阅读说明：本技术 光器件、光ic芯片、晶圆和光收发器模块 (Optical device, optical IC chip, wafer, and optical transceiver module ) 是由 杉山昌树 于 2019-08-01 设计创作，主要内容包括：光器件、光IC芯片、晶圆和光收发器模块。光器件形成在光IC芯片上。光IC芯片的形状是矩形或平行四边形。该光器件包括：光器件电路；第一光波导,所述第一光波导联接到所述光器件电路；焊盘,所述焊盘电连接至所述光器件电路；光栅耦合器；以及第二光波导,所述第二光波导联接到所述光栅耦合器。所述焊盘被形成在所述光IC芯片的靠近第一边的区域中,所述光栅耦合器被形成在所述光IC芯片上的不靠近所述第一边的特定区域中。所述第一光波导和所述第二光波导分别延伸至所述光IC芯片的边缘。(Optical device, optical IC chip, wafer and optical transceiver module. The optical device is formed on an optical IC chip. The optical IC chip is rectangular or parallelogram in shape. The optical device includes: an optical device circuit; a first optical waveguide coupled to the optical device circuit; a pad electrically connected to the photo device circuit; a grating coupler; and a second optical waveguide coupled to the grating coupler. The bonding pad is formed in a region of the optical IC chip near the first edge, and the grating coupler is formed in a specific region of the optical IC chip not near the first edge. The first optical waveguide and the second optical waveguide extend to edges of the optical IC chip, respectively.)

光器件、光IC芯片、晶圆和光收发器模块

技术领域

本文所讨论的实施方式涉及光器件和光收发器模块。

背景技术

图1示出了光器件的示例。该示例中的光器件包括光接收器10和光调制器20。光器件被提供有由光源(未示出)生成的连续波光LD_in。

光接收器10包括可变光衰减器(VOA)、监测光电探测器(mPD)、偏振分束器(PBS)、偏振旋转器(PR)、90度光混合电路以及光电探测器(PD XI、PD XQ、PD YI、PD YQ)。光接收器10借助于使用连续波光LD_in的相干检测生成表示接收光信号Rx_in的电场信息信号RF_out。注意，VOA中的衰减量通过经由焊盘1提供的功率控制信号控制。表示由mPD监测的接收光功率的监测信号经由焊盘2输出。

光调制器20包括调制器(modXI、modXQ、modYI、modYQ)、可变光衰减器(VOA)、监测光电探测器(mPD)、偏振旋转器(PR)和偏振合束器(PBC)。光调制器20用数据信号RF_in调制连续波光LD_in，并生成调制光信号Tx_out。注意，与各极化对应的调制光信号的相位通过经由焊盘3和焊盘4提供的相位控制信号来控制。在VOA中，与各极化对应的衰减量通过经由焊盘5和焊盘6提供的功率控制信号控制。表示与mPD监测到的各极化相对应的光传输功率的监测信号经由焊盘7和焊盘8输出。

光器件形成在光IC芯片上。当测试光IC芯片时，光纤在芯片的边缘处与各光波导对准。更具体地，光信号Rx_in和连续波光LD_in从光IC芯片的边缘被输入到光波导。由光调制器20生成的光信号Tx_out通过光波导从光IC芯片的边缘输出。另外，DC探针与焊盘1至焊盘8中的每一个接触。更具体地，经由焊盘1、焊盘3至焊盘6输入电信号，并且经由焊盘2、焊盘7和焊盘8输出电信号。注意，在光接收器10的测试中，针对每个偏振测量光灵敏度和消光比等。在光调制器20的测试中，针对每个偏振测量***损耗和消光比等。

在从晶圆切出光IC芯片之后，采用上述测试方法测试光IC芯片。此时，光纤需要与光IC芯片上所形成的每个光波导的端面对准。为此，光器件的测试需要花费较长时间。

图2示出了光IC芯片的示例。图2中所示的光IC芯片的测试是在从晶圆切出芯片之前在晶圆上进行的。为了在晶圆上测试光IC芯片，需要将照射在晶圆表面上的光引导至光接收器10和光调制器20中的构造以及从晶圆表面获得由光调制器20生成的调制光信号的构造。在图2所示的示例中，光栅耦合器在晶圆上形成在光器件附近。

