阅读说明：本技术 天线装置 (Antenna device ) 是由 楠龟大贵 山保威 曾根孝之 塚本真规 于 2018-03-22 设计创作，主要内容包括：被搭载于地板(6)上的天线装置(1)具备天线元件(2)、基座(3)及磁性体(5)。天线元件(2)被搭载于基座(3)上。磁性体(5)被配置在所述基座(3)与地板(6)之间。(An antenna device (1) mounted on a floor (6) is provided with an antenna element (2), a base (3), and a magnetic body (5). The antenna element (2) is mounted on the base (3). The magnetic body (5) is disposed between the base (3) and the floor (6).)

天线装置

技术领域

本公开涉及一种被搭载于车身等的地板上的天线装置。

背景技术

专利文献1公开了一种被搭载于车辆上的天线装置。在该天线装置中，使与金属制基座电连接的导体板与作为地板的一个示例的车身顶棚接触。通过该结构，从而防止了在所需要的频带内出现由金属制基座具有和与车身顶棚的距离相对应的共振点所引发的不必要的共振的情况。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-32166号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在专利文献1所记载的天线装置中，虽然能够将不必要的共振逼迫至所需要的频带外，但是无法对不必要的共振的发生本身进行抑制。

本公开的目的在于，提供一种能够对不必要的共振的发生进行抑制的天线装置。

用于解决课题的方法

用于达成上述的目的的一个方式为被搭载于地板上的天线装置。该天线装置具备：

天线元件；

基座，其对所述天线元件进行搭载；

磁性体，其被配置在所述基座与所述地板之间。

也可以采用如下方式，即，所述磁性体被配置在，以对所述地板的至少一部分进行覆盖的方式而被设置的玻璃、与所述基座之间。

也可以采用如下方式，即，所述磁性体的上下方向的厚度为0.1mm以上，且所述磁性体的透磁率的虚部为10以上。

也可以采用如下方式，即，所述磁性体的上下方向的厚度为0.3mm以上，且所述磁性体的透磁率的虚部为5.5以上。

附图说明

图1为示意性地表示第一实施方式所涉及的天线装置的剖视图。

图2为用于对上述的天线装置中的磁性体的效果进行说明的、由实际测量所获得的平均增益的频率特性图。

图3为用于对上述的天线装置中的磁性体的效果进行说明的、由实际测量所获得的VSWR的频率特性图。

图4为示意性地表示图5～图8所示的模拟中所使用的天线装置的结构的图。

图5为，使磁性体的透磁率的虚部μ"的值发生了变化的情况下的、上述的天线装置的由模拟所获得的平均增益的频率特性图。

图6为，使厚于图5的示例的磁性体的透磁率的虚部μ"的值发生了变化的情况下的、上述的天线装置的由模拟所获得的平均增益的频率特性图。

图7为，使厚于图6的示例的磁性体的透磁率的虚部μ"的值发生了变化的情况下的、上述的天线装置的由模拟所获得的平均增益的频率特性图。

图8为，使磁性体的前后方向长度发生了变化的情况下的、上述的天线装置的由模拟所获得的平均增益的频率特性图。

图9为表示图5所涉及的天线装置的、由模拟所获得的、透磁率的虚部μ"与平均增益最小值的关系的特性图。

图10为表示图6所涉及的天线装置1的、由模拟所获得的、透磁率的虚部μ"与平均增益最小值的关系的特性图。

图11为示意性地表示第二实施方式所涉及的天线装置的剖视图。

具体实施方式

以下，在参照附图的同时对实施方式的示例进行详细叙述。另外，对各附图所示的相同或同等的结构要素、部件等标注相同的符号，并适当省略重复的说明。

在附图中，箭头标记F表示图示的结构的前方向。箭头标记B表示图示的结构的后方向。箭头标记U表示图示的结构的上方向。箭头标记D表示图示的结构的下方向。另外，这些方向所涉及的表现形式只不过为了便于说明而使用，并非为对天线装置的使用时的姿态进行限定的意图。

(第一实施方式)

图1为示意性地表示第一实施方式所涉及的天线装置1的剖视图。天线装置1以被搭载于车辆上的方式而被构成。更加具体而言，天线装置1以被搭载于车身顶棚等的地板6上的方式而被构成。

