前端模块及其控制方法、半导体加工设备
阅读说明：本技术 前端模块及其控制方法、半导体加工设备 (Front-end module, control method thereof and semiconductor processing equipment ) 是由 马良 于 2020-04-30 设计创作，主要内容包括：本申请实施例提供一种前端模块及其控制方法、半导体加工设备。该前端模块包括：模块主体、整流板组件、调节板组件及排气管；模块主体上部设置有进气口；整流板组件设置于模块主体的底部,且整流板组件上开设多个排气口,经由进气口进入模块主体的气体仅通过排气口排出；多个调节板组件均设置于模块主体内,并且各调节板组件分别对应设置于各排气口处,用于通过调节各排气口的开合状态以调整模块主体内的气压；多个排气管均设置于模块主体的外侧,且各排气管的进气端分别与各排气口对应连接,流经排气口的气体通过排气管导出。本申请实施例实现了有效保持前端模块内外具有压差,进而有效避免前端模块因内部压力及气流紊乱造成颗粒污染。(The embodiment of the application provides a front-end module, a control method thereof and semiconductor processing equipment. The front end module includes: the module comprises a module main body, a rectifying plate assembly, an adjusting plate assembly and an exhaust pipe; the upper part of the module main body is provided with an air inlet; the rectifying plate assembly is arranged at the bottom of the module main body, a plurality of exhaust ports are formed in the rectifying plate assembly, and gas entering the module main body through the air inlet is exhausted only through the exhaust ports; the adjusting plate assemblies are arranged in the module main body, and are respectively and correspondingly arranged at the exhaust ports and used for adjusting the air pressure in the module main body by adjusting the opening and closing states of the exhaust ports; the exhaust pipes are arranged on the outer sides of the module main bodies, the air inlet ends of the exhaust pipes are correspondingly connected with the exhaust ports respectively, and gas flowing through the exhaust ports is led out through the exhaust pipes. The embodiment of the application realizes that the pressure difference between the inside and the outside of the front-end module is effectively kept, and further effectively avoids the particle pollution caused by the internal pressure and airflow disorder of the front-end module.)
技术领域
本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种前端模块及其控制方法、半导体加工设备。
背景技术
