阅读说明：本技术 半导体开关器件控制电路、方法、装置及电磁加热装置 (Semiconductor switching device control circuit, method and device and electromagnetic heating device ) 是由 陈劲锋 余卫金 戚龙 于 2019-08-30 设计创作，主要内容包括：本发明涉及一种半导体开关器件控制电路、方法、装置及电磁加热装置,在采集到工作电路的供电电压后,若工作电路的供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。其中,半导体开关器件导通时,工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时,工作电路关断。基于此,通过控制半导体开关器件完成两次关断,利用两次关断间的时间使半导体开关器件导通,使半导体开关器件起到放电的作用,以降低半导体开关器件在第二次关断后所承受的反压,降低半导体开关器件被击穿的风险。(The invention relates to a semiconductor switching device control circuit, a method and a device as well as an electromagnetic heating device, wherein after the power supply voltage of a working circuit is collected, if the power supply voltage of the working circuit is greater than a preset voltage value, the semiconductor switching device is controlled to complete the first turn-off; controlling the semiconductor switching device to be turned on after the semiconductor switching device is turned off for the first time and is kept for the first duration; and controlling the semiconductor switching device to complete second turn-off after the semiconductor switching device is turned on for a second duration. When the semiconductor switch device is conducted, the working circuit forms a loop; when the semiconductor switching device is turned off, the operating circuit is turned off. Based on this, the semiconductor switch device is controlled to complete two turn-off operations, and the time between the two turn-off operations is utilized to conduct the semiconductor switch device, so that the semiconductor switch device plays a discharging role, the back pressure born by the semiconductor switch device after the second turn-off operation is reduced, and the risk of breakdown of the semiconductor switch device is reduced.)

半导体开关器件控制电路、方法、装置及电磁加热装置

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，特别是涉及一种半导体开关器件控制电路、方法、装置及电磁加热装置。

背景技术

随着电气化的日益发展，越来越多的电器接入电网。在各种电器的应用中，解决浪涌电压是保障电器工作电路正常工作的重要手段。浪涌电流是指工作电路在遭雷击和在接通、断开电感负载或大型负载时产生很高的操作过电压，是瞬时干扰的一种。

在很多工作电路中，在出现浪涌电压时，通常需要及时关断工作电路，以保护工作电路不受浪涌电压的损害。其中，半导体开关器件作为工作电路中一种重要的开关器件，在出现浪涌电压时通常是通过关断工作电路中的半导体开关器件，以关断工作电路，起到保护作用。然而，在半导体开关器件关断后，浪涌电压导致的过高反压，使半导体开关器件存在被击穿的风险。

发明内容

基于此，有必要针对在半导体开关器件关断后，浪涌电压导致的过高反压，使半导体开关器件存在被击穿的风，提供一种半导体开关器件控制电路、方法、装置及电磁加热装置。

一种半导体开关器件控制电路，包括：

电压采集模块，用于采集工作电路的供电电压；

开关控制模块，用于在供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；开关控制模块并用于在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；开关控制模块还用于在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断；其中，在半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断。

上述半导体开关器件控制电路，电压采集模块在采集到工作电路的供电电压后，开关控制模块接收工作电路的供电电压，在工作电路的供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。其中，半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断。基于此，通过控制半导体开关器件完成两次关断，利用两次关断间的时间使半导体开关器件导通，使半导体开关器件起到放电的作用，以降低半导体开关器件在第二次关断后所承受的反压，降低半导体开关器件被击穿的风险。

在其中一个实施例中，开关控制模块包括：

驱动单元，用于根据关断信号驱动半导体开关器件关断，根据导通信号驱动半导体开关器件导通；

信号处理单元，用于接收采集电压值，在采集电压值大于预设电压值时控制半导体开关器件输出关断信号，在保持第一持续时间的关断信号输出后输出导通信号，在保持第二持续时间的导通信号输出后持续输出关断信号。

在其中一个实施例中，驱动单元包括第一NPN三极管、第二NPN三极管和第一PNP三极管；

第一NPN三极管的基极连接第二NPN三极管的基极，第一NPN三极管的发射极用于接入逻辑低电平，第一NPN三极管的集电极连接第一PNP三极管的基极；

第二NPN三极管的集电极用于接入逻辑高电平，第二NPN三极管的发射极连接第一PNP三极管的发射极；

第一PNP三极管的集电极用于接入逻辑低电平，第一PNP三极管的发射极用于连接半导体开关器件；其中，关断信号为逻辑高电平；导通信号为逻辑低电平。

在其中一个实施例中，电压采集模块包括第一二极管、第二二极管、第一电阻、第二电阻和第一电容；

第一二极管的正极和第二二极管的正极用于接入供电电压；

第一二极管的负极和第二二极管的负极均连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端用于通过第二电阻接入逻辑低电平，第一电阻的另一端连接开关控制模块；

