阅读说明：本技术 5g通讯电缆基站抗干扰传输系统 (Anti-interference transmission system of 5G communication cable base station ) 是由 袁野 于 2020-05-06 设计创作，主要内容包括：本发明公开了5G通讯电缆基站抗干扰传输系统,包括信号采样模块、反馈降噪模块,所述信号采样模块对5G通讯电缆基站信号采样,信号采样模块连接反馈降噪模块,反馈降噪模块运用三极管Q1放大信号电压,以补偿信号导通损耗,电容C3为旁路电容,运用电感L2滤除高频杂波分量,电容C5、电容C6滤除低频杂波分量,运用MOS管Q4作为一级校准,利用可变电阻RW1分压,MOS管Q4检测运放器AR2输出信号振幅,MOS管Q4高电平导通,通过调节三极管Q1放大电压信号范围,三极管Q3反馈异常低电平至MOS管Q3栅极,通过调节MOS管Q4的导通电位值,实现通过调节反馈检测信号的方式间接调节运放器AR2输出信号振幅,最后经信号发射器E1发送至5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端。(The invention discloses an anti-interference transmission system of a 5G communication cable base station, which comprises a signal sampling module and a feedback noise reduction module, wherein the signal sampling module is used for sampling a 5G communication cable base station signal, the signal sampling module is connected with the feedback noise reduction module, the feedback noise reduction module amplifies a signal voltage by using a triode Q1 to compensate signal conduction loss, a capacitor C3 is a bypass capacitor, an inductor L2 is used for filtering a high-frequency clutter component, a capacitor C5 and a capacitor C6 are used for filtering a low-frequency clutter component, a MOS tube Q4 is used for primary calibration, a variable resistor RW1 is used for dividing voltage, an operational amplifier AR2 output signal amplitude is detected by using the MOS tube Q4, a MOS tube Q4 is conducted at a high level, a voltage signal range is amplified by adjusting a triode Q1, an abnormal low level is fed back to a grid of an MOS tube Q3 by the triode Q3, the conduction potential value of the MOS tube Q4 is adjusted, the AR 46, and finally, the signal is sent to the anti-interference transmission system terminal of the 5G communication cable base station through a signal transmitter E1.)

5G通讯电缆基站抗干扰传输系统

技术领域

本发明涉及5G通讯技术领域，特别是涉及5G通讯电缆基站抗干扰传输系统。

背景技术

当前世界各地对于5G技术的研发热度很高，国内外各主流标准化机构都已经认识到现阶段5G技术发展的迫切性，并制定了相关的5G研发计划,随着从4G到5G的发展，用户需求不断提高，室内外数据业务大幅度拓展，载波频率也将大幅度提升,在载波频率提升的基础上，对于5G通讯电缆的要求也越来越高；5G通讯电缆承载的数据更多，传输效率更快，同时5G通讯电缆经常出现低温开裂、高温变形现象，并且由于电缆之间间距很近，存在串扰现象，严重影响5G通讯电缆基站抗干扰传输系统使用效果。

发明内容

针对上述情况，为克服现有技术之缺陷，本发明之目的在于提供5G通讯电缆基站抗干扰传输系统，能够对5G通讯电缆基站信号采样校准，转换为5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端的触发信号。

其解决的技术方案是， 5G通讯电缆基站抗干扰传输系统，包括信号采样模块、反馈降噪模块，所述信号采样模块对5G通讯电缆基站信号采样，信号采样模块连接反馈降噪模块，反馈降噪模块输出信号经信号发射器E1发送至5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端；

所述反馈降噪模块包括三极管Q1，三极管Q1的基极接电阻R3的一端和信号采样模块输出端口，三极管Q1的集电极接电阻R4、电容C2的一端，三极管Q1的发射极接电阻R5、电容C3的一端和三极管Q2的发射极，电阻R3、电阻R5、电容C3的另一端接地，电阻R4的另一端接电源+5V，电容C2的另一端接电感L1、电阻R6的一端，电阻R6的另一端接电阻R7的一端、电阻R6的另一端和三极管Q3的集电极、三极管Q2的基极，电阻R7的另一端接电容C4的一端和运放器AR1 的同相输入端，电容C4的另一端接地，运放器AR1的反相输入端接电阻R8、电阻R9的一端，电阻R8的另一端接地，运放器AR1的输出端接电阻R9的另一端和电感L2、电容C5的一端，电感L2的另一端接电阻R13、电阻R14、电容C6的一端和电容C5的另一端，电阻R13的另一端接电容C6的另一端和运放器AR2的同相输入端，电阻R14的另一端接MOS管Q4的漏极、可变电阻RW1的滑动端、三极管Q3的发射极，MOS管Q4的源极接电阻R11的一端，电阻R11的另一端接运放器AR3的同相输入端和二极管D3的负极、电阻R10的一端，运放器AR3的反相输入端接电阻R12的一端，电阻R12的另一端接地，运放器AR3的输出端接二极管D3的正极、二极管D2的负极，二极管D2的正极接电阻R10的另一端和三极管Q3的基极、三极管Q2的集电极，运放器AR2的反相输入端接电阻R15、电阻R16的一端，电阻R15的另一端接地，运放器AR2的输出端接电阻R16的另一端、电阻R17的一端和可变电阻RW1的一端，可变电阻RW1的另一端接MOS管Q4的漏极，电阻R17的另一端接信号发射器E1。