目前，等离子体刻蚀设备广泛地应用于集成电路(IC)或微机电系统(MicroElectro Mechanical System，MEMS)的制造工艺中，刻蚀工艺是芯片制造中形成图形图案的关键工艺，工艺气体通射频产生等离子体，等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，这些活性粒子和衬底相互作用使材料表面发生各种物理和化学反应,从而使材料表面性能发生变化以完成刻蚀工艺。在刻蚀前或刻蚀过程中，由于传输模块或工艺模块不洁净造成的颗粒掉落，就会在刻蚀中形成掩膜，影响原有光刻图形转移，降低产品良率，颗粒污染问题已经严重制约集成电路领域向更低技术节点的延伸。刻蚀结束后会有卤素气体或化合物残留于晶圆(Wafer)表面，这些残留的卤素气体及其化合物在空气中的水汽作用下，会发生冷凝反应，在晶圆(Wafer)表面形成冷凝颗粒(Condensation defect)。冷凝颗粒一般呈水滴状，且不规则的分布在晶圆表面，严重影响刻蚀产品的良率。同时，卤素气体及其化合物在空气中在水汽作用下形成的化合物对晶圆传输系统形成腐蚀，导致前端模块(Equipment Front-End Module，EFEM)内相关零部件失效。
进一步的，晶圆除传输过程中容易污染外，晶圆在晶圆片盒中也存在颗粒污染的风险。当晶圆片盒在扫描(mapping)过程中，晶圆片盒后移一小段距离再开始扫描，使晶圆片盒与前端模块间有较大缝隙，致使晶圆暴露存在风险。如果前端模块内部内外压差(前端模块内部压力与外部压力之差，以下简称前端模块压差)为负压或正压不够。部分气体将倒灌进晶圆片盒，未执行工艺的晶圆即有可能受到颗粒污染，极大地降低产品良率。因此，要保证前端模块内部具有源源不断气体流动，保持前端模块内外压差，外部气体不会溢流至前端模块内部。
现有刻蚀设备采用多腔室并联的结构，主要分为三个部分：工艺腔室、传输模块及半导体加工设备前端模块(Equipment Front-End Module，EFEM)，其中工艺腔室用于完成等离子体刻蚀工艺；传输模块用于完成晶圆的传递，其包括两个预载工位(LOADLOCK)，预载工位完成晶圆在大气与真空状态之间的转换，半导体加工设备前端模块为晶圆提供微环境，前端模块内部产生从上到下的均匀气流，以确保晶圆片盒的洁净环境，从而避免颗粒对晶圆的影响。目前标准的前端模块在顶部装有风扇和过滤网，将厂房中的空气通过过滤网后吸入EFEM中，从而在EFEM中形成从上到下的气流，将完成工艺的晶圆上残留的腐蚀性气体从EFEM底部排出。风扇和过滤网保证了EFEM内部的正压，外部低压的气体无法进到EFEM内部。
当EFEM内部压力未在规定范围内时，首先通过调节EFEM底部整流板来减少来自风扇和过滤网气流的损失，从而增大EFEM内部正压。当整流板调节达到极限，可通过调节风扇转速改善EFEM内部压力环境。因此，EFEM内部具备源源不断的洁净气流同时保持内外一定压差，隔绝了外部颗粒进入。但是现有技术中，由于整流板的体积较大，并且由于机械手坦克链下部整流板存在调节难度。因此，在调节EFEM内部压力过程中，难以整体调节底部整流板，如只调节部分整流板，将造成EFEM内部压力及气流紊乱造成颗粒污染。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种前端模块及其控制方法、半导体加工设备，用以解决现有技术存在的前端模块内部压力及气流紊乱造成颗粒污染的技术问题。
第一个方面，本申请实施例提供一种半导体加工设备的前端模块，该前端模块包括：模块主体、整流板组件、调节板组件及排气管；所述模块主体上部设置有进气口；所述整流板组件设置于所述模块主体的底部，且所述整流板组件上开设多个排气口，经由所述进气口进入所述模块主体的气体仅通过所述排气口排出；多个所述调节板组件均设置于所述模块主体内，并且各所述调节板组件分别对应设置于各所述排气口处，用于通过调节各所述排气口的开合状态以调整所述模块主体内的气压；多个所述排气管均设置于所述模块主体的外侧，且各所述排气管的进气端分别与各所述排气口对应连接，流经所述排气口的气体通过所述排气管导出。
于本申请的一实施例中，所述整流板组件包括第一整流板，所述排气口开设于所述第一整流板上；所述调节板组件包括调节板，所述调节板活动设置于所述第一整流板上，所述调节板能调节所述排气口的开合状态。
于本申请的一实施例中，所述调节板滑动设置于所述于第一整流板上，通过与所述第一整流板之间的滑动连接，调节所述排气口的开合度。
于本申请的一实施例中，每个所述排气口的两侧分别设置有所述调节板。
于本申请的一实施例中，各所述排气口均设置有法兰接口，所述排气管通过所述法兰接口与所述排气口连接，并且所述排气管的出气端与气体过滤系统连接。
于本申请的一实施例中，所述整流板组件还包括有第二整流板及第三整流板，所述第二整流板及所述第三整流板分别位于所述第一整流板长度方向的两侧。
于本申请的一实施例中，所述模块主体底部的外侧并列设置有多个上料口，用于暂存所述晶圆；各所述排气口并列设置于所述整流板组件上，并且各所述排气口分别与各所述上料口对应设置。
于本申请的一实施例中，所述整流板组件及所述调节板组件均为不锈钢材质，并且所述整流板组件及所述调节板组件外表面均设置有抗蚀层。
