜角为成为预定值、例如对象磁道的磁道宽度(或者磁道间距)以下的交叉磁道间隔的斜角的情况下，判定为交叉磁道间隔为对象磁道的磁道宽度以下，将中间部MP定位于对象磁道。读/写控制部610在判定为在将中间部MP定位于对象磁道的状态下无法进行读取的情况下，将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道，在将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道之后将读取头15R2(或者读取头15R1)定位于对象磁道。例如，读/写控制部610输出将读取头15R1定位于对象磁道而取得的读数据和将读取头15R2定位于对象磁道而取得的读数据中的错误率小的读数据。

读/写控制部610在判定为将中间部MP定位于对象磁道时的斜角为成为比预定值、例如对象磁道的磁道宽度(或者磁道间距)大的交叉磁道间隔的斜角的情况下，判定为交叉磁道间隔比对象磁道的磁道宽度大，将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道。读/写控制部610在判定为在将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道的状态无法进行读取的情况下，将读取头15R2(或者读取头15R1)定位于对象磁道。此外，读/写控制部610在判定为将中间部MP定位于对象磁道时的斜角为成为比预定值、例如对象磁道的磁道宽度大的交叉磁道间隔的斜角的情况下，判定为交叉磁道间隔比对象磁道的磁道宽度大，将中间部MP定位于对象磁道。

读/写控制部610在判定为对象磁道的半径位置为在定位了中间部MP时成为预定值、例如对象磁道的磁道宽度(或者磁道间距)以下的交叉磁道间隔的半径位置的情况下，判定为交叉磁道间隔为对象磁道的磁道宽度以下，将中间部MP定位于对象磁道。读/写控制部610在判定为在将中间部MP定位于对象磁道的状态下无法读取对象磁道的情况下，将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道，在将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道后将读取头15R2(或者读取头15R1)定位于对象磁道。例如，读/写控制部610输出将读取头15R1定位于对象磁道而取得的读数据和将读取头15R2定位于对象磁道而取得的读数据中的错误率小的读数据。

读/写控制部610在判定为对象磁道的半径位置为在定位了中间部MP时成为比预定值、例如对象磁道的磁道宽度(或者磁道间距)大的交叉磁道间隔的半径位置的情况下，判定为交叉磁道间隔比对象磁道的磁道宽度大，将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道。读/写控制部610在判定为无法通过读取头15R1(或者读取头15R2)读取对象磁道的情况下，将读取头15R2(或者读取头15R1)定位于对象磁道。此外，读/写控制部610在判定为对象磁道的半径位置为在定位了中间部MP时成为比预定值、例如对象磁道的磁道宽度大的交叉磁道间隔的半径位置的情况下，判定为交叉磁道间隔比对象磁道的磁道宽度大，将中间部MP定位于对象磁道。

读/写控制部610在判定为包含对象磁道的区段为成为预定值、例如对象磁道的磁道宽度(或者磁道间距)以下的交叉磁道间隔的区段的情况下，判定为交叉磁道间隔为对象磁道的磁道宽度以下，将中间部MP定位于对象磁道。读/写控制部610在判定为在将中间部MP定位于对象磁道的状态下无法读取对象磁道的情况下，将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道，在将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道之后将读取头15R2(或者读取头15R1)定位于对象磁道。例如，读/写控制部610输出将读取头15R1定位于对象磁道而取得的读数据和将读取头15R2定位于对象磁道而取得的读数据中的错误率小的读数据。

读/写控制部610在判定为包含对象磁道的区段为成为比预定值、例如对象磁道的磁道宽度(或者磁道间距)大的交叉磁道间隔的区段的情况下，判定为交叉磁道间隔比对象磁道的磁道宽度大，将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道。读/写控制部610在判定为在将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道的状态下无法读取对象磁道的情况下，将读取头15R2(或者读取头15R1)定位于对象磁道。此外，读/写控制部610在判定为包含对象磁道的区段为成为比预定值、例如对象磁道的磁道宽度大的交叉磁道间隔的区段的情况下，判定为交叉磁道间隔比对象磁道的磁道宽度大，将中间部MP定位于对象磁道。

读/写控制部610例如在制造工序等中测定将头15定位于盘10的各半径位置的情况下的交叉磁道间隔以及斜角、和在盘10的各半径位置通过读取头15R读取了数据的情况下的错误率。读/写控制部610设定与所测定的交叉磁道间隔以及斜角对应的错误率成为最小的读取头15R(最初的读取头)。读/写控制部610将所测定的交叉磁道间隔以及斜角、与所测定的交叉磁道间隔以及斜角对应的区段、与所设定的交叉磁道间隔以及斜角对应的错误率成为最小的读取头15R(最初的读取头)相关联，记录于存储器、例如非易失性存储器90、缓冲存储器80、易失性存储器70或者盘10等。

图6是表示将头15定位于位于交叉磁道间隔为预定值以下的盘10的预定区域的对象磁道的情况下的读取头15R相对于中间部MP的半径方向上的偏置量与将头15定位于该对象磁道来读取了对象磁道的情况下的错误率之间的关系的一个例子的图。

