阅读说明：本技术 SiC外延晶片及其制造方法 (SiC epitaxial wafer and method for producing same ) 是由 龟井宏二 于 2018-05-14 设计创作，主要内容包括：本发明的SiC外延晶片具备4H-SiC单晶基板和形成于所述4H-SiC单晶基板上的SiC外延层,所述4H-SiC单晶基板以相对于c面具有偏离角的面为主面,且在周缘部具有斜角部,所述SiC外延层的膜厚为20μm以上,所述SiC外延层的从外周端延伸存在的界面位错的密度为10根/cm以下。(The SiC epitaxial wafer of the present invention comprises a 4H-SiC single crystal substrate and a SiC epitaxial layer formed on the 4H-SiC single crystal substrate, wherein the 4H-SiC single crystal substrate has a surface having an off angle with respect to the c-surface as a main surface and a beveled portion at a peripheral portion, the thickness of the SiC epitaxial layer is 20 [ mu ] m or more, and the density of interface dislocations extending from the outer peripheral end of the SiC epitaxial layer is 10 roots/cm or less.)

SiC外延晶片及其制造方法

技术领域

本发明涉及SiC外延晶片及其制造方法。

本申请基于2017年6月28日在日本提出的专利申请2017-126744号主张优先权，将其内容引用于此。

背景技术

碳化硅(SiC)具有与硅(Si)相比，绝缘击穿电场大1个数量级，带隙大3倍，且热传导率高3倍左右等特性。由于碳化硅具有这些特性，所以期待其应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。因此，近年来，如上所述的半导体器件中使用SiC外延晶片。

要促进SiC器件的实用化，不可缺少的是确立高品质的结晶生长技术、高品质的外延生长技术。

SiC器件一般使用SiC外延晶片制作，SiC外延晶片是在SiC单晶基板(也有时简称为SiC基板)上，采用化学气相生长法(Chemical Vapor Deposition：CVD)等生长成为器件活性区域的SiC外延层(膜)而得到的，SiC单晶基板是由采用升华再结晶法等生长出的SiC的体单晶加工而得到的。

更具体而言，SiC外延晶片一般在以从(0001)面向<11-20>方向具有偏离角的面为生长面的SiC单晶基板上，进行台阶流生长(从原子台阶起的横向生长)生长4H的SiC外延层。

SiC单晶基板一般在内部存在被称为贯通螺旋位错(Threading ScrewDislocation：TSD)、贯通刃状位错(Threading Edge Dislocation：TED)或者基面位错(Basal Plane Dislocation：BPD)的晶体缺陷，有时器件特性由于这些晶体缺陷而劣化。这些位错基本上从SiC单晶基板向SiC外延膜传播。

另一方面，已知在SiC外延膜内产生被称为界面位错的位错。该界面位错是基面位错中的一种，在SiC基板与SiC外延膜的界面附近，沿着与SiC基板的切割方向正交的方向(切割方向为<11-20>时是<1-100>方向)伸长。

界面位错是为了缓和所述界面附近的应力发生伸长而产生的。

此外，有时在SiC外延膜不仅形成从SiC单晶基板传播的贯通刃状位错，还形成贯通刃状位错列(图8中的“TED对9”)。具体而言，外延生长时新产生的2个贯通刃状位错成对，当切割方向为<11-20>时，这2个位错的对在<1-100>方向上以列状排列连续，形成贯通刃状位错列。产生贯通刃状位错列的结果是外延膜的位错密度变得比SiC单晶基板高，在外延生长中使结晶性变差。该贯通刃状位错的对在其底部通过基面位错而以半环(half loop，半环线)状连结。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2008-34776号公报

非专利文献1：X.Zhang et al.,Journal of Applied Physics 102,093520(2007)

发明内容

在非专利文献1中，对基于X射线形貌术、光致发光(PL)等进行的观察而明确得知的贯通刃状位错列的产生与上述界面位错的关系、以及X射线形貌术图像和PL像的特征，使用图8进行说明。

