阅读说明：本技术 偏振色散缓解 (Polarization dispersion mitigation ) 是由 利芬·维尔斯莱格斯 ***·索托德赫 浦田良平 于 2018-09-14 设计创作，主要内容包括：提供了绝缘体上硅光子集成电路(PIC)。PIC可以包括围绕硅波导的二氧化硅衬底。硅波导具有在上侧和下侧之间的厚度以及在横向侧之间的宽度。可以设置厚度和宽度以使得光信号的最低阶TE模式的第一群折射率近似等于光信号的最低阶TM模式的第二群折射率。(Silicon-on-insulator Photonic Integrated Circuits (PICs) are provided. The PIC may include a silicon dioxide substrate surrounding a silicon waveguide. The silicon waveguide has a thickness between the upper and lower sides and a width between the lateral sides. The thickness and width may be set such that a first group index of refraction of a lowest order TE mode of the optical signal is approximately equal to a second group index of refraction of a lowest order TM mode of the optical signal.)

偏振色散缓解

相关应用

本申请要求于2017年10月11日提交的题为“POLARIZATION DISPERSIONMITIGATION”的美国临时专利申请No.62/570,952的优先权和利益，出于所有目的通过引用将其全部内容并入本文。

背景技术

硅光子学是一种有望为数据通信和电信提供低成本、低功率、高速的光学解决方案的新兴技术。该技术使得能够通过光子/电子集成来缩放收发器信道和速度。使用具有约220nm的硅层厚度的标准绝缘体上硅(SOI)技术平台制造的某些硅光子集成电路(PIC)和组件可能显示出强烈的偏振依赖性。因此，硅PIC通常仅使用基本横向电(TE)波导模式进行操作。

发明内容

至少一个方面涉及一种绝缘体上硅(SOI)光子集成电路(PIC)。SOI PIC包括围绕硅波导的二氧化硅衬底。硅波导具有在上侧和下侧之间的厚度以及在横向侧之间的宽度。设置厚度和宽度以使得光信号的最低阶TE模式的第一群折射率近似等于光信号的最低阶TM模式的第二群折射率。

在一些实施方式中，硅波导的厚度和宽度使得硅波导实质上衰减光信号的高阶TE和TM模式。

在一些实施方式中，硅波导的厚度和宽度使得硅波导不激发光信号的高阶模。

在一些实施方式中，光信号具有1550nm的波长。在一些实施方式中，厚度为大约220nm，并且横向侧之间的宽度为大约670nm。

在一些实施方式中，光信号具有1310nm的波长。在一些实施方式中，厚度为大约220nm，并且横向侧之间的宽度为大约320nm。

在一些实施方式中，硅波导包括中间部，在中间部的第一端的第一锥形体，以及在中间部的与第一端相对的第二端的第二锥形体。在一些实施方式中，第一锥形体将中间部与具有与中间部不同的宽度的第一端部接合，第一锥形体将中间部的横向侧与第一端部的侧面接合。在一些实施方式中，第二锥形体将中间部与具有与中间部不同的宽度的第二端部接合，第二锥形体将中间部的横向侧与第二端部的侧面接合。

在一些实施方式中，中间部具有约为220nm的厚度和约为320nm的宽度，第一锥形体具有约为2um的长度，第二锥形体具有约为2um的长度。在一些实施方式中，第一端部与用于接收光信号并将其传递到硅波导的边缘耦合器耦合，第二部与用于检测在边缘耦合器处接收到的光信号的光检测器耦合。

在一些实施方式中，中间部具有约为220nm的厚度和约为670nm的宽度，第一锥形体具有约为2um的长度，第二锥形体具有约为2um的长度。在一些实施方式中，第一端部与用于接收光信号并将其传递到硅波导的边缘耦合器耦合，第二部与用于检测在边缘耦合器处接收到的光信号的光检测器耦合。

在一些实施方式中，根据以下公式，宽度与对于给定波长WL的厚度有关，其中Wo是宽度，并且s是厚度t的比例因子，使得s＝t/0.22：

W_o＝[0.194+0.000114*e^5.373*WL/s+4.96*10^-30*e^40.7*WL/s]*s

在一些实施方式中，波长大于1.26um和1.26*s中的较大者并且小于1.62um或1.62*s中的较小者。

至少一个方面涉及一种偏振色散缓解波导。偏振色散缓解波导包括在其上侧、下侧和横向侧上被二氧化硅围绕的硅波导，该硅波导具有在上侧和下侧之间的约为220nm的厚度和在横向侧之间的约为320nm的宽度。

