膜及膜的制造方法

文档序号：1618124 发布日期：2020-01-10 浏览：8次 >En<

阅读说明：本技术 膜及膜的制造方法 (Film and method for producing film ) 是由荘司秀夫田中照也真锅功于 2018-04-16 设计创作，主要内容包括：一种膜,其特征在于,25℃下的5％伸长时应力Ta为1.0MPa以上且20.0MPa以下,在将施加荷重120g/mm<Sup>2</Sup>,且以10℃/分钟的升温速度从25℃升温至160℃时的90℃下的尺寸变化率设为90℃尺寸变化率1,将90℃尺寸变化率1最大的方向设为X方向,将与X方向在膜面内正交的方向设为Y方向,将X方向的90℃尺寸变化率设为Tx1(％)时,Tx1为-10.00％以上且10.00％以下。提供具备在加热工序中能够维持平面性的程度的耐热性、和对于作为切割用粘着膜等使用而言充分的柔软性的、适合作为半导体制造工序用基材的膜。(A film characterized in that the film has a stress Ta at 5% elongation at 25 ℃ of 1.0MPa or more and 20.0MPa or less and a load applied thereto of 120g/mm 2 And the dimensional change rate at 90 ℃ when the temperature is raised from 25 ℃ to 160 ℃ at a temperature raising rate of 10 ℃/min is set to 90 ℃ dimensional change rate 1, the direction in which 90 ℃ dimensional change rate 1 is the largest is set to the X direction, the direction orthogonal to the X direction in the film surface is set to the Y direction, and the film is formed by the methodWhen the 90 ℃ dimensional change rate in the X direction is Tx1 (%), Tx1 is-10.00% or more and 10.00% or less. Provided is a film which has heat resistance to such an extent that flatness can be maintained in a heating step, and which has sufficient flexibility for use as an adhesive film for dicing or the like, and which is suitable as a substrate for a semiconductor manufacturing step.)

膜及膜的制造方法

技术领域

本发明涉及膜以及膜的制造方法。

背景技术

以往，在室温下也能够通过低荷重延伸的柔软性高的膜构件作为胶粘带等的基材、成型用的转印基材、还有压制时的缓冲材等各种制品而应用，作为用途，也面向电路、半导体的制造工序用、装饰用等广泛领域而被有效利用。

例如，在制造半导体的工序中，存在下述各种工序：在半导体晶片的图案表面粘贴半导体晶片加工用胶粘带的工序；对半导体晶片的背面进行研磨使厚度变薄的背面研磨工序；将通过该工序而使厚度变薄的半导体晶片向切割带安装的工序；从半导体晶片剥离上述半导体晶片加工用胶粘带的工序；以及通过切割将半导体晶片分割的工序等。

近年来，伴随电子设备的小型化，半导体晶片的薄型化进展，其强度降低，因此在这些制造工序中易于破损而成品率的降低成为课题。例如，要求在切割工序后，缓和在将切割用粘着膜放射状地膨胀而拾取(pick up)各个芯片的工序中产生的对半导体晶片的负荷的、柔软性优异的粘着膜。进而，作为提高粘着膜的柔软性的方法，已知例如，将以聚丙烯系树脂、烯烃系弹性体、和苯乙烯系弹性体等柔软性优异的树脂作为主成分的膜作为粘着膜的基材膜使用的方法(专利文献1)。

此外，有时使用在利用背面研磨工序进行了研磨的半导体晶片面贴合切割用粘着膜，通过热剥离将背面研磨片剥离的工序。如果此时同时被加热的切割用粘着膜的尺寸稳定性不足，则具有膜变形而产生褶皱、松弛的课题。针对这样的课题，例如作为切割带用粘着膜的基材，提出了控制了热收缩的膜(专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-119548号公报

专利文献2：日本特开2014-157964号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，专利文献1、专利文献2所记载的胶粘带所使用的基材由于为通过挤出法获得的无拉伸膜，因此具有在张力赋予下膨胀而丧失膜的平面性的课题。此外，以往，作为切割用粘着膜等的基材膜使用的无拉伸膜由于在低荷重下在加热时膜膨胀，因此难以应用于半导体制造工序用途。另一方面，双轴拉伸膜等尺寸稳定性高的膜虽然能够减轻加热时的变形，但是柔软性不足，因此同样地难以应用于该用途。这样，对于以往公知的膜，不能同时满足半导体制造工序用基材所要求的耐热性与柔软性，期望改善。

本发明的课题在于解决上述现有技术的问题，提供具备在加热工序中能够维持平面性的程度的耐热性、和对于作为切割用粘着膜等使用而言充分的柔软性的、适合作为半导体制造工序用基材的膜。

用于解决课题的方法

为了解决这样的课题，本发明包含以下构成。

(1)一种膜，其特征在于，25℃下的5％伸长时应力Ta为1.0MPa以上且20.0MPa以下，在将施加荷重120g/mm²，且以10℃/分钟的升温速度从25℃升温至160℃时的90℃下的尺寸变化率设为90℃尺寸变化率1，将90℃尺寸变化率1最大的方向设为X方向，将与X方向在膜面内正交的方向设为Y方向，将X方向的90℃尺寸变化率设为Tx1(％)时，Tx1为-10.00％以上且10.00％以下。

(2)根据(1)所述的膜，其特征在于，在将施加荷重5g/mm²，且以10℃/分钟的升温速度从25℃升温至160℃时的90℃下的尺寸变化率设为90℃尺寸变化率2，将上述X方向的90℃尺寸变化率2设为Tx2(％)时，Tx2为-10.00％以上且1.00％以下。

(3)根据(1)或(2)所述的膜，其特征在于，至少一面的面取向系数为0.0080以上且0.0800以下。

(4)根据(1)～(3)中任一项所述的膜，其特征在于，在将玻璃化转变温度为-40℃以上且40℃以下的层设为A层时，具有1层以上的A层。

(5)根据(1)～(4)中任一项所述的膜，其特征在于，在将上述Y方向的90℃尺寸变化率1设为Ty1(％)时，上述Tx1和Ty1满足下述式1。

式1：0.10≤|Tx1-Ty1|≤3.00

(6)根据(1)～(5)中任一项所述的膜，其特征在于，使膜的不同面彼此重叠而测定的静摩擦系数为0.10以上且0.80以下。

(7)根据(1)～(6)中任一项所述的膜，其特征在于，在至少一面，表面粗糙度SRa(μm)和十点平均粗糙度SRzjis(μm)满足下述式2。

式2：5.0≤SRzjis/SRa≤25.0

(8)根据(1)～(7)中任一项所述的膜，其特征在于，上述X方向和上述Y方向的90℃的热收缩应力为0.010N/mm²以上且5.000N/mm²以下。

(9)根据(1)～(8)中任一项所述的膜，其特征在于，在80℃下加热了1小时时的收缩率超过1.00％且为10.00％以下。

(10)根据(1)～(9)中任一项所述的膜，其特征在于，上述Ta和在90℃下加热了10分钟后的25℃下的5％伸长时应力Tb满足下述式3。

式3：0.85≤Tb/Ta≤1.30

(11)根据(1)～(10)中任一项所述的膜，其特征在于，在25℃下进行了50％伸长时的最大应力Ka和50％伸长时应力Kb满足下述式4。

式4：0.70≤Kb/Ka≤1.00

(12)根据(1)～(11)中任一项所述的膜，其特征在于，全部方向的90℃尺寸变化率1为-25.00％以上且10.00％以下。

(13)根据(1)～(12)中任一项所述的膜，其特征在于，全部方向的90℃尺寸变化率2为-25.00％以上且1.00％以下。

(14)根据(1)～(13)中任一项所述的膜，其特征在于，直径100μm以上的附着异物为10个/m²以下。

(15)根据(1)～(14)中任一项所述的膜，其特征在于，厚度不均为10.0％以下。

(16)一种膜的制造方法，其特征在于，是(1)～(15)中任一项所述的膜的制造方法，其具有以1.04倍以上且2.00倍以下的倍率沿至少一个方向拉伸的工序。

发明的效果

通过本发明，可以提供兼具柔软性和耐热性的膜及其制造方法，本发明的膜可以适合用作半导体制造工序用基材。

具体实施方式

本发明的膜，其特征在于，25℃下的5％伸长时应力Ta为1.0MPa以上且20.0MPa以下，在将施加荷重120g/mm²，且以10℃/分钟的升温速度从25℃升温至160℃时的90℃下的尺寸变化率设为90℃尺寸变化率1，将90℃尺寸变化率1最大的方向设为X方向，将与X方向在膜面内正交的方向设为Y方向，将X方向的90℃尺寸变化率设为Tx1(％)时，Tx1为-10.00％以上且10.00％以下。

