阅读说明：本技术 一种硅锗热电材料的制备方法 ([db:专利名称-en]) 是由 刘英光 任国梁 韩中合 于 2019-10-23 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种硅锗热电材料的制备方法,包括：A.在清洁的锗基板进行表面氧化,形成超薄GeO2薄膜层；B.硅以离子束的形式冲击超薄GeO<Sub>2</Sub>薄膜层的上表面,产生化学反应：Si+GeO2→SiO↑+GeO↑；在超薄GeO<Sub>2</Sub>薄膜层上形成微型阵列孔；C.通过电沉积的方法,沉积7～11层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO<Sub>2</Sub>薄膜层,电沉积的硅足以填平微型阵列孔；D.硅继续通过电沉积的方法,沉积26～66层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO<Sub>2</Sub>薄膜层,继续沉积的硅原子被困在微型阵列孔的中,导致了球形纳米晶体的形成,继续沉积,球形纳米晶体长大,形成纳米硅球层；重复上述步骤形成多层超薄GeO2薄膜层和纳米硅球层的复合层,获得硅锗热电材料；上述工艺简单、结构稳定性好。([db:摘要-en])

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