第二个方面，本申请实施例提供一种半导体加工设备，包括如第一个方面提供的半导体加工设备的前端模块。
第三个方面，本申请实施例提供一种前端模块的控制方法，应用如第一个方面提供的半导体加工设备的前端模块，包括以下步骤：控制模块主体的进气口开始进气，并且实时监测所述模块主体的气压值；根据所述气压值控制调节板组件以调节排气口的开合状态，从而调整所述模块主体内的气压。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：
本申请实施例在半导体加工设备前端模块的底部设置有整流板组件，并且整流板组件上开设多个排风口，各调节板组件分别用于调整各排风口的开合状态从而实现调节模块主体内气压的目的。由于仅通过调节板组件即可以调整排气口的开合状态，使得本申请实施例不仅结构简单并且调节也比较方便，从而有效保持前端模块内外具有压差，隔绝了外部颗粒进入，进而有效避免半导体加工设备前端模块因内部压力及气流紊乱造成颗粒污染。进一步的，还解决了前端模块内的零部件氢卤酸腐蚀污染的问题，延长前端模块定期清洁保养周期，从而有效降低使用及维护成本；同时还减少氢溴酸(HBr)腐蚀产生的颗粒对刻蚀缺陷(Defect)影响，进而还有效提高了晶圆的良率。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种半导体加工设备的前端模块的结构示意图；
图2A为本申请实施例提供的一种前端模块的局部结构的主视示意图；
图2B为本申请实施例提供的一种前端模块的局部结构的俯视示意图；
图3为本申请实施例提供的一种前端模块的控制方法的流程示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本申请实施例提供了一种半导体加工设备的前端模块，该前端模块的结构示意图如图1至图2B所示，包括：包括模块主体1、整流板组件2、调节板组件3及排气管4；模块主体1上部设置有进气口；整流板组件2设置于模块主体1的底部，且整流板组件2上开设多个排气口24，经由进气口进入模块主体1的气体仅通过多个排气口24排出；多个调节板组件3均设置于模块主体1内，并且各调节板组件3分别对应设置于各排气口24处，用于通过调节各排气口24的开合状态以调整模块主体1内的气压；多个排气管4均设置于模块主体1的外侧，且各排气管4的进气端分别与各排气口24对应连接，流经排气口24的气体通过排气管4导出。
图1示出了前端模块的俯视示意图，如图1至图2B所示，模块主体1采用金属材料制成的具有密闭空间的立方体结构，模块主体1内的密闭空间为晶圆提供具有稳定气体流动状态的微环境，模块主体1的上部设置有进气口，并且在该进气口处可以设置有风扇及过滤网(图中未示出)，用于将气体抽入模块主体1内部。整流板组件2设置于模块主体1的底部，并且整流板组件2上开设多个排气口24，多个排气口24连通模块主体1的内外，用于将模块主体1内气体仅由该排气口24排出。多个调节板组件3设置于模块主体1内，并且多个调节板组件3均可以设置于整流板组件2上，每个调节板组件3均与每个排气口24对应设置。排气管4采用波纹管制成，每个排气管4的进气端对应连接每个排气口24，并且排气管4的出气端可以设置有抽气泵，用于提供一负压以将模块主体1内的残余气体导出到厂房外侧，从而避免对操作人员造成危害。在实际应用时，当模块主体1内为负压或者正压不足时，可以通过调节板组件3调整排气口24的开合状态，从而实现对模块主体1内的气压状态及气流状态进行调节的目的。
本申请实施例在半导体加工设备前端模块的底部设置有整流板组件，并且整流板组件上开设多个排风口，各调节板组件分别用于调整各排风口的开合状态从而实现调节模块主体内气压的目的。由于仅通过调节板组件即可以调整排气口的开合状态，使得本申请实施例不仅结构简单并且调节也比较方便，从而有效保持前端模块内外具有压差，隔绝了外部颗粒进入，进而有效避免半导体加工设备前端模块因内部压力及气流紊乱造成颗粒污染。进一步的，还解决了前端模块内的零部件氢卤酸腐蚀污染的问题，延长前端模块定期清洁保养周期，从而有效降低使用及维护成本；同时还减少氢溴酸(HBr)腐蚀产生的颗粒对刻蚀缺陷(Defect)影响，进而还有效提高了晶圆的良率。
需要说明的是，本申请实施例并不限定模块主体1及排气管4的具体材质及结构，以及风扇及过滤网在模块主体1内的具体位置，例如模块主体1及排气管4均可以采用不锈钢材质制成。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，整流板组件2包括第一整流板21，排气口24开设于第一整流板21上；调节板组件3包括调节板31，调节板31活动设置于第一整流板21上，调节板31能调节排气口24的开合状态。