关于本发明的膜，从提高耐热性和减轻半导体制造工序中的芯片损伤的观点考虑，25℃下的5％伸长时应力Ta为1.0MPa以上且20.0MPa以下是重要的。如果25℃下的5％伸长时应力Ta(以下，有时简称为Ta。)小于1.0MPa，则有时因为半导体晶片的质量而在加热时膜变形、在将膜进行了膨胀时不均匀地变形。另一方面，如果Ta大于20.0MPa，则有时拾取芯片时的负荷大而损伤芯片。从上述观点考虑，Ta如果为1.5MPa以上且15.0MPa以下则是更优选的，如果为2.0MPa以上且10.0MPa以下则是进一步优选的。使Ta为上述范围的方法没有特别限定，可举出例如，制成具有至少1层以上的玻璃化转变温度为-50℃以上且50℃以下的层、优选为后述的A层的流延膜的方法、将流延膜以2.00倍以下的倍率沿至少一个方向拉伸的方法等。

所谓“25℃下的5％伸长时应力Ta”，是指按照JIS K7127(1999，试验片类型2)，以300mm/分钟的试验速度测定的25℃下的5％伸长时应力。此外，所谓“25℃下的5％伸长时应力Ta为1.0MPa以上且20.0MPa以下”，是指在将与膜面平行的任意方向设为0°方向，将从0°方向与膜面平行地顺时针旋转了175°的方向设为175°方向时，在0°方向～175°方向的范围中，以5°间隔按照JIS K7127(1999，试验片类型2)以300mm/分钟的试验速度测定25℃下的5％伸长时应力，所得的36次的测定值的最大值为1.0MPa以上且20.0MPa以下。此外，评价用的样品使用150mm(测定方向)×10mm(与测定方向正交的方向)的长方形状的样品。

本发明的膜在将施加荷重120g/mm²，以10℃/分钟的升温速度从25℃升温至160℃时的90℃下的尺寸变化率设为90℃尺寸变化率1，将90℃尺寸变化率1最大的方向设为X方向，将与X方向在膜面内正交的方向设为Y方向，将X方向的90℃尺寸变化率设为Tx1(％)时，Tx1为-10.00％以上且10.00％以下是重要的。通过使Tx1为上述范围，从而能够减轻在将半导体晶片叠层而向膜施加了伸长荷重的状态下进行了加热时的变形。如果Tx1小于-10.00％，则有时由于膜的收缩而产生褶皱，此外，如果Tx1大于10.00％，则有时由于膜的膨胀而半导体晶片的固定位置变动，在后工序中发生不良状况。从上述观点考虑，如果Tx1为-10.00％以上且1.00％以下则是优选的，如果为-8.00％以上且1.00％以下则是更优选的，如果为-4.50％以上且-1.00％以下则是进一步优选的。

本发明的膜在将施加荷重5g/mm²，以10℃/分钟的升温速度从25℃升温至160℃时的90℃下的尺寸变化率设为90℃尺寸变化率2，将上述X方向的90℃尺寸变化率2设为Tx2(％)时，Tx2优选为-10.00％以上且1.00％以下。通过使Tx2为上述范围，即使在施加于膜的荷重小的情况下也能够减轻由加热引起的变形。通过使Tx2为-10.00％以上，能够减轻由膜的收缩引起的褶皱的产生。此外，通过使Tx2为1.00％以下，能够减轻起因于由膜的膨胀引起的半导体晶片的固定位置变动的后工序中的不良状况的发生。从上述观点考虑，Tx2如果为-8.00％以上且0.00％以下则是更优选的，如果为-4.50％以上且-1.00％以下则是进一步优选的。

“90℃尺寸变化率1”可以通过以下步骤测定。首先，将在室温环境下切割成15mm(测定方向)×4mm(与测定方向正交的方向)的大小的膜样品在温度25℃、相对湿度65％的气氛下静置24小时，测定该测定方向的长度(L₀)。接着，使该膜样品以荷重120g/mm²以10℃/分钟的升温速度从25℃升温至160℃，测定90℃下的该测定方向的长度(L₁)。由所得的L₀和L₁的值，通过以下的式5求出90℃尺寸变化率1。

式5：90℃尺寸变化率1(％)＝(L₁-L₀)×100/L₀。

关于用于算出90℃尺寸变化率1的尺寸的测定所使用的装置，只要不损害本发明的效果，就没有特别限制，可以使用例如，热分析装置TMA/SS6000(セイコーインスツルメンツ社制)等。X方向是：测定与膜面平行的任意方向的90℃尺寸变化率1，之后同样地测定与膜面平行地顺时针旋转每次旋转5°直到与最初选定的方向的角度达到175°为止的90℃尺寸变化率1时，90℃尺寸变化率1的值最大的方向。进而，将此时的90℃尺寸变化率1的值设为Tx1(％)。这里，所谓“90℃尺寸变化率1的值最大”，是指通过式5求出的90℃尺寸变化率1的值最大。例如，如果测定的全部方向的90℃尺寸变化率1为-5.00％～3.00％的范围，则90℃尺寸变化率1为3.00％的方向成为X方向。

但是，在通过式5求出的90℃尺寸变化率1的值最大的方向存在多个的情况下，可以分别求出从各测定方向的90℃尺寸变化率1的值减去与各测定方向正交的方向的90℃尺寸变化率1的值而获得的值的绝对值，将该绝对值在0.10％以上且3.00％以下的范围内并且最小的方向设为X方向。另外，在任何测定方向，该绝对值都为0.10％以上且3.00％以下的范围外的情况下，将该绝对值与0.10％以上且3.00％以下的范围最接近的方向设为X方向。

此外，所谓“90℃尺寸变化率2”，是指通过除了使荷重的大小为5g/mm²以外而与90℃尺寸变化率1同样的方法测定的尺寸变化率，该测定可以使用与90℃尺寸变化率1同样的装置。

关于使Tx1为-10.00％以上且10.00％以下或上述的优选范围的方法，只要不损害本发明的效果，就没有特别限定，可举出例如，将具有至少一个玻璃化转变温度为-50℃以上且50℃以下的层的流延膜以1.04倍以上且2.00倍以下的倍率沿至少一个方向拉伸的方法等。此外，关于使Tx2为-10.00％以上且1.00％以下或上述的优选范围的方法，只要不损害本发明的效果，就没有特别限定，可举出例如，将上述流延膜在70℃以上且膜熔点以下的温度下以1.04倍以上且2.00倍以下的倍率沿至少一个方向拉伸的方法等。