在图2所示的示例中，用于形成光栅耦合器31至光栅耦合器33的GC区域挨着用于形成光器件的器件区域设置。在测试光器件时，光信号Rx_in经由光栅耦合器31输入到光IC芯片，并通过光波导被引导至光接收器10中。连续波光LD_in经由光栅耦合器32输入到光IC芯片，并通过光波导和分离耦合器被引导至光接收器10和光调制器20中。由光调制器20生成的光信号Tx_out通过光波导被引导至GC区域中并从光栅耦合器33辐射。在这种情况下，在测试光IC芯片时，将对应光纤布置在形成于晶圆表面上的光栅耦合器31至光栅耦合器33附近。以这种方式，在从晶圆切出各光IC芯片之前，能够在晶圆上测试光IC芯片。在测试之后，从晶圆切出各光IC芯片，并且GC区域与器件区域分离。

注意，在例如美国专利No.9459177以及WO2014/112077中公开了一种光器件或光IC芯片的测试方法。

发明内容

为了高效地测试图2中所示的光IC芯片，布置在光栅耦合器31至光栅耦合器33附近的多个光纤优选地是光纤阵列。然而，在图2中所示的光IC芯片中，光栅耦合器31至光栅耦合器33和焊盘3至焊盘8被布置为彼此靠近。在这种情况下，如图3所示，用于经由焊盘3至焊盘8输入或输出电信号的DC探针物理地干扰光纤阵列。换句话说，可能无法同时进行光学系统的测试和电气系统的测试。

本发明的一个方面的目的是提供一种在从晶圆切出各光IC芯片之前能够在晶圆上高效地测试光IC芯片的构造。

根据实施方式的一个方面，光器件形成在具有矩形形状或平行四边形形状的光IC(集成电路)芯片上。该光器件包括：光器件电路；第一光波导，所述第一光波导联接到所述光器件电路；焊盘，所述焊盘电连接至所述光器件电路；光栅耦合器；以及第二光波导，所述第二光波导联接到所述光栅耦合器。所述焊盘被形成在所述光IC芯片的靠近第一边的区域中。所述光栅耦合器被形成在所述光IC芯片上的不靠近所述第一边的特定区域中。所述第一光波导和所述第二光波导分别延伸至所述光IC芯片的边缘。

附图说明

图1示出了光器件的示例；

图2示出了光IC芯片的示例；

图3描述了传统技术的问题；

图4示出了其上形成有多个光IC芯片的晶圆的示例；

图5示出了根据第一实施方式的光IC芯片的示例；

图6示出了光栅耦合器的辐射的示例；

图7示出了测试光IC芯片的方法的示例；

图8示出了根据第二实施方式的光IC芯片的示例；

图9示出了根据第三实施方式的光IC芯片的示例；

图10示出了根据第四实施方式的光IC芯片的示例；以及

图11示出了光模块的示例。

具体实施方式

图4示出了其上形成有多个光IC芯片的晶圆的示例。在晶圆50的表面区域中形成有多个光IC芯片。在图4所示的示例中，在晶圆50上形成有24个光IC芯片。

在该示例中，光IC芯片中的每一个提供包括光接收器和光调制器的光器件(即，光器件为光收发器)。因此，可以通过从晶圆50切割来获得多个光器件。在从晶圆50切出各个光IC芯片之前，在晶圆50上执行各光器件的测试。

第一实施方式

图5示出了根据第一实施方式的光IC芯片的示例。在该实施方式中，如图5所示，光IC芯片100包括器件区域、GC区域和折回区域。在器件区域中，形成有光器件电路。在该实施方式中，光器件电路包括光接收器10和光调制器20。在GC区域中，形成有一个或更多个光栅耦合器。在该实施方式中，光栅耦合器31至光栅耦合器33形成在GC区域中。在折回区域中，形成有将光器件电路与光栅耦合器31至光栅耦合器33联接的光波导的一些部分。

在下面描述的实施方式中，形成在光IC芯片上的光器件电路包括光接收器10和光调制器20，但是实施方式不限于该构造。换句话说，光器件电路包括光接收器10和光调制器20中的任意一个的这种构造也是可以的。

在器件区域中，形成有光接收器10、光调制器20和光波导11、21和22。光波导11联接到光接收器10的光输入端口。光波导21通过分离耦合器101联接到光接收器10的光输入端口和光调制器20的光输入端口。当光接收器10不是相干接收器时，光波导21可以单独联接到光调制器20的光输入端口。光波导22联接到光调制器20的光输出端口。