图6示出将头15定位于位于将交叉磁道间隔为预定值、例如磁道宽度(或者磁道间距)以下的盘10的用户数据区域10a在半径方向上区分而得到的预定区域(以下有时也称为狭小区域)、例如包含基准位置RP0的中周区域(以下有时也称为中周区域)MR的对象磁道的情况下的读取头15R相对于中间部MP的半径方向上的偏置量(以下有时也简称为偏置量)与将头15定位于该对象磁道的情况下的错误率之间的关系。此外，狭小区域例如也可以是交叉磁道间隔为磁道宽度(或者磁道间距)的0.7倍～1.3倍的区域。狭小区域例如既可以是交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)的0.7倍小的区域，也可以是交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)的1.3倍大的区域。狭小区域是头15的斜角(的绝对值)为预定角度(以下有时也称为角度阈值)以下的区域。另外，内周区域IR或者外周区域OR也可以是狭小区域。

在图6中，横轴表示将头15定位于位于中周区域MR的对象磁道的情况下的读取头15R相对于中间部MP的偏置量，纵轴表示将头15定位于位于中周区域MR的对象磁道的情况下的错误率。在图6的横轴上，偏置量随着从偏置量＝0(中间部MP)向正的箭头方向前进而向正值的方向变大，随着从偏置量＝0向负的箭头方向前进而向负值的方向变小。例如，偏置量的正值的方向相当于半径方向的外方向，偏置量的负值的方向相当于半径方向的内方向。此外，也可以是，偏置量的正值的方向相当于半径方向的内方向，偏置量的负值的方向相当于半径方向的外方向。在图6的纵轴上，错误率随着向大的箭头方向前进而变大，随着向小的箭头方向前进而变小。

在图6中示出了在将头15、例如中间部MP定位于位于中周区域MR的对象磁道的的状态下仅通过读取头15R1进行了读取的情况下的错误率相对于偏置量的变化R1E1、在将头15、例如中间部MP定位于位于中周区域MR的对象磁道的状态下仅通过读取头15R2进行了读取的情况下的错误率相对于偏置量的变化R2E1、在将头15、例如中间部MP定位于位于中周区域MR的对象磁道的状态下通过两个读取头15R1以及15R2进行了读取的情况下的错误率相对于偏置量的变化MPE1。错误率的变化MPE1例如相当于组合了错误率的变化R1E1以及R2E1的错误率的变化、或者将错误率的变化R1E1以及R2E1平均而得到的错误率的变化等。

在图6所示的例子中，错误率的变化R1E1呈具有顶点R1V1的抛物线(2次曲线)状而变化。错误率的变化R1E1在顶点R1V1为最小值。顶点R1V1与比偏置量＝0靠正值的方向的偏置量相对应。换言之，顶点R1V1与相对于偏置量＝0的读取头15R1的中心部RC1的偏置量相对应。错误率的变化R2E1呈具有顶点R2V1的抛物线状而变化。在图6所示的例子中，错误率的变化R2E1在偏置量＝0处与错误率的变化R1E1重叠。错误率的变化R2E1在顶点R2V1为最小值。顶点R2V1与比偏置量＝0靠负值的方向的偏置量相对应。换言之，顶点R1V1与相对于偏置量＝0的读取头15R2的中心部RC2的偏置量相对应。在图6所示的例子中，顶点R2V1与顶点R1V1相同。此外，顶点R2V1也可以与顶点R1V1不同。错误率的变化MPE1呈具有顶点MPV1的抛物线状而变化。错误率的变化MPE1在顶点MPV1为最小值。顶点MPV1与偏置量＝0(中间部MP)相对应。顶点MPV1比顶点R1V1以及R2V1小。此外，顶点MPV1也可以与顶点R1V1和R2V1中的至少一方相同。在图6示出顶点R1V1和R2V1之间的交叉磁道间隔CTS1。交叉磁道间隔CTS1为位于狭小区域的预定磁道的磁道宽度(或者磁道间距)以下。

在图6所示的例子中，读/写控制部610基于交叉磁道间隔CTS1，将中间部MP定位于对象磁道，以使得错误率成为最小。例如，读/写控制部610在对位于交叉磁道间隔为磁道宽度(或者磁道间距)以下的中周区域的对象磁道进行读取的情况下，判定为交叉磁道间隔CTS1为对象磁道的磁道宽度以下，将中间部MP定位于对象磁道，以使得错误率成为最小。

图7是表示与图6对应的读取头15R的配置的一个例子的图。在图7中仅示出说明所需要的构成。在图7中示出在中周区域MR中位于比基准位置RP0更靠内方向的区段ZNj的对象磁道MTRj。在图7所示的例子中，读取头15R1、读取头15R2以及中间部MP相对于圆周方向以斜角θsw1向内方向倾斜。读取头15R1和15R2相互以交叉磁道间隔CTS1相分离。交叉磁道间隔CTS1比对象磁道MTRj的磁道宽度TW1小。中间部MP位于对象磁道MTRj的磁道中央MTCj。读取头15R1以及15R2与对象磁道MTRj重叠。例如，读取头15R1的宽度R1W1和读取头15R2的宽度R2W1相同。此外，读取头15R1的宽度R1W1和读取头15R2的宽度R2W1也可以不同。