关于除X方向以外的方向的90℃尺寸变化率1的值，只要不损害本发明的效果，就没有特别限制。但是，从减轻在施加荷重并进行了加热时的尺寸变化的观点考虑，优选全部方向的90℃尺寸变化率1为-25.00％以上且10.00％以下，如果为-15.00％以上且1.00％以下则是优选的，如果为-10.00％以上且-1.00％以下则是进一步优选的。通过为这样的方案，从而在将半导体晶片叠层而向膜施加伸长荷重的状态下加热时，能够抑制膜的过度变形，因此可以容易地实现半导体制造工序中必要的尺寸稳定性。

关于除X方向以外的方向的90℃尺寸变化率2的值，也只要不损害本发明的效果，就没有特别限制。但是，从即使在施加于膜的荷重小的情况下也减轻加热时的尺寸变化的观点考虑，优选全部方向的90℃尺寸变化率2为-25.00％以上且1.00％以下，如果为-15.00％以上且0.00％以下则是优选的，如果为-10.00％以上且-1.00％以下则是进一步优选的。通过为这样的方案，从而即使在将半导体晶片叠层而向膜施加小的荷重的状态下进行了加热时，也能够抑制膜的过度变形，因此可以容易地实现半导体制造工序中必要的尺寸稳定性。

本发明的膜优选至少一面的面取向系数为0.0080以上且0.0800以下。面取向系数为表示膜面内的聚合物的取向程度的指标，面取向系数越大则意味着处于越高取向状态。这里所谓面取向系数(fn)，是指通过以下方法测定的面取向系数。首先，将与膜面平行的任意方向设为α，将与其在膜面内正交的方向设为β，将与α和β正交的方向(厚度方向)设为γ，用阿贝折射率计测定各方向的折射率(nα、nβ、nγ)。使用所得的各值，通过下述式6求出膜面上的2个方向为α、β时的面取向系数(fn₀)。

式6：fn₀＝(nα+nβ)/2-nγ。

接着，γ固定地将α、β分别维持与膜面的平行性的同时顺时针旋转每次5°而设为nα5、nβ5，用阿贝折射率计测定各方向的折射率(nα5、nβ5、nγ)，将上述式6的nα置换成nα5，将nβ置换成nβ5，求出膜面上的2个方向为α5、β5时的面取向系数(fn₅)。以下，同样地反复进行同样的测定直到膜面上的2个方向变为α85、β85为止。所得的fn₀～fn₈₅的18次的测定值的平均值成为面取向系数(fn)。

在面取向系数小于0.0080，即，无取向或无限地接近于无取向的状态的膜的情况下，虽然柔软性充分，但有时耐热性差。另一方面，如果面取向系数超过0.0800，则取向的程度变高，因此耐热性优异，另一方面，有时柔软性变得不充分。从同时满足膜的柔软性和耐热性的观点考虑，本发明的膜的至少一面的面取向系数更优选为0.0120以上且0.0600以下，进一步优选为0.0150以上且0.0400以下。

关于使本发明的膜的至少一面的面取向系数为0.0080以上且0.0800以下或上述的优选范围的方法，只要不损害本发明的效果，就没有特别限定，可举出例如，将流延膜以1.04倍以上且2.00倍以下的倍率沿至少一个方向拉伸的方法。通过以这样的低倍率进行拉伸，可以以不损害膜的柔软性的程度使树脂的分子取向。从上述观点考虑，在沿双轴以上的方向拉伸的情况下，使各方向的拉伸倍率相乘的面积拉伸倍率优选为1.20倍以上且1.80倍以下，更优选为1.40倍以上且1.70倍以下。

本发明的膜优选在将玻璃化转变温度为-40℃以上且40℃以下的层设为A层时，具有至少1层以上的A层。通过具有A层，膜即使在室温下也具有充分的柔软性。此外，通过与后述的以1.04倍以上且2.00倍以下的倍率的拉伸的组合，能够将分子的取向状态控制在实现作为本发明的目的的柔软性和耐热性的适当范围。这里所谓玻璃化转变温度，是指按照JISK7121(2012)，基于采用差示扫描量热测定(DSC)的热量变化的测定(DSC法)而求出的温度。从同时满足柔软性和耐热性的观点考虑，A层的玻璃化转变温度如果为-25℃以上且20℃以下则是更优选的，如果为-10℃以上且5℃以下则是进一步优选的。

关于本发明的膜所使用的树脂，只要不损害本发明的效果，就没有特别限定，例如，可以将聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯、聚芳酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚砜、聚醚砜、氟树脂、聚醚酰亚胺、聚苯硫醚、聚氨酯、和环状烯烃系树脂等单独或组合多个使用。其中，从膜的操作性、尺寸稳定性、制造时的经济性的观点考虑，优选使用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯、聚丙烯等聚烯烃。

在本发明中所谓聚酯，为使主链中的主要键为酯键的高分子的总称。通常，聚酯可以通过使二羧酸成分与二醇成分进行缩聚反应而获得。

关于用于获得聚酯的二羧酸成分，只要不损害本发明的效果，就没有特别限制，可以使用例如，对苯二甲酸、间苯二甲酸、邻苯二甲酸、2,6-萘二甲酸、二苯基二甲酸、二苯基砜二甲酸、二苯氧基乙烷二甲酸、5-磺酸钠二甲酸等芳香族二羧酸、草酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、二聚酸、马来酸、富马酸等脂肪族二羧酸、1,4-环己烷二甲酸等脂环族二羧酸、对羟基苯甲酸等羟基羧酸等各成分。此外，二羧酸成分可以为二羧酸酯衍生物成分，也可以使用上述二羧酸化合物的酯化物例如对苯二甲酸二甲酯、对苯二甲酸二乙酯、对苯二甲酸2-羟基乙基甲基酯、2,6-萘二甲酸二甲酯、间苯二甲酸二甲酯、己二酸二甲酯、马来酸二乙酯、二聚酸二甲酯等各成分。

此外，关于用于获得聚酯的二醇成分，只要不损害本发明的效果，就没有特别限制，可以使用例如，乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇等脂肪族二羟基化合物、二甘醇、聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等聚氧亚烷基二醇、1,4-环己烷二甲醇、螺环二醇等脂环族二羟基化合物、双酚A、双酚S等芳香族二羟基化合物等各成分。其中，从同时满足柔软性与耐热性、和操作性方面考虑，优选使用乙二醇、1,4-丁二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇、1,4-环己烷二甲醇、和聚丁二醇的各成分。

关于这些二羧酸成分、二醇成分，只要不损害本发明的效果，就可以并用2种以上。

作为在本发明中可以优选使用的聚烯烃，可举出例如，显示全同立构或间同立构的立构规整性的丙烯的均聚物、丙烯/α-烯烃共聚物等。作为上述α-烯烃的具体例，可举出例如，乙烯、1-丁烯、1-戊烯、3-甲基戊烯-1、3-甲基丁烯-1、1-己烯、4-甲基戊烯-1、5-乙基己烯-1、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯、乙烯基环己烯、苯乙烯、烯丙基苯、环戊烯、降冰片烯、5-甲基-2-降冰片烯等。另外，关于丙烯/α-烯烃共聚物，从使加工时的操作良好的观点考虑，在将构成聚合物的全部构成单元设为100摩尔％时，优选包含多于50摩尔％的丙烯单元。此外，关于丙烯/α-烯烃共聚物，只要不损害本发明的效果，就可以为2元系、3元系、和4元系中的任一者，可以为无规共聚物和嵌段共聚物中的任一者。这些丙烯均聚物、和丙烯/α-烯烃共聚物可以在不损害本发明的目的的范围内混合使用多种。

