阅读说明：本技术 一种导通型双界面ic智能卡载带的生产工艺 (Production process of conduction type double-interface IC (integrated circuit) intelligent card carrier tape ) 是由 吴灏 马兴光 刘明箭 陈凯 朱晓斌 于 2019-09-10 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺,包括以下步骤：取消导线、冲孔、覆铜、烘烤蚀刻、孔壁联通、增加焊盘、压膜、双面曝光、DES、电镀、分切、成检以及出货；该工艺通过增加6个孔位,采用冲孔的方式,再采用黑孔或水平沉铜的方式将上下两面联通,焊接面的导线就可以完全取消不用,节省电金金盐的成本；邦线位置可以由原来的孔内邦线转移到焊盘位置邦线,在客户自己邦线的距离可以拉近,使用金线或合金线的距离要短,成本得到下降。(The invention discloses a production process of conduction type double-interface IC (integrated circuit) intelligent card carrier bands, which comprises the following steps of wire canceling, punching, copper covering, baking and etching, hole wall communication, pad adding, film pressing, double-sided exposure, DES (data encryption standard), electroplating, cutting, finished inspection and shipment, wherein 6 hole sites are added, the upper surface and the lower surface are communicated in a punching mode, and a black hole or horizontal copper deposition mode is adopted, so that wires on a welding surface can be completely cancelled, the cost of electric gold salt is saved, the position of a bonding wire can be transferred to the bonding wire at the position of the pad from the original in-hole bonding wire, the distance of the bonding wire of a client can be shortened, the distance of the used gold wire or alloy wire is short, and the cost is reduced.)

一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺

技术领域

本发明涉及IC智能卡载带技术领域，具体为一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺。

背景技术

现有生产IC智能卡载带的双界面，以非导通型工艺为主，现有市面还没有任何一家生产导通型双界面产品，生产制造导通型产品在生产工艺、流程、参数都与非导通型有不一样的流程和工艺参数；为此，我们提出一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺。

发明内容

本发明的目的在于提供一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺，包括以下步骤：

S1：取消导线：原有载带的接触面和焊接面都有上下两条0.8mm宽度的导线，将原有焊接面上的导线取消；

S2：冲孔：采用冲孔的方式在模具上增加6个孔位，通过孔壁联通的方式进行导电电镀，而增加的6个孔位在终端客户会对在导线连接孔位置进行打孔，可以利用冲孔后将接触面和焊接面完全分离，形成单独的导***置，而不影响后续的使用；

S3：覆铜：采用国内普通铜箔覆盖在载带表面；

S4：烘烤蚀刻：对覆盖的铜箔进行烘烤，烘烤至完全固化状态。烘干完成后将再进行图像双面同时转移的方式进行生产。蚀刻工艺是将线路显影露铜位置腐蚀掉，有干膜位置保留线路的方式进行生产。

S5：孔壁联通：采用黑孔或水平沉铜工艺的方式将上下两面联通；

S6：增加焊盘：利用孔连接导线位置，在原有焊接面增加焊盘并牵引焊盘出来，缩短邦线的长度，邦线位置直接可以打在牵引的焊盘位置；

S7：压膜：使用卷对卷压膜机对载带两面的铜面进行压膜；

S8：双面曝光：要求制作特定的曝光底片贴在曝光玻璃双面上，在紫外光下进行曝光，设有遮光区域的干膜最终将被冲掉裸露出铜面，受紫外光照射的部分将硬化，并最终着附于板面；

S9：经过双面曝光的载带送入DES，然后通过中检、电镀、分切、成检以及出货的流程，得到成品。

优选的，所述S2中模具冲孔需要控制孔壁粗糙度在30μm以内。

优选的，所述S2中焊接面同时增加8个0.5-0.6mm直径的焊点作为备用。

优选的，所述S4的蚀刻液选用硫酸体系、酸性氯化铜、碱性氯化铵药水体系。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：该导通型双界面IC智能卡载带在工艺较非导通型要多一道流程，设计上面采用上下两面通过孔导通的原理来完成，具有以下优点：

1.通过增加6个孔位，采用冲孔的方式，再采用黑孔或水平沉铜的方式将上下两面联通，焊接面的导线就可以完全取消不用，节省电金金盐的成本；

2.将原有需要依赖进口铜箔的材料，使用国内普通铜箔替代，在直接成本上面可以下降15％；

3.邦线位置可以由原来的孔内邦线转移到焊盘位置邦线，在客户自己邦线的距离可以拉近，使用金线或合金线的距离要短，成本可以下降5-8％；

4.利用孔连接导线位置，焊接面空进行增加焊盘的工艺，同时可以进行双面曝光，完全可以不用两面线路单独生产的工艺流程，节省掉1面干膜的费用及一次DES(显影、蚀刻、退膜)的流程，水电成本可以节约3-5％。

附图说明

图1为本发明冲孔孔位分布图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，本发明提供一种技术方案：

实施例1：

一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺，包括以下步骤：

S1：取消导线：原有载带的接触面和焊接面都有上下两条0.8mm宽度的导线，将原有焊接面上的导线取消，在图1中，取消的导线已详细标出；

S2：冲孔：采用冲孔的方式在现有模具上增加6个孔位，在导线连接孔位置进行打孔，最有利用客户成品冲孔的方式将接触面和焊接面完全分离，形成单独的导***置，图1中增加的6个孔位的位置已详细标出；

S3：覆铜：采用国内普通铜箔覆盖在载带表面；

S4：烘烤蚀刻：对覆盖的铜箔进行烘烤，烘烤至完全固化状态。烘干完成后将再进行图像双面同时转移的方式进行生产。蚀刻工艺是将线路显影露铜位置腐蚀掉，有干膜位置保留线路的方式进行生产。