在图7所示的例子中，读/写控制部610在对位于交叉磁道间隔比磁道宽度小的中周区域MR的对象磁道MTRj进行读取的情况下，判定为交叉磁道间隔CTS1为对象磁道MTRj的磁道宽度TW1以下，将中间部MP定位于对象磁道MTRj的磁道中央MTCj。读/写控制部610在判定为在将中间部MP定位于对象磁道MTRj的状态下无法读取对象磁道MTRj的情况下，将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道MTRj的磁道中央MTCj。读/写控制部610在将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于对象磁道MTRj之后，将读取头15R2(或者读取头15R1)定位于对象磁道MTRj的磁道中央MTCj。

图8是表示将头15定位于位于交叉磁道间隔比预定值大的盘10的预定区域的对象磁道的情况下的读取头15R相对于中间部MP的半径方向上的偏置量与将头15定位于该对象磁道的情况下的错误率之间的关系的一个例子的图。

图8表示将头15定位于位于交叉磁道间隔比预定值、例如磁道宽度(或者磁道间距)大的盘10的区域(以下有时也称为广大区域)、例如比中周区域MR靠内方向的内周区域IR的对象磁道的情况下的读取头15R相对于中间部MP的偏置量与将头15定位于该对象磁道的情况下的错误率之间的关系的一个例子。广大区域例如是在定位了头15的情况下交叉磁道间隔比狭小区域大的区域。换言之，广大区域是用户数据区域10a的狭小区域以外的区域。比中周区域MR靠外方向的外周区域OR也可能成为广大区域。因此，在将头15定位于位于比中周区域MR靠外方向的外周区域OR的对象磁道的情况下的读取头15R相对于中间部MP的偏置量与将头15定位于该对象磁道的情况下的错误率之间的关系也可以应用与图8所示的偏置量与错误率之间的关系同样的说明。此外，广大区域例如也可以是交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)的0.7倍大的区域。广大区域例如也可以是交叉磁道间隔为磁道宽度(或者磁道间距)的0.7倍以下的区域。广大区域是头15的斜角(的绝对值)比角度阈值大的区域。换言之，广大区域为头15的斜角(的绝对值)比狭小区域大的区域。另外，中周区域MR也可以是广大区域。

在图8中，横轴表示将头15定位于位于内周区域IR的对象磁道的情况下的读取头15R相对于中间部MP的偏置量，纵轴表示将头15定位于位于内周区域IR的对象磁道的情况下的错误率。在图8的横轴上，偏置量随着从偏置量＝0(中间部MP)向正的箭头方向前进而向正值的方向变大，随着从偏置量＝0向负的箭头方向前进而向负值的方向变小。在图8的纵轴上，错误率随着向大的箭头方向前进而变大，随着向小的箭头方向前进而变小。

在图8中示出在将头15、例如中间部MP定位于位于内周区域IR的对象磁道的状态下仅通过读取头15R1进行了读取的情况下的错误率相对于偏置量的变化R1E2、在将头15、例如中间部MP定位于位于内周区域IR的对象磁道的状态下仅通过读取头15R2进行了读取的情况下的错误率相对于偏置量的变化R2E2、将头15、例如中间部MP定位于位于内周区域IR的对象磁道来通过两个读取头15R1以及15R2进行了读取的情况下的错误率相对于偏置量的变化MPE2。错误率的变化MPE2例如相当于组合了错误率的变化R1E2以及R2E2的错误率的变化、或者将错误率的变化R1E2以及R2E2平均而得到的错误率的变化等。

在图8所示的例子中，错误率的变化R1E2呈具有顶点R1V2的抛物线(2次曲线)状而变化。错误率的变化R1E2在顶点R1V2为最小值。顶点R1V2与比偏置量＝0靠正值的方向的偏置量相对应。换言之，顶点R1V2与相对于偏置量＝0的读取头15R1的中心部RC1的偏置量相对应。错误率的变化R2E2呈具有顶点R2V2的抛物线状而变化。在图8所示的例子中，错误率的变化R2E2与错误率的变化R1E2分离，在偏置量＝0处与错误率的变化R1E2不重叠。错误率的变化R2E2在顶点R2V2为最小值。顶点R2V2与比偏置量＝0靠负值的方向的偏置量相对应。换言之，顶点R1V1与相对于偏置量＝0的读取头15R2的中心部RC2的偏置量相对应。在图8所示的例子中，顶点R2V2与顶点R1V2相同。此外，顶点R2V2也可以与顶点R1V2不同。错误率的变化MPE2呈具有极大值MPV2和极小值MPV3以及MPV4的4次曲线状而变化。错误率的变化MPE2在极小值MPV3以及MPV4为最小值。极大值MPV2比极小值MPV3以及MPV4大。极大值MPV2与偏置量＝0(中间部MP)相对应。极小值MPV3与相对于中间部MP＝0的读取头15R1的中心部RC1(顶点R1V2)的偏置量相对应。极小值MPV4与相对于中间部MP＝0的读取头15R2的中心部RC2(顶点R2V2)的偏置量相对应。极大值MPV2比极小值MPV3以及MPV4大。极小值MPV3和极小值MPV4相同。此外，极小值MPV3和极小值MPV4也可以不同。极小值MPV3既可以与顶点R1V2相同，也可以不同。另外，极小值MPV4既可以与顶点R2V2相同，也可以不同。在图8中示出顶点R1V2(极小值MPV3)和顶点R2V2(极小值MPV4)之间的交叉磁道间隔CTS2。交叉磁道间隔CTS2比位于广大区域的预定磁道的磁道宽度(或者磁道间距)大。交叉磁道间隔CTS2比图6所示的交叉磁道间隔CTS1大。