图8是示意地示出在SiC单晶基板上形成SiC外延膜的SiC外延晶片的立体图。为了容易清楚地说明，示出A点、B点、C点和将它们连结的AB部和BC部。

在X射线形貌术图像中，观察L字状的位错。该L字状的位错是图8中的观察到AB部(界面位错14)和BC部(基面位错15)的位错。BC部保持在(0001)基底面16上将SiC外延膜5横切，在SiC外延膜5的表面的C点终结。该L字状的位错在外延生长中，BC部(基面位错15)向右侧方向移动，与此相伴，AB部(界面位错14)向右侧延伸。这样，AB部(界面位错14)向右侧延伸下去时，在C的部分依次形成贯通刃状位错列(图8中的“TED对9”)，形成贯通刃状位错列的序列(以下将贯通刃状位错列沿与台阶流方向正交的方向排列的结构称为对序列(图8中的对序列11))。这样，贯通刃状位错列的产生与界面位错有着紧密的关系。

在X射线形貌术图像中，贯通刃状位错列的像越趋向右侧就存在于距表面越浅的位置，因此对比度变弱。

X射线形貌术图像中，AB部(界面位错)、BC部(基面位错)和贯通刃状位错列大多全部被观察到。

另外，光致发光(PL)像中，贯通刃状位错列的序列作为点状序列被观察到，BC部(基面位错)以线状被观察到。另一方面，难以进行AB部(界面位错)的观察。

因此，在PL像中，通过观察与点状序列和BC部(基面位错)对应的线状图案，能够得知界面位错的存在。

再者，贯通刃状位错列的序列与台阶流方向正交地延伸存在，1根贯通刃状位错列的序列和由其产生而引起的1根界面位错彼此平行地延伸存在。因而，通过发现1根点状序列，能够确认与台阶流方向正交地延伸存在的1根界面位错的存在。另外，BC部(基面位错)与台阶流方向平行地延伸存在，1根BC部(基面位错)和由其产生而引起的1根界面位错彼此正交地延伸存在，所以通过发现与1根BC部(基面位错)对应的线状图案，能够确认与台阶流方向正交地延伸存在的1根界面位错的存在。

以上的以往已知的界面位错在SiC基板的基面位错(BPD)存在的部位产生。

相对于此，本发明人发现，在SiC基板上生长SiC外延膜时，从SiC基板的外周端延伸存在的新型界面位错(以下称为“外端界面位错”)。本发明人通过对该外端界面位错反复专心研究，发现其通过SiC外延膜变厚而产生。以往的界面位错以SiC基板的BPD存在的部位为起点，但本发明人发现的界面位错(外端界面位错)与其不同，是以SiC基板的外周端为起点的。该界面位错也与以往的界面位错同样地使器件的可靠性下降，所以应该降低。

认为迄今为止，没有发现外端界面位错是由于使用SiC外延膜的厚度为产生外端界面位错那么厚的膜的情况少的缘故。

本发明是鉴于上述状况而完成的，其目的在于提供具有膜厚为20μm以上的SiC外延膜，且外端界面位错的密度低的SiC外延晶片及其制造方法。

本发明为了解决上述课题，提供以下手段。

(1)本发明第一方案的SiC外延晶片，具备4H-SiC单晶基板和形成于所述4H-SiC单晶基板上的SiC外延膜，所述4H-SiC单晶基板以相对于c面具有偏离角的面为主面，且在周缘部具有斜角部(bevel portion)，所述SiC外延膜的膜厚为20μm以上，所述SiC外延层的从外周端延伸存在的界面位错密度为10根/cm以下。

(2)本发明第二方案的SiC外延晶片，具备4H-SiC单晶基板和形成于所述4H-SiC单晶基板上的SiC外延膜，所述4H-SiC单晶基板以相对于c面具有偏离角的面为主面，且在周缘部具有斜角部，所述SiC外延膜的膜厚为20μm以上，所述斜角部包含从所述主面连续的斜面部和外周端部，所述斜面部的宽度为150μm以上。

(3)上述(1)和(2)中任一项所述的SiC外延晶片中，可以是：以<11-20>方向的中心线为中心，25°～155°和205°～335°的中心角的范围的界面位错密度为10根/cm以下。

(4)上述(1)～(3)中任一项所述的SiC外延晶片中，可以是：所述斜角部包含从所述主面连续的斜面部和外周端部，所述斜面部的宽度为150μm以上。

(5)上述(2)和(3)中任一项所述的SiC外延晶片中，可以是：所述SiC外延层的从外周端延伸存在的界面位错密度为10根/cm以下。

(6)本发明第三方案的SiC外延晶片的制造方法，使用在周缘部具有斜角部的4H-SiC单晶基板，所述斜角部包含从所述主面连续的斜面部和外周端部，所述斜面部的宽度为150μm以上。

