阅读说明：本技术 直流电平调节电路 (DC level adjusting circuit ) 是由 罗小平 成亚平 李云彬 于 2019-11-11 设计创作，主要内容包括：本发明实施例提供一种直流电平调节电路,包括MOS管S、三极管Q以及PWM信号发生模块,其中：三极管Q的基极、集电极和发射极分别对应连接所述PWM信号发生模块的输出端、MOS管S的栅极和接地端GND,且基极和发射极还通过第一电阻R1相连接；所述MOS管S的源极和漏极分别对应连接至外部电源和直流电平调节电路的输出端,且所述MOS管S的源极和栅极还通过第二电阻R2相连接；所述三极管Q根据所述PWM信号发生模块提供的PWM信号对应处于导通状态、放大状态或截止状态,且所述MOS管S在所述三极管Q处于放大状态时对应处于不完全导通状态。本实施例通过设置MOS管S以及三极管Q,改变PWM信号占空比实现了直流电平的动态调节；而且采用电路元件少,降低了生产成本。(The embodiment of the invention provides a direct current level regulating circuit, which comprises an MOS (metal oxide semiconductor) tube S, a triode Q and a PWM (pulse width modulation) signal generating module, wherein: the base electrode, the collector electrode and the emitter electrode of the triode Q are respectively and correspondingly connected with the output end of the PWM signal generation module, the grid electrode of the MOS tube S and the ground end GND, and the base electrode and the emitter electrode are also connected through a first resistor R1; the source electrode and the drain electrode of the MOS tube S are respectively and correspondingly connected to an external power supply and the output end of the direct-current level regulating circuit, and the source electrode and the grid electrode of the MOS tube S are also connected through a second resistor R2; the triode Q is correspondingly in a conducting state, an amplifying state or a cut-off state according to the PWM signal provided by the PWM signal generating module, and the MOS tube S is correspondingly in an incomplete conducting state when the triode Q is in the amplifying state. In the embodiment, the MOS transistor S and the triode Q are arranged, and the duty ratio of the PWM signal is changed to realize the dynamic adjustment of the direct current level; and the circuit elements are few, so that the production cost is reduced.)

直流电平调节电路

技术领域

本发明实施例涉及电流调节电路技术领域，尤其涉及一种直流电平调节电路。

背景技术

目前，流媒体电子后视镜系统中，需要通过调节不同的直流电平值调节电子后视镜玻璃的透过率和反射率，实现自动防眩目的功能。防眩目玻璃的控制电路所需功率电流一般较大，无法用单片机直接驱动控制，因此现有的调节电路通常包括集成芯片，通过调节集成芯片预设引脚的电阻值，从而改变集成芯片输出的直流电平值，但是现有集成芯片的成本一般较高，增加了生产成本。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种直流电平调节电路，能有效降低成本。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供以下技术方案：一种直流电平调节电路，包括MOS管S、三极管Q以及PWM信号发生模块，其中：

所述三极管Q的基极、集电极和发射极分别对应连接所述PWM信号发生模块的输出端、MOS管S的栅极和接地端GND，且所述基极和发射极还通过第一电阻R1相连接；

所述MOS管S的源极和漏极分别对应连接至外部电源和所述直流电平调节电路的输出端，且所述MOS管S的源极和栅极还通过第二电阻R2相连接；

所述三极管Q根据所述PWM信号发生模块提供的PWM信号对应处于导通状态、放大状态或截止状态，且所述MOS管S在所述三极管Q处于放大状态时对应处于不完全导通状态。

进一步的，所述直流电平调节电路还包括与所述第二电阻R2并联的第一电容C1。

进一步的，所述MOS管S的漏极还通过第二电容C2连接至接地端GND。

进一步的，所述三极管Q的基极通过第三电阻R3连接至所述PWM信号发生模块的输出端。

进一步的，所述三极管Q的集电极还通过第四电阻R4连接至所述MOS管S的栅极。

进一步的，所述PWM信号发生模块为PWM芯片。

采用上述技术方案后，本发明实施例至少具有如下有益效果：本发明实施例通过将三极管Q的基极、集电极和发射极分别对应连接PWM信号发生模块的输出端、MOS管S的栅极和接地端GND，而MOS管S的源极和漏极分别对应连接外部电源和输出端，只需通过PWM信号发生模块发出合适的PWM控制信号即可使三极管Q工作在放大状态，而且，此时可使MOS管S也对应工作在不完全导通状态，PWM控制信号占空比动态变化时，三极管Q的基极电流和集电极电流也会随之同步动态变化，进而使MOS管S的栅极和源极间的压降也动态变化，最终使得MOS管S的漏极输出的电压也能同步动态变化，从而实现了输出的直流电平的动态调节。本发明实施例采用的电路元件少，有效降低了生产成本。