此外，从使膜的柔软性提高的目的考虑，在聚烯烃中掺混烃系弹性体也是优选的方案。作为烃系弹性体，可举出苯乙烯/丁二烯共聚物(SBR)、苯乙烯/异丁烯/苯乙烯共聚物(SIS)、苯乙烯/丁二烯/苯乙烯共聚物(SBS)、氢化苯乙烯/丁二烯共聚物(HSBR)等苯乙烯/共轭二烯系共聚物、它们的氢化物、苯乙烯/乙烯/丁烯/苯乙烯共聚物(SEBS)、苯乙烯/异丁烯共聚物、和它们的混合物等。关于这些烃系弹性体，只要不损害本发明的效果，就可以仅使用1种，也可以并用2种以上。

关于使A层的玻璃化转变温度为-40℃以上且40℃以下或上述的优选范围的方法，只要不损害本发明的效果，就没有特别限定，但作为构成A层的树脂，可举出使用玻璃化转变温度为-40℃以上且40℃以下或在上述的优选范围内的树脂的方法。通过使构成A层的树脂为玻璃化转变温度高的树脂、提高玻璃化转变温度高的树脂在构成A层的树脂整体中所占的比率，可以使A层的玻璃化转变温度高。

从使耐热性提高，并且减轻由半导体晶片的重量引起的变形的观点考虑，本发明的膜优选在将Y方向的90℃尺寸变化率1设为Ty1(％)时，Tx1和Ty1满足下述式1。

式1：0.10≤|Tx1-Ty1|≤3.00。

关于本发明的膜，只要不损害其效果，就可以为单层膜也可以为2层以上的叠层膜。在3层构成的情况下从生产性的观点考虑，优选使两表层的组成相同、使两表层的叠层厚度相等。

关于本发明的膜，从提高制造时的操作性、拉伸精度、和减轻表面的损伤的发生的观点考虑，优选使膜的不同面彼此重叠而测定的静摩擦系数为0.10以上且0.80以下。这里所谓静摩擦系数，是指按照JISK7125(1999)，将2片膜以相反侧面彼此重叠的方式配置，以100mm/分钟的速度进行摩擦而测定的静摩擦系数。通过使膜的不同面彼此重叠而测定的静摩擦系数为上述范围，从而制造时的操作变得良好，能够使利用辊进行拉伸时的拉伸精度提高，并且也可以减轻表面的损伤的发生。在本发明的膜的制造工序中，要求如上所述将拉伸倍率适当控制在低的区域。如果静摩擦系数超过0.80，则特别是在与辊的摩擦变得过剩的情况下，有时拉伸倍率与设计相比变高、在膜表面产生损伤。如果静摩擦系数小于0.10，则有时易于发生辊的卷偏移，生产性降低。从上述观点考虑，使膜的不同面彼此重叠而测定的静摩擦系数更优选为0.10以上且0.70以下，进一步优选为0.10以上且0.60以下。

作为使静摩擦系数为0.10以上且0.80以下或上述的优选范围的方法，只要不损害本发明的效果，就没有特别限定，可举出在膜为单层构成的情况下使膜中，在膜为叠层构成的情况下使至少一侧的最表层含有平均粒径为1μm以上且10μm以下的无机粒子和/或有机粒子的方法等。更具体而言，通过增加这些粒子的含量，可以减小静摩擦系数。另外，这里所谓平均粒径，是体积平均粒径。此外，也优选使用在聚烯烃中掺混结晶性不同的烃系弹性体等的方法。通过掺混结晶性不同的树脂，从而可以通过浇铸时的结晶生长、拉伸性的差异而使表面形成微细的凹凸，使静摩擦系数为优选的范围。

作为粒子，可以使用例如，湿式和/或干式二氧化硅、胶态二氧化硅、硅酸铝、氧化钛、碳酸钙、磷酸钙、硫酸钡、氧化铝、云母、高岭土、粘土、羟基磷灰石等无机粒子、以将苯乙烯、有机硅、丙烯酸、甲基丙烯酸、二乙烯基苯等聚合而得的物质、聚酯、聚酰胺等作为构成成分的有机粒子等。其中，优选使用湿式和/或干式二氧化硅、氧化铝等无机粒子、以将苯乙烯、有机硅、丙烯酸、甲基丙烯酸、二乙烯基苯等聚合而得的物质、聚酯、聚酰胺等作为构成成分的有机粒子等。作为粒子，可以将内部粒子、无机粒子、有机粒子分别并用2种以上，或将内部粒子、无机粒子、有机粒子组合而并用2种以上。

此外，粒子的含量相对于构成膜的最表层的树脂组合物整体，优选为0.01～5质量％的范围，更优选为0.03～3质量％。在小于0.01质量％的情况下，有膜卷绕变难的可能性，如果超过5质量％则产生由粗大突起引起的光泽度的降低、透明性和制膜性的恶化等的可能性。

本发明的膜优选在至少一面，表面粗糙度SRa(μm)和十点平均粗糙度SRzjis(μm)满足下述式2。

式2：5.0≤SRzjis/SRa≤25.0。

通过为这样的方案，可以提高膜表面的凹凸形状的均匀性，使粘着加工时的膜与粘着层的密合性良好。通过使SRzjis/SRa为25.0以下，可以减轻由粗大突起引起的与粘着层的密合阻碍、缩短粘着层加工时的老化时间而使生产性提高。此外，使SRzjis/SRa小于5.0由于在制膜中发生滑动因此在通常使用的制造方法中难以实现，即使可以实现也有时发生粘连等。从上述观点考虑，SRzjis/SRa如果为5.0以上且22.0以下则是更优选的，如果为5.0以上且18.0以下则是进一步优选的。

关于使SRzjis/SRa为5.0以上且25.0以下或上述的优选范围的方法，只要不损害本发明的效果，就没有特别限定，可举出例如通过掺混结晶性不同的树脂而形成突起，将所得的流延膜以1.04倍以上且2.00倍以下的低倍率沿至少一个方向拉伸的方法等。具体而言，例如，通过在先前描述的聚烯烃中掺混烃系弹性体，在上述的范围使拉伸倍率大，从而可以使SRzjis/SRa小。通过以这样的低倍率拉伸，从而容易控制突起尺寸和突起数使其均匀。此外，通过拉伸也提高分子的取向度，因此也可以提高突起的强度而降低起因于工序中的刮削的表面形状的变化。此外，作为使SRzjis/SRa为5.0以上且25.0以下或上述的优选范围的方法，也可以采用使拉伸为2阶段以上的多阶段的方法、进行同时双轴拉伸的方法。

本发明的膜优选X方向和Y方向的90℃的热收缩应力为0.010N/mm²以上且5.000N/mm²以下。通过为这样的方案，从而即使在如将晶片叠层的情况那样向膜施加荷重的状态下，也能够减轻加热时膜的伸长、膨胀变形。通过使90℃下的热收缩应力为0.010N/mm²以上，可以减轻由加热时的尺寸变化引起的晶片的位置精度的降低、起因于面内的收缩变形的褶皱的发生。此外，通过使90℃下的热收缩应力为5.000N/mm²以下，能够减轻通过收缩而在晶片密合面产生的应力所引起的晶片的剥离、破损。从上述观点考虑，X方向和Y方向的90℃的热收缩应力如果为0.030N/mm²以上且4.000N/mm²以上则是更优选的，如果为0.050N/mm²以上且3.300N/mm²以上则是进一步优选的。

