具体实施方式

为了便于理解本发明，下面结合附图和具体实施例，对本发明进行更详细的说明。附图中给出了本发明的较佳的实施例，但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本说明书中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本发明。

下面结合附图对本发明作以下详细地说明，实施例1，如图1-9所示，提供一种LED灯具的驱动电源，包括：EMC电路，滤除电磁干扰，保护电源；整流电路，将输入的交流电压转化为直流电压输出，与所述EMC电路相连；PFC驱动电路，输出恒定的720V电压,与所述整流电路相连；辅助电源电路，将720V电源转化为12V和18V电源供后续电路使用；隔离驱动电路，输出驱动电源，驱动负载，与所述PFC驱动电路相连；主驱动电路，控制所述隔离驱动电路输出；隔离电流检测电路，检测输出电流；电压环控制电路，稳定输出电压，与所述隔离驱动电路相连；电流环控制电路，稳定输出电流，与所述隔离驱动电路相连；保护电路，分别与所述隔离驱动电路和所述主驱动电路相连，包括过压保护电路和过流保护电路。

实施例2，如图1所示，所述EMC电路包括电源接口DA1，所述电源接口DA1的1和2管脚分别接保险管F1和F2的第一端，所述保险管F1和F2的第二端分别接共模电感L4的2和3管脚，电容X3和X4串联组成电容组，压敏电阻T5和防雷管T7组成第一防雷电路，压敏电阻T3、T4和防雷管T6组成第二防雷电路，所述电容组、所述第一防雷电路、所述第二防雷电路和压敏电阻T8分别设置在所述保险管F1和F2的第二端之间，所述共模电感L4的1和4管脚分别接共模电感L2的2和3管脚，电容X1和X2串联后设置在所述共模电感L4的1和4管脚之间，所述共模电感L2的1和4管脚分别接接插件J1的1和2管脚。

本实施例中，电源接口DA1输入480VAC电压端口，保险管F1和F2可防止过流，压敏电阻T8可防止浪涌电压，X3电容与X4电容串联是EMI作用，可滤除由电网进来的各种干扰信号, 第一防雷电路是防雷10KV雷击，保护电电源不被损坏，第二防雷电路中，压敏电阻T4、T3和防雷管T6组成T型电路，可防6KV雷击，通过第一防雷电路和第二防雷电路，双层保护电源不被雷击，共模电感L4、L2和电容X1、X2组成双通EMC电路，防止设备产生电磁干扰。

实施例3，如图2所示，所述整流电路包括芯片D1，所述芯片D1的4管脚的第一引线接所述接插件J1的1管脚，第二引线接二极管D10的阳极，所述二极管D10的阴极接二极管D11的阴极，二极管D11的阳极接所述接插件J1的2管脚，所述芯片D1的2管脚接继电器VR1的3管脚，所述继电器VR1的4管脚接所述接插件J1的2管脚，热敏电阻TT2和TT2A串联后设置在所述继电器VR1的3和4管脚之间，所述继电器VR1的1管脚接12V电源，2管脚接地，二极管D8和电容C15分别设置在所述继电器VR1的1和2管脚之间，所述芯片D1的3管脚接地，1管脚的第一引线接电源ADC1，第二引线经电容C2和C1接地。

本实施例中，芯片D1是型号为D25SB100的整流桥，可以把480V交流电转换成直流输出，热敏电阻TT2和TT2A、继电器VR1、电容C15组成输入电压缓冲电路，可保护电路中的元件。

实施例4，如图2-3所示，所述PFC驱动电路包括电感L1、MOS管Q1、可控硅TR1和芯片U1、U2，所述电感L1的第一端接所述电源ADC1，所述电感L1的第二端的第一引线接二极管D2的阳极，第二引线接所述MOS管Q1的漏极，所述二极管D2的阴极接压敏电阻TT1的1管脚，所述压敏电阻TT1的2管脚接720V电源，所述芯片U1的1和8管脚接18V电源，滤波电容C7、C8、C9、C10分别设置在18V电源和地之间，所述芯片U1的7和8管脚接电阻R14的第一端，所述电阻R14的第二端的第一引线经二极管D9接电阻R15的第一端，第二引线经电阻R24接三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极接电容Y1B的第一端，发射极接所述电阻R15的第一端，所述电阻R15的第二端接所述MOS管Q1的栅极，所述MOS管Q1的源极接所述电容Y1B的第一端，所述电容Y1B的第二端接地，二极管D13和电阻R22分别设置在所述MOS管Q1的栅极和所述电容Y1B的第一端之间，所述芯片U1的2管脚经并联的电阻R21和二极管D12接电阻R31的第一端，所述电阻R31的第二端接所述芯片U2的8管脚，所述芯片U2的5管脚经电阻R47、R42、R34和R19接所述二极管D10的阴极，所述芯片U2的4管脚经第一电阻组、第二电阻组、第三电阻组和第四电阻组接720V电源，所述第一电阻组包括并联的电阻R58和R58A，第二电阻组包括并联的电阻R48和R51，第三电阻组包括并联的电阻R44和R45，第四电阻组包括串联的电阻R36、R32、R28、R20、R11和R5，所述可控硅TR1的1管脚接720V电源，所述可控硅TR1的3管脚的第一引线经电容C14接所述电容Y1B的第一端，第二引线经电阻R10、电容C4和C5接720V电源，所述芯片U1的型号为TC4420，所述芯片U2的型号为ICE3PCS03G。