第一电容并接在第一电阻两端。

在其中一个实施例中，第一持续时间大于0.5微秒且小于1.5微秒。

在其中一个实施例中，第二持续时间大于1.5微秒且小于2.5微秒。

一种半导体开关器件控制方法，包括步骤：

获取工作电路的供电电压；

在供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断，在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通，在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断；其中，在半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断。

上述半导体开关器件控制方法，在采集到工作电路的供电电压后，在工作电路的供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。其中，半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断。基于此，通过控制半导体开关器件完成两次关断，利用两次关断间的时间使半导体开关器件导通，使半导体开关器件起到放电的作用，以降低半导体开关器件在第二次关断后所承受的反压，降低半导体开关器件被击穿的风险。

在其中一个实施例中，第一持续时间大于0.5微秒且小于1.5微秒。

在其中一个实施例中，第二持续时间大于1.5微秒且小于2.5微秒。

在其中一个实施例中，第一持续时间为1微秒。

在其中一个实施例中，第二持续时间为2微秒。

一种半导体开关器件控制装置，包括：

电压获取模块，用于获取工作电路的供电电压；其中，在半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断；

主控制模块，用于在供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断，在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通，在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。

上述半导体开关器件控制装置，在采集到工作电路的供电电压后，在工作电路的供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。其中，半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断。基于此，通过控制半导体开关器件完成两次关断，利用两次关断间的时间使半导体开关器件导通，使半导体开关器件起到放电的作用，以降低半导体开关器件在第二次关断后所承受的反压，降低半导体开关器件被击穿的风险。

一种计算机设备，包括存储器、处理器以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现如上述任一实施例的半导体开关器件控制方法。

上述计算机设备，在采集到工作电路的供电电压后，在工作电路的供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。其中，半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断。基于此，通过控制半导体开关器件完成两次关断，利用两次关断间的时间使半导体开关器件导通，使半导体开关器件起到放电的作用，以降低半导体开关器件在第二次关断后所承受的反压，降低半导体开关器件被击穿的风险。

一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如上述任一实施例的半导体开关器件控制方法。

上述计算机存储介质，在采集到工作电路的供电电压后，在工作电路的供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。其中，半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断。基于此，通过控制半导体开关器件完成两次关断，利用两次关断间的时间使半导体开关器件导通，使半导体开关器件起到放电的作用，以降低半导体开关器件在第二次关断后所承受的反压，降低半导体开关器件被击穿的风险。

一种电磁加热装置，包括工作电路、半导体开关器件以及如上述任一实施例的半导体开关器件控制电路；

工作电路包括整流电路、滤波电路和LC震荡电路；

整流电路的两个输入端用于接入交流供电，整流电路的一输出端连接滤波电路的一端，整流电路的另一输出端连接滤波电路的另一端；

滤波电路的一端通过LC震荡电路连接半导体开关器件的第一开关端；滤波电路的另一端连接半导体开关器件的第二开关端；

电压采集模块用于采集整流电路的两个输入端间的电压，得到供电电压；

开关控制模块，用于在供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；开关控制模块并用于在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；开关控制模块还用于在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。

上述电磁加热装置，在采集到工作电路的供电电压后，在工作电路的供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。其中，半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断。基于此，通过控制半导体开关器件完成两次关断，利用两次关断间的时间使半导体开关器件导通，使半导体开关器件和LC震荡电路起到放电的作用，以降低半导体开关器件在第二次关断后所承受的反压，降低半导体开关器件被击穿的风险。

附图说明

图1为一实施方式的半导体开关器件控制电路模块结构图；

图2为另一实施方式的半导体开关器件控制电路模块结构图；

图3为一实施方式的半导体开关器件控制电路图；

图4为一实施方式的半导体开关器件控制方法流程图；

图5为一实施方式的半导体开关器件控制装置模块结构图；

图6为一实施方式的电磁加热装置模块结构图。

具体实施方式

为了更好地理解本发明的目的、技术方案以及技术效果，以下结合附图和实施例对本发明进行进一步的讲解说明。同时声明，以下所描述的实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明

本发明实施例提供了一种半导体开关器件控制电路。

图1为一实施方式的半导体开关器件控制电路模块结构图，如图1所示，一实施方式的半导体开关器件控制电路包括模块100和模块101：

电压采集模块100，用于采集工作电路的供电电压；其中，在半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断；

开关控制模块101，用于在供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；开关控制模块并用于在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；开关控制模块还用于在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。

其中，如图1所示，在半导体开关器件导通时，工作电路接入外部供电+，并通过半导体开关器件与外部供电-构成完整的回路，工作电路上电工作。在半导体开关器件关断时，回路在半导体开关器件这断开。其中，半导体开关器件包括IGBT、MOS管或三极管等。以半导体开关器件为IGBT为例，以控制IGBT的栅极电平，控制IGBT的导通或关断。