这里，90℃的热收缩应力可以通过以下方法测定。首先，将15mm(测定方向)×4mm(与测定方向正交的方向)的膜在温度25℃、相对湿度65％的气氛下静置24小时而作为样品。接着，使该样品以10℃/分钟的升温速度从25℃升温至160℃，测定90℃的时刻的热收缩应力，将其设为90℃的热收缩应力。另外，测定开始时的荷重设为5g/mm²。90℃的热收缩应力的测定所使用的装置只要是能够进行上述测定，就可以没有特别限制地适当选择，可以使用例如TMA/SS6000(セイコーインスツルメンツ社制)。

关于使X方向和Y方向的90℃的热收缩应力为0.010N/mm²以上且5.000N/mm²以下或上述的优选范围的方法，只要不损害本发明的效果，就没有特别限定，可举出例如利用具有至少1层以上的A层的流延膜，使A层的玻璃化转变温度为-30℃以上且40℃以下，并且以1.04倍以上且2.00倍以下的倍率沿至少一个方向拉伸的方法等。

本发明的膜优选在80℃下加热了1小时时的收缩率超过1.00％且为10.00％以下。通过为这样的方案，从而即使在低温下的加热工序中也能够减轻加热时的变形。在80℃下加热了1小时时的收缩率为1.00％以下的情况下，有时难以抑制加热时的尺寸变化。此外，在80℃下加热了1小时时的收缩率大于10.00％的情况下，有时在粘着加工工序等中加热时收缩，在之后的半导体制造工序中加热时尺寸变化变大。在80℃下加热了1小时时的收缩率更优选为2.00％以上且8.00％以下，进一步优选为3.00％以上且6.00％以下。关于使在80℃下加热了1小时时的收缩率超过1.00％且为10.00％以下或上述的优选范围的方法，只要不损害本发明的效果，就没有特别限定，可举出例如将流延膜以1.40倍以上且2.00倍以下的倍率沿至少一个方向拉伸的方法等。

本发明的膜优选Ta和在90℃加热了10分钟后的25℃下的5％伸长时应力Tb满足下述式3。

式3：0.85≤Tb/Ta≤1.30。

Tb/Ta满足式3意味着加热后的伸长特性的变化小。通过为这样的方案，从而膜即使在加热工序后进行膨胀的情况下也可以优选使用。从上述观点考虑，Tb/Ta更优选为0.85以上且1.23以下，进一步优选为0.85以上且1.15以下。关于使Tb/Ta为0.85以上且1.30以下或上述的优选范围的方法，只要不损害本发明的效果，就没有特别限定，可举出例如对流延膜在70℃以上且膜的熔点以下的温度下进行加热处理的方法等。加热处理可以通过辊退火、拉幅方式等以往公知的方法进行，此外，只要不损害本发明的效果，就可以与加热同时进行拉伸。

本发明的膜优选在25℃下进行了50％伸长时的最大应力Ka和50％伸长时应力Kb满足下述式4。

式4：0.70≤Kb/Ka≤1.00。

Kb/Ka满足式4意味着在室温下将膜伸长时，屈服点应力小或实质上不产生。在屈服点应力高的情况下，有时厚度不均、在膨胀时的中央部和端部的应力不均易于影响伸长的程度，面内的伸长的均匀性降低。因此，通过为这样的方案，可以使面内的伸长的均匀性更加提高。从上述观点考虑，Kb/Ka更优选为0.80以上且1.00以下，进一步优选为0.90以上且1.00以下。关于使Kb/Ka为优选范围的方法，只要不损害本发明的效果，就没有特别限定，可举出例如将流延膜以面积倍率1.04倍以上且2.00倍以下的倍率进行双轴拉伸的方法。

关于本发明的膜，从减轻晶片切割中的成品率的降低的观点考虑，直径100μm以上的附着异物优选为10个/m²以下，更优选为2个/m²以下。这里所谓异物的直径，是指异物的轮廓上的2点间的距离并且其值为最大时的值。通过直径100μm以上的附着异物为10个/m²以下，可以在晶片切割时抑制碎屑的发生，减轻成品率的降低。关于使直径100μm以上的附着异物为10个/m²以下或上述的优选范围的方法，只要不损害本发明的效果，就没有特别限定，可举出提高制膜室的洁净度的方法、在制膜线中设置粘着辊、除尘器而除去附着异物的方法、使用烘箱在热风环境下进行拉伸的方法等。另外，直径100μm以上的附着异物的个数越少越优选，其下限为0个/m²是最优选的。

直径100μm以上的附着异物个数可以通过以下步骤测定。首先，在暗室使用3波长荧光灯的反射光进行目视检查，提取膜样品上的异物。在观察到异物的情况下，将该异物用电子显微镜进行放大观察而测定长径的长度，仅再次提取长径长度为100μm的异物。然后，将提取的异物的个数除以膜样品的面积，求出直径100μm以上的附着异物个数(个/m²)。

关于本发明的膜，从减轻晶片切割中的成品率的降低的观点考虑，厚度不均优选为10.0％以下。通过使厚度不均为10.0％以下，从而由晶片切割时的松动引起的碎屑的发生频率变低而减轻成品率的降低，并且膨胀时的均匀性提高。从上述观点考虑，如果厚度不均为8.0％以下则是更优选的。关于使厚度不均为10.0％以下或上述的优选范围的方法，只要不损害本发明的效果，就没有特别限定，可举出例如以1.04倍以上且2.00倍以下的拉伸倍率进行拉伸的方法等。通过在这样的条件下拉伸，可以抑制柔软性的降低同时减轻厚度不均。如果拉伸倍率小于1.04则不易消除流延膜的厚度不均，此外，如果拉伸倍率为2.00倍以上则有时厚度不均扩大。另外，厚度不均越小越优选，其下限为0.0％是最优选的。作为拉伸条件，也优选使用使拉伸温度为90℃以上且膜的熔点以下，使拉伸张力降低的方法。

接下来，对本发明的膜的制造方法进行说明。本发明的膜的制造方法的特征在于，具有以1.04倍以上且2.00倍以下的倍率沿至少一个方向拉伸的工序。通过为这样的方案，加热时的尺寸稳定性提高。从上述观点考虑，优选具有以1.20倍以上且1.80倍以下的倍率沿至少一个方向拉伸的工序，更优选具有以1.40倍以上且1.70倍以下的倍率沿至少一个方向拉伸的工序。此外，在本发明的膜的制造方法中，只要不损害本发明的效果，就可以将膜进行双轴拉伸。

以下，举出由聚酯形成的单层膜作为例子，对本发明的膜的制造方法具体地说明，但本发明不限定于这样的例子而解释。

首先，将聚酯供给到双螺杆挤出机进行熔融挤出。此时，优选使挤出机内为流通氮气气氛下，使氧浓度为0.7体积％以下，挤出温度控制在比聚酯的熔点高20～30℃的范围。接着，通过过滤器、齿轮泵分别进行异物的除去、挤出量的匀称化，从T型模在冷却鼓上片状地排出。此时，通过使用施加了高电压的电极通过静电使冷却鼓与树脂密合的静电施加法、在流延鼓与挤出的聚合物片间设置水膜的浇铸法、使流延鼓温度为聚酯的玻璃化转变点-20℃以上且玻璃化转变温度以下而使挤出的聚合物粘着的方法、或将这些方法多种组合的方法，来使片状聚合物与流延鼓密合，进行冷却固化，获得流延膜。在这些浇铸法中，从生产性、平面性的观点考虑，优选使用静电施加法。