在图8所示的例子中，读/写控制部610基于交叉磁道间隔CTS2，将中间部MP定位于对象磁道，以使得错误率成为最小。例如，读/写控制部610在对位于交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)大的内周区域IR的对象磁道进行读取的情况下，判定为交叉磁道间隔CTS2比对象磁道的磁道宽度大，将中间部MP定位于对象磁道，以使得错误率成为最小。

此外，读/写控制部610在对位于交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)大的外周区域OR的对象磁道进行读取的情况下，判定为交叉磁道间隔比对象磁道的磁道宽度大，将读取头15R1或者15R2定位于对象磁道，以使得错误率成为最小。

另外，读/写控制部610也可以在对位于交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)大的内周区域IR以及外周区域OR的对象磁道进行读取的情况下，判定为交叉磁道间隔比对象磁道的磁道宽度大，将中间部MP定位于对象磁道。

图9是表示与图8对应的读取头15R的配置的一个例子的图。在图9仅示出说明所需要的构成。在图9中示出位于比包含基准位置RP0的中周区域MR靠内方向的内周区域IR的区段ZNk的对象磁道ITRk。在图9所示的例子中，读取头15R1、读取头15R2以及中间部MP相对于圆周方向以斜角θsw2向内方向倾斜。读取头15R1以及15R2相互以交叉磁道间隔CTS2相分离。交叉磁道间隔CTS2比对象磁道ITRk的磁道宽度(或者磁道间距)TW2大。磁道宽度TW2例如与磁道宽度TW1相同。此外，磁道宽度TW2也可以与磁道宽度TW1不同。读取头15R1位于对象磁道ITRk的磁道中央ITCk。在图9所示的例子中，读取头15R1与对象磁道ITRk重叠。读取头15R2与对象磁道ITRk不重叠。

在图9所示的例子中，读/写控制部610在对位于交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)大的内周区域IR的对象磁道进行读取的情况下，判定为交叉磁道间隔CTS2比对象磁道ITRk的磁道宽度TW2大，将读取头15R1定位于对象磁道ITRk的磁道中央ITCk。读/写控制部610在判定为无法通过读取头15R1读取对象磁道ITRk的情况下，将读取头15R2定位于对象磁道ITRk的磁道中央ITCk。

此外，读/写控制部610在对位于交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)大的外周区域OR的对象磁道进行读取的情况下，判定为交叉磁道间隔比对象磁道的磁道宽度大，将读取头15R1定位于对象磁道。读/写控制部610在判定为在将读取头15R1定位于对象磁道的状态下无法进行读取的情况下，将读取头15R2定位于对象磁道。

图10是表示与图8对应的读取头15R的配置的一个例子的图。在图10中仅示出说明所需要的构成。在图10中示出位于比包含基准位置RP0的中周区域MR靠内方向的内周区域IR的位置的区段ZNk的对象磁道ITRk。读取头15R2位于对象磁道ITRk的磁道中央ITCk。在图10所示的例子中，读取头15R2与对象磁道ITRk重叠。读取头15R1与对象磁道ITRk不重叠。

在图10所示的例子中，读/写控制部610在对位于交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)大的内周区域IR的对象磁道进行读取的情况下，判定为交叉磁道间隔CTS2比对象磁道ITRk的磁道宽度TW2大，将读取头15R2定位于对象磁道ITRk的磁道中央ITCk。读/写控制部610在判定为在将读取头15R2定位于对象磁道ITRk的状态下无法读取对象磁道ITRk的情况下，如图9所示那样将读取头15R1定位于对象磁道ITRk的磁道中央ITCk。

此外，读/写控制部610在对位于交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)大的外周区域OR的对象磁道进行读取的情况下，判定为交叉磁道间隔比对象磁道的磁道宽度大，将读取头15R2定位于对象磁道。读/写控制部610在判定为无法通过读取头15R2读取对象磁道的情况下，将读取头15R1定位于对象磁道。

另外，在图9以及图10所示的例子中，读/写控制部610也可以在对位于交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)大的内周区域IR以及外周区域OR的对象磁道进行读取的情况下，判定为交叉磁道间隔比对象磁道的磁道宽度大，将中间部MP定位于对象磁道的磁道中央。