光接收器10包括可变光衰减器(VOA)、监测光电探测器(mPD)、偏振分束器(PBS)、偏振旋转器(PR)、90度光混合电路(90°)和光电探测器(PDXI、PDXQ、PDYI、PDYQ)。对于光接收器10，通过光波导11输入光信号Rx_in并且通过光波导21和分离耦合器101输入连续波光LD_in。

可变光衰减器VOA根据经由焊盘1给出的功率控制信号使接收光信号Rx_in衰减。监测光电检测器mPD监测可变光衰减器VOA的输出光功率。由监测光电检测器mPD获得的监测信号经由焊盘2输出。偏振分束器PBS将输入光信号分成X偏振光信号和Y偏振光信号。偏振旋转器PR使Y偏振光信号的偏振旋转90度。各90度光混合电路通过使用连续波光LD_in从输入光信号中提取I(同相)分量和Q(正交)分量。光电探测器(PDXI、PDXQ、PDYI、PDYQ)将输入光信号转换成电信号。由于以上处理，生成表示接收光信号Rx_in的电场信息信号RF_out(XI、XQ、YI、YQ)。

光调制器20包括调制器(modXI、modXQ、modYI、modYQ)、可变光衰减器(VOA)、监测光电探测器(mPD)、偏振旋转器(PR)和偏振合束器(PBC)。对于光调制器20，通过光波导21和分离耦合器101输入连续波光LD_in。表示传输数据的电信号RF_in也被给予光调制器20。

调制器(modXI、modXQ、modYI、modYQ)用电信号RF_in调制连续波光LD_in，并生成调制光信号XI、XQ、YI和YQ。调制光信号XI和XQ被组合，并生成调制光信号X。此时，调制光信号XI或XQ的相位由经由焊盘3提供的相位控制信号来控制。以类似的方式，调制光信号YI和YQ被组合，并生成调制光信号Y。此时，调制光信号YI或YQ的相位由经由焊盘4提供的相位控制信号来控制。可变光衰减器VOA根据经由焊盘5和焊盘6提供的功率控制信号分别使调制光信号X和Y衰减。

监测光电探测器mPD分别监测可变光衰减器VOA的输出光功率。由监测光电探测器mPD获得的监测信号经由焊盘7和焊盘8输出。偏振旋转器PR使调制光信号Y的偏振旋转90度。偏振合束器PBC将调制光信号X和Y组合并生成调制光信号Tx_out。调制光信号Tx_out通过光波导22输出。

在GC区域中形成有光栅耦合器(GC)31至33。作为示例，光栅耦合器通过在波导的表面上制作光栅来形成。如图6中所示，当经由光波导传播的传播光穿过光栅耦合器时，传播光的一部分相对于基板沿指定方向发射。在下面的描述中，传播光的一部分被光栅耦合器发射的方向可以被称为“衍射辐射方向”。

因此，通过将光纤的端面放置在光栅耦合器附近，光纤可以获得经由光波导传播的光。另外，通过将光纤的端面放置在光栅耦合器附近，光可以经由光纤进入光波导。也就是说，光栅耦合器能够在光IC芯片的表面上将光纤和光波导光学结合。

优选地，光栅耦合器31至光栅耦合器33在直线上以等间隔形成。另外，优选地，光栅耦合器31至光栅耦合器33被形成为使得它们的衍射辐射方向变得相同。在这种情况下，通过使包含多条光纤的光纤阵列布置在光栅耦合器31至光栅耦合器33附近，多条光纤能够共同联接到光IC芯片。

光栅耦合器31联接到光波导11。因此，光栅耦合器31通过光波导11联接到光接收器10。光栅耦合器32联接到光波导21。因此，光栅耦合器32通过光波导21联接到光调制器20(和光接收器10)。光栅耦合器33联接到光波导22。因此，光栅耦合器33通过光波导22联接到光调制器20。

这里，光波导11、21和22穿过折回区域。更具体地，将光栅耦合器31与光接收器10联接的光波导11的一部分形成在折回区域中。将光栅耦合器32与光调制器20联接的光波导21的一部分形成在折回区域中。将光栅耦合器33与光调制器20联接的光波导22的一部分形成在折回区域中。