(7)本发明第三方案的SiC外延晶片的制造方法，优选具有：

准备所述H-SiC单晶基板的工序；以及

在所述H-SiC单晶基板上形成膜厚为20μm以上的SiC外延膜的工序，

得到的SiC外延晶片具备4H-SiC单晶基板和形成于所述4H-SiC单晶基板上的SiC外延膜，

所述4H-SiC单晶基板以相对于c面具有偏离角的面为主面，且在周缘部具有斜角部，

所述SiC外延膜的膜厚为20μm以上，

所述SiC外延层的从外周端延伸存在的界面位错密度为10根/cm以下。

上述(6)和(7)中任一项所述的SiC外延晶片的制造方法，优选形成膜厚为20μm以上的SiC外延膜的所述工序包括：

利用所使用的基板的斜面部的宽度，求得满足式(1)的外延膜的厚度的子工序，

Y＝20X-400···(1)

(式中，Y表示倾斜的宽度(μm)，X表示外延膜的厚度(μm))；以及

将制造的SiC外延膜的厚度设定为由所述式得到的满足式(1)的外延膜的厚度以下而形成的子工序。

根据本发明的SiC外延晶片，能够提供具有膜厚为20μm以上的SiC外延膜、且外端界面位错密度低的SiC外延晶片。

附图说明

图1是SiC单晶基板的周缘部附近的概略截面示意图。

图2是SiC外延晶片的周缘部附近的概略截面示意图。

图3是表示对SiC外延晶片得到的PL像和观察部位的示意图，图3(a)是定向平面的位置上的PL像，图3(b)是定向平面的相反侧位置上的PL像，图3(c)是表示SiC外延晶片中的定向平面的位置与台阶流方向的关系的概略示意图。

图4A是表示斜面部的宽度大时的、SiC基板和在其上生长的SiC外延膜的生长的2阶段的概略截面示意图。

图4B是表示斜面部的宽度小时的、SiC基板和在其上生长的SiC外延膜的生长的2阶段的概略截面示意图。

图5是表示对外延膜的膜厚和外端界面位错有无产生的关系进行了调查的结果的图。

图6A是图5示出的、倾斜部为170μm且SiC外延膜的膜厚为28μm时的共焦显微镜像。

图6B是图5示出的、倾斜部为170μm且SiC外延膜的膜厚为28μm时的PL像。

图7A是图5示出的、倾斜部为150μm且SiC外延膜的膜厚为33μm时的PL像。

图7B是图5示出的、倾斜部为0μm且SiC外延膜的膜厚为33μm时的PL像。

图8是用于说明贯通刃状位错列的产生与界面位错的关系的、示意地表示在SiC单晶基板上形成了SiC外延膜的SiC外延晶片的立体图。

具体实施方式

以下，对本发明的优选例进行说明。具体而言，对本发明的作为优选实施方式的SiC外延晶片及其制造方法，使用附图详细说明。再者，为了容易理解特征，以下说明中使用的附图有时出于方便起见而将成为特征的部分放大表示，各构成要素的尺寸比率等可以与实际不同。另外，以下说明中例示的材料、尺寸等为一例，本发明不限定于此，在发挥其效果的范围可以适当变更地实施。即，本发明不仅限定于以下例，在不脱离本发明主旨的范围，对于位置、数目、形状、材料、构成等可以附加、省略、置换和变更。

(SiC外延晶片)

本发明一实施方式的SiC外延晶片具备：以相对于c面具有偏离角的面为主面，且在周缘部具有斜角部的4H-SiC单晶基板；以及形成于所述4H-SiC单晶基板上的、膜厚为20μm以上的SiC外延层，所述SiC外延层的从外周端延伸存在的界面位错的密度为10根/cm以下。

“从外周端延伸存在的界面位错”是指“外端界面位错”。

c面表示{0001}面。将c面内的(0001)面记为(0001)Si面。

从外周端延伸存在的界面位错的密度例如可以由光致发光(PL)像来计测。作为PL像可以使用例如利用光致发光装置(Lasertec有限公司制、SICA88)在近红外线(Near-infrared、NIR)的光接收波长得到的PL像。