图11是表示本实施方式涉及的交叉磁道间隔与读/写偏置的关系的一个例子的图。

在图11中，横轴表示盘10的预定的半径位置处的交叉磁道间隔，纵轴表示盘10的预定的半径位置处的读/写偏置。在图11的横轴上，交叉磁道间隔随着从交叉磁道间隔＝0向正的箭头方向前进而向正值的方向变大，随着从交叉磁道间隔＝0向负的箭头方向前进而向负值的方向变小。在图11中示出将头15定位于与狭小区域、例如包含基准位置RP0的中周区域MR和狭小区域的内方向的广大区域、例如内周区域IR的边界相当的半径位置的情况下的交叉磁道间隔Th1、和将头15定位于与狭小区域和狭小区域的外方向的广大区域、例如外周区域OR的边界相当的半径位置的情况下的交叉磁道间隔Th2。交叉磁道间隔Th1的绝对值与交叉磁道间隔Th2的绝对值例如相同。此外，交叉磁道间隔Th1的绝对值和交叉磁道间隔Th2的绝对值例如也可以为磁道宽度(或者磁道间距)的0.7～1.3倍。此外，交叉磁道间隔Th1的绝对值和交叉磁道间隔Th2的绝对值既可以比磁道宽度的0.7倍小，也可以比磁道宽度的1.3倍大。另外，交叉磁道间隔Th1的绝对值和交叉磁道间隔Th2的绝对值也可以不同。在图11的横轴上，比交叉磁道间隔Th1靠负方向的各交叉磁道间隔相当于将头15定位于内周区域IR的各半径位置的情况下的各交叉磁道间隔。在图11的横轴上，交叉磁道间隔Th1和Th2之间的各交叉磁道间隔相当于将头15定位于中周区域MR的各半径位置的情况下的各交叉磁道间隔。在图11的横轴上，比交叉磁道间隔Th2靠正方向的各交叉磁道间隔相当于将头15定位于外周区域OR的各半径位置的情况下的各交叉磁道间隔。在图11的纵轴上，读/写偏置随着从与交叉磁道间隔＝0对应的读/写偏置＝0向正的箭头方向前进而向正值的方向变大，随着从与交叉磁道间隔＝0对应的读/写偏置＝0向负的箭头方向前进而向负值的方向变小。例如，读/写偏置的正值的方向相当于半径方向的外方向，读/写偏置的负值的方向相当于半径方向的内方向。此外，也可以是，读/写偏置的正值的方向相当于半径方向的内方向，读/写偏置的负值的方向相当于半径方向的外方向。在图11中示出将读取头15R1定位于盘10的各半径位置的情况下的读/写偏置相对于交叉磁道间隔的变化R1L、将读取头15R2定位于盘10的各半径位置的情况下的读/写偏置相对于交叉磁道间隔的变化R2L、将中间部MP定位于盘10的各半径位置的情况下的读/写偏置相对于交叉磁道间隔的变化MPL。如图11所示，遍及与从内周区域IR到外周区域OR的各半径位置对应的交叉磁道间隔而呈现出了读/写偏置相对于交叉磁道间隔的变化R1L和读/写偏置相对于交叉磁道间隔的变化R2L。遍及与中周区域MR的各半径位置对应的交叉磁道间隔而呈现出了读/写偏置相对于交叉磁道间隔的变化MPL。此外，读/写偏置相对于交叉磁道间隔的变化MPL也可以是遍及与从内周区域IR到外周区域OR的各半径位置对应的交叉磁道间隔而呈现出的。

在图11所示的例子中，读/写偏置相对于交叉磁道间隔的变化R1L具有读/写偏置IP11、ThP11、MDP11、ThP12以及OP11。在图11所示的例子中，读/写偏置IP11为负值。读/写偏置IP11与将头15定位于比与交叉磁道间隔Th1对应的半径位置靠负方向、例如内方向的位置的情况下的交叉磁道间隔ICS对应。例如，读/写偏置ThP11为负值。此外，读/写偏置ThP11也可以为正值。读/写偏置ThP11与交叉磁道间隔Th1对应。例如，读/写偏置MDP11为负值。此外，读/写偏置MDP11也可以为正值。读/写偏置MDP11与将头15定位于与交叉磁道间隔Th1对应的半径位置和与交叉磁道间隔Th2对应的半径位置之间的半径位置的情况下的交叉磁道间隔MCS对应。例如，读/写偏置ThP12为正值。此外，读/写偏置ThP12也可以为负值。读/写偏置ThP11与交叉磁道间隔Th2对应。例如，读/写偏置OP11为正值。此外，读/写偏置OP11也可以为负值。读/写偏置OP11与将头15定位于比与交叉磁道间隔Th2对应的半径位置靠正方向、例如外方向的位置的情况下的交叉磁道间隔OCS对应。

