阅读说明：本技术 光掩膜坯料关联基板的评价方法 (Evaluation method of photomask blank related substrate ) 是由 木下隆裕 于 2019-06-19 设计创作，主要内容包括：技术问题：提供一种光掩膜坯料关联基板的评价方法,在光掩膜坯料关联基板中,能够简便地评价其表面状态(例如,形成于透明基板上的光学膜等的透射率、光学常数以外的膜质)。解决方案：在光掩膜坯料关联基板的评价方法中,拍摄所述光掩膜坯料关联基板的表面而获取表面图像,并从该获取的表面图像中获取该表面图像的对比度,并利用该获取的表面图像的对比度来评价所述光掩膜坯料关联基板。(The technical problem is as follows: provided is a method for evaluating a photomask blank-related substrate, which can easily evaluate the surface state (for example, the transmittance of an optical film or the like formed on a transparent substrate, and the film quality other than the optical constant) of the photomask blank-related substrate. The solution is as follows: in the method for evaluating a photomask blank-related substrate, a surface image is acquired by imaging a surface of the photomask blank-related substrate, a contrast of the surface image is acquired from the acquired surface image, and the photomask blank-related substrate is evaluated using the contrast of the acquired surface image.)

光掩膜坯料关联基板的评价方法

技术领域

本发明涉及一种用于制造在半导体器件(半导体装置)等的制造中使用的光掩膜(转印用掩膜)的光掩膜坯料、光掩膜坯料中间产品或者光掩膜用玻璃基板(下面也将它们称为光掩膜坯料关联基板)的评价方法。

背景技术

通过使用光刻技术而制造半导体器件，所述光刻技术向绘制有电路图案的光掩膜等图案转印用掩膜照射曝光光束，并经由缩小光学系统将形成于掩膜的电路图案转印到半导体基板上。随着半导体器件的电路图案的微细化，主流的曝光光束的波长为使用了氟化氩(ArF)准分子激光的193nm，通过采用多次组合曝光工艺、加工工艺的多图案化这样的工艺，从而能够形成与曝光波长相比充分小的尺寸的图案。

通过在光掩膜坯料上形成电路图案来制作图案转印用掩膜，其中，所述光掩膜坯料是在透光性基板(光掩膜用玻璃基板)上形成有光学膜。这样的光学膜一般而言是含有铬的膜、含有钼的膜，且为作为遮光膜发挥功能的膜、作为相移膜发挥功能的膜等(参照专利文献1)，由此能够成为光掩膜坯料，进一步地，以高精度加工光学膜为目的而形成硬质掩膜、蚀刻停止膜，也能够成为光掩膜坯料。

为了更微细化，而要求光掩膜坯料及光掩膜用玻璃基板的表面更平滑。

另外，在光掩膜用玻璃基板上进行成膜而成为光掩膜坯料之前，需要如上所述那样分别对各光学膜进行层叠的工序，也同样要求其中间产品(光掩膜坯料中间产品)是平滑的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开2002-196475号公报

发明内容

(一)要解决的技术问题

在光掩膜坯料的制造工序中，例如，在成膜中使用喷溅法，但即使光学膜的膜厚、光学常数等相同，膜质有时也不同(即使制作相同膜种，而使膜的光学特性、膜厚是规定值，但有时由于制造工序的故障而使膜的状态变化)，需要一种在膜厚、光学常数以外简便地管理膜质的方法。

如果膜质不同(膜质变化)，则加工性发生变化，有可能不能形成期望的图案形状。

作为膜质的管理方法，例如考虑表面粗糙度。在此，光掩膜坯料的平滑化进行发展，已达到Ra(算术平均粗糙度)为0.5nm以下，因此一般而言使用AFM(原子间力显微镜)进行测量。但是，用AFM的测量是破坏检查，不能测量用于制作光掩膜的光掩膜坯料关联基板本身。

另外，当微细化发展时，光掩膜坯料关联基板需要检测更微细的异物、针孔等缺陷，而需要提高检测器的灵敏度，但存在的问题为，发生为了要检测微细的缺陷而在检查中将不是缺陷的部分识别为缺陷的