阅读说明：本技术 高效背面电极型太阳能电池及其制造方法 (High efficiency back electrode type solar cell and method for manufacturing the same ) 是由 桥上洋 渡部武纪 大塚宽之 于 2018-05-07 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种背面电极型太阳能电池,其在结晶硅基板的第一主表面上具备具有p型导电类型的p型区域与具有n型导电类型的n型区域,并具备形成在p型区域上的正电极与形成在n型区域上的负电极,其特征在于,正电极由形成在p型区域上且含有III族元素的第一导电体、与层叠在第一导电体上且III族元素的含有比例低于第一导电体的第二导电体的层叠导电体构成,负电极由形成在n型区域上的第二导电体构成。由此,可提供一种光电转换效率高且廉价的背面电极型太阳能电池。(The present invention provides a back electrode type solar cell including a p-type region having a p-type conductivity and an n-type region having an n-type conductivity on a first main surface of a crystalline silicon substrate, and including a positive electrode formed on the p-type region and a negative electrode formed on the n-type region, wherein the positive electrode is composed of a laminated conductor of a first conductor formed on the p-type region and containing a group III element and a second conductor laminated on the first conductor and having a lower content ratio of the group III element than the first conductor, and the negative electrode is composed of a second conductor formed on the n-type region. Thus, a back electrode type solar cell having high photoelectric conversion efficiency and low cost can be provided.)

高效背面电极型太阳能电池及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种高效背面电极型太阳能电池及其制造方法。

背景技术

作为提高结晶硅太阳能电池的光电转换效率的方法，近年来，对废除受光面的电极从而消除因电极阴影造成的光学损失的所谓的背面电极型太阳能电池进行了广泛研究。

图6为示出通常的背面电极型太阳能电池的基本结构的示意图。另外，受光面在同一图中以朝下的方式而示出。如图6所示，背面电极型太阳能电池601中，在基板602的非受光面上形成以高浓度扩散有硼或铝等III族元素的p型区域603，以与其相邻的方式形成以高浓度扩散有磷或锑等V族元素的n型区域604。

为了降低因光生载流子的复合造成的损失，p型区域603与n型区域604主要被由氧化硅或氮化硅、氧化铝或碳化硅等的单层膜或层叠膜构成的钝化膜605覆盖，且相反面(受光面)被由氮化硅、氧化钛、氧化锡、氧化锌、氧化硅或氧化铝等的单层膜或层叠膜构成的防反射膜606覆盖。

此外，正电极607与负电极608以贯穿钝化膜605的形式而形成。从成本的方面出发，这些电极通常通过以下方式而形成：利用丝网印刷或点胶将在有机粘结剂中混有银等金属微粒的导电性膏涂布在规定位置，然后以数百～850℃左右进行热处理。

然而，实际上，若在p型硅与n型硅中同样适用上述那样的通常的银膏，则p型硅与电极的接触电阻在大多数情况下会增大。这是由于根据硅的导电类型不同，与导电性膏中的金属的功函数差不同。

对于该问题，例如在专利文献1中，记载了通过添加6～30重量％的铝粉末作为以银为主要成分的导电性膏的固体成分，可得到良好的电接触。

此外，在专利文献2中，记载了一种通过使用添加有镓或铟的银膏，利用热处理在p型硅中导入该杂质，从而得到电接触的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特公昭61-59546号公报

专利文献2：日本特表2002-511190号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

但另一方面，由于由III族元素构成的添加物其自身的电导率低，因此若将其掺合在电极剂中，则存在布线电阻增大的问题。并且与在基板双面上具有电极的以往类型的太阳能电池相比，将正负两个电极配置在基板的非受光面上的背面电极型太阳能电池的光电流密度高，因此存在因布线电阻高而造成的输出特性的下降变得特别显著的问题。

本发明鉴于上述问题点而完成，其目的在于提供一种制造简便、光电转换效率高且廉价的背面电极型太阳能电池。此外，本发明的目的还在于提供一种光电转换效率高且廉价的太阳能电池模块及太阳能电池发电系统。此外，本发明的目的在于提供一种使用简便的方法制造电极的电阻损耗少、光电转换效率高的背面电极型太阳能电池的方法。