本实施例中，电感L3、芯片U2和U1、MOS管Q1、二极管D2组成一个BOOS电路，可输出恒压720VDC，芯片U1的输出端驱动MOS管Q1，芯片U1的电源端设置有滤波电容C9、C10、C8和C5，可防干扰，芯片U2的5管脚经电阻R47、R42、R34和R19接所述二极管D10的阴极，通过二极管D10、D11和电阻R19，可对输入电压进行检测，芯片U2的4管脚经第一电阻组、第二电阻组、第三电阻组和第四电阻组接720V电源，可检测输出电压，芯片U2的8管脚接芯片U1的输入端，芯片U2通过检测电压对比，控制芯片U1输出，保证输出电压恒定不变，电阻R14、R24、R15、R22与二极管D6、D13 和三极管Q3组成第一PFC驱动缓冲电路，第一PFC驱动缓冲电路可吸收峰值电压，保护驱动MOS管Q1不被损坏，压敏电压TT1、可控硅TRT1和电容C4、C5、C14组成第二PFC驱动缓冲电路，第二PFC驱动缓冲电路可防止浪涌电流损坏MOS管，提高电源寿命。

实施例5，如图4所示，所述辅助电源电路包括变压器T2、芯片U9和MOS管Q10，所述变压器T2的1和3管脚接720V输入电源，所述变压器T2的4和5管脚输出电源25VB和电源18VDC，6和7管脚输出电源5VV9，8和11管脚输出电源12V1，12和14管脚输出电源12V2，所述芯片U9的3管脚接电阻R101的第一端，所述电阻R101的第二端的第一引线接二极管D27的阴极，第二引线经电阻R100接三极管Q11的基极，所述二极管D27的阳极的第一引线接所述三极管Q11的发射极，第二引线接电阻R94的第一端，所述电阻R94的第二端的第一引线经并联的二极管D28和电阻R99接所述三极管Q11的集电极，第二引线接所述MOS管Q10的栅极，所述MOS管Q10的漏极接所述变压器T2的3管脚，所述芯片U9的6管脚的第一引线经电阻R108接所述变压器T2的4管脚，第二引线经并联的电阻R122、电阻R124、电容C74和电容C74A接地，所述芯片U9的4管脚接电阻R110的第一端，所述电阻R110的第二端的第一引线接所述MOS管Q10的漏极，第二引线经并联的电阻R119和R120接地，所述芯片U9的1管脚经并联的电容C68和电阻R112接光耦U10的输出端，所述光耦U10的输入端接所述电源12V2。

本实施例中，变压器T2将720V电源转换为后续电路芯片所需的辅助电源，芯片U9的6管脚和电阻R108、R123、R124以及电容C74、C74A组成电压检测电路，芯片U9的4管脚和电阻R120、R190、R110组成电流检测电路，芯片U9的3管脚输出PWM开关信号经电阻R101、R94、R10、三极管Q11和二极管D17、D23把信号传递给MOS管Q10的栅极，MOS管Q10的漏极接变压器T2的输入，使辅助电源供电稳定，电阻R101、R94、R10、三极管Q11和二极管D17、D23组成峰值保护网络，用于保护MOS管Q10。