在图11所示的例子中，读/写偏置相对于交叉磁道间隔的变化R2L具有读/写偏置IP21、ThP21、MDP21、ThP22以及OP21。在图11所示的例子中，读/写偏置IP21为负值。读/写偏置IP21与交叉磁道间隔ICS对应。例如，读/写偏置IP21的绝对值比读/写偏置IP11的绝对值小。例如，读/写偏置ThP21为负值。此外，读/写偏置ThP21也可以为正值。读/写偏置ThP21与交叉磁道间隔Th1对应。读/写偏置ThP21的绝对值比读/写偏置ThP11的绝对值小。例如，读/写偏置ThP21的绝对值为读/写偏置ThP11的绝对值的约0.7倍。在该情况下，交叉磁道间隔Th1与在定位了头15的情况下读/写偏置ThP21的绝对值成为读/写偏置ThP11的绝对值的约0.7倍的半径位置对应。此外，读/写偏置ThP21的绝对值既可以为读/写偏置ThP11的绝对值的0.7倍以上，也可以比读/写偏置ThP11的0.7倍小。例如，读/写偏置MDP21为负值。此外，读/写偏置MDP21也可以为正值。读/写偏置MDP21与交叉磁道间隔MCS对应。例如，读/写偏置MDP21的绝对值比读/写偏置MDP11的绝对值小。例如，读/写偏置ThP22为正值。此外，读/写偏置ThP22也可以为负值。读/写偏置ThP22与交叉磁道间隔Th2对应。读/写偏置ThP22的绝对值比读/写偏置ThP12的绝对值小。例如，读/写偏置ThP22的绝对值为读/写偏置ThP12的绝对值的约0.7倍。在该情况下，交叉磁道间隔Th2与在定位了头15的情况下读/写偏置ThP22的绝对值成为读/写偏置ThP12的绝对值的约0.7倍的半径位置对应。此外，读/写偏置ThP22的绝对值既可以为读/写偏置ThP12的绝对值的0.7倍以上，也可以比读/写偏置ThP12的0.7倍小。例如，读/写偏置OP21为正值。此外，读/写偏置OP21也可以为负值。例如，读/写偏置OP21的绝对值比读/写偏置OP11的绝对值小。读/写偏置OP21与交叉磁道间隔OCS对应。

在图11所示的例子中，读/写偏置相对于交叉磁道间隔的变化MPL具有读/写偏置MDP31。在图11所示的例子中，读/写偏置MDP31为负值。此外，读/写偏置MDP31也可以是正值。例如，读/写偏置MDP21的绝对值比读/写偏置MDP11的绝对值小，比读/写偏置MDP21的绝对值大。读/写偏置MDP31与交叉磁道间隔MCS对应。

在图11所示的例子中，在从主机100通过命令等被指示对象磁道而执行读处理时(以下有时也称为初始读时)，读/写控制部610根据读/写偏置IP11将读取头15R1定位于位于广大区域、例如内周区域IR的对象磁道。在将读取头15R1定位于对象磁道而执行了至少1次重试读取的情况下，读/写控制部610以从读/写偏置IP11偏移为读/写偏置IP21的方式将读取头15R2定位于对象磁道。

此外，在初始读时，读/写控制部610也可以以读/写偏置IP21将读取头15R2定位于位于广大区域、例如内周区域IR的对象磁道。在将读取头15R2定位于对象磁道而执行了至少1次重试读取的情况下，读/写控制部610以从读/写偏置IP21偏移为读/写偏置IP11的方式将读取头15R1定位于对象磁道。

在图11所示的例子中，在初始读时，读/写控制部610以读/写偏置MDP31将中间部MP定位于位于狭小区域、例如中周区域MR的对象磁道。在将中间部MP定位于对象磁道而执行了至少1次重试读取的情况下，读/写控制部610以从读/写偏置MDP31偏移为读/写偏置MDP11的方式将读取头15R1定位于对象磁道。在将读取头15R1定位于对象磁道之后，读/写控制部610以从读/写偏置MDP11偏移为读/写偏置MDP21的方式将读取头15R2定位于对象磁道。

此外，在将中间部MP定位于对象磁道而执行了至少1次重试读取的情况下，读/写控制部610也可以以从读/写偏置MDP31偏移为读/写偏置MDP21的方式将读取头15R2定位于对象磁道。在将读取头15R2定位于对象磁道之后，读/写控制部610以从读/写偏置MDP21偏移为读/写偏置MDP11的方式将读取头15R1定位于对象磁道。

在图11所示的例子中，在初始读时，读/写控制部610以读/写偏置OP11将读取头15R1定位于位于广大区域、例如外周区域OR的对象磁道。在将读取头15R1定位于对象磁道而执行了至少1次重试读取的情况下，读/写控制部610以从读/写偏置OP11偏移为读/写偏置OP21的方式将读取头15R2定位于对象磁道。

此外，在初始读时，读/写控制部610以读/写偏置OP21将读取头15R2定位于位于广大区域、例如外周区域OR的对象磁道，通过读取头15R2对对象磁道进行读取。在将读取头15R2定位于对象磁道而执行了至少1次重试读取的情况下，读/写控制部610以从读/写偏置OP21偏移为读/写偏置OP11的方式将读取头15R1定位于对象磁道。