S5：孔壁联通：采用黑孔工艺的方式将上下两面联通；

S6：增加焊盘：利用孔连接导线位置，在原有焊接面增加焊盘并牵引焊盘出来，缩短邦线的长度，邦线位置直接可以打在牵引的焊盘位置；

S7：压膜：使用卷对卷压膜机对载带两面的铜面进行压膜；

S8：双面曝光：要求制作特定的曝光底片贴在曝光玻璃双面上，在紫外光下进行曝光，设有遮光区域的干膜最终将被冲掉裸露出铜面，受紫外光照射的部分将硬化，并最终着附于板面；

S9：经过双面曝光的载带送入DES，然后通过中检、电镀、分切、成检以及出货的流程，得到成品。

进一步地，S2中模具冲孔需要控制孔壁粗糙度在30μm以内。

进一步地，S2中焊接面同时增加8个0.5mm直径的焊点作为备用。

进一步地，S4的蚀刻液选用硫酸。

实施例2：

一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺，包括以下步骤：

S1：取消导线：原有载带的接触面和焊接面都有上下两条0.8mm宽度的导线，将原有焊接面上的导线取消，在图1中，取消的导线已详细标出；

S2：冲孔：采用冲孔的方式在现有模具上增加6个孔位，在导线连接孔位置进行打孔，最有利用客户成品冲孔的方式将接触面和焊接面完全分离，形成单独的导***置，图1中增加的6个孔位的位置已详细标出；

S3：覆铜：采用国内普通铜箔覆盖在载带表面；

S4：烘烤蚀刻：对覆盖的铜箔进行烘烤，烘烤至完全固化状态。烘干完成后将再进行图像双面同时转移的方式进行生产。蚀刻工艺是将线路显影露铜位置腐蚀掉，有干膜位置保留线路的方式进行生产。

S5：孔壁联通：采用水平沉铜工艺的方式将上下两面联通；

S6：增加焊盘：利用孔连接导线位置，在原有焊接面增加焊盘并牵引焊盘出来，缩短邦线的长度，邦线位置直接可以打在牵引的焊盘位置；

S7：压膜：使用卷对卷压膜机对载带两面的铜面进行压膜；

S8：双面曝光：要求制作特定的曝光底片贴在曝光玻璃双面上，在紫外光下进行曝光，设有遮光区域的干膜最终将被冲掉裸露出铜面，受紫外光照射的部分将硬化，并最终着附于板面；

S9：经过双面曝光的载带送入DES，然后通过中检、电镀、分切、成检以及出货的流程，得到成品。

进一步地，S2中模具冲孔需要控制孔壁粗糙度在30μm以内。

进一步地，S2中焊接面同时增加8个0.6mm直径的焊点作为备用。

进一步地，S4的蚀刻液选用酸性氯化铜。

实施例3：

一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺，包括以下步骤：

S1：取消导线：原有载带的接触面和焊接面都有上下两条0.8mm宽度的导线，将原有焊接面上的导线取消，在图1中，取消的导线已详细标出；

S2：冲孔：采用冲孔的方式在现有模具上增加6个孔位，在导线连接孔位置进行打孔，最有利用客户成品冲孔的方式将接触面和焊接面完全分离，形成单独的导***置，图1中增加的6个孔位的位置已详细标出；

S3：覆铜：采用国内普通铜箔覆盖在载带表面；

S4：烘烤蚀刻：对覆盖的铜箔进行烘烤，烘烤至完全固化状态。烘干完成后将再进行图像双面同时转移的方式进行生产，蚀刻工艺是将线路显影露铜位置腐蚀掉，有干膜位置保留线路的方式进行生产。

S5：孔壁联通：采用黑孔工艺的方式将上下两面联通；

S6：增加焊盘：利用孔连接导线位置，在原有焊接面增加焊盘并牵引焊盘出来，缩短邦线的长度，邦线位置直接可以打在牵引的焊盘位置；

S7：压膜：使用卷对卷压膜机对载带两面的铜面进行压膜；

S8：双面曝光：要求制作特定的曝光底片贴在曝光玻璃双面上，在紫外光下进行曝光，设有遮光区域的干膜最终将被冲掉裸露出铜面，受紫外光照射的部分将硬化，并最终着附于板面；

S9：经过双面曝光的载带送入DES，然后通过中检、电镀、分切、成检以及出货的流程，得到成品。

进一步地，S2中模具冲孔需要控制孔壁粗糙度在30μm以内。

进一步地，S2中焊接面同时增加8个0.5mm直径的焊点作为备用。

进一步地，S4的蚀刻液选用碱性氯化氨。

以上三组实施例均可作为本发明的实施例，其中以实施例2作为最优选，本发明涉及的导通型双界面IC智能卡载带在工艺较非导通型要多一道流程，设计上面采用上下两面通过孔导通的原理来完成，具有以下优点：

1.通过增加6个孔位，采用冲孔的方式，再采用黑孔或水平沉铜的方式将上下两面联通，焊接面的导线就可以完全取消不用，节省电金金盐的成本；

2.将原有需要依赖进口铜箔的材料，使用国内普通铜箔替代，在直接成本上面可以下降15％；

3.邦线位置可以由原来的孔内邦线转移到焊盘位置邦线，在客户自己邦线的距离可以拉近，使用金线或合金线的距离要短，成本可以下降5-8％；

4.利用孔连接导线位置，焊接面空进行增加焊盘的工艺，同时可以进行双面曝光，完全可以不用两面线路单独生产的工艺流程，节省掉1面干膜的费用及一次DES(显影、蚀刻、退膜)的流程，水电成本可以节约3-5％。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。