在一些实施方式中，具有1310nm的波长的光信号的最低阶TE模式的第一群折射率近似等于光信号的最低阶TM模式的第二群折射率。

至少一个方面涉及一种偏振色散缓解波导。偏振色散缓解波导包括在其上侧、下侧和横向侧上被二氧化硅围绕的硅波导，该硅波导具有在上侧和下侧之间的约为220nm的厚度，以及在横向侧之间的约为670nm的宽度。

在一些实施方式中，具有1550nm的波长的光信号的最低阶TE模式的第一群折射率近似等于光信号的最低阶TM模式的第二群折射率。

在一些实施方式中，根据以下公式，宽度与给定波长WL的厚度有关，其中Wo是宽度，并且s是厚度t的比例因子，使得s＝t/0.22：

w_o＝[0.194+0.000114*e^5.373*WL/s+4.96*10^-30*e^40.7*WL/s]*s

在一些实施方式中，波长大于1.26um和1.26*s中的较大者并且小于1.62um或1.62*s中的较小者。

这些和其他方面以及实施方式在下面详细讨论。前述信息和以下详细描述包括各个方面和实施方式的说明性示例，并提供用于理解所要求保护的方面和实施方式的性质和特征的概述或框架。附图提供了对各个方面和实施方式的说明和进一步的理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。

附图的简要说明

附图并非旨在按比例绘制。在各个附图中，相同的附图标记和标记表示相同的元件。为了清楚起见，并非每个组件都可以在每个附图中标记。在附图中：

图1图示了根据说明性实施方式的光子集成电路；

图2图示了根据说明性实施方式的收发器模块中的光子集成电路；

图3示出了根据说明性实施方式的绝缘体上硅晶圆中的光波导的横截面。

图4A至图4D示出了根据说明性实施方式，在不同宽度的220nm厚的波导中的1310nm波长激光的TE(A和C)和TM(B和D)模式的模拟的(A和B)和测量的(C和D)群折射率值；

图5示出了根据说明性实施方式，在不同宽度的220nm厚的波导中的1310nm波长的激光的模拟的TE-TM延迟差值；

图6A至图6D示出了根据说明性实施方式，在不同宽度的220nm厚的波导中的1550nm波长激光的TE(A和C)和TM(B和D)模式的模拟的(A和B)和测量的(C和D)群折射率值，；

图7示出了根据说明性实施方式，在不同宽度的220nm厚的波导中的1550nm波长的激光的模拟的TE-TM延迟差值；

图8示出了根据说明性实施方式，根据在220nm厚的波导中的TE和TM延迟的模拟值来减小TE-TM延迟差值的最优波导宽度对激光波长；

图9示出了根据说明性实施方式，针对1550nm激光的TE和TM模式两者通过各种宽度的220nm厚的波导的TE和TM延迟的直接延迟测量的结果；

图10图示了根据说明性实施方式，包括具有带波导锥形体的偏振色散缓解波导的复合波导的俯视图；

图11A和11B示出了根据说明性实施方式，在范围在0.45-1.25um内的不同宽度的大约204.4nm厚的波导中的1.5-1.6um波长激光的TE模式的模拟的(A)和测量的(B)群折射率值；和

图11C和11D示出了根据说明性实施方式，在范围在0.45-1.25um内的不同宽度的大约204.4nm厚的波导中的1.5-1.6um波长激光的TM模式的模拟的(C)和测量的(D)群折射率值。

具体实施方式

本公开大体上涉及绝缘体上硅(SOI)波导中的偏振色散缓解。硅光子集成电路(PIC)通常仅使用基本横向电(TE)波导模式进行操作；然而，PIC可在接收器处接收TE和TM模式的随机组合。PIC必须能够处理两种模式。处理未知偏振的光信号的一个挑战来自必须经由波导遍布PIC传递光信号。例如，PIC可以在PIC的一侧上的边缘耦合器处接收光信号，并且将光信号传递到PIC的另一侧上的光电检测器。标准单模硅波导可以以不同的速度传递不同偏振的光。结果，光脉冲的TE和TM分量将经历几ps/mm的相对延迟差异，并可能在遍布PIC的传播中出现>10ps的差异。该效应可以被称为偏振色散。对于25和50Gbaud/s的当前和下一代符号速率，符号周期分别为40ps和20ps。使用这些符号周期和典型的PIC尺寸，偏振色散会导致误码率增加。随着符号率的增加，这种影响将恶化。然而，仔细调节波导的宽度可以减小TE和TM模式速度的差异，从而缓解偏振色散。