图7示出了光IC芯片的测试方法的示例。在该示例中，对图5所示的光IC芯片100进行测试。在从晶圆切出光IC芯片之前，在晶圆上进行光IC芯片100的测试。

DC探针201包括用于向光调制器20提供相位控制信号的端子、用于向光调制器20提供功率控制信号的端子以及用于获得光调制器20的监测信号的端子。DC探针201以使这些端子与焊盘3至焊盘8接触的方式布置。

DC探针202包括用于向光接收器10提供功率控制信号的端子和用于获得光接收器10的监测信号的端子。DC探针202以这些端子与焊盘1和焊盘2接触的方式布置。RF探针203包括用于获得由光接收器10生成的电场信息信号RF_out的端子。

光纤阵列204包括用于将光信号Rx_in输入到光IC芯片的第一光纤、用于将连续波光LD_in输入到光IC芯片的第二光纤以及传播从光IC芯片输出的光信号Tx_out的第三光纤。光纤阵列204被布置为使得第一光纤至第三光纤的端面分别面向光栅耦合器31至光栅耦合器33。注意，光纤阵列204沿光栅耦合器31至光栅耦合器33的衍射辐射方向排列。光纤阵列204中所包含的第一光纤至第三光纤之间的间隔与光栅耦合器31至光栅耦合器33之间的间隔基本相同。

在第一实施方式中，形成有焊盘3至焊盘8的区域和形成有光栅耦合器31至光栅耦合器33的区域彼此远离。更具体地，如图5中所示，焊盘3至焊盘8形成在光IC芯片100的器件区域的上侧边缘附近的区域中。另一方面，光栅耦合器31至光栅耦合器33形成在光IC芯片上的指定区域中，该指定区域与光IC芯片100的器件区域的上侧边缘附近的区域不同。在该实施方式中，光栅耦合器31至光栅耦合器33形成在与光IC芯片的器件区域的左侧边缘相邻的GC区域中。即使当DC探针201与焊盘3至焊盘8接触并且光纤阵列204布置在光栅耦合器31至光栅耦合器33附近时，这种布置也不会在DC探针201和光纤阵列204之间引起物理干扰。如此，能够同时执行光学系统的测试和电气系统的测试，这样能够进行光IC芯片的高效测试。

当在晶圆上测试各光IC芯片之后，从晶圆切出各芯片。此时，如图5所示的GC区域和折回区域与器件区域分离。结果，光波导11、21和22的端部位于芯片的边缘。

第二实施方式

根据图5中所示的构造，在各光IC芯片中，除了用于形成光器件电路的器件区域之外，还需要用于形成光栅耦合器的GC区域和用于形成光波导的折回区域。在这种情况下，在一个晶圆上能够形成较少数量的光IC芯片。第二实施方式解决或缓解了这个问题。

图8示出了根据第二实施方式的光IC芯片的示例。在该实施方式中，光IC芯片100具有矩形形状。光IC芯片100的形状可以是平行四边形。注意，各光栅耦合器在图8中用“G”表示。

在图8中，示出了在晶圆上形成的多个光IC芯片100当中的四个光IC芯片100a至100d，并且这四个光IC芯片在晶圆的左上角的区域中彼此相邻布置。注意，折回区域与光IC芯片100a和100b的上侧相邻设置。另外，GC区域与光IC芯片100a和100c的左侧相邻设置。

光IC芯片100(100a至100d)的构造彼此基本相同。换句话说，光接收器10、光调制器20、光波导11、21和22、光栅耦合器31至光栅耦合器33以及焊盘1至焊盘8形成在光IC芯片100中的每一个中。注意，在图8中省略了用于传送从光接收器10输出的电场信息信号的布线图案和用于传送提供给光调制器20的数据信号的布线图案。

各光IC芯片100中所形成的光栅耦合器31至光栅耦合器33被用于测试在相邻芯片中形成的光器件电路(这里，光接收器10和光调制器20)。更具体地，形成在光IC芯片100a中的光栅耦合器31至光栅耦合器33被用于测试形成在光IC芯片100b中的光器件电路。形成在光IC芯片110c中的光栅耦合器31至光栅耦合器33被用于测试形成在光IC芯片100d中的光器件电路。注意，用于测试布置在晶圆的最左侧的光IC芯片100(在图8中，光IC芯片100a和100c)的光栅耦合器31至光栅耦合器33形成在GC区域中。