解决技术问题的技术手段

为了达成上述目的，本发明提供一种背面电极型太阳能电池，其在结晶硅基板的第一主表面上具备具有p型导电类型的p型区域与具有n型导电类型的n型区域，并具备形成在所述p型区域上的正电极与形成在所述n型区域上的负电极，其特征在于，所述正电极由形成在所述p型区域上且含有III族元素的第一导电体、与层叠在该第一导电体上且III族元素的含有比例低于所述第一导电体的第二导电体的层叠导电体构成，所述负电极由形成在所述n型区域上的所述第二导电体构成。

这样的太阳能电池的正电极中，由于与硅基板接触的第一导电体含有III族元素，因此接触电阻低，由于与布线连接的第二导电体的III族元素的含有比例低于第一导电体，因此布线电阻低。即，正电极的硅基板与电极的电接触良好，进一步，降低了布线电阻。其结果，本发明的太阳能电池为电阻损耗少的高效的背面电极型太阳能电池。

此时，可将所述第一导电体设为以银作为主要成分。或可将所述第一导电体设为以铝作为主要成分。

若以银作为第一导电体的主要成分，则可使用银膏。此外，若以较廉价的铝作为第一导电体的主要成分，则可降低太阳能电池的成本。

进一步，本发明的太阳能电池优选具备形成在所述p型区域与所述n型区域的未形成所述正电极及所述负电极的表面上的钝化膜。

这样的太阳能电池能够通过钝化膜抑制硅基板表面上的电子与空穴的复合，因此可成为更高效的太阳能电池。

此外，为了达成上述目的，本发明提供一种太阳能电池模块，其特征在于，其通过电连接上述太阳能电池而成。

由此，若为电连接本发明的太阳能电池而成的太阳能电池模块，则电阻损耗少。

此外，为了达成上述目的，本发明提供一种太阳能电池发电系统，其特征在于，其通过电连接多个上述太阳能电池模块而成。

通过连接多个电连接本发明的太阳能电池而成的太阳能电池模块，能够制成太阳能电池发电系统，这样的太阳能电池发电系统的电阻损耗少。

此外，为了达成上述目的，本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包含以下工序：在结晶硅基板的第一主表面上形成具有p型导电类型的p型区域及具有n型导电类型的n型区域的工序；在所述p型区域上形成含有III族元素的第一导电体的工序；以及在该第一导电体上与所述n型区域上，形成III族元素的含有比例低于所述第一导电体的第二导电体的工序，通过形成所述第一导电体的工序与形成所述第二导电体的工序，形成由所述第一导电体与所述第二导电体的层叠导电体构成的正电极、与由所述第二导电体构成的负电极。

如此，能够以简便的方法制造电极的电阻损耗少且光电转换效率高的背面电极型太阳能电池。特别是，若为这样的方法，则能够不设置新工序而同时进行正电极的形成的一部分与负电极的形成，能够廉价地制造高效的太阳能电池。

此时，优选形成所述第一导电体的工序与形成所述第二导电体的工序包含对电极剂进行丝网印刷或点胶形成的步骤。

通过使用这样的方法，能够廉价且生产性良好地制造太阳能电池。

此外，优选本发明的太阳能电池的制造方法在形成所述第一导电体的工序与形成所述第二导电体的工序之前，进一步包含在所述p型区域与所述n型区域的表面形成钝化膜的工序，在形成所述第一导电体的工序中，隔着所述钝化膜，在所述p型区域上涂布含有III族元素的所述第一电极剂，在形成所述第二导电体的工序中，在该第一电极剂上与隔着所述钝化膜的所述n型区域上，涂布III族元素的含有比例低于所述第一电极剂的第二电极剂，在形成所述第二导电体的工序后，通过对所述第一电极剂与所述第二电极剂进行烧结，形成所述正电极与所述负电极。

由此，通过形成钝化膜，能够制造更高效的太阳能电池。此外，上述方法为简便的方法。

发明效果

若为本发明的太阳能电池，则由于具备兼顾了良好的电接触与低布线电阻的正电极，因此可降低太阳能电池输出的电阻损耗。此外，根据本发明的太阳能电池的制造方法，能够廉价且简便地制造这样的电阻损耗得以降低的高效太阳能电池。特别是，在本发明的太阳能电池的制造方法中，能够利用丝网印刷法或点胶法，并且能够同时进行正电极的形成的一部分与负电极的形成，因此能够更廉价且以更高的生产性制造光电转换效率高的太阳能电池。