图1图示了根据说明性实施方式的光子集成电路(PIC)110。PIC110包括多个边缘耦合器115，用于接收和传输光信号，例如输入接收(RX)信道120，输出传输(TX)信道125和激光输入130。边缘耦合器115可以接收激光输入130并经由波导150将它们传递到调制器145a-145h(统称为“调制器145”)，以用光信号进行调制。额外的波导150可以将调制的光信号传递到边缘耦合器115，以传输TX信道125。PIC 110还包括光电检测器，例如光电二极管1，用于检测在RX信道120边缘耦合器115处接收到的光信号。在一些实施方式中，PIC 110可以包括诸如光栅耦合器、分离器、复用器/解复用器、监控光电二极管等的附加元件。在一些实施方式中，PIC 110可以包括诸如调制器驱动器、放大器和控制电路的电子组件。可以通过波导140将光信号从边缘耦合器115传递到光电二极管135。由于期望减小光电二极管135与它们各自的跨阻放大器之间以及跨阻放大器与电接触件225之间的电连接的长度，可能需要将光电二极管135放置在PIC 110离边缘耦合器115的远边缘上，电接触件225可以驻留在PIC 110作为其一部分的光收发器模块上。下面参照图2描述示例性光收发器模块。然而，当接收到的偏振未知的光信号行进通过波导140时，可能会遇到挑战。

可以将标准波导140或150设计为承载光信号的单个TE模式。例如，硅PIC和组件通常是在标准SOI晶圆上制造的，该晶圆可用于制造具有厚度约为220nm的波导。实际上，SOI晶圆中的硅层的典型起始厚度为220nm。然而，在制造工艺之后，最终的波导的厚度可能由于氧化而减小几纳米。因此，最终的波导可能略小于220nm；例如210-220nm。对于1550nm的光信号，可以将标准波导的对应的宽度设置为450-500nm，对于1310nm的光信号，可以将其设置为380-420nm。然而，当接收到的光信号是偏振未知时，TE模式和TM模式都将行进通过波导140。TE模式和TM模式将以不同的速度行进通过标准波导，导致偏振色散，其在一些情形下可能导致误码。因此，在一些实施方式中，波导140可以包括缓解偏振色散的特征。下面参照图3至图10更详细地描述波导140的偏振色散缓解。相反，由于可以控制或至少已知来自激光输入130和调制器145输出的光信号的偏振这样的简单原因，波导150可以不需要偏振缓解或从中受益。然而，从RX信道120接收到的光信号可能具有未知的偏振，当行进通过波导140到达光电二极管135时，会经历有问题的偏振。

图2图示了根据说明性实施方式的收发器模块200中的光子集成电路(PIC)210。光收发器模块200包括PIC 210、印刷电路板(PCB)215、跨阻放大器(TIA)230、调制器驱动器235和电接触件225。PIC 210可以是例如先前描述的PIC 110。PIC 210可以接收传递RX和TX信道(例如RX信道120和TX信道125)的光纤阵列220。TIA 230可以缓冲和/或放大来自PIC210上的光电检测器的电信号。调制器驱动器235可以向调制器145提供功率以将电信号调制到光学载体上。PCB 215可以容纳有助于支持PIC 210的功能的任何处理器、控制器、驱动器或电源转换电路。电接触件225可以包括信号接触件，用于传输和接收电信号，该电信号是从沿着光纤阵列220传输的光信号转换的或用于转换为该光信号。电接触件225也可以连接到电源和接地轨。在一些实施方式中，光收发器模块200可以包括诸如调制器驱动器、放大器和控制电路的电子组件。在一些实施方式中，光收发器模块200可以是较大的光学设备的模块化组件，例如光学开关、网关或可重新配置的光分插复用器。

