阅读说明：本技术 一种间歇启动集成控制电路 (Intermittent start integrated control circuit ) 是由 王朝刚 鲁雪松 于 2018-09-11 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种间歇启动集成控制电路,包括发光二极管LED、单向可控硅VS、三极管VT1、二极管D1和电容C1,所述发光二极管LED正极分别连接电阻R3和电源VCC,发光二极管LED负极分别连接负载RL和电阻R1,负载RL另一端连接三极管VT1发射极,三极管VT1集电极分别连接电阻R1另一端、电阻R2、单向可控硅VS的A极和三极管VT3基极,三极管VT3集电极连接三极管VT2基极,三极管VT2发射极连接三极管VT1基极,三极管VT2集电极连接三极管VT4基极。本发明间歇启动集成控制电路采用多个三极管、单向可控硅配合阻容元件进行控制,达到了延时开启以及间歇控制的目的,由于电路没有使用任何芯片元件控制,抗干扰能力强,电路结构简单,成本低,体积小。(The invention discloses an intermittent start integrated control circuit, which comprises a Light Emitting Diode (LED), a unidirectional silicon controlled rectifier (VS), a triode VT1, a diode D1 and a capacitor C1, wherein the anode of the LED is respectively connected with a resistor R3 and a power supply VCC, the cathode of the LED is respectively connected with a load RL and a resistor R1, the other end of the load RL is connected with an emitting electrode of a triode VT1, the collector electrode of the triode VT1 is respectively connected with the other end of a resistor R1, a resistor R2, the A pole of the unidirectional silicon controlled rectifier (VS) and the base electrode of a triode VT3, the collector electrode of the triode VT3 is connected with the base electrode of the triode VT2, the emitting electrode of the triode VT2 is connected with the base electrode. The intermittent start integrated control circuit adopts a plurality of triodes and unidirectional silicon controlled rectifiers to be matched with the resistance-capacitance element for control, achieves the purposes of delayed start and intermittent control, and has strong anti-jamming capability, simple circuit structure, low cost and small volume because the circuit is not controlled by any chip element.)

一种间歇启动集成控制电路

技术领域

本发明涉及一种控制电路，具体是一种间歇启动集成控制电路。

背景技术

间歇生产过程，又称为批量生产过程，是工业生产中广泛采用的一种生产方式，占有很大的比重。间歇生产过程的控制称为间歇控制。根据间歇生产过程的自动化程度，间歇控制系统大致可以分为以下三种：顺序间歇控制、程序间歇控制、综合间歇控制。

任何一个生产过程都会受到不能直接控制的“干扰”作用，这类干扰常常改变生产的物料或者热量的负荷，所以又称为“负荷变化”，控制系统通过调节控制变量使干扰对被控变量的影响降为最低。

现有的很多间歇启动集成控制电路，都是采用时基芯片NE555配合继电器进行控制，其实质是一个定时器，但是采用芯片NE555设计，一方面成本较高，另一方面抗干扰能力也比较弱。

发明内容

本发明的目的在于提供一种间歇启动集成控制电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种间歇启动集成控制电路，包括发光二极管LED、单向可控硅VS、三极管VT1、二极管D1和电容C1，所述发光二极管LED正极分别连接电阻R3和电源VCC，发光二极管LED负极分别连接负载RL和电阻R1，负载RL另一端连接三极管VT1发射极，三极管VT1集电极分别连接电阻R1另一端、电阻R2、单向可控硅VS的A极和三极管VT3基极，三极管VT3集电极连接三极管VT2基极，三极管VT2发射极连接三极管VT1基极，三极管VT2集电极连接三极管VT4基极，三极管VT4发射极分别连接二极管D1负极和电容C2，二极管D1正极连接单向可控硅VS的G极，三极管VT4集电极分别连接二极管D2负极和三极管VT3发射极，二极管D2正极连接电阻R3另一端，所述电容C2另一端分别连接电容C3和电容C1并接地，电容C1另一端连接电阻R2另一端，电容C3另一端连接单向可控硅VS的K极。

作为本发明进一步的方案：所述三极管VT1和三极管VT2均为PNP三极管。

作为本发明进一步的方案：所述三极管VT3和三极管VT4均为NPN三极管。

作为本发明进一步的方案：所述二极管D1为稳压二极管。

作为本发明再进一步的方案：所述单向可控硅VS采用TL431。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明间歇启动集成控制电路采用多个三极管、单向可控硅配合阻容元件进行控制，达到了延时开启以及间歇控制的目的，由于电路没有使用任何芯片元件控制，抗干扰能力强，电路结构简单，成本低，体积小。