附图说明

图1为示出本发明的太阳能电池的结构的一个方式的图。

图2为示出本发明的太阳能电池的制造方法的一个例子的图。

图3为示出本发明的太阳能电池的背面结构的一个方式的图。

图4为示出本发明的太阳能电池模块的一个方式的图。

图5为示出本发明的太阳能发电系统的一个方式的图。

图6为示出以往的背面电极型太阳能电池的基本结构的图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行说明，但本发明并不受其限定。

首先，使用图1对本发明的太阳能电池的结构的一个例子进行具体说明。另外，受光面在图1中以朝下的方式而示出。

如图1所示，本发明的背面电极型太阳能电池101(以下，有时仅称为太阳能电池)在结晶硅基板102的第一主表面(在制成太阳能电池时，成为非受光面的面)上具备具有p型导电类型的p型区域103、具有n型导电类型的n型区域104，并具备形成在p型区域103上的正电极107和形成在n型区域104上的负电极108。

更具体而言，可制成如下的背面电极型太阳能电池。本发明的背面电极型太阳能电池101可在具有p型或n型的导电类型的结晶硅基板102的第一主表面(在制成太阳能电池时，成为非受光面的面)上，局部形成有具有p型导电类型的p型区域103，该p型区域103中添加有浓度高于结晶硅基板102的掺杂剂浓度的赋予p型导电类型的掺杂剂。进一步，可在同一第一主表面上，以与p型区域103相邻的方式形成具有n型导电类型的n型区域104，该n型区域104中添加有浓度高于硅基板102的掺杂剂浓度的浓度的赋予n型导电类型的掺杂剂。

在p型区域103上形成有由第一导电体109与第二导电体110的层叠导电体111构成的正电极107。另一方面，在n型区域104上形成有由第二导电体110构成的负电极108。构成形成在p型区域103上的正电极107一部分的第一导电体109含有III族元素。

出于从降低与p型区域103的接触电阻的目的，第一导电体109适宜使用添加了玻璃料的铝膏的烧结体或添加了III族元素与玻璃料的银膏的烧结体。III族元素可使用硼、镓或铟的单体或化合物，从成本的点出发，优选使用铝。作为III族元素的化合物，更具体而言，优选含有氮化硼、氧化硼、氯化铝及溴化铝中的一种以上。第一导电体109中的III族元素的含有比例需要根据添加的元素或其形态进行适当调节，例如在使用铝时，其含有比例可以大概设为3重量％以上。此外，第一导电体优选以银或铝作为主要成分。当以银作为主要成分时，银的含有比例优选设为50质量％以上。当以铝作为主要成分时，铝的含有比例优选设为50质量％以上。

此外，第二导电体110的III族元素的含有比例低于第一导电体109。特别优选第二导电体110由添加了玻璃料且未添加III族元素的通常的银膏的烧结体形成。若在为负电极108的第二导电体110中添加III族元素，则不仅布线电阻变高，而且导致在n型区域104的表面形成能障，因此接触电阻增加，太阳能电池特性下降。

由此，通过将正电极107制成可得到良好的与p型区域103的电接触的第一导电体109与布线电阻低的第二导电体110的层叠结构，能够减少电阻损耗，提高太阳能电池的光电转换效率。

此外，优选在p型区域103的未形成正电极的部分与n型区域104的未形成负电极的部分上形成有钝化膜105。此时，即本发明的背面电极型太阳能电池101具备形成在p型区域103与n型区域104的未形成正电极107及负电极108的表面上的钝化膜105。通过这样的钝化膜105，能够抑制结晶硅基板102的表面上的空穴与电子的复合，因此可成为更高效的太阳能电池。钝化膜105可使用氧化硅、氮化硅、氧化铝或碳化硅等。其能够以单层进行使用，也可以组合制成层叠膜。为了得到充分的钝化效果，钝化膜105的膜厚可设为数nm至100nm。此外，也可在p型区域103的表面与n型区域104的表面适用构成各不相同的膜。

此外，优选在结晶硅基板102的受光面上形成有防反射膜106。由于防反射膜106需要得到光约束效果，因此可使用折射率为1.8至2.2的电介质，为此可使用氮化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锡、氧化锌等。为了得到最适当的光约束效果，可将这些电介质的膜厚设为70nm至120nm而进行使用。此外，其能够以单层进行使用，虽未图示，但也可在上述电介质与结晶硅基板102之间形成膜厚为40nm以下的氧化硅或氧化铝的中间层。由此，可提高受光面表面的钝化效果。