图3示出了根据说明性实施方式的绝缘体上硅(SOI)晶圆300中的光波导310的横截面。波导310包括在其上侧、下侧和横向侧上被诸如二氧化硅(SiO₂)的氧化物围绕的硅区域。波导310可以是沿着垂直于图3中所示的横截面的平面的轴延伸的矩形棱柱的形状，其中上侧、下侧和横向侧的各个平面垂直于该轴。然而，在一些实施方式中，横向侧可能沿着竖直轴彼此不完全平行。在一些实施方式中，由于用于制造波导310的制造工艺，可能引入从底部到顶部的稍微加宽。在一些实施方式中，可以通过产生220nm的波导310厚度的标准SOI制造工艺来形成SOI晶圆300的硅-氧化物-硅结构。尽管硅波导310的其他厚度是可能的，然而由于SOI制造的标准，它们可能难以制造或是昂贵地制造。

SOI波导(例如波导310)通常被设计尺寸为仅承载光信号的最低阶TE模式，同时保持足够小以衰减或拒绝更高阶模式。然而，当波导310传递在PIC中接收的光信号时，由于在信号在到达SOI晶圆300的路径上穿过光纤时发生的偏振的偏移，光信号可能具有未知的偏振。因此，波导310可能最终携带光信号的TE和TM模式。然而，标准单模硅波导可以以不同的速度传递光信号的TE和TM模式。结果，光信号的TE和TM分量可能会经历几ps/mm的相对延迟差异，并可能在横跨PIC的传播中出现>10ps差异，从而导致光信号的偏振色散。25Gbaud/s的光信号将具有40ps的符号周期。因此，10ps或更多的偏振色散可能会导致误码率，其影响会随着符号率的增加而恶化。然而，仔细调整波导的宽度可以减小TE和TM模式群折射率的差异，从而缓解偏振色散。材料的群折射率或群折射的折射率(ng)可以定义为光的真空速度与介质中的群速度的比值：如果可以选择波导310的尺寸使得TE和TM模式具有相同的群折射率，可以缓解由于TE和TM模式的各自速度引起的偏振色散。图4至图9示出了在各种宽度的波导中的TE和TM模式群折射率的模拟和测量的结果。

图4A至图4D示出了根据说明性实施方式在不同宽度的220nm厚的波导中的1310nm波长激光的TE(A和C)和TM(B和D)模式的模拟的(A和B)和测量的(C和D)群折射率值。通过使用不平衡的马赫-曾德尔干涉仪测试结构通过实验建立群折射率来验证图4A和图4B中所示的模拟。如果考虑到测量噪声和由于光刻公差导致的波导尺寸不确定性，则结果与模拟非常吻合。然而应指出，分别在4A和4C以及4B和4D之间的水平比例差异。

图4A示出了对于1310nm波长的激光行进通过不同宽度的220nm厚的波导的最低阶TE模式(“ng_TE”)的模拟群折射率值。图4C示出了在旨在复制模拟参数的实验条件下的群折射率测量。类似地，图4B和图4D分别示出了在相似条件下的最低阶TM模式(“ng_TM”)的模拟和测量的群折射率值。

图4A至图4D示出了对于1310nm激光，最低阶TE和TM模式的群折射率在具有320nm宽度的220nm厚的波导中大致相等。因此，这些模拟和测量结果表明，对于1310nm激光，220x320nm的波导将表现出减小的偏振色散。因此，在一些实施方式中，缓解色散的波导可以具有大约220nm的厚度和大约320nm的宽度。在一些实施方式中，缓解色散的波导可以具有大约220nm的厚度和大约290-350nm的宽度。在一些实施方式中，缓解色散的波导可以具有大约220nm的厚度和大约240-400nm的宽度。

图5示出了根据说明性实施方式，在不同宽度的220nm厚的波导中的1310nm波长的激光的模拟TE-TM延迟差值。图5表示在每个模拟波导宽度处，来自图4A的模拟群折射率值减去来自图4B的模拟群折射率值。图5示出了对于1310nm激光，最低阶TE和TM模式分别应在220x320nm波导中具有等效或近似等效的群折射率值。

图6A至图6D示出了根据说明性实施方式在不同宽度的220nm厚的波导中的1550nm波长激光的TE(A和C)和TM(B和D)模式的模拟的(A和B)和测量的(C和D)群折射率值。与图4A和4B中的模拟相似，图6A和图6B中所示的模拟通过使用不平衡的马赫-曾德尔干涉仪测试结构通过实验建立群折射率来进行验证。如果考虑到测量噪声和由于光刻公差导致的波导尺寸不确定性，则结果与模拟结果非常吻合。然而，应指出分别在6A和6C以及6B和6D之间的水平比例的差异。