本发明的SiC外延晶片包括SiC外延层的膜厚为20μm以上、且外端界面位错的界面位错密度为零根/cm的晶片。

另外，本发明的SiC外延晶片包括SiC外延层的膜厚为22μm以上、且外端界面位错的界面位错密度为零根/cm的晶片。

另外，本发明的SiC外延晶片包括SiC外延层的膜厚为24μm以上、且外端界面位错的界面位错密度为零根/cm的晶片。

另外，本发明的SiC外延晶片包括SiC外延层的膜厚为27μm以上、且外端界面位错的界面位错密度为零根/cm的晶片。

另外，本发明的SiC外延晶片包括SiC外延层的膜厚为29μm以上、且外端界面位错的界面位错密度为零根/cm的晶片。

图1是SiC单晶基板的周缘部附近的概略截面示意图。

使用图1，对本说明书所说的“斜角部”的形状进行说明。再者，在本说明书中，“斜角部”是在基板的周缘部，为防止基板的碎片和颗粒产生等而进行了倒角、比基板的厚度薄的部分。

SiC单晶基板1具有主面(平坦部)1a和其周缘的斜角部1A，斜角部1A包含斜面部1Aa和外周端部1Ab。斜角部1A也可以如下式那样理解。

“斜角部1A”＝“斜面部1Aa”+“外周端部1Ab”

“斜面部”是从SiC单晶基板的平坦部1a连续的部分，具有相对于平坦部以60°以下的预定角度(与包含主面的平面相对的角度)向外周倾斜的倾斜面。其中，倾斜面不限于仅为一个角度的倾斜面，可以是具有多个角度的倾斜面、和/或具有曲率(曲率小于“外周端部”)的曲面的倾斜面。当为具有曲率的倾斜面的情况下，倾斜面的角度是指切平面的角度。作为“斜面部”具有的倾斜面的角度(与包含主面的平面相对的角度)，可以使用50°以下、40°以下、30°以下或20°以下的SiC单晶基板。后述的图5所示数据使用了30°以下的SiC单晶基板。

另外，“外周端部”是SiC单晶基板之中配置在径向最外侧的部分，包含具有预定曲率的曲面。其中，曲面不限于仅为一个曲率的曲面，可以具有多个曲率的曲面、和/或构成“外周端部”的部分之中没有与“斜面部”连续的部分可以是平面(例如垂直面)。再者，基于后述推定的外端界面位错的产生机理，认为若是没有“外周端部”、而是外侧从“斜面部”垂直地陡立的结构，则也可以没有形成成为随机生长起源的核的部位，但在这样结构的情况下，容易产生有棱角的部分的碎片，所以在防止碎片的观点上通常进行倒角而具有“外周端部”。

图2是SiC外延晶片的周缘部附近的概略截面示意图。

在SiC外延晶片10中，SiC外延层2的外周端2a是指在SiC单晶基板1的主面(平坦部)1a上形成的SiC外延层2中的、径向上最外侧。

图3的(a)和(b)表示对SiC外延晶片的不同位置得到的PL像。图3的(c)是表示SiC外延晶片中的定向平面的位置与台阶流方向的关系等的示意图。

图3(a)是定向平面位置的PL像，图3(b)是定向平面相反侧的位置的PL像。

在图3(a)和图3(b)的任一图中，都能够观察到点状序列和BC部(基面位错)所对应的线状图案。在图3的(a)中，点状序列和BC部(基面位错)所对应的线状图案分别能够观察到1根，所以能够得知存在1根外端界面位错。另外，在图3(b)中，点状序列和BC部(基面位错)所对应的线状图案分别能够观察到各2根，所以能够得知存在2根外端界面位错。

基于发明人进行PL观察的结果，外端界面位错在定向平面附近最多，其次外端界面位错在定向平面相反侧的位置多。与此相对，在定向平面与定向平面相反侧之间的位置，与外周的接线垂直的方向、即斜角部的斜面部的倾斜方向与台阶流方向接近于平行，因此基本上不产生外端界面位错。外端界面位错大多按对于晶片的中心的中心角来说在25°～155°和205°～335°产生。

本发明另一实施方式的SiC外延晶片具备4H-SiC单晶基板和形成于所述4H-SiC单晶基板上的SiC外延层，所述4H-SiC单晶基板以相对于c面具有偏离角的面为主面、且在周缘部具有斜角部，所述SiC外延层的膜厚为20μm以上，所述斜角部包含从所述主面连续的斜面部和外周端部，所述斜面部的宽度为150μm以上。