接着，参照图2对本发明的太阳能电池的制造方法进行说明，但本发明并不受其限定。

可将结晶硅基板202设为电阻率为0.1～10Ω·cm的具有p型或n型导电类型的结晶硅，虽未图示，但也在基板表面形成用于光约束的凹凸结构。凹凸结构通过将结晶硅基板202在酸性或碱溶液中浸渍一定时间而得到。酸性溶液通常使用在氢氟酸与硝酸的混合液中混合乙酸、磷酸、硫酸、水等的混合酸溶液，若将结晶硅基板202浸渍在该酸性溶液中，则在加工基板时，粗糙的表面被优先蚀刻出细微的槽等，形成凹凸结构。此外，碱溶液可使用氢氧化钾或氢氧化钠溶液、或氢氧化四甲铵溶液。由于碱蚀刻通过形成Si-OH键而进行蚀刻，因此蚀刻速度依赖于晶面取向，因而得到蚀刻速度较慢的结晶面露出的凹凸结构。

在结晶硅基板202的非受光面上并非一定需要凹凸结构。反而通过进行平坦化而减少表面积，可期待降低载流子复合损失的效果。此时，可利用使用了含有氢氟酸与硝酸的混合液的化学药液的旋转蚀刻或在线型单面清洗机。

在形成凹凸结构后，优选在盐酸、硫酸、硝酸、氢氟酸等或这些酸的混合液的酸性溶液中清洗结晶硅基板202。从成本及特性的角度出发，优选在盐酸中进行清洗。为了提高清洁度，可在盐酸溶液中混合0.5～5％的过氧化氢，并升温至60～90℃进行清洗。

接着，在结晶硅基板的第一主表面上形成具有p型导电类型的p型区域及具有n型导电类型的n型区域。如以下说明所述，其能够通过图2(a)～(c)中所示的工序形成，但不限于此。首先，如图2(a)所示，在结晶硅基板202的单面上形成p型区域203。若使用含有III族元素的扩散源，则能够形成p型区域203，从电气特性与装置的简易性出发，例如可使用溴化硼并以900～1000℃进行气相扩散。本发明的太阳能电池需要仅在背面(制成太阳能电池时，成为非受光面的面)形成p型区域203，为了达成该要求，需要在将两片基板彼此叠合的状态下进行扩散或在受光面侧形成氮化硅等扩散阻挡层，以设法使硼不扩散至受光面。此外，除了气相扩散以外，也可在基板上涂布硼化合物并进行干燥后，以900～1000℃进行热扩散，从而形成p型区域203。根据该方法，能够较容易地抑制硼扩散至非涂布面。除此之外，可通过利用基于扩散剂的旋涂法、喷雾法等进行单面扩散。

此外，在p型区域203上可形成扩散阻挡层212。其中，适宜使用通过化学气相沉积法或物理蒸镀法得到的氮化硅或氧化硅。此时，虽然根据膜的制造方法的不同而不同，但形成大致厚度为50～200nm的膜。除此之外，也可使用通过热处理而得到的氧化硅膜。此时，在800～1100℃的氧气或水蒸气气氛中对基板进行热处理，使20～200nm的氧化硅生长。另外，该热氧化可与硼等III族元素的扩散连续进行。

接着，如图2(b)所示，部分去除形成n型区域的位置的扩散阻挡层212，露出p型区域203。扩散阻挡层212的去除可通过以下方式实现：例如将蚀刻膏丝网印刷在所需位置，在100～400℃下进行热处理。此外，也可进行工序更简单的激光烧蚀。

接着，如图2(c)所示，可在扩散阻挡层的开口部形成n型区域204。若使用含有V族元素的扩散源，则能够形成n型区域204，从电气特性与装置的简易性出发，例如可使用磷酰氯并以800～980℃进行气相扩散。本发明的太阳能电池需要仅在背面(非受光面)形成n型区域204，为了达成该要求，需要在将两片基板彼此叠合的状态下进行扩散或在受光面侧形成氮化硅等扩散阻挡层，以设法使磷不扩散至受光面。此外，除了气相扩散以外，也可在基板上涂布磷化合物并进行干燥后，以800～980℃进行热扩散，从而形成n型区域204。根据该方法，能够较容易地抑制磷扩散至非涂布面。

除了上述方法以外，磷等V族元素的扩散可在对在扩散阻挡层212的开口部上露出的p型区域203进行蚀刻去除之后再进行。此时，例如可通过将结晶硅基板202浸渍在氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液中，扩散阻挡层212作为掩膜发挥作用，选择性去除开口部的p型区域203。