图6A示出了对于1550nm波长的激光行进通过不同宽度的220nm厚的波导的最低阶TE模式(“ng_TE”)的模拟群折射率值。图6C示出了在旨在复制模拟参数的实验条件下的群折射率测量。类似地，图6B和图6D分别示出了在相似条件下的用于最低阶TM模式(“ng_TM”)的模拟和测量的群折射率值。

图6A至图6D示出对于1310nm激光，最低阶TE和TM模式的群折射率在具有670nm宽度的220nm厚的波导中大致相等。因此，这些模拟和测量结果表明，对于1550nm激光，220x670nm的波导将表现出减小的偏振色散。因此，在一些实施方式中，缓解色散的波导可以具有大约220nm的厚度和大约670nm的宽度。在一些实施方式中，缓解色散的波导可以具有大约220nm的厚度和大约600-740nm的宽度。在一些实施方式中，缓解色散的波导可以具有大约220nm的厚度和大约500-840nm的宽度。

在一些实施方式中，光信号将具有有限的带宽；例如，波长值在1528-1565nm范围内。在这样的实施方式中，可以选择接近但大于或小于670nm的最佳宽度，以在光信号的带宽上优化波导的偏振色散缓解。

图7示出了根据说明性实施方式的在不同宽度的220nm厚的波导中的1550nm波长的激光的模拟的TE-TM延迟差值。图7表示在每个模拟波导宽度处，来自图6A的模拟群折射率值减去来自图6B的模拟群折射率值。图7示出了对于1550nm激光，最低阶TE和TM模式分别应在220x670nm波导中具有等效或近似等效的群折射率值。

图8示出了根据说明性实施方式，用于根据220nm厚的波导中的TE和TM延迟的模拟值来减小TE-TM延迟差值的最优波导宽度对比激光波长。最佳宽度(W_o)值是根据以下公式计算的：

W_o＝0.194+0.000114*e^5.373*WL+4.96*10^-30*e^40.7*WL(1)

对于具有来自1260-1620nm的波长(WL)的光信号给出了结果800。结果800与图4至图7中的对于波长为1310nm(最佳波导宽度约为320nm)和1550nm(最佳波导宽度约为670nm)的数据吻合。1310nm和1550nm是光信号的常见载波波长，然而结果800表明，对于其他波长，可以以类似的方式确定最佳波导宽度。

在一些实施方式中，可以针对硅的其他厚度t(以um为单位)推广公式(1)。在下面的公式(2)中，最佳波导宽度W_o(以um为单位)是波长WL(以um为单位)和厚度t的函数，其中s是t的比例因子，因此s＝t/0.22。公式(2)至少在具有从低端的1.26um和1.26*s中的较大者到高端的1.62um或1.62*s中的较小者的波长WL的范围内有效。对于t＝0.22um，公式(2)简化为公式(1)。

w_o＝[0.194+0.000114*e^5.373*WL/s+4.96*10^-30*e^40.7*WL/s]*s(2)

由于硅厚度的变化，对于其他厚度t推广公式(1)是有益的。实际上，标称起始衬底厚度为0.22um的晶圆在加工后最终可能会具有稍低的厚度。最终的厚度可以取决于处理晶圆的特定铸造厂或设备。来自一个铸造厂或工艺的波导可以具有0.2144um的最终厚度t，而由另一个铸造厂或工艺所制造的波导可以具有0.2044um的最终厚度t。最终厚度可能低至0.200um。

图9示出了根据说明性实施方式的对于1550nm激光的TE和TM模式，通过各种宽度的220nm厚的波导的TE和TM延迟的直接延迟测量的结果900。结果900证实对于在1550nm光信号中在具有450nm的宽度的标准波导中行进的光信号的较大延迟差异。结果900还证实了在650nm处的低偏振色散，这与图6至图7中表示的群折射率模拟和测量结果一致。

然而，即使当使用最佳波导尺寸时，也必须特别小心以使波导逐渐变细为标准波导的尺寸，这对于将色散缓解波导与边缘耦合器和光电二极管结合起来可能是必需的。太逐渐变细的锥形体可能会降低偏振缓解的效果并激发高阶模，而太突然变细的锥形体可能会激发光信号的高阶模或引起过多的损耗。下面参照图10描述标准波导和偏振缓解波导之间的改进的锥形体。