实施例6，如图5所示，所述隔离驱动电路包括芯片U12、MOS管Q13和Q15、变压器TR1，所述芯片U12的1和2管脚为输入端，接收由所述主驱动电路发送的PWM信号，所述芯片U12的15和10管脚为输出端，所述芯片U12的15管脚接电阻R131的第一端，所述电阻R131的第二端的第一引线接二极管D32的阴极，第二引线经电阻R138接三极管Q14的基极，所述三极管Q14的发射极和二极管D32的阳极分别接所述MOS管Q13的栅极，电阻R136并联在所述二极管D32的两端，所述MOS管Q13的源极接电感L5的1管脚，漏极接720V电源，二极管D16和电阻R137分别设置在所述MOS管Q13的栅极和源极之间，所述芯片U12的10管脚接电阻R154的第一端，所述电阻R154的第二端的第一引线接二极管D40的阴极，第二引线经电阻R162接三极管Q16的基极，所述三极管Q16的发射极和二极管D40的阳极分别接所述MOS管Q15的栅极，电阻R152并联在所述二极管D32的两端，所述MOS管Q15的漏极接所述电感L5的1管脚，源极接地，二极管D43和电阻R155分别设置在所述MOS管Q15的栅极和源极之间，所述电感L5的2管脚经电感L7接变压器TR1的1管脚，所述变压器TR1的8管脚经第五电阻组和电容C84接电感L6的4管脚，所述第五电阻组由电阻R128、R129、R127和R126组成，所述电感L6的1管脚经并联的电阻R143和R147接地，3管脚接输出端子1A，所述电感L6的2管脚的第一引线经电容Y1C接地，第二引线接输出端子1B，所述芯片U12的型号为SI8233。

本实施例中，芯片U12的1和2管脚为输入端，接收由所述主驱动电路发送的PWM信号，芯片U12的15和10管脚为输出端，输出信号给MOS管Q13和Q15的G极，让MOS管开关工作，从而控制电压输出，电阻R136、R137、R138、二极管D36和三极管Q14组成第一隔离驱动限制电压峰值电路，保护MOS 管Q13不会峰值电压损环，电阻R152、R155、R162、二极管D42和三极管Q15组成第二隔离驱动限制电压峰值电路，保护MOS 管Q15不会峰值电压损环，输出端子1A、1B连接LED照明装置。

实施例7，如图5-6所示，所述主驱动电路包括芯片U15，所述芯片U15的11管脚经电阻R159接所述芯片U12的2管脚，所述芯片U15的15管脚经电阻R151接所述芯片U12的1管脚，所述芯片U15的16管脚经并联电容C101和C103接所述芯片U15的14管脚，所述芯片U15的14管脚接三极管Q17的集电极，所述三极管Q17的发射极经电阻R153接所述芯片U12的1管脚，所述三极管Q17的基极经电阻R161接二极管D44的阳极，所述二极管D44的阴极接二极管D41的阳极，所述二极管D41的阴极的第一引线接二极管D37的阴极，第二引线接二极管D34的阴极，所述二极管D37的阳极的第一引线经二极管D38接地，第二引线接所述电感L5的4管脚，所述二极管D34的阳极的第一引线经二极管D35接地，第二引线接所述电感L5的3管脚，电容C88设置在所述电感L5的3和4管脚之间，所述芯片U15的型号为L6599。

本实施例中，芯片U15的11与15管脚输出PWM信号分别经电阻R151、R159传送到芯片U12的1和2管脚，驱动芯片U12，隔离电流检测电感L5、二极管D34、D35、D37、D38、D41、D44、电阻R161、R153、三极管Q17组成一个电流检测网络，通过电流检测网络可以调节信号占空比，让输出PWM更加合理，性能更稳定。

实施例8，如图5-7所示，所述隔离电流检测电路包括电感L8，所述电感L8的1管脚接所述变压器TR1的3管脚，2管脚经并联的电容C98和C100接地，电阻R163设置在所述电感L8的3和4管脚之间，所述电感L8的3管脚的第一引线经二极管D46接地，第二引线经二极管D48接电阻R175的第一端，所述电阻R175的第二端接所述芯片U15的6管脚，所述电感L8的3管脚的第一引线经二极管D47接地，第二引线经二极管D49接所述电阻R175的第一端，第三引线经电阻R171接电容C112的第一端，所述电容C112的第二端的第一引线经二极管D52和电阻R182接电阻R179的第一端，第二引线经二极管D54和电阻R192接所述电阻R179的第一端，所述电阻R179的第二端接所述芯片U15的6管脚。

本实施例中，检测电感L8和其所连接的二极管、电阻和电容组成一个隔离电流检测电路，所述芯片U15的6管脚通过隔离电流检测电路检测输出电流，本实施例中通过采用隔离电流互感L8可保护芯片U15工作在安全区域。