如图1所示，第一整流板21具体采用不锈钢材质制成的长方形板状结构，并且两个第一整流板21并列设置于模块主体1底部的中部位置，每个第一整流板21开设有两个圆形的排气口24。调节板31活动设置于第一整流板21上，调节板31可选择性开启或闭合排气口24，从而实现对模块主体1内气压进行调节。例如当模块主体1内为负压或者正压不足时，可以通过调节板31将排气口24的通气面积缩小或者直接关闭排气口24，反之则可以通过调节板31将排气口24的通气面积放大或者完全开启排气口24。采用上述设计，由于调节板31活动的设置于第一整流板21上，不仅使得本申请实施例结构简单，而且在实际调整时较为方便快捷。
需要说明的是，本申请实施例并不限定调节板31的驱动方式，例如调节板31可以由气缸驱动或者由操作人员驱动实现调节。进一步的，本申请实施例并不限定第一整流板21的数量及排列方式，其具体数量可以根据模块主体1的具体规格对应设置。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，调节板31滑动设置于第一整流板21上，通过与第一整流板21之间的滑动连接，调节排气口24的开合度。可选地，每个排气口24的两侧分别设置有调节板31。
如图1至图2B所示，调节板31具体来说也采用不锈钢材质制成的长方形板状结构，调节板组件3还包括多个导向件32。调节板31的上下两端均设置有沿横向延伸的条状导向孔311。两个调节板31分别设置于排气口24左右两侧，多个导向件32分别穿过各导向孔311后与第一整流板21连接，导向件32用于限位及导向调节板31。在实际应用时，由于导向孔311及导向件32配合起到对调节板31的导向作用，通过推动调节板31即可调整排气口24的开合度。当模块主体1的内部压力超出范围需要调节时，只需手动拖动调节板31沿导向孔311方向水平移动即可实现排气口24通气面积的改变，从而调节模块主体1内部压力，无需调节现有技术中长且重的整流板，缩小了调节尺寸，提升了调节便捷性。进一步的，由于调节板31滑动设置于第一整流板21上，可以有效减少本申请实施例的安装空间，使得本申请实施例的结构较为简单，从而有效提高拆装及维护效率；由于设置两个相对设置的调节板31，可以有效提高本申请实施例调节效率。
需要说明的是，本申请实施例并不限定调节板31设置方式，例如调节板31为一个且采用枢接方式设置于排气口24上。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图2A至图2B所示，各排气口24均设置有法兰接口，排气管4通过法兰接口与排气口24连接，并且排气管4的出气端与气体过滤系统连接。具体来说，第一整流板21上开设圆形排气口24，并且在排气口24的外周设置有法兰接口，该法兰接口可以是围绕在排气口24外周的多个内螺纹孔。排气管4的底部穿过排气口24，且排气管4顶部的法兰与法兰接口连接。采用上述设计，在第一整流板21上设置有法兰接口可响应不同晶圆厂的接口需求。可选地，两个调节板31也可以通过导向件32设置于排气管4的法兰上，从而使得本申请实施例结构更为简单，进而提高拆装及维护效率。排气管4的出气端可以与晶圆厂的厂务过滤系统连接，即将排气管4的出气端与气体过滤系统连接。在执行工艺时，模块主体1内的残余气体经过气体过滤系统的过滤后再排出至大气中，从而有效降低对大气的危害。于本申请的一实施例中，整流板组件2还包括有第二整流板22及第三整流板23，第二整流板22及第三整流板23分别位于第一整流板21长度方向的两侧。
如图1所示，第二整流板22及第三整流板23均采用不锈钢材质制成的板状结构。四个第二整流板22并列设置于第一整流板21的上方，而四个第三整流板23则并列设置于第一整流板21的下方，即各整流板采用阵列的方式分布于模块主体1的底部。进一步的，各整流板均可以采用螺钉设置于模块主体1底部的框架(图中未示出)上，但是本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。采用上述设计，由于整流组件采用多个板状结构的整流板，便于拆装维护，从而有效降低应用及维护成本。
进一步的，由于前端模块内的空间有限，加之前端模块中需要留有机械手移动的空间，使得前端模块内部的下方不适合设置一整块较大的单板,因此本申请实施例将第三整流板23设置为四块相对较小的板状结构，使得本申请实施例的安装方式较为灵活，从而有效节省安装空间以及便于机械手的移动。
可选地，第三整流板23的四角处均开设有安装孔231，且第三整流板23的板面上还开有条形孔232，在实际应用时，安装孔231及条形孔232可以用于前端模块的电线穿过。进一步的，安装孔231上方还设置有40mm(毫米)的垫片233，例如通过一紧固件依次穿过垫片233及安装孔231后与模块主体1底部的框架连接，以用于固定第三整流板23，并且紧固件还可以将安装孔完全封堵避免模块主体1漏气，但是本申请实施例并不以此为限。采用上述设计，不仅使得本申请实施例便于拆装维护，而且能有效提高模块主体1的空间利用率以及密封效果。