附图说明

图1为本发明直流电平调节器一个可选实施例的电路图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步详细说明。应当理解，以下的示意性实施例及说明仅用来解释本发明，并不作为对本发明的限定，而且，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。

如图1所示，本发明一个可选实施例提供一种直流电平调节电路，包括MOS管S、三极管Q以及PWM信号发生模块1，其中：

所述三极管Q的基极、集电极和发射极分别对应连接所述PWM信号发生模块1的输出端、MOS管S的栅极和接地端GND，且所述基极和发射极还通过第一电阻R1相连接；

所述MOS管S的源极和漏极分别对应连接至外部电源3和所述直流电平调节电路的输出端，且所述MOS管S的源极和栅极还通过第二电阻R2相连接；

所述三极管Q根据所述PWM信号发生模块1提供的PWM信号对应处于导通状态、放大状态或截止状态，且所述MOS管S在所述三极管Q处于放大状态时对应处于不完全导通状态。

本发明实施例通过将三极管Q的基极、集电极和发射极分别对应连接PWM信号发生模块1的输出端、MOS管S的栅极和接地端GND，而MOS管S的源极和漏极分别对应连接外部电源3和输出端，只需通过PWM信号发生模块1发出合适的PWM控制信号即可使三极管Q工作在放大状态，而且，此时可使MOS管S也对应工作在不完全导通状态，PWM控制信号占空比动态变化时，三极管Q的基极电流和集电极电流也会随之同步动态变化，进而使MOS管S的栅极和源极间的压降也动态变化，最终使得MOS管S的漏极输出的电压也能同步动态变化，从而实现了输出的直流电平的动态调节。本发明实施例采用的电路元件少，有效降低了生产成本。

本发明实施例具体工作原理如下：当PWM控制信号为高电平和低电平时，对应控制三极管Q导通和截止；其中当三极管Q导通时，且工作于放大区，当增大PWM控制信号的占空比时，三极管Q基极电压增大，基极电流也增大，根据三极管Q原理，三极管Q集电极电流也会随基极电流而增大，使得集电极上的压降增大，最终导致三极管的集电极电压降低，即MOS管S栅极的输入电压降低；又根据MOS管S的工作原理，外部电源3输入的电压在第三电阻R3产生压降后输出至MOS管S的栅极，而当MOS管S的栅极与源极之间的电压差在MOS管S的不完全导通时栅极与源极之间的电压差的预定阈值范围内动态变化时，MOS管S处于不完全导通，外部电源3输入的电压会在MOS管S产生压降并从MOS管S的漏极输出，而且在MOS管S产生压降会随MOS管S的栅极与源极之间的电压差动态变化，即MOS管S的漏极输出的电压动态变化；然而，MOS管S源极的电压始终恒定不变，因此，通过改变PWM控制信号的占空比从而控制MOS管S栅极的输入电压，实现了直流电平的动态调节；而且采用电路元件少，降低了生产成本。

在本发明的一个可选实施例中，所述直流电平调节电路还包括与所述第二电阻R2并联的第一电容C1。本实施例通过在第二电阻R2的两端还并联有第一电容C1，有效滤除外部电源3中的交流成分，提高电路的稳定性。

在本发明的再一个可选实施例中，所述MOS管S的漏极还通过第二电容C2连接至接地端GND。本实施例通过MOS管S的漏极还通过第二电容C2连接至接地端GND，通过第二电容C2可有效滤除杂波，提高了电路的可靠性，保证输出直流电平的稳定。

在本发明的另一个可选实施例中，所述三极管Q的基极通过第三电阻R3连接至所述PWM信号发生模块1的输出端。本实施例还通过设置第三电阻R3，第三电阻R3不仅可以有效的对电路限流，还可以对三极管Q的基极输入的PWM控制信号的幅值进行调节。

在本发明的又一个可选实施例中，所述三极管Q的集电极还通过第四电阻R4连接至所述MOS管S的栅极。本实施例通过设置第四电阻R4，第四电阻R4可以有效的控制MOS管S的栅极输入的PWM控制信号的幅值。

在本发明的一个可选实施例中，所述PWM信号发生模块1为PWM芯片。本实施例PWM信号发生模块1采用PWM芯片，有利于简化电路结构，而且成本也相对较低。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护范围之内。