实施例9，如图8所示，所述电压环控制电路包括芯片U16A、U22AB和U16B，所述芯片U16A的7管脚经电阻R196和二极管D59接光耦U20的输入端，所述光耦U20的输出端接电阻R210的第一端，所述电阻R210的第二端分别经电阻R185和R186接所述芯片U15的4和5管脚，所述芯片U16A的6管脚的第一引线经电阻R187接所述电感L6的1管脚，第二引线经电阻R183、R172和R169接所述芯片U22AB的1管脚，电容C126和电阻R202串联后设置在所述芯片U16A的6和7管脚之间，所述芯片U22AB的5管脚接所述芯片U16B的1管脚，所述芯片U16B的2管脚经并联的电容C108和电阻R167接地，电阻R166设置在所述芯片U16B的1和2管脚之间，所述芯片U16B的3管脚接输入信号PWM1，所述电流环控制电路包括芯片U17A、U22AA和U17B，所述芯片U17B的1管脚经电阻R221和二极管D61接所述光耦U20的输入端，所述芯片U17B的2管脚的第一引线经电阻R226、R228和R227接所述负载端，第二引线经电阻R216和R2099接所述芯片U22AA的1管脚，电容C137设置在所述芯片U17B的1和2管脚之间，电容C135和电阻R219串联后设置在所述芯片U17B的1和2管脚之间，所述芯片U22AA的3管脚接所述芯片U17A的7管脚，所述芯片U17A的6管脚经并联的电容C131和电阻R208接地，所述芯片U17A的5管脚经电阻R193接输入信号PWM2，二极管D55和D57串联后设置在所述芯片U17A的7和5管脚之间，所述芯片U16A、、U16B 、U17A和U17B的型号为TSX393，所述芯片U22AA和U22AB的型号为LM358。

本实施例中，芯片U16B与电阻R166、电阻R168、电容C108组成一个积分比较器，芯片U22AB是电压跟随之器，可以增加频率响应，芯片U16A与电容C126X组成一个电压控制环路，可使输出电压稳定；芯片U17A与电阻R204组成一个积分电路，有增加频率补偿的作用，芯片U22AA是电压跟随器，可增加频率响应， 芯片U17B与电容C137、电容C135、电阻R219组成电流控制环路，使电流输出呈线性变化。

实施例10，如图9-10所示，所述过压保护电路包括芯片U23A、U23B和三极管Q5A，所述芯片U23B的2管脚经电阻R17和R8接所述输出端子1B，1管脚接所述芯片U23A的5管脚，电阻R13和电容C17串联后设置在所述芯片U23B的1和2管脚之间，所述芯片U23A的7管脚经电阻R16接所述三极管Q5A的基极，所述三极管Q5A的发射极接地，集电极接所述芯片U15的7管脚，所述芯片U23A和U23B的型号为TSX393，所述过流保护电路包括芯片U19A和U19B，所述芯片U19A的1管脚经电阻R201接所述电感L6的1管脚，8管脚经电阻R205接地，所述芯片U19A的3管脚经电阻R203接所述芯片U19B的4管脚，所述芯片U19B的5管脚经电阻R206和二极管D60接光耦U21的输入端，电阻R214设置在所述芯片U19B的4和5管脚之间，所述光耦U21的输出端接所述芯片U15的12管脚，所述芯片U19A和U19B的型号为TS102A。

本实施例中，当输出电压过高时，输出电压的信号经电阻R17传递给芯片U23B的2管脚，U23B的2管脚与3管脚电位比较后输出一个高电位，经芯片U23A组成的电压跟随器输出一个高电平，驱动三极管Q15A基电极，让Q15A三极管导通，使芯片U15的7管脚的电位拉低，芯片U15的7管脚的电位小于0.7V时，U15就会停止工作，这样就不会输出高压，可防止输出高压来损坏LED 照明灯，同时保护了电源寿命；过流保护电路中，芯片U19A、U19B和二极管D60组成输出电流检测网络，把检测的信息传递给光藕U21，输出电流过高时，光藕U21输出使芯片U15的工作电压拉低，使输出电流不超过LED驱动的电流范围。

本发明的工作原理：

由EMC电路接入480VAC工业电源，整流电路将输入的交流电压转化为直流电压输出至PFC驱动电路，PFC驱动电路中，芯片U1的输出端驱动MOS管Q1输出恒定的720V电压,辅助电源电路可将720V电源转化为12V和18V电源供后续电路使用，隔离驱动电路由主驱动电路控制，输出驱动电源，驱动LED灯负载，电压环控制电路和电流环控制电路使电源输出稳定，过压保护电路和过流保护电路可防止输出过高损坏LED 照明灯珠，提高电源使用寿命。

需要说明的是，上述各技术特征继续相互组合，形成未在上面列举的各种实施例，均视为本发明说明书记载的范围；并且，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。