在本发明的膜的制造方法中，从赋予加热时的尺寸稳定性的目的考虑，以1.04倍以上且2.00倍以下的倍率沿至少单轴方向拉伸。沿单轴方向拉伸的情况下的拉伸倍率优选为1.20倍以上且1.80倍以下，更优选为1.40倍以上且1.70倍以下。此外，在将膜沿双轴方向拉伸的情况下，使面积倍率为上述范围是优选的方案。此外，拉伸速度期望为100％/分钟以上且200,000％/分钟以下。拉伸能够在室温以上的任意温度下进行，但优选为20℃以上且160℃以下，优选在拉伸前预热1秒以上。此外，拉伸可以通过在将流延膜沿长度方向拉伸后沿宽度方向拉伸、或在沿宽度方向拉伸后沿长度方向拉伸的逐次双轴拉伸方法，或沿膜的长度方向和宽度方向几乎同时拉伸的同时双轴拉伸法，和仅沿长度方向或宽度方向进行拉伸的单轴拉伸法等来进行。这里，所谓长度方向是指膜的移动方向，所谓宽度方向是指与膜面平行并且与长度方向正交的方向。另外，关于拉伸，只要不损害本发明的效果，就可以以一阶段进行也可以以多阶段进行。

进一步，可以在拉伸后进行膜的热处理。热处理可以通过在烘箱中、进行了加热的辊上等以往公知的任意方法进行。该热处理优选在拉伸温度以上且拉伸温度+50℃以下的温度下进行。这里所谓热处理的温度，是指在拉伸后进行的热处理温度之中，最高温的温度。此外，热处理时间可以在不使特性恶化的范围内任意选择。

进行了热定形的膜在被冷却后，被卷绕为中间制品卷。进一步，可以从中间制品卷将膜解卷，以成为所希望的宽度的方式与长度方向平行地切断进行卷绕而获得最终制品卷。另外，从一条中间制品卷获得的最终制品卷可以为一条也可以为多条。

本发明的膜控制室温下的拉伸特性和高温化下的尺寸变化特性。因此，本发明的膜兼具柔软性和耐热性，可以适合用作半导体制造工序用基材等。

实施例

以下，通过实施例详细地说明本发明。另外，特性通过以下方法进行了测定、评价。

(1)25℃下的5％伸长时应力Ta

按照JIS K7127(1999，试验片类型2)，使用(株)オリエンテック社制膜强伸度测定装置(AMF/RTA-100)，在25℃、65％RH下测定。首先，将相对于任意方向切成长度150mm、宽度10mm尺寸的样品以原长50mm、拉伸速度300mm/分钟进行拉伸，求出5％伸长时应力Ta(单位：MPa)。另外，对一个样品进行5次同样的测定，算出平均值。进一步，使方向顺时针地每次5°地变化并同样地测定，将0°～175°的各方向的值的最大值设为25℃下的5％伸长时应力Ta(MPa)。

(2)90℃尺寸变化率1(Tx1、Ty1)

首先，将在室温环境下切割成15mm(测定方向)×4mm(与测定方向正交的方向)大小的膜样品在温度25℃、相对湿度65％的气氛下静置24小时，测定了该测定方向的长度(L₀)。接着，使该膜样品以荷重120g/mm²以10℃/分钟的升温速度从25℃升温至160℃，测定了90℃下的该测定方向的长度(L₁)。由所得的L₀和L₁的值，通过以下的式5求出该膜样品的90℃尺寸变化率1。

式5：90℃尺寸变化率1(％)＝(L₁-L₀)×100/L₀。

另外，测定方向任意选定，对选定的测定方向进行5次测定，将所得的测定值的平均值设为该方向的90℃尺寸变化率1(％)。进一步使测定方向顺时针旋转5°进行同样的测定，同样地求出直到旋转角度达到175°为止的各方向的90℃尺寸变化率1(％)的值。将所得的值的最大值定义为Tx1(％)，将获得了Tx1(％)的方向定义为X方向。进一步，将与X方向在面内正交的方向定义为Y方向，由通过先前测定而获得的值确定Y方向的尺寸变化率Ty1(％)。

(3)90℃尺寸变化率2(Tx2)

使测定时的荷重为5g/mm²，使测定方向为X方向，除此以外，与(2)所记载的方法同样地进行测定，将所得的值设为Tx2(％)。另外，这里所谓X方向，与(2)中特定的X方向相同。

(4)面取向系数

使用具备偏振器的アタゴ(株)制阿贝折射率计4T测定膜各方向的折射率，用下式求出面取向系数。光源使用了卤灯，上部棱镜使用了折射率1.740的棱镜，浸液使用了二碘甲烷(折射率1.740)。此外，测定使用在23℃、65RH％环境下进行了24小时调温调湿的样品，在该环境下对膜两面实施。测定首先将与膜面平行的任意方向设为α，将与其在膜面内正交的方向设为β，将与α和β正交的方向(厚度方向)设为γ，用阿贝折射率计测定各方向的折射率(nα、nβ、nγ)。使用所得的各值，通过下述式6求出膜面上的2个方向为α、β时的面取向系数(fn₀)。

式6：fn₀＝(nα+nβ)/2-nγ。

接着，γ固定地将α、β分别维持与膜面的平行性的同时顺时针旋转每次5°而设为nα5、nβ5，用阿贝折射率计测定各方向的折射率(nα5、nβ5、nγ)，将上述式6的nα置换成nα5，将nβ置换成nβ5，求出膜面上的2个方向为α5、β5时的面取向系数(fn₅)。以下，同样地重复进行同样的测定直到膜面上的2个方向变为α85、β85为止。将所得的fn₀～fn₈₅的18次的测定值的平均值设为面取向系数(fn)。

(5)各层的玻璃化转变温度

使用差示量热分析(DSC)，按照JIS K7121(2012)，在氮气气氛下，在-120℃下保持5分钟后，以20℃/分钟的速度使测定样品升温至250℃为止，由其测定结果通过下述式7算出。

式7：玻璃化转变温度＝(外推玻璃化转变开始温度+外推玻璃化转变结束温度)/2

装置：セイコー電子工業(株)制ロボットDSC-RDC220

数据解析系统：ディスクセッションSSC/5200

样品质量：5mg

在膜具有叠层构成的情况下，首先，使用透射型电子显微镜H-7100FA型((株)日立制作所制)，在加速电压75kV的条件下，将使用切片机切出的膜的厚度方向截面放大到40,000倍拍摄图像，进行了层构成的特定和各层的厚度的测定。另外，根据情况，为了提高各层的对比度，利用使用了RuO₄、OsO4等的公知的染色法。从所得的各层厚度的值，采取与各层对应的深部分的样品，通过上述方法进行了各层的玻璃化转变温度的测定。

另外，测定的结果是，在确认到多个玻璃化转变温度的情况下，采用利用以下方法获得的值作为该层的玻璃化转变温度。首先，利用上述方法测定膜的玻璃化转变温度，将所得的测定值按照温度低的顺序设为Tg1、Tg2……Tgn。接着，按照JIS K7244(1999)，使用セイコーインスツルメンツ社制的动态粘弹性测定装置“DMS6100”求出膜的每个温度的tanδ，使给出极大值的温度按照低的顺序与Tg1、Tg2……Tgn对应。Tg1、Tg2……Tgn之中，将与各层对应的值进行了分离时，采用tanδ的值最大的温度作为该层的玻璃化转变温度。此外，动态粘弹性测定的测定条件为拉伸模式，驱动频率为1Hz，夹盘间距离为5mm，升温速度为2℃/min。

(6)层构成的特定

由(5)中测定的膜各层的玻璃化转变温度，特定了A层和其以外的层(表述为B层。)。

(7)静摩擦系数

使用東レ式滑动试验机200G-15C(MAKINO SEISAKUSHO制)，按照JIS K7125(1999)，将2片膜以一个面与其相反侧的面接触的方式配置，进行了摩擦，测定3次此时的值，将其平均值设为静摩擦系数。