图10图示了根据说明性实施方式的复合波导1000的俯视图，该复合波导1000包括具有波导锥形体1050和1060的偏振色散缓解波导1030。类似于先前所描述的波导310，复合波导1000可以由在多个侧面上被氧化物1010围绕的硅1020制成。复合波导1000包括第一长度的标准波导1040、第一波导锥形体1050、色散缓解波导1030、第二波导锥形体1060和第二长度的标准波导1070。

在一些实施方式中，标准波导1040和1070对于1550nm光信号可以具有大约220x450nm的标准波导尺寸，或者对于1310nm光信号可以具有大约220x380nm的标准波导尺寸。在一些实施方式中，第一标准波导1040可以耦合到边缘耦合器，例如先前描述的边缘耦合器115，以用于从外部源接收光信号。在一些实施方式中，标准波导1070可以耦合到光电检测器，例如先前描述的光电二极管135，且将接收到的光信号耦合到光电检测器中用于检测。

在一些实施方式中，第一波导锥形体1050和第二波导锥形体1060可以在低损耗与高阶模的无显著激励之间的权衡之间进行优化。在一些实施方式中，波导锥形体1050和1060可以具有大约2um的长度。在一些实施方式中，波导锥形体1050和1060可以具有大约1.5-2.5um的长度。在一些实施方式中，波导锥形体1050和1060可以具有大约1-4um的长度。

色散缓解的波导1030或复合波导1000具有超出本文所述的收发器模块PIC的应用。例如，在一些实施方式中，这样的波导可以用于改善光学开关中的光电路的偏振相关行为。另外，如果PIC上的其他元件显示TE和TM模式的偏振色散较大，则可以有意地设置波导宽度以引入补偿效果；例如，在引入了相反延迟的组件之后，相对于TM模式延迟TE模式。

图11A和图11B示出了根据说明性实施方式，在大约204.4nm厚，宽度在0.45-1.25um范围内的波导中，1.5-1.6um波长激光的TE模式的模拟的(A)和测量的(B)群折射率值。图11A示出了通过具有在0.45um和1.25um之间的宽度W_o的波导的具有各种波长WL的光的第一TE模式的组折射率或组折射折射率n_g的模拟结果。图11B示出了通过具有0.65um的宽度W_o的波导的具有各种波长WL的光的第一TE模式的群折射率的测量结果。图11A和11B示出了模拟和测量结果在此宽度下非常吻合。

图11C和图11D示出了根据说明性实施方式，在大约204.4nm厚，宽度在0.45-1.25um之间的波导中，1.5-1.6um波长激光的TM模式的模拟的(C)和测量的(D)群折射率值。图11C示出了通过具有在0.45um和1.25um之间的宽度W_o的波导的具有各种波长WL的光的第一TM模式的组折射率或组折射折射率n_g的模拟结果。图11D示出了通过具有0.65um的宽度W_o的波导的具有各种波长WL的光的第一TE模式的群折射率的测量结果。图11A和11B示出了模拟和测量结果在此宽度下非常吻合。比较图11A和图11C的模拟结果可以看出，波导尺寸将为第一TE模式和第一TM模式提供相同或相似的群折射率值，从而减小偏振色散；例如，对于1500nm的波长，宽度约为0.85um；或对于1520nm的波长，宽度约为1.05um。

尽管本说明书包含许多特定的实现细节，然而这些细节不应被解释为对任何发明或可要求保护的范围的限制，而应理解为对特定发明的特定实施方式所特定的特征的描述。本说明书中在单独的实施方式的情境中描述的某些功能也可以在单个实施方式的组合中实现。相反，在单个实施方式的情境中描述的各种特征也可以分别在多个实施方式中或以任何合适的子组合来实现。此外，尽管以上可以将特征描述为以某些组合起作用并且甚至最初如此声称，然而在某些情况下，可以从该组合中排除所要求保护的组合中的一个或多个特征，并且所要求保护的组合可以涉及子组合或子组合的变化。

对“或”的引用可以被解释为包括性的，使得使用“或”描述的任何术语可以指示单个、一个以上以及所有所描述术语中的任何一个。标签“第一”，“第二”，“第三”等不一定表示顺序，并且通常仅用于区分相同或相似的项目或要素。

对本公开内容中描述的实施方式的各种修改对于本领域技术人员而言是显而易见的，并且在不脱离本公开的精神或范围的情况下，本文中定义的一般原理可以应用于其他实施方式。因此，权利要求书无意限于本文中所展示的实施方式，而是应被赋予与本公开内容，本文中所揭示的原理及新颖特征一致的最广范围。

后附是权利要求书。