将形成在各光IC芯片100中的光栅耦合器31至光栅耦合器33与形成在相邻芯片中的光器件电路联接的光波导11、21和22穿过另一光IC芯片。例如，将形成在光IC芯片100c中的光栅耦合器31至光栅耦合器33与形成在光IC芯片100d中的光器件电路联接的光波导11、21和22穿过光IC芯片100b。换句话说，将形成在光IC芯片100c中的光栅耦合器31至光栅耦合器33与形成在光IC芯片100d中的光器件电路联接的光波导11、21和22中的每一个的一部分形成在光IC芯片100b中。注意，将形成于布置在晶圆的最上侧的光IC芯片100a中的光栅耦合器31至光栅耦合器33与形成于也布置在晶圆的最上侧的光IC芯片100b中的光器件电路联接的光波导11、21和22穿过折回区域。

在测试各光IC芯片时，使用形成于相邻芯片中的光栅耦合器31至光栅耦合器33。例如，当测试光IC芯片100b时，使用形成于光IC芯片100a中的光栅耦合器31至光栅耦合器33。更具体地，当测试光IC芯片100b时，DC探针201与光IC芯片100b的焊盘3至焊盘8接触，并且光纤阵列204布置在形成于光IC芯片100a中的光栅耦合器31至光栅耦合器33附近。

在晶圆上测试光IC芯片之后，从晶圆切出各芯片。作为切割的结果，将GC区域和折回区域丢弃。将形成于光IC芯片中的光器件电路与对应光栅耦合器联接的光波导的一些部分形成在另一光IC芯片中(或折回区域中)。在切割之后，联接到光器件电路的光波导11、21和22的端部位于光IC芯片的边缘。联接到光栅耦合器的光波导11、21和22的端部也位于光IC芯片的边缘。

如上所述，在第二实施方式中，用于测试光IC芯片的光栅耦合器形成于另一光IC芯片中。换句话说，在各光IC芯片中不需要专用于光栅耦合器的区域。因此，根据第二实施方式，与第一实施方式相比，光IC芯片的尺寸减小，并且能够增加在单个晶圆上所形成的光IC芯片的数量。

注意，在光接收器和光调制器安装在光IC芯片上的光器件中，光接收器和光调制器之间的距离在许多情况下被设计为比指定的阈值距离长，以抑制串扰。为此，形成这种光器件的光IC芯片具有未使用的空间。通过将光栅耦合器布置在各光IC芯片的这种未使用的空间中，能够在不增加光IC芯片尺寸的情况下形成用于相邻芯片的光栅耦合器。

第三实施方式

在图8中所示的构造中，用于测试光IC芯片中的光器件的光栅耦合器形成在另一光IC芯片中。在第三实施方式中，用于测试光IC芯片中的光器件的光栅耦合器形成在相同的芯片中。

图9示出了根据第三实施方式的光IC芯片的示例。在第三实施方式中，光IC芯片100也可以具有矩形形状或者可以是平行四边形。

在图9中，示出了晶圆上所形成的大量光IC芯片100当中的两个光IC芯片100a和100b。光IC芯片100a布置在晶圆上的光IC芯片的最上侧。光IC芯片100b与光IC芯片100a的下侧相邻布置。注意，折回区域被形成为与晶圆上所布置在光IC芯片的最上侧处的光IC芯片100的上侧相邻。

光IC芯片100(100a和100b)的构造基本上彼此相同。换句话说，光接收器10、光调制器20、光波导11、21和22、光栅耦合器31至光栅耦合器33以及焊盘1至焊盘8形成在光IC芯片100中的每一个中。注意，在图9中，省略了传送从光接收器10输出的电场信息信号的布线图案和传送提供给光调制器20的数据信号的布线图案。

形成于光IC芯片100中的光栅耦合器31至光栅耦合器33联接到相同芯片中的光器件电路。例如，形成于光IC芯片100a中的光栅耦合器31、32和33通过光波导11、21和22分别联接到形成于光IC芯片100a中的光器件电路(光接收器10和光调制器20)。

联接到光IC芯片100的光器件电路的光波导11、21和22穿过相邻芯片。例如，将光IC芯片100b中的光器件电路与光栅耦合器31至光栅耦合器33联接的光波导11、21和22穿过光IC芯片100a。换句话说，将光IC芯片100b中的光器件电路与光栅耦合器31至光栅耦合器33联接的光波导11、21和22的一些部分形成在光IC芯片100a中。布置在晶圆上的光IC芯片的最上侧处的光IC芯片100a的光波导11、21和22穿过折回区域。