读/写控制部610也可以将图11所示的交叉磁道间隔与读/写偏置的关系记录于存储器、例如、非易失性存储器90、缓冲存储器80、易失性存储器70或者盘10等。

图12是表示本实施方式涉及的读处理的一个例子的流程图。

MPU60基于交叉磁道间隔(CTS)，按照来自主机100的命令等将读取头15R中的初始读取头定位于预定磁道(B1201)。例如，MPU60在交叉磁道间隔为预定值以下的情况下，按照来自主机100的命令等，将中间部MP定位于预定磁道。MPU60在交叉磁道间隔比预定值大的情况下，将读取头15R中的预定读取头、例如读取头15R1或者读取头15R2定位于预定磁道。MPU60对在将初始读取头定位于预定磁道的状态下是能够读取预定磁道、还是无法读取预定磁道进行判定(B1202)。在判定为能够读取的情况下(B1202：是)，MPU60使处理结束。在判定为无法读取的情况下(B1202：否)，MPU60对交叉磁道间隔是比预定值大、还是为预定值以下进行判定(B1203)。例如，MPU60在将初始读取头定位于预定磁道而执行了至少1次重试读取的情况下判定为在将初始读取头定位于预定磁道的状态下无法读取预定磁道，对交叉磁道间隔是比预定磁道的磁道宽度(或者磁道间距)大、还是为磁道宽度(或者磁道间距)以下进行判定。换言之，MPU60在将初始读取头定位于预定磁道而执行了至少1次重试读取的情况下判定为在将初始读取头定位于预定磁道的状态下无法读取预定磁道，对预定磁道所处的区域是广大区域、还是狭小区域进行判定。也即是，MPU60在将初始读取头定位于预定磁道而执行了至少1次重试读取的情况下判定为在将初始读取头定位于预定磁道的状态下无法读取预定磁道，对是将读取头15R1或者15R2定位于预定磁道来作为初始读取头、还是将中间部MP定位于预定磁道来作为初始读取头进行判定。在判定为交叉磁道间隔比预定值大的情况下(B1203：是)，MPU60进入B1206的处理。换言之，在判定为由于交叉磁道间隔比预定值大而将与初始读取头不同的变更读取头(以下有时也称为第1变更读取头)定于预定磁道的情况下，MPU60进入B1205的处理。在判定为交叉磁道间隔为预定值以下的情况下(B1203：否)，MPU60将变更读取头定位于预定磁道(B1204)。换言之，在判定为由于交叉磁道间隔为预定值以下而将中间部MP定位于预定磁道的情况下，MPU60将与初始读取头不同的读取头15R中的第1变更读取头定位于预定磁道。MPU60通过与第1变更读取头不同的变更读取头(以下有时也称为第2变更读取头)对预定磁道进行读取(B1205)，使处理结束。

根据本实施方式，磁盘装置1具备读取头15R、例如读取头15R1以及15R2。磁盘装置1按照来自主机100的命令等，将中间部MP定位于位于狭小区域的预定磁道。在将中间部MP定于预定磁道而执行了至少1次(或者多次)重试读取的情况下，磁盘装置1将读取头15R1定位于预定磁道。在将读取头15R1定位于预定磁道之后，磁盘装置1将读取头15R2定位于预定磁道。磁盘装置1按照来自主机100的命令等，将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于位于广大区域的预定磁道。在将读取头15R1(或者读取头15R2)定位于预定磁道而执行了至少1次(或者多次)重试读取的情况下，磁盘装置1将读取头15R2定位于预定磁道。因此，磁盘装置1能够不执行从读取头15R选择适当的读取头的处理、将所选择的读取头调整定位于最佳的位置的处理，而基于交叉磁道间隔将读取头15R中的适当的读取头定位于预定磁道。另外，在将初始读取头定位于预定磁道而执行了至少1次重试读取的情况下，磁盘装置1能够通过基于交叉磁道间隔，将读取头15R中的与初始读取头不同的至少一个变更读取头定位于预定磁道，从而缩短重试读取的时间。因此，磁盘装置1能够提高读处理性能。

接着，对其他实施方式涉及的磁盘装置进行说明。在其他实施方式中，对与前述的实施方式相同的部分标记同一标号，省略其详细的说明。

(第2实施方式)