(8)表面粗糙度SRa、十点平均粗糙度SRzjis

使用触针法的高精细微细形状测定仪(3维表面粗糙度计)，按照JISB0601(2001)，在下述条件下进行了样品表面的3维表面粗糙度的测定。然后，使用内置于测定仪的解析系统(型号TDA-31)算出表面粗糙度SRa、十点平均粗糙度SRzjis。

测定装置：3维微细形状测定仪(型号ET-4000A)(株)小坂研究所制

解析设备：3维表面粗糙度解析系统(型号TDA-31)

触针：前端半径0.5μmR，直径2μm，金刚石制

针压：100μN

测定方向：膜长度方向，膜宽度方向各1次(测定后算出两者的平均值)

X测定长度：1.0mm

X输送速度：0.1mm/s(测定速度)

Y输送间距：5μm(测定间隔)

Y线数：81条(测定条数)

Z倍率：20倍(纵倍率)

低域截止：0.20mm(起伏截止值)

高域截止：R+Wmm(粗糙度截止值)，所谓R+W是指不截止。

过滤器方式：高斯空间型

矫正：有(倾斜校正)

基准面积：1mm²。

(9)90℃的热收缩应力

使用TMA/SS6000(セイコーインスツルメンツ社制)，将在温度25℃、相对湿度65％静置了24小时的、15mm(测定方向)×4mm(与测定方向正交的方向)的膜进行L组装以控制模式、以10℃/分钟的升温速度从25℃升温至160℃为止，求出90℃下的热收缩应力。另外，测定开始时的荷重设为5g/mm²。此外，测定方向设为(2)中特定的X方向和Y方向。

(10)在80℃下加热了1小时时的收缩率

将膜在80℃下加热1小时，由加热前的尺寸和加热后的尺寸，通过下述式8算出。另外，各尺寸通过JIS K7133(1999)所规定的方法测定。

式8：收缩率(％)＝(加热前的尺寸-加热后的尺寸)/加热前的尺寸×100。

(11)在90℃下加热了10分钟后的25℃下的5％伸长时应力Tb

使用了在预先设定为90℃的烘箱内静置了10分钟的测定样品，除此以外，与(1)同样地测定25℃下的5％伸长时应力，将所得的值设为Tb。

(12)在25℃下进行了50％伸长时的最大应力Ka与50％伸长时应力Kb之比

利用(1)所记载的方法进行膜的拉伸试验，获得了50％伸长时应力。进而，从通过测定而获得的应力应变曲线的伸长率50％以下的领域中的应力值的最大值读取进行了50％伸长时的最大应力。使用同一测定方向的样品进行5次同样的测定，关于50％伸长时应力和进行了50％伸长时的最大应力，分别算出平均值，将所得的值设为该测定方向的进行了50％伸长时的最大应力Ka、和50％伸长时应力Kb，算出该方向的Ka与Kb之比(Kb/Ka)。进一步，将测定方向顺时针变化每次5°而重复进行同样的测定，算出从0°(最初的测定方向)到175°的各方向的Ka与Kb之比，采用全部方向的平均值。

(13)直径100μm以上的附着异物的数目

在卷状样品的宽度方向中央部切出1m(宽度方向)×10m(长度方向)的膜作为样品，在暗室使用3波长荧光灯的反射光进行了目视检查。在观察到异物的情况下，用电子显微镜(LEICA DMLMライカマイクロシステムズ(株)制)以100倍的倍率观察该异物，通过显微镜的测长功能测定了异物的长径的长度。将异物之中的长径的长度为100μm以上的异物的个数设为C个，以下述式9换算而作为直径100μm以上的附着异物的数目(个/m²)。另外，在膜的尺寸小于上述尺寸的情况下，将膜整体作为样品进行了目视检查。

式9：直径100μm以上的附着异物的数目(个/m²)＝C(个)/10(m²)。

(14)厚度不均

从卷状样品的宽度方向中央部、和两端部位置将膜切出10片10cm×10cm作为评价用的样品。关于各样品，沿长度方向测定5点、沿宽度方向测定5点总计10点的厚度，由其平均值、最大值、最小值按照下述式10求出厚度不均。

式10：厚度不均(％)＝(厚度的最大值-厚度的最小值)/厚度的平均值

关于所得的宽度方向位置3点(两端部、中央部)的各10个样品的厚度不均的值，算出平均值作为厚度不均而采用。另外，在膜为片样品的情况下，在片上的任意位置切出30片10cm×10cm，算出各样品的厚度不均的平均值而作为厚度不均采用。

(15)均匀拉伸性

对任意切出的300mm×300mm的正方形的膜，与一组边平行地以30mm间隔引出9条直线，进一步与另一组边平行地以30mm间隔引出9条直线，作为测定样品。使用同时双轴拉伸装置，将所得的测定样品沿与一组边平行的方向和与另一组边平行的方向在下述条件下进行拉伸，由直线的间隔按照以下基准评价。另外，关于直线的间隔，各方向都测定由除去了两端的2条直线的7条直线形成的6个间隔(2个方向合计12个间隔)，采用距39mm最远的值作为测定值。均匀拉伸性将B以上设为合格。

＜拉伸条件＞

拉伸装置：BRUCKNER制KARO IVラボストレッチャー

拉伸温度：25℃

拉伸速度：10mm/分钟

拉伸倍率：1.30倍。

＜评价基准＞

S：拉伸后的膜中的直线的间隔为39±1mm。

A：不符合S，并且拉伸后的膜中的直线的间隔为39±3mm。

B：不符合S和A，拉伸后的膜中的直线的间隔为39±6mm。

C：不符合S和A、和B中的任一者。

(16)加热后均匀拉伸性

将任意切出的300mm×300mm的正方形的膜在90℃下进行10分钟热处理，然后利用(15)所记载的方法，同样地进行了评价。

(17)90℃下的尺寸稳定性(耐热性)

用日東電工社制双面胶No.500AB将任意切出的200mm×200mm的正方形的膜粘贴于不锈钢制的金属框(外侧：200mm×200mm，内侧：180mm×180mm)，作为测定样品。接着，在加热到90℃的电热板上，以粘贴于金属框的膜与加热面相接的方式静置测定样品，测定了放置了240分钟时的相对于基准平面的上浮量。由所得的结果，利用下述基准评价了尺寸稳定性。另外，在上浮量的测定中，将基准平面设为电热板的加热面。关于测定，将所使用的金属框的厚度变为1mm、2mm、3mm而进行，采用从水平位置观察样品时，不能确认到变形了的膜的金属框的厚度，在即使是厚度3mm的金属框也能够确认到膜的情况下设为C评价。关于尺寸稳定性，将B以上设为合格。

S：膜的上浮为1mm以下。

A：不符合S，并且膜的上浮为2mm以下。

B：不符合S和A，并且膜的上浮为3mm以下。

C：不符合S和A、和B中的任一者。

(18)120℃下的尺寸稳定性(耐热性)

使电热板的温度为120℃，除此以外，与(17)所记载的方法同样地操作，评价了耐热性。

(19)品质

从(13)中采取的样品的宽度方向中心位置、和宽度方向两端部位置分别切出200mm×200mm的膜样品各10片合计30片。将全部样品通过光学显微镜以100倍的倍率进行10视场观察，确认了长度1μm以上的损伤的有无。将在各样品中观察到长度1μm以上的损伤的视场的数的平均值的小数点后第1位四舍五入而得的值设为观察到长度1μm以上的损伤的视场数。以(13)中测定的直径100μm以上的附着异物的数、和该观察到长度1μm以上的损伤的视场数作为基础，利用下述基准评价了品质。另外，在观察到长度1μm以上的损伤的视场数、和直径100μm以上的附着异物的个数分别为不同评价的情况下(例如，前者为A，后者为B的情况下)，采用差的评价(B)。