在此，“斜面部的宽度”是指从与主面正交的方向对斜面部进行俯视时的径向长度。

使用图4，对于推定的外端界面位错的产生机理进行说明。

图4A和图4B分别是表示SiC基板和在其上生长的SiC外延膜的生长的2阶段的截面示意图(上图为生长初期、下图为生长完成时)。图4A是斜面部的宽度大的情况，图4B是斜面部的宽度小的情况。

认为在外延生长的初期，在外周端部1Ab形成成为随机生长源的核7。其理由如下。

在主面的平坦部1a通过台阶流生长形成外延膜5，另外，在斜面部1Aa，如果c面为支配性的则维持台阶流生长。认为由于实际上一般使用带有偏离角的SiC基板，所以维持台阶流生长，形成成为随机生长源的核7的几率低。相对于此，在外周端部1Ab，c面以外的面(r面或m面)变为支配性的。因此，可认为难以在外周端部1Ab引起台阶流生长，变为随机生长。

参照图4A，基于推定出的外端界面位错的产生机理，对于迄今为止没有发现外端界面位错的理由，能够考虑如下。

进行外延生长，直到外延膜5的膜厚变厚成为预期膜厚之前，即使由形成于外周端部1Ab的成为随机生长源的核7延伸出多形外延膜，当界面位错没有到达平坦部的情况下，也不产生本发明人发现的外端界面位错。以往，预期的外延膜的膜厚薄，因此认为是这样的状况，即界面位错没有到达平坦部。

相对于此，在要求高品质厚膜的外延膜的趋势之中，本发明人在厚膜的外延膜中发现了外端界面位错。

另一方面，如图4B所示，认为在斜面部的宽度小(从外周端部到平坦部的距离短)的基板中，即使在外延膜的膜厚薄的情况下，外端界面位错也会在平坦部产生。

图5表示在预定的斜面部宽度时，对外延膜的膜厚与外端界面位错有无产生的关系进行了调查的结果。

图5所示坐标图中，记号“〇”表示没有外端界面位错，记号“×”表示有外端界面位错。表中，虚线表示外端界面位错密度变为零的边界线。

获得数据的样品如下得到。

使用相对于(0001)Si面在<11-20>方向上具有4°偏离角的4或6英寸的4H-SiC单晶基板，实行公知的研磨工序和基板表面的清洁化(蚀刻)工序。其后，作为原料气体使用硅烷和丙烷，作为载气供给氢，实行SiC外延生长工序(生长温度为1600℃、C/Si比为1.22)，将预定膜厚的SiC外延层形成于SiC单晶基板上，得到了SiC外延晶片。

在图5中，“斜面部0μm”是仅进行SiC单晶基板的倒角，进行了倒角的部分的角度超过60°的斜面，因此在斜面部的上述定义下，该部分不包括在斜面部中(因此，该SiC单晶基板中斜角部仅由外周端部构成)。

当使用了“斜面部0μm”的SiC单晶基板的情况下，在SiC外延膜的膜厚为6μm、9μm和18μm时没有外端界面位错，但在24μm、33μm时产生了外端界面位错。在24μm、33μm各自的情况下，外端界面位错的位错密度为50根/cm以上。

当使用“斜面部60μm”的SiC单晶基板的情况下(斜面部的倾斜角为25°)，在SiC外延膜的膜厚为12μm、16μm时没有外端界面位错，但在33μm时产生了外端界面位错。在33μm的情况下，外端界面位错的位错密度为24根/cm。

当使用“斜面部150μm”的SiC单晶基板的情况下(斜面部的倾斜角为23°)，在SiC外延膜的膜厚为6μm、11μm、15μm、18μm时没有外端界面位错，但在33μm时、38μm时产生了外端界面位错。在33μm时、38μm时各自的情况下，外端界面位错的位错密度分别为20根/cm、41根/cm。

当使用“斜面部170μm”的SiC单晶基板的情况下(斜面部的倾斜角为23°)，在SiC外延膜的膜厚为28μm时没有外端界面位错。

对于该样品，在图6A示出由使用共焦微分干涉光学系统的表面检查装置即共焦显微镜(Lasertec有限公司制、SICA88)得到的显微镜像，并且在图6B示出其PL像。

当使用“斜面部200μm”的SiC单晶基板的情况下(斜面部的倾斜角为11°)，在SiC外延膜的膜厚为13μm、27.5μm时没有外端界面位错，但在32μm时产生了外端界面位错。在32μm的情况下，外端界面位错的位错密度为18根/cm。