对于p型区域与n型区域的形成图案，例如可以如图3(a)所示，为在结晶硅基板302中p型区域303与n型区域304以直线状相邻的形式，也可以如图3(b)及图3(c)所示，p型区域303或n型区域304中的一个形成为岛状。

在磷等V族元素扩散后，使用氢氟酸等，去除形成在扩散面上的硼玻璃、扩散阻挡层212、磷玻璃。为了保持基板表面的清洁性，更优选将氨水或氢氧化四甲铵溶液与0.5～5％的过氧化氢进行混合并升温至60～90℃进行清洗。除此以外，还可进一步将盐酸、硫酸、硝酸或这些酸的混合液、或这些酸与0.5～5％的过氧化氢进行混合，并升温至60～90℃进行清洗。此外，优选在最后的阶段利用氢氟酸溶液去除基板表面的氧化膜。

接着，如图2(d)所示，可在p型区域与n型区域上形成钝化膜205。在钝化膜205中可适宜使用氮化硅。此时，可通过使用等离子体CVD，适当调节硅烷、氨气及氢气的混合比，从而得到钝化效果高的膜。除此以外，也可通过热处理、CVD法、喷镀法或原子层沉积法等方法形成氧化硅、氧化铝或碳化硅等。此外，这些膜可由单层形成，或与上述中任一种组合并层叠而形成。此外，为了得到充分的钝化效果，钝化膜205的膜厚可形成为数nm至100nm。

接着，在结晶硅基板202的受光面上形成防反射膜206，由于防反射膜206需要得到光约束效果，因此可使用折射率为1.8至2.2的电介质，为此可使用氮化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锡、氧化锌等。为了得到最适宜的光约束效果，可将这些膜的膜厚制成70nm～120nm而使用。此外，这些膜可单层使用，虽未图示，也可在上述膜与结晶硅基板202之间形成膜厚为40nm以下的氧化硅或氧化铝的中间层。由此，能够提高受光面表面的钝化效果。

接着，如图2(e)所示，在p型区域2上涂布第一电极剂209a，为了得到与p型区域203良好的电接触，第一电极剂209a适宜使用在有机粘结剂中混合有铝粉末与玻璃料的铝膏，或者在有机粘结剂中混合有银粉末与玻璃料及III族元素的单体或化合物的银膏。在为后者时，III族元素的含有比例需要根据添加的元素及其形态进行适当调节，从成本方面出发，优选使用以固体成分比例计添加了3重量％以上铝粉末的银膏。

第一电极剂209a的形成方法没有特别限制，从生产性的角度出发，优选将导电性膏丝网印刷或点胶形成涂布在p型区域203上。

然后，使结晶硅基板202在100～300℃的大气中进行干燥。

接着，如图2(f)所示，通过涂布，在第一电极剂209a与n型区域204上形成第二电极剂210a。第二电极剂210a适宜使用不含III族元素且在有机粘结剂中混合有银粉末与玻璃料的银膏。

然后，在100～300℃的大气中干燥基板。

接着，例如在700～890℃左右的大气中对基板烧成1秒～10分钟。若通过该热处理对第一电极剂209a与第二电极剂210b进行烧结，则如图2(g)所示，形成正电极207与负电极208，进一步，钝化膜205被电极剂侵蚀，两电极与结晶硅基板202电接触。通过以上方式，能够制造本发明的背面电极型太阳能电池201。

此外，通过串联连接多个由以上工序得到的本发明的太阳能电池，可得到太阳能电池模块。图4为本发明的太阳能电池模块420的非受光面侧的结构的一个例子。太阳能电池401的正电极407通过极耳421与相邻的太阳能电池的负电极408电连接，连接规定的输出功率所需的片数的太阳能电池。另外，一个太阳能电池的正电极407与太阳能电池模块420的正极端子422连接，另一个太阳能电池的负电极408与太阳能电池模块420的负极端子423连接。图4中虽未示出，但所连接的太阳能电池可通过玻璃盖片与填充剂、以及背板(backsheet)被密封。玻璃盖片广泛使用钠钙玻璃。此外，填充剂可使用乙烯乙酸乙烯酯、聚烯烃或硅酮等。背板通常可利用使用了聚对苯二甲酸乙二醇酯的功能膜。

此外，图5示出了电连接多个上述太阳能电池模块而成的太阳能电池发电系统的基本结构。太阳能电池发电系统530中，多个太阳能电池模块520通过布线531串联连接，经由逆变器532向外部负载电路533供给发电的电力。图5中虽未示出，该系统可进一步具备对发电的电力进行蓄电的二次电池。