天线装置1具备天线元件2、基座3、供电用筒状部4及磁性体5。另外，在图1中，被配置在外装外壳和基座3上的基板及电子部件等的图示被省略。

在本示例中，天线元件2为TEL天线。天线元件2被搭载于金属制的基座3上。

供电用筒状部4从基座3起向下方延伸。供电用筒状部4被电连接在车身侧的地板6上。供电用筒状部4既可以为与基座3一体的金属部件，也可以为分体的金属部件且与基座3电连接。

磁性体5为磁性体薄片。磁性体5被设置在基座3的下表面上。磁性体5通过粘合等而被固定在基座3的下表面上。磁性体5以介于基座3与地板6之间的方式而被配置。磁性体5即可以被设置在基座3的下表面的整体上，也可以被设置在该下表面的一部分上。在磁性体5被设置在基座3的下表面的一部分上的情况下，优选为，磁性体5至少被设置在供电用筒状部4的周围。出于尺寸精度的关系考虑，基座3与地板6之间产生空隙是不可避免的，从而磁性体5以填补该空隙的方式而被设置。

图2为用于对天线装置1中的磁性体的效果进行说明的、由实际测量所获得的平均增益的频率特性图。在图2中，对于具有透磁率的虚部μ"较高的磁性体5的天线装置1、具有透磁率的虚部μ"较低的磁性体5的天线装置1、及从天线装置1中将磁性体5去掉的比较例的天线装置，而各自示出了特性。

图3为用于对天线装置1中的磁性体的效果进行说明的、由实际测量所获得的VSWR的频率特性图。在图3中，对于具有透磁率的虚部μ"较高的磁性体5的天线装置1、具有透磁率的虚部μ"较低的磁性体5的天线装置1、及从天线装置1中将磁性体5去掉的比较例的天线装置，而各自示出了特性。

在图2和图3所示的天线装置1中，作为磁性体5而使用了上下方向厚度t为0.5mm的磁性体薄片。磁性体5的透磁率的实部μ′的值在任意天线装置1中均为μ′＝10。磁性体5的透磁率的虚部μ"的值为μ"＝20(μ"较高)及μ"＝10(μ"较低)中的某一方。如图2和图3所示，天线装置1通过具有磁性体5，从而与没有磁性体5的情况相比，能够与磁性体5的透磁率的虚部μ"的值无关地对不必要的共振的发生进行抑制。

图4为示意性地表示图5～图8所示的模拟中所使用的天线装置1的结构的图。在下表面上设置了磁性体5的基座3以隔开空隙的方式而被配置在地板6的上方。另外，基座3与地板6之间的间隔为1mm。天线元件2被直立设置在基座3上。基座3与地板6通过供电用筒状部4而被相互电连接。

图5为，使磁性体5的透磁率的虚部μ"的值发生了变化的情况下的天线装置1的、由模拟所获得的平均增益的频率特性图。在各个情况下，磁性体5的前后方向长度L为60mm。磁性体5的厚度t为0.1mm。磁性体5的透磁率的实部μ′的值为μ′＝10。对磁性体5的透磁率的虚部μ"的值为μ"＝4、μ"＝5.5、及μ"＝10的情况进行了表示。

由图5明确可知，在磁性体5的厚度t为0.1mm的情况下，除了频率为800～950MHz以外，在任意μ"下，平均增益都没有较大的差。另一方面，在频率为800～950MHz处，与μ"＝4和μ"＝5.5的情况相比，μ"＝10的情况一方的平均增益大幅提高。因此，在磁性体5的厚度t为0.1mm的情况下，优选为，透磁率的虚部μ"为10以上。如果使磁性体5的厚度t大于0.1mm，则可以进一步抑制不必要的共振的发生，并会进一步提高平均增益。参照图6而对这样的示例进行说明。

图6为，使厚度t为0.3mm的磁性体5的透磁率的虚部μ"的值发生了变化的情况下的天线装置1的、由模拟所获得的平均增益的频率特性图。在各个情况下，磁性体5的前后方向长度L为60mm。磁性体5的透磁率的实部μ′的值为μ′＝10。对磁性体5的透磁率的虚部μ"的值为μ"＝4、μ"＝5.5、及μ"＝10的情况进行了表示。

由图6明确可知，在磁性体5的厚度t为0.3mm的情况下，除了频率为600～700MHz以外，在任意μ"下，平均增益都没有较大的差。另一方面，在频率为600～700MHz处，与μ"＝4的情况相比，μ"＝5.5和μ"＝10的情况一方的平均增益大幅提高。因此，在磁性体5的厚度t为0.3mm的情况下，优选为，透磁率的虚部μ"为5.5以上。如果使磁性体5的厚度t大于0.3mm，则可以进一步抑制不必要的共振的发生，并进一步提高平均增益。参照图7而对这样的示例进行说明。