需要说明的是，本申请实施例并不限定第二整流板22及第三整流板23的设置方式，例如第二整流板22及第三整流板23与模块主体1为一体结构,或者模块主体1底部设置有一体的底板，排气口24可以直接形成于模块主体1的底板上。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1所示，模块主体1底部的外侧并列设置有多个上料口5；各排气口24并列设置于整流板组件2上，并且各排气口24分别与各上料口5对应设置。具体来说，上料口5具体为四个，对应的排气口24的数量也为四个，即各排气口24的中心位置均与上料口5的中心对齐。进一步的，任意两相邻的排气口24的中心间距可以是505mm(毫米)，任意两相邻的上料口5的中心间距也可以是505mm(毫米)；而排气口24与上料口5的中心间距为565mm(毫米)，需要说明的是，上述间距尺寸并非用以限定本申请实施例，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。采用上述设计，由于排气口24与上料口5对应设置，使得晶圆片盒位于模块主体1内时，排气口24与晶圆片盒在垂直方向上对齐，不仅使得模块主体1内的气流更加均匀，而且能有效去除晶圆表面的残余气体，从而有效提高晶圆的良率。
于本申请的一实施例中，整流板组件2及调节板组件3均为不锈钢材质，并且整流板组件2及调节板组件3外表面均设置有抗蚀层。具体来说，整流板板组件及调节板组件3均可以采用不锈钢材质制成，即第一整流板21、第二整流板22、第三整流板23及调节板31均采用不锈钢材质制成，并且在各部件的外表面均设置有采用喷塑工艺制成的抗蚀层，不仅不会产生颗粒，从而能有效降低模块主体1内的颗粒，进而有效提高晶圆的良率；而且还能有效提高本申请实施例的使用寿命。
基于同一发明构思，本申请实施例提供一种半导体加工设备，包括如上述各实施例提供的半导体加工设备的前端模块。
基于同一发明构思，本申请实施例一种前端模块的控制方法，应用如上述各实施例提供的半导体加工设备的前端模块，其包括以下步骤：
S301：控制模块主体的进气口开始进气，并且实时监测所述模块主体的气压值；
S302：根据所述气压值控制调节板组件以调节排气口的开合状态，从而调整所述模块主体内的气压。
如图1至图3所示，控制器(图中未示出)可以控制模块主体1的进气口开始进气，控制器具体可以是半导体加工设备的下位机。具体来说，控制器可以控制位于进气口处的风扇开始运转以将气体导入模块主体1内，用于为晶圆提供具有稳定气体流动状态的微环境；控制器还可以控制模块主体1内的传感器实时监测模块主体1内的气压，并且获取模块主体1内的气压值。控制器可以根据气压值控制调节板组件3以调节排气口24的开合状态，从而达到调整模块主体21内的气压。例如当模块主体1内为负压或者正压不足时，可以通过调节板组件3的调节板31将排气口24的通气面积缩小或者直接关闭排气口24，反之则可以通过调节板31将排气口24的通气面积放大或者完全开启排气口24。需要说明的是，本申请实施例并不限定控制器必须采用半导加工设备的下位机，例如控制器也可以是一单片机。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
为了进一步说明本申请实施例的技术效果，以下将结合附图对本申请实施例具体实施方式进行监测并获得监测结果，然后与现有技术中的前端模块的监测结果进行对比。具体来说，当排气口24尺寸为100mm，流量为187m3/h(立方米/时)，风扇的转速为1300r/min(转/分钟)时。通过与现有技术的监测结果对比得知，本申请实施例的前端模块内的气流较为均匀，并且溢流至外侧的气体大幅减少；本申请实施例的前端模块内的气压相对于现有技术的前端模块未发生明显变化，由此还可以推导出，当排风口抽速降低时前端模块内部压力可升高，排风口抽速升高时前端模块内部压力可降低。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
本申请实施例在半导体加工设备前端模块的底部设置有整流板组件，并且整流板组件上开设多个排风口，各调节板组件分别用于调整各排风口的开合状态从而实现调节模块主体内气压的目的。由于仅通过调节板组件即可以调整排气口的开合状态，使得本申请实施例不仅结构简单并且调节也比较方便，从而有效保持前端模块内外具有压差，隔绝了外部颗粒进入，进而有效避免半导体加工设备前端模块因内部压力及气流紊乱造成颗粒污染。进一步的，还解决了前端模块内的零部件氢卤酸腐蚀污染的问题，延长前端模块定期清洁保养周期，从而有效降低使用及维护成本；同时还减少氢溴酸(HBr)腐蚀产生的颗粒对刻蚀缺陷(Defect)影响，进而还有效提高了晶圆的良率。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。