其中，工作电路接入的外部供电包括直流供电或交流供电。电压采集模块100通过获取外部供电+与外部供电-间的电压，得到工作电路的供电电压。

在其中一个实施例中，电压采集模块100包括电压采集电路或采样芯片。开关控制模块101根据采集到的工作电路的供电电压，对供电电压进行阈值判断。在供电电压大于预设电压值时，表征外部供电出现浪涌电压，开关控制模块101控制半导体开关器件完成第一次关断，在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通，在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。基于此，在第一次关断与第二次关断间半导体开关器件导通，可泄放浪涌电压加载在半导体开关器件上的反压。

在其中一个实施例中，开关控制模块101包括MCU。

在其中一个实施例中，图2为另一实施方式的半导体开关器件控制电路模块结构图，如图2所示，开关控制模块101包括模块200和模块201：

信号处理单元200，用于接收采集电压值，在采集电压值大于预设电压值时控制半导体开关器件输出关断信号，在保持第一持续时间的关断信号输出后输出导通信号，在保持第二持续时间的导通信号输出后持续输出关断信号；

信号处理单元200根据预设电压值，在判断出采集电压值大于预设电压值后，以采集电压值超出预设电压值这一时刻作为基准时刻。基准时刻后保持第一持续时间的关断信号输出，在保持第二持续时间的导通信号输出，最后持续输出关断信号。

驱动单元201，用于根据关断信号驱动半导体开关器件关断，根据导通信号驱动半导体开关器件导通。

其中，驱动单元201根据关断信号驱动半导体开关器件关断，根据导通信号驱动半导体开关器件导通，以实现半导体开关器件的第一次关断和第二次关断。

在其中一个实施例中，关断信号为逻辑高电平VDD；导通信号为逻辑低电平VSS。图3为一实施方式的半导体开关器件控制电路图，如图3所示，驱动单元201包括第一NPN三极管Q1、第二NPN三极管Q2和第一PNP三极管Q3；

第一NPN三极管Q1的基极连接第二NPN三极管Q2的基极，第一NPN三极管Q1的发射极用于接入逻辑低电平VSS，第一NPN三极管Q1的集电极连接第一PNP三极管Q1的基极；

第二NPN三极管Q1的集电极用于接入逻辑高电平VDD，第二NPN三极管Q2的发射极连接第一PNP三极管Q3的发射极；

第一PNP三极管Q3的集电极用于接入逻辑低电平VSS，第一PNP三极管Q3的发射极用于连接半导体开关器件。

如图3所示，在信号处理单元200输出关断信号，即逻辑高电平VDD后，第一NPN三极管Q1和第一PNP三极管Q3均导通，逻辑低电平VSS输入至半导体开关器件，例如IGBT的栅极，以关断半导体开关器件。在信号处理单元200输出导通信号，即逻辑低电平VSS后，第一NPN三极管Q1和第一PNP三极管Q3均关断，逻辑高电平VDD输入至半导体开关器件，例如IGBT的栅极，以导通半导体开关器件。

在其中一个实施例中，如图3所示，驱动单元201还包括第一限流电阻RL1、第二限流电阻RL2、、偏置电阻RT和上拉电阻RH。

在其中一个实施例中，如图3所示，电压采集模块100包括第一二极管D1、第二二极管D2、第一电阻R1、第二电阻R2和第一电容C1；

第一二极管D1的正极和第二二极管D2的正极用于接入供电电压；

第一二极管D1的负极和第二二极管D2的负极均连接第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端用于通过第二电阻接R2入逻辑低电平VSS，第一电阻R1的另一端连接开关控制模块101；

第一电容C1并接在第一电阻R1两端。

如图3所示，第一二极管D1和第二二极管D2用于整流，将交流电形式的外部供电整流为直流电，并通过第一电阻R1和第二电阻R2的分压，将分压后的电压输出至开关控制模块101。第一电容C1用于滤波。

在其中一个实施例中，第一持续时间大于0.5微秒且小于1.5微秒。作为一个较优的实施方式，第一持续时间为1微秒。

在其中一个实施例中，第二持续时间大于1.5微秒且小于2.5微秒。第二持续时间为2微秒。

上述任一实施例的半导体开关器件控制电路，电压采集模块100在采集到工作电路的供电电压后，开关控制模块101接收工作电路的供电电压，在工作电路的供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。其中，半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断。基于此，通过控制半导体开关器件完成两次关断，利用两次关断间的时间使半导体开关器件导通，使半导体开关器件起到放电的作用，以降低半导体开关器件在第二次关断后所承受的反压，降低半导体开关器件被击穿的风险。