实施例

以下示出本发明的实施例及比较例，对本发明进行更具体的说明，但本发明不受这些实施例限定。以下的实施例中，使用本发明的太阳能电池的制造方法，制造背面电极型太阳能电池。

(实施例1)

最初，在150mm见方、厚度为200μm及电阻率为1Ω·cm的磷掺杂n型as-cut硅基板中，通过热浓氢氧化钾溶液去除损伤层后，在80℃的5％氢氧化钾溶液中浸渍20分钟，形成不规则金字塔状的纹理，然后在盐酸/过氧化氢混合溶液中进行清洗。

接着，将硼化合物与粘结剂的混合物旋涂在基板背面，以1000℃、30分钟的热处理进行硼扩散，形成p型区域，然后继续以1000℃进行2小时的氧化热处理。

在热处理后，通过波长532nm的激光照射，以线状去除基板背面上形成n型区域的位置的氧化膜。

接着，将使受光面相对的两片为一组的基板装载在石英舟中，使用磷酰氯，以820℃进行30分钟的热处理，形成n型区域。

接着，将基板浸渍在10％的HF溶液中，去除玻璃层后，进一步依次浸渍在80℃的盐酸与过氧化氢的混合液、2％的HF溶液中，进行清洗后，使用纯水冲洗，然后进行干燥。

接着，通过等离子体CVD法，在清洗后的基板的受光面上形成膜厚为90nm的氮化硅作为防反射膜，通过原子层沉积法，在非受光面侧形成膜厚为10nm的氧化铝作为钝化膜后，进一步层叠膜厚为90nm的氮化硅。

然后，在银粉末与玻璃料的混合物中掺合10重量％的铝粉末，与有机粘结剂混合得到银膏，通过丝网印刷将该银膏涂布在p型区域上，以200℃干燥1分钟。

接着，通过丝网印刷，将未添加III族元素的银膏涂布在n型区域与形成在p型区域上的银膏的干燥体上，以200℃干燥1分钟后，进一步进行800℃、3秒的热处理，使银膏烧结，得到太阳能电池。

最后，使用氙灯光源式的模拟日光，测定太阳能电池的输出特性。

(实施例2)

以与实施例1相同的程序进行操作直至形成钝化膜与防反射膜，在所得到的结晶硅基板上，通过丝网印刷，将混合铝粉末与玻璃料的混合物和有机粘结剂而得到的铝膏涂布在p型区域上，以200℃干燥1分钟。

接着，通过丝网印刷，将未添加III族元素的银膏涂布在n型区域与形成在p型区域上的铝膏的干燥体上，以200℃干燥1分钟后，进行800℃、3秒的热处理，使银膏烧结，得到太阳能电池。

最后，使用氙灯光源式的模拟日光，测定太阳能电池的输出特性。

(比较例1)

以与实施例1相同的程序进行操作直至形成钝化膜与防反射膜，在所得到的结晶硅基板上，在银粉末与玻璃料的混合物中掺合10重量％的铝粉末，并与有机粘结剂混合而得到银膏，通过丝网印刷将该银膏涂布在p型区域上，以200℃干燥1分钟。

接着，通过丝网印刷在n型区域上涂布未添加III族元素的银膏，进一步以200℃干燥1分钟后，进行800℃、3秒的热处理，使银膏烧结，得到太阳能电池。

最后，使用氙灯光源式的模拟日光，测定太阳能电池的输出特性。

概括上述实施例1、2及比较例1的太阳能电池的特性并将其示于以下的表1。在表1中，Jsc为短路电流，Voc为开路电压，FF为曲线因数，Eff.为转换效率。在本发明的太阳能电池中，正电极的电阻损耗减少，曲线因子(FF)得到改善，表现出高于比较例的转换效率。

表1概括并示出实施例、比较例的实施结果。

[表1]

	Jsc[mA/cm<sup>2</sup>]	Voc[mV]	FF	Eff.[％]
					实施例1	40.2	0.688	0.805	22.3
实施例2	40.3	0.689	0.803	22.3
					比较例1	40.2	0.688	0.780	21.6

另外，本发明不受上述实施方式限定。上述实施方式为例示，具有与本发明的权利要求书中记载的技术构思实质相同的构成、并发挥相同作用效果的技术方案均包含在本发明的技术范围内。