在晶圆上测试光IC芯片之后，从晶圆切出各芯片。另外，丢弃折回区域。将形成于光IC芯片中的光器件电路与对应光栅耦合器联接的光波导的一些部分形成在另一光IC芯片中(或折回区域中)。在切割之后，联接到光器件电路的光波导11、21和22的端部位于光IC芯片的边缘。联接到光栅耦合器的光波导11、21和22的端部也位于光IC芯片的边缘。

如上所述，在第三实施方式中，不需要专用于光栅耦合器的区域。结果，能够增加在单个晶圆上能够形成的光IC芯片的数量。

第四实施方式

在图9中所示的构造中，用于测试光器件的光栅耦合器31至光栅耦合器33形成在各光IC芯片的边缘处。在第四实施方式中，光栅耦合器形成在各光IC芯片100上的不位于边缘的区域中。

图10示出了根据第四实施方式的光IC芯片的示例。在第四实施方式中，光IC芯片100也可以具有矩形形状或者可以是平行四边形。在图10中，与图9中所示的实施方式类似，示出了从形成于晶圆上的大量光IC芯片100当中的两个光IC芯片100a和100b。

光IC芯片100(100a和100b)的构造基本上彼此相同。换句话说，光接收器10、光调制器20、光波导11、21和22、光栅耦合器31至光栅耦合器33以及焊盘1至焊盘8形成在光IC芯片100中的每一个中。注意，在图10中，省略了传送从光接收器10输出的电场信息信号的布线图案和传送提供给光调制器20的数据信号的布线图案。光栅耦合器31至光栅耦合器33的布置顺序在图9所示的构造中与在图10中所示的构造中是不同的。

图9中所示的根据第三实施方式的光IC芯片100的构造与图10所示的根据第四实施方式的光IC芯片100的构造几乎相同。然而，在第三实施方式中，光栅耦合器31至光栅耦合器33布置在光IC芯片100的四个边中的一个边附近的区域中(在图9中，示例为左侧边)。在第四实施方式中，光栅耦合器31至光栅耦合器33形成在不靠近光IC芯片100的任何边的特定区域中。在图10所示的示例中，光栅耦合器31至光栅耦合器33布置在大致位于光IC芯片100的中心的区域中。

光栅耦合器31、32和33分别通过光波导11、21和22联接到光器件电路(光接收器10和光调制器20)。这里，光波导11、21和22的一些部分形成在相邻芯片中。例如，在光IC芯片100b中，将光器件电路与光栅耦合器31至光栅耦合器33联接的光波导11、21和22的一些部分形成在光IC芯片100a中。布置在晶圆上的光IC芯片的最上侧处的光IC芯片100a的光波导11、21和22的一些部分形成在折回区域中。

在晶圆上测试光IC芯片之后，从晶圆切出各芯片。结果，与第三实施方式类似，联接到光器件电路(光接收器10和/或光调制器20)的光波导11、21和22的端部位于芯片的边缘。联接到光栅耦合器31至光栅耦合器33的光波导11、21和22的端部也位于芯片的边缘。注意，折回区域与光IC芯片100分离。因此，在布置在晶圆上的光IC芯片的最上侧处的光IC芯片100a中，光波导11、21和22的端部位于芯片的边缘。

如上所述，在第四实施方式中，与第二实施方式和第三实施方式类似，不需要专用于光栅耦合器的区域。结果，能够增加在单个晶圆上能够形成的光IC芯片的数量。

光模块

图11示出了根据实施方式的光模块的示例。光模块300包括光器件301、光源302和数字信号处理器(DSP)303。

光器件301由图5以及图8至图10所示的光IC芯片100实现。换句话说，光器件301包括光接收器10、光调制器20、光波导11、21和22以及焊盘1至焊盘8。光源302生成CW光。CW光被引导至光波导21。光器件301的接收光信号(Rx_In)被输入到光波导11。由光调制器20生成的调制光信号(Tx_Out)通过光波导22输出。数字信号处理器303生成用于在光器件301中生成调制光信号的数据信号。数字信号处理器303也对表示光器件301的接收光信号的电信号进行处理。