本发明实施例还提供一种半导体开关器件控制方法。

图4为一实施方式的半导体开关器件控制方法流程图，如图4所示，一实施方式的半导体开关器件控制方法包括步骤S100和S101：

S100，获取工作电路的供电电压；其中，在半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断；

S101，在供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断，在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通，在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。

在其中一个实施例中，第一持续时间大于0.5微秒且小于1.5微秒。

在其中一个实施例中，第二持续时间大于1.5微秒且小于2.5微秒。

在其中一个实施例中，第一持续时间为1微秒。

在其中一个实施例中，第二持续时间为2微秒。

上述半导体开关器件控制方法，在采集到工作电路的供电电压后，在工作电路的供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。其中，半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断。基于此，通过控制半导体开关器件完成两次关断，利用两次关断间的时间使半导体开关器件导通，使半导体开关器件起到放电的作用，以降低半导体开关器件在第二次关断后所承受的反压，降低半导体开关器件被击穿的风险。

本发明实施例还提供一种半导体开关器件控制装置。

图5为一实施方式的半导体开关器件控制装置模块结构图，如图5所示，一实施方式的半导体开关器件控制装置包括模块1000和模块1001：

电压获取模块1000，用于获取工作电路的供电电压；其中，在半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断；

主控制模块1001，用于在供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断，在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通，在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。

上述半导体开关器件控制装置，在采集到工作电路的供电电压后，在工作电路的供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。其中，半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断。基于此，通过控制半导体开关器件完成两次关断，利用两次关断间的时间使半导体开关器件导通，使半导体开关器件起到放电的作用，以降低半导体开关器件在第二次关断后所承受的反压，降低半导体开关器件被击穿的风险。

基于如上的示例，在一个实施例中还提供一种计算机设备，该计算机设备包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其中，处理器执行程序时实现如上述各实施例中的任意一种半导体开关器件控制方法。

上述计算机设备，通过处理器上运行的计算机程序，在采集到工作电路的供电电压后，在工作电路的供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。其中，半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断。基于此，通过控制半导体开关器件完成两次关断，利用两次关断间的时间使半导体开关器件导通，使半导体开关器件起到放电的作用，以降低半导体开关器件在第二次关断后所承受的反压，降低半导体开关器件被击穿的风险。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，的程序可存储于一非易失性的计算机可读取存储介质中，如本发明实施例中，该程序可存储于计算机系统的存储介质中，并被该计算机系统中的至少一个处理器执行，以实现包括如上述各半导体开关器件控制方法的实施例的流程。其中，的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)或随机存储记忆体(Random Access Memory，RAM)等。

据此，在一个实施例中还提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，其中，该程序被处理器执行时实现如上述各实施例中的任意一种半导体开关器件控制方法。

上述计算机存储介质，通过其存储的计算机程序，在采集到工作电路的供电电压后，在工作电路的供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。其中，半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断。基于此，通过控制半导体开关器件完成两次关断，利用两次关断间的时间使半导体开关器件导通，使半导体开关器件起到放电的作用，以降低半导体开关器件在第二次关断后所承受的反压，降低半导体开关器件被击穿的风险。

本发明实施例还提供一种电磁加热装置。

图6为一实施方式的电磁加热装置模块结构图，如图6所示，一实施方式的电磁加热装置包括整流电路300、滤波电路301、LC震荡电路302、半导体开关器件303以及上述任一实施例的半导体开关器件控制电路304；

整流电路300的两个输入端用于接入交流供电，整流电路300的一输出端连接滤波电路301的一端，整流电路300的另一输出端连接滤波电路301的另一端；

其中，整流电路300用于将接入的交流供电转换为直流供电。

滤波电路301的一端通过LC震荡电路302连接半导体开关器件303的第一开关端；滤波电路301的另一端连接半导体开关器件303的第二开关端；

其中，如图6所示，LC震荡电路包括线盘L和谐振电容XC。

电压采集模块100用于采集整流电路300的两个输入端间的电压，得到供电电压；

开关控制模块101，用于在供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件303完成第一次关断；开关控制模块101并用于在半导体开关器件303完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件303导通；开关控制模块101还用于在半导体开关器件303导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件303完成第二次关断。

上述电磁加热装置，在采集到工作电路的供电电压后，在工作电路的供电电压大于预设电压值时控制半导体开关器件完成第一次关断；在半导体开关器件完成第一次关断保持第一持续时间后控制半导体开关器件导通；在半导体开关器件导通保持第二持续时间后控制半导体开关器件完成第二次关断。其中，半导体开关器件导通时，工作电路构成回路；在半导体开关器件关断时，工作电路关断。基于此，通过控制半导体开关器件完成两次关断，利用两次关断间的时间使半导体开关器件导通，使半导体开关器件和LC震荡电路302起到放电的作用，以降低半导体开关器件在第二次关断后所承受的反压，降低半导体开关器件被击穿的风险。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。