在图5中，将横轴(X轴)取作SiC外延膜的膜厚，将纵轴(Y轴)取作倾斜部的宽度，此时，将外端界面位错有无产生的推定边界线表示为直线式时，可以记为：

Y＝20X-400···(1)。

基于式(1)，以满足不等式Y>20X-400的方式加工倾斜部的宽度，并且选择SiC外延膜的膜厚，由此能够得到没有外端界面位错、或者外端界面位错密度低的SiC外延晶片。

倾斜部的宽度的加工可以采用公知方法进行。例如，可以采用等高线加工等(参照专利文献1)。

基于图5和式(1)，使用斜面部的宽度为50μm的SiC单晶基板的情况下，直到SiC外延膜的厚度为22μm为止，能够得到没有外端界面位错密度的SiC外延晶片。另外，在使用斜面部的宽度为100μm的SiC单晶基板的情况下，直到SiC外延膜的厚度为24μm为止，能够得到没有外端界面位错密度的SiC外延晶片。另外，在使用斜面部的宽度为150μm的SiC单晶基板的情况下，直到SiC外延膜的厚度为27μm为止，能够得到没有外端界面位错密度的SiC外延晶片。另外，在使用斜面部的宽度为200μm的SiC单晶基板的情况下，直到SiC外延膜的厚度为29μm为止，能够得到没有外端界面位错密度的SiC外延晶片。

图7A和图7B分别是图5示出的、倾斜部为150μm且SiC外延膜的膜厚为33μm时的样品的PL像、倾斜部为0μm且SiC外延膜的膜厚为33μm时的样品的PL像。

图7A的PL像中，能够由图8中示意地示出的L字状位错的数目来确认7根界面位错的存在。

图7B的PL像中，能够由图8中示意地示出的L字状位错的数目来确认50根以上的界面位错的存在。

本发明的SiC外延晶片中使用的4H-SiC单晶基板的偏离角为例如0.4°以上且8°以下。典型地可举出4°。

“SiC外延晶片的制造方法”

本发明一实施方式的SiC外延晶片的制造方法使用在周缘部具有斜角部的4H-SiC单晶基板，所述斜角部包含从所述主面连续的斜面部和外周端部，所述斜面部的宽度为150μm以上。

该方法可以具有：准备所述H-SiC单晶基板的工序；以及

在所述H-SiC单晶基板上形成膜厚为20μm以上的SiC外延膜的工序。形成膜厚为20μm以上的SiC外延膜的所述工序可以包括：利用所使用的基板的斜面部的宽度，求出满足式(1)的外延膜的厚度的子工序；以及将制造的SiC外延膜的厚度设定在由所述式得到的满足式(1)的外延膜的厚度以下而形成的子工序。

Y＝20X-400···(1)

(式中，Y表示倾斜的宽度(μm)，X表示外延膜的厚度(μm))

本实施方式的SiC外延晶片的制造方法中，对于使用预定的4H-SiC单晶基板，并使用上述SiC晶片(SiC基板)的配套工序以外，可以采用公知工序。另外，本发明的其他实施方式的SiC外延晶片的制造方法优选是具有以下工序的方法：

从20μm以上的范围中选择外延膜的厚度的工序；

利用选出的外延膜的厚度，求得满足式(1)的倾斜的宽度的工序，

Y＝20X-400···(1)

(式中，Y表示倾斜的宽度(μm)，X表示外延膜的厚度(μm))；

准备倾斜的宽度为由式(1)得到的倾斜的宽度值以上、且在周缘部具有斜角部的4H-SiC单晶基板的工序；以及

使用准备好的所述4H-SiC单晶基板，生长具有确定的所述厚度的外延膜的工序。

本发明的SiC外延晶片的制造方法能够合适地制造本发明的SiC外延晶片。

产业上的可利用性

本发明提供具有膜厚为20μm以上的SiC外延膜，外端界面位错的密度低的SiC外延晶片。

附图标记说明

1 SiC单晶基板

1a 主面(平坦部)

1A 斜角部

1Aa 斜面部

1Ab 外周端部

2 SiC外延层

2a 外周端

3 斜面部的宽度

4 定向平面

5 外延膜

9 TED对

10 SiC外延晶片

11 对序列

12 界面

13 基板

14 界面转移

15 基面位错

16 (0001)基底面

A 外端界面位错密度变为零的边界线Y＝20X-400