S：观察到长度1μm以上的损伤的视场数为0，并且直径100μm以上的附着异物的数超过0个且为5个以下。

A：观察到长度1μm以上的损伤的视场数为1。或直径100μm以上的附着异物的数超过5个且为8个以下。

B：观察到长度1μm以上的损伤的视场数为2～3。或直径100μm以上的附着异物的数超过8个且为10个以下。

C：观察到长度1μm以上的损伤的视场数为4以上。并且/或直径100μm以上的附着异物的数多于10个。

(20)密合性

在任意切出的200mm×200mm的正方形的膜表面，通过线棒涂布法以成为厚度约10μm的方式涂布粘着层组成溶液(粘着剂：日本カーバイド工業(株)制丙烯酸酯树脂系部溶剂型压敏粘着剂“ニッセツ”(注册商标)“KP-2369”100质量份/交联剂“CK-131”2质量份)，然后，利用エスペック(株)制热风炉HIGH-TEMP-OVEN PHH-200在100℃下干燥1分钟，在室温25℃、相对湿度65％的气氛中静置3天。将这样操作而获得的试样切取成150mm×30mm的尺寸，使用(株)オリエンテック社制膜强伸度测定装置(AMF/RTA-100)，在室温25℃环境下以300mm/分钟的速度进行了50％伸长。然后，用橡胶辊使丙烯酸系胶粘带(ニットー31B(日東電工(株)制)贴合于该粘着剂面并用5kg的压接辊进行压接，放置24小时后，切出成10mm宽度而作为评价用样品。将该评价用样品的丙烯酸系胶粘带的端部折回成180°，利用拉伸试验机测定剥离强度而利用下述基准进行了评价。

S：剥离强度为10N/25mm以上。

A：剥离强度为8N/25mm以上且小于10N/25mm。

B：剥离强度为6N/25mm以上且小于8N/25mm。

C：剥离强度小于6N/25mm。

(树脂)

膜的制造所使用的树脂如下所述。

(聚酯A)

以三氧化锑作为催化剂，由对苯二甲酸和乙二醇通过常规方法进行聚合，获得了特性粘度0.65的聚酯A。

(聚酯B)

在聚酯A中以10质量％的粒子浓度含有体积平均粒径4.5μm的凝集二氧化硅粒子的特性粘度0.65的聚对苯二甲酸乙二醇酯粒子母料。

(聚酯C)

PBT-聚醚共聚物東レ-デュポン社制“ハイトレル”(注册商标)5557

(聚酯D)

特性粘度0.8的聚对苯二甲酸丁二醇酯

(聚酯E)

PBT-聚醚共聚物東レ-デュポン社制“ハイトレル”(注册商标)3001

(聚烯烃A)

结晶性聚丙烯プライムポリマー(株)制，TF850H

(聚烯烃B)

乙烯-辛烯-1共聚物デュポンダウ社制“エンゲージ”(注册商标)EG8200

(聚烯烃C)

氢化苯乙烯/丁二烯共聚物(HSBR)JSR社制“DYNARON”(注册商标)1320P。

(实施例1)

将调整成表1所示的组成的用于获得A层的原料，供给到氧浓度0.2体积％的双螺杆挤出机。使该双螺杆挤出机的料筒温度为270℃而将用于获得A层的原料熔融后，经过使温度为270℃的短管和口模而向T型模送料，从T型模片状地排出到温度控制为25℃的冷却鼓上。此时，使用直径0.1mm的线状电极进行静电施加，使其与冷却鼓密合而获得了流延膜(casting film)。接着，利用同时双轴拉伸装置在预热温度80℃、拉伸温度90℃下沿长度方向和宽度方向都以倍率1.44倍拉伸，然后，用除尘器除去膜两表面的垃圾而获得了总厚度为180μm的单层膜。将各特性的评价结果示于表1中。

(实施例2～14、18～28、34、36～38、40)

使膜构成、挤出温度和拉伸条件如表1～6所示那样，除此以外，与实施例1同样地操作，获得了总厚度为180μm的单层膜。将各特性的评价结果示于表1～6中。另外，在实施例18和19中A层不存在，因此实施例1中的“用于获得A层的原料”变为“用于获得B层的原料”。

(实施例15)

与实施例8同样地操作而获得了流延膜。接着，利用同时双轴拉伸装置在预热温度100℃、拉伸温度120℃下沿长度方向和宽度方向都以倍率1.44倍拉伸后，在加热到130℃的区域进行10秒热处理，在卷绕前使用除尘器对膜的两面除去表面的垃圾，获得了总厚度为180μm的单层膜。将各特性的评价结果示于表3中。

(实施例16)

使膜构成如表3所示那样。将表3所示的用于获得A1层的原料和用于获得A2层的原料分别供给到氧浓度0.2体积％的各个双螺杆挤出机。使各挤出机的料筒温度为270℃，将各原料熔融后使其合流，经过将温度设为270℃的短管和口模而向T型模送料，从T型模片状地排出到温度控制为25℃的冷却鼓上。然后与实施例1同样地操作而获得了总厚度为180μm的叠层膜。将各特性的评价结果示于表3中。

(实施例17)

使膜构成如表3所示那样。将表3所示的用于获得A层的原料、和用于获得B层的原料分别供给到氧浓度0.2体积％的各个双螺杆挤出机中。使供给了用于获得A层的原料的挤出机的料筒温度和供给了用于获得B层的原料的挤出机的料筒温度都为260℃，将各原料熔融后使其合流，经过使温度为260℃的短管和口模而向T型模送料，从T型模片状地排出到温度控制为25℃的冷却鼓上。然后，使拉伸温度如表3所述，除此以外，与实施例1同样地操作而获得了总厚度为180μm的叠层膜。将各特性的评价结果示于表3中。

(实施例29～33)

与实施例1同样地操作而获得了流延膜。接着，利用辊拉伸机在预热温度80℃、拉伸温度90℃下沿长度方向以表5所记载的倍率拉伸，然后用拉幅拉伸机在预热温度80℃、拉伸温度90℃下沿宽度方向以表5所记载的倍率拉伸，然后，用除尘器除去膜两表面的垃圾而获得了总厚度为180μm的单层膜。将各特性的评价结果示于表5中。

(实施例35)

与实施例1同样地操作而获得了流延膜。接着，利用辊拉伸机在预热温度80℃、拉伸温度90℃下沿长度方向以表5所记载的倍率进行拉伸，然后用拉幅拉伸机在预热温度80℃、拉伸温度90℃下沿宽度方向以表5所记载的倍率拉伸，获得了总厚度为180μm的单层膜。将各特性的评价结果示于表5中。

(实施例39)

使用于获得A层的原料组成如表6所示那样，除此以外，与实施例1同样地操作而获得了流延膜。接着，利用同时双轴拉伸机在预热温度100℃、拉伸温度120℃下沿长度方向、宽度方向都以1.44倍拉伸后保持3秒，然后，用除尘器除去膜两表面的垃圾而获得了总厚度为180μm的单层膜。将各特性的评价结果示于表6中。

(比较例1～5)

使膜构成、挤出温度和拉伸条件如表7所示那样，除此以外，与实施例1同样地操作，获得了总厚度为180μm的单层膜。将各特性的评价结果示于表7中。另外，所谓比较例2和5的拉伸方式“-”，是指不进行拉伸本身。

[表1]