由于以上技术方案的采用，本发明与现有技术相比具有如下优点；

1.电容C3为旁路电容， 然后电容C2为耦合电容，当信号中含有高频信号时，此时电感L1、电容C2发生串联谐振，电感L1使电阻R6两端电压升高，实现补偿高频信号的作用，也即是实现扩大信号脉宽的效果，防止信号在传输中发生畸变，同事运用运放器AR1、电容C3组成降噪电路，电容C4起到去耦作用，降低信号噪声比，提高信号的抗干扰性，运放器AR1起到功放的作用，保证信号强度，然后在降噪的基础上，需要保证信号频率的稳定，才能保证5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端接收信号的准确性，具有很大的推广价值；

2.为了确保5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端接收信号的准确性，需要对信号振幅进一步校准，运用MOS管Q4作为一级校准，利用可变电阻RW1分压，MOS管Q4检测运放器AR2输出信号振幅，MOS管Q4高电平导通，然后运用运放器AR3、二极管D2、二极管D3组成峰值检波电路筛选峰值信号输出，通过三极管Q2、三极管Q3对峰值信号检测作为二级校准，峰值信号能够更加精确，三极管Q2为NPN型，三极管Q3为PNP型，三极管Q2反馈异常高电平至三极管Q1发射极，通过调节三极管Q1放大电压信号范围，实现间接调节运放器AR2输出信号振幅，三极管Q3反馈异常低电平至MOS管Q3栅极，通过调节MOS管Q4的导通电位值，实现通过调节反馈检测信号的方式间接调节运放器AR2输出信号振幅，最后经信号发射器E1发送至5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端，5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端能够及时对5G通讯电缆做出响应。

附图说明

图1为本发明5G通讯电缆基站抗干扰传输系统的补偿反馈模块图。

图2为本发明5G通讯电缆基站抗干扰传输系统的信号采样模块图。

具体实施方式

有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图1至图2对实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的结构内容，均是以说明书附图为参考。

实施例一， 5G通讯电缆基站抗干扰传输系统，包括信号采样模块、反馈降噪模块，所述信号采样模块对5G通讯电缆基站信号采样，信号采样模块连接反馈降噪模块，反馈降噪模块输出信号经信号发射器E1发送至5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端；

所述反馈降噪模块运用三极管Q1放大信号电压，以补偿信号导通损耗，电容C3为旁路电容， 然后电容C2为耦合电容，当信号中含有高频信号时，此时电感L1、电容C2发生串联谐振，电感L1使电阻R6两端电压升高，实现补偿高频信号的作用，也即是实现扩大信号脉宽的效果，防止信号在传输中发生畸变，同事运用运放器AR1、电容C3组成降噪电路，电容C4起到去耦作用，降低信号噪声比，提高信号的抗干扰性，运放器AR1起到功放的作用，保证信号强度，然后在降噪的基础上，需要保证信号频率的稳定，才能保证5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端接收信号的准确性，运用电感L2滤除高频杂波分量，电容C5、电容C6滤除低频杂波分量，从而实现稳定信号频率的作用，为了保证信号振幅强度，进一步运用运放器AR2进一步放大信号，同时为了确保5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端接收信号的准确性，需要对信号振幅进一步校准，运用MOS管Q4作为一级校准，利用可变电阻RW1分压，MOS管Q4检测运放器AR2输出信号振幅，MOS管Q4高电平导通，然后运用运放器AR3、二极管D2、二极管D3组成峰值检波电路筛选峰值信号输出，通过三极管Q2、三极管Q3对峰值信号检测作为二级校准，峰值信号能够更加精确，三极管Q2为NPN型，三极管Q3为PNP型，三极管Q2反馈异常高电平至三极管Q1发射极，通过调节三极管Q1放大电压信号范围，实现间接调节运放器AR2输出信号振幅，三极管Q3反馈异常低电平至MOS管Q3栅极，通过调节MOS管Q4的导通电位值，实现通过调节反馈检测信号的方式间接调节运放器AR2输出信号振幅，最后经信号发射器E1发送至5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端；