第2实施方式的磁盘装置1的读取头15R与第1实施方式的磁盘装置1不同。

图13是表示第2实施方式涉及的读取头15R的配置的一个例子的图。在图13中仅示出说明所需要的构成。在图13中示出了位于比包含基准位置RP0的中周区域MR靠内方向的内周区域IR的区段ZNm的对象磁道ITRm、和在区段ZNm中在对象磁道ITRm的内方向相邻的磁道(以下有时也称为相邻磁道)ITRm+1。此外，相邻磁道ITRm+1也可以在对象磁道ITRm的外方向相邻。相邻磁道ITRm+1在内方向与对象磁道ITRm重叠地被进行了写入。对象磁道ITCm的磁道宽度TW3比相邻磁道ITRm+1的磁道宽度TW2小。读取头15R2位于对象磁道ITRm的磁道中央ITCm。在图13所示的例子中，读取头15R2与对象磁道ITRm重叠。读取头15R1与对象磁道ITRm不重叠。例如，读取头15R2的宽度R2W2比读取头15R1的宽度R1W1小。此外，读取头15R1的宽度也可以比读取头15R2的宽度小。例如，将读取头15R2定位于对象磁道ITRm而通过读取头15R2读取了对象磁道ITRm的情况下的错误率比将读取头15R1定位于对象磁道ITRm而通过读取头15R1读取了对象磁道ITRm的情况下的错误率小。例如，将读取头15R1定位于对象磁道ITRm而通过读取头15R1读取了对象磁道ITRm的情况下的错误率也可以比将读取头15R2定位于对象磁道ITRm而通过读取头15R2读取了对象磁道ITRm的情况下的错误率小。另外，例如将读取头15R1定位于相邻磁道ITRm+1而通过读取头15R1读取了相邻磁道ITRm+1的情况下的错误率比将读取头15R2定位于相邻磁道ITRm+1而通过读取头15R2读取了相邻磁道ITRm+1的情况下的错误率小。例如，将读取头15R2定位于相邻磁道ITRm+1而通过读取头15R2读取了相邻磁道ITRm+1的情况下的错误率也可以比将读取头15R1定位于相邻磁道ITRm+1而通过读取头15R1读取了相邻磁道ITRm+1的情况下的错误率小。

在图13所示的例子中，读/写控制部610在位于交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)大的内周区域IR的对象磁道ITRm的磁道宽度TW3比周边的磁道的磁道宽度、例如相邻磁道ITRm+1的磁道宽度TW2小的情况下，将读取头15R1和15R2中的宽度小的读取头15R2定位于对象磁道ITRm的磁道中央ITCm。读/写控制部610在判定位在将读取头15R2定位于对象磁道ITRm的状态下无法读取对象磁道ITRm的情况下，将读取头15R1定位于对象磁道ITRm的磁道中央ITCm。

此外，读/写控制部610在位于交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)大的外周区域OR的对象磁道的磁道宽度比周边的磁道的磁道宽度、例如相邻磁道的磁道宽度小的情况下，将读取头15R1和15R2中的宽度小的读取头15R2定位于对象磁道。读/写控制部610在判定为在将读取头15R2定位于对象磁道的状态下无法读取对象磁道的情况下，将读取头15R1定位于对象磁道。

读/写控制部610在对位于交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)大的内周区域IR、比相邻磁道ITRm的磁道宽度TW3大的磁道宽度TW2的对象磁道ITRm+1进行读取的情况下，将读取头15R1和15R2中的宽度大的读取头15R1定位于对象磁道ITRm+1(的磁道中央)。读/写控制部610在判定在将读取头15R1定位于对象磁道ITRm+1的状态下无法读取对象磁道ITRm+1的情况下，将读取头15R2定位于对象磁道ITRm+1(的磁道中央)。

另外，读/写控制部610在判定为将中间部MP定位于在交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)小的中周区域(狭小区域)MR中具有比周边磁道的磁道宽度小的磁道宽度的对象磁道的状态下无法读取对象磁道的情况下，将读取头15R1和15R2中的宽度小的读取头15R2定位于对象磁道。在将读取头15R2定位于对象磁道后，读/写控制部610将读取头15R1定位于对象磁道。

在图13所示的例子中，读/写控制部610也可以在对位于交叉磁道间隔比磁道宽度(或者磁道间距)大的内周区域IR以及外周区域OR的对象磁道进行读取的情况下，判定为交叉磁道间隔比对象磁道的磁道宽度大，将中间部MP定位于对象磁道的磁道中央。

根据第2实施方式，磁盘装置1具备读取头15R、例如读取头15R1以及15R2。读取头15R2的宽度R2W2比读取头15R1的宽度R1W1小。磁盘装置1在按照来自主机100的命令等对位于广大区域的预定磁道进行读取的情况下，对预定磁道的磁道宽度是为周边磁道、例如相邻磁道的磁道宽度(或者磁道间距)以下、还是比相邻磁道的磁道宽度大进行判定。在判定为位于广大区域的预定磁道的磁道宽度为相邻磁道的磁道宽度(或者磁道间距)以下的情况下，磁盘装置1将读取头15R1和15R2中的宽度小的读取头15R2定位于预定磁道。另外，磁盘装置1在判定为在将中间部MP定位于在狭小区域中具有比周边磁道的磁道宽度(或者磁道间距)小的磁道宽度的预定磁道的状态下无法读取预定磁道的情况下，将读取头15R1和15R2中的宽度小的读取头15R2定位于预定磁道。因此，在预定磁道的磁道宽度为预定值、例如周边磁道的磁道宽度(或者磁道间距)以下的情况下，磁盘装置1例如将读取头15R中的宽度最小的初始读取头定位于预定磁道。因此，磁盘装置1能够提高读处理性能。

以上对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。