图7为，使厚度t为0.5mm的磁性体5的透磁率的虚部μ"的值发生了变化的情况下的天线装置1的、由模拟所获得的平均增益的频率特性图。在各个情况下，磁性体5的前后方向长度L为60mm。磁性体5的透磁率的实部μ′的值为μ′＝10。对磁性体5的透磁率的虚部μ"的值为μ"＝4、μ"＝5.5、及μ"＝10的情况进行了表示。

由图7可知，在磁性体5的厚度t为0.5mm的情况下，除了频率为550～600MHz以外，在任意μ"下，平均增益都没有较大的差。另一方面，在频率为550～600MHz处，与μ"＝4的情况相比，μ"＝5.5和μ"＝10的情况一方的平均增益大幅提高。因此，在磁性体5的厚度t为0.5mm的情况下，优选为，透磁率的虚部μ"为5.5以上。根据以上的结果，如果使磁性体5的厚度t大于0.5mm，则可以进一步抑制不必要的共振的发生，并进一步提高平均增益。

图8为，使磁性体5的前后方向长度L发生了变化的情况下的天线装置1的、由模拟所获得的平均增益的频率特性图。在各个情况下，磁性体5的厚度t为0.1mm。磁性体5的透磁率的实部μ′的值为μ′＝10。磁性体5的透磁率的虚部μ"的值为μ"＝5.5。对磁性体5的前后方向长度L为60mm、80mm、100mm、120mm及140mm的情况进行了表示。

由图8可知，当磁性体5的前后方向长度L变长时，平均增益降低的频率会变低。因此，为了将不必要的共振逼迫至所需要的频段外，对磁性体5的前后方向长度L进行变更是有效的。

图9为表示图5所涉及的天线装置1的、在频率550MHz～1100MHz的范围处对透磁率的虚部μ"与平均增益最小值的关系进行了模拟的结果的特性图。即，磁性体5的前后方向长度L为60mm。磁性体5的厚度t为0.1mm。磁性体5的透磁率的实部μ′的值为μ′＝10。

由图9明确可知，在μ"为10以下的范围内，越提高μ"则平均增益最小值越上升。另一方面，对在μ"为10以上的范围内平均增益最小值收敛的倾向进行了表示。与对相同条件下的平均增益和频率的关系进行表示的图5的结果合并而可知，通过将磁性体5的厚度t设为0.1mm以上且将透磁率的虚部μ"设为10以上，从而获得了较高的平均增益最小值。

图10为表示图6所涉及的天线装置1的、在频率550MHz～1100MHz的范围内对透磁率的虚部μ"与平均增益最小值的关系进行了模拟的结果的特性图。即，磁性体5的前后方向长度L为60mm。磁性体5的厚度t为0.3mm。磁性体5的透磁率的实部μ′的值为μ′＝10。

由图10明确可知，在μ"为5.5以下的范围内，越提高μ"则平均增益最小值越上升。另一方面，对在μ"为5.5以上的范围内平均增益最小值收敛的倾向进行了表示。与对相同条件下的平均增益与频率的关系进行表示的图6的结果合并而可知，通过将磁性体5的厚度t设为0.3mm以上且将透磁率的虚部μ"设为5.5以上，从而获得了较高的平均增益最小值。

另外，像图7所示的示例那样，在磁性体5的厚度t＝0.5mm的情况下，透磁率的虚部μ"与平均增益最小值的关系也示出了同样的倾向。

根据以上内容，通过以介于基座3与地板6之间的方式来配置磁性体5，从而能够对不必要的共振的发生进行抑制。

(第二实施方式)

图11为示意性地表示第二实施方式所涉及的天线装置1A的剖视图。天线装置1A在基座3与地板6之间存在车身侧的玻璃7，且磁性体5介于基座3与玻璃7之间，在这一点上与第一实施方式的结构不同。玻璃7对地板6的至少一部分进行覆盖。磁性体5以填补基座3与玻璃7之间所产生的空隙的方式而被设置。根据这样的结构，也可以获得与第一实施方式所涉及的天线装置1同样的效果。

上述的各实施方式只不过为用于使本公开内容的理解变得容易的示例。上述的各实施方式所涉及的结构只要不脱离本公开的主旨，则可以被适当地变更或改良。

作为构成本申请的记载的一部分的内容，引用了于2017年6月14日被提出的日本特开2017-117005号的内容。