所述反馈降噪模块具体结构，三极管Q1的基极接电阻R3的一端和信号采样模块输出端口，三极管Q1的集电极接电阻R4、电容C2的一端，三极管Q1的发射极接电阻R5、电容C3的一端和三极管Q2的发射极，电阻R3、电阻R5、电容C3的另一端接地，电阻R4的另一端接电源+5V，电容C2的另一端接电感L1、电阻R6的一端，电阻R6的另一端接电阻R7的一端、电阻R6的另一端和三极管Q3的集电极、三极管Q2的基极，电阻R7的另一端接电容C4的一端和运放器AR1的同相输入端，电容C4的另一端接地，运放器AR1的反相输入端接电阻R8、电阻R9的一端，电阻R8的另一端接地，运放器AR1的输出端接电阻R9的另一端和电感L2、电容C5的一端，电感L2的另一端接电阻R13、电阻R14、电容C6的一端和电容C5的另一端，电阻R13的另一端接电容C6的另一端和运放器AR2的同相输入端，电阻R14的另一端接MOS管Q4的漏极、可变电阻RW1的滑动端、三极管Q3的发射极，MOS管Q4的源极接电阻R11的一端，电阻R11的另一端接运放器AR3的同相输入端和二极管D3的负极、电阻R10的一端，运放器AR3的反相输入端接电阻R12的一端，电阻R12的另一端接地，运放器AR3的输出端接二极管D3的正极、二极管D2的负极，二极管D2的正极接电阻R10的另一端和三极管Q3的基极、三极管Q2的集电极，运放器AR2的反相输入端接电阻R15、电阻R16的一端，电阻R15的另一端接地，运放器AR2的输出端接电阻R16的另一端、电阻R17的一端和可变电阻RW1的一端，可变电阻RW1的另一端接MOS管Q4的漏极，电阻R17的另一端接信号发射器E1。

实施例二，在实施例一的基础上，所述信号采样模块选用型号为DAM-3056AH的信号采样器J1对5G通讯电缆基站信号采样，稳压管D1稳压，信号采样器J1的电源端接电源+5V，信号采样器J1的接地端接地，信号采样器J1的输出端接稳压管D1的负极和电阻R1的一端，稳压管D1的正极接地，电阻R1的另一端接电容C1的一端，电容C1的另一端接电阻R2的一端和反馈降噪模块信号输入端口，电阻R2的另一端接地。

本发明具体使用时，5G通讯电缆基站抗干扰传输系统，包括信号采样模块、反馈降噪模块，所述信号采样模块对5G通讯电缆基站信号采样，信号采样模块连接反馈降噪模块，所述反馈降噪模块运用三极管Q1放大信号电压，以补偿信号导通损耗，电容C3为旁路电容，然后电容C2为耦合电容，当信号中含有高频信号时，此时电感L1、电容C2发生串联谐振，电感L1使电阻R6两端电压升高，实现补偿高频信号的作用，也即是实现扩大信号脉宽的效果，防止信号在传输中发生畸变，同事运用运放器AR1、电容C3组成降噪电路，电容C4起到去耦作用，降低信号噪声比，提高信号的抗干扰性，运放器AR1起到功放的作用，保证信号强度，然后在降噪的基础上，需要保证信号频率的稳定，才能保证5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端接收信号的准确性，运用电感L2滤除高频杂波分量，电容C5、电容C6滤除低频杂波分量，从而实现稳定信号频率的作用，为了保证信号振幅强度，进一步运用运放器AR2进一步放大信号，同时为了确保5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端接收信号的准确性，需要对信号振幅进一步校准，运用MOS管Q4作为一级校准，利用可变电阻RW1分压，MOS管Q4检测运放器AR2输出信号振幅，MOS管Q4高电平导通，然后运用运放器AR3、二极管D2、二极管D3组成峰值检波电路筛选峰值信号输出，通过三极管Q2、三极管Q3对峰值信号检测作为二级校准，峰值信号能够更加精确，三极管Q2为NPN型，三极管Q3为PNP型，三极管Q2反馈异常高电平至三极管Q1发射极，通过调节三极管Q1放大电压信号范围，实现间接调节运放器AR2输出信号振幅，三极管Q3反馈异常低电平至MOS管Q3栅极，通过调节MOS管Q4的导通电位值，实现通过调节反馈检测信号的方式间接调节运放器AR2输出信号振幅，最后经信号发射器E1发送至5G通讯电缆基站抗干扰传输系统终端。

以上所述是结合具体实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明具体实施仅局限于此；对于本发明所属及相关技术领域的技术人员来说，在基于本发明技术方案思路前提下，所作的拓展以及操作方法、数据的替换，都应当落在本发明保护范围之内。