附图说明

图1为间歇启动集成控制电路的电路图。

图2为间歇启动集成控制电路第二实施例的电路图。

图3为间歇启动集成控制电路中单向可控硅的引脚图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1：请参阅图1，本发明实施例中，一种间歇启动集成控制电路，包括发光二极管LED、单向可控硅VS、三极管VT1、二极管D1和电容C1，所述发光二极管LED正极分别连接电阻R3和电源VCC，发光二极管LED负极分别连接负载RL和电阻R1，负载RL另一端连接三极管VT1发射极，三极管VT1集电极分别连接电阻R1另一端、电阻R2、单向可控硅VS的A极和三极管VT3基极，三极管VT3集电极连接三极管VT2基极，三极管VT2发射极连接三极管VT1基极，三极管VT2集电极连接三极管VT4基极，三极管VT4发射极分别连接二极管D1负极和电容C2，二极管D1正极连接单向可控硅VS的G极，三极管VT4集电极分别连接二极管D2负极和三极管VT3发射极，二极管D2正极连接电阻R3另一端，所述电容C2另一端分别连接电容C3和电容C1并接地，电容C1另一端连接电阻R2另一端，电容C3另一端连接单向可控硅VS的K极；所述三极管VT1和三极管VT2均为PNP三极管；所述三极管VT3和三极管VT4均为NPN三极管；所述二极管D1为稳压二极管，参阅图1，接通电源VCC后，电容C1通过发光二极管LED、电阻R1和电阻R2充电，发光二极管LED为电源指示灯，一段时间后，当电容C1充电到一定程度后，三极管VT3基极获得偏置电压，三极管VT3导通，从而使的三极管VT1、VT2以及VT4都导通，从而使负载RL得电工作，此时电容C2处于充电状态，一段时间后，电容C2上的充电电压大于稳压二极管D1的击穿电压时，D1被击穿，单向可控硅VS获得触发电压，单向可控硅VS也导通，电容C1通过单向可控硅VS和电容C3放电，三极管VT3关断，从而使三极管VT1、VT2和VT4均关断，根据单向可控硅VS的导通特性可知，电容C1上的电荷能够通过单向可控硅VS释放到无法维持单向可控硅VS的导通为止，之后电路又恢复到初始状态，完成延时、间歇控制。

实施例2：图2为本发明的第二实施例，包括发光二极管LED、单向可控硅VS、三极管VT1、二极管D1和电容C1，所述发光二极管LED正极分别连接电阻R3和电源VCC，发光二极管LED负极分别连接负载RL和电阻R1，负载RL另一端连接三极管VT1发射极，三极管VT1集电极分别连接电阻R1另一端、电阻R2、单向可控硅VS的A极和三极管VT3基极，三极管VT3集电极连接三极管VT2基极，三极管VT2发射极连接三极管VT1基极，三极管VT2集电极连接三极管VT4基极，三极管VT4发射极分别连接二极管D1负极和电容C2，二极管D1正极连接单向可控硅VS的G极，三极管VT4集电极分别连接二极管D2负极和三极管VT3发射极，二极管D2正极连接电阻R3另一端，所述电容C2另一端分别连接电容C3和电容C1并接地，电容C1另一端连接电阻R2另一端，电容C3另一端连接单向可控硅VS的K极，所述三极管VT3发射极还连接二极管D3负极，二极管D3正极连接二极管D4正极，二极管D4负极接地；所述三极管VT1和三极管VT2均为PNP三极管；所述三极管VT3和三极管VT4均为NPN三极管；所述二极管D1为稳压二极管。

接通电源VCC后，电容C1通过发光二极管LED、电阻R1和电阻R2充电，发光二极管LED为电源指示灯，一段时间后，当电容C1充电到一定程度后，三极管VT3基极获得偏置电压，三极管VT3导通，从而使的三极管VT1、VT2以及VT4都导通，从而使负载RL得电工作，此时电容C2处于充电状态，一段时间后，电容C2上的充电电压大于稳压二极管D1的击穿电压时，D1被击穿，单向可控硅VS获得触发电压，单向可控硅VS也导通，电容C1通过单向可控硅VS和电容C3放电，三极管VT3关断，从而使三极管VT1、VT2和VT4均关断，根据单向可控硅VS的导通特性可知，电容C1上的电荷能够通过单向可控硅VS释放到无法维持单向可控硅VS的导通为止，之后电路又恢复到初始状态，完成延时、间歇控制。

通过在三极管VT3发射极和接地端直接连接二极管D3和二极管D4，能够防止脉冲电压对电路造成的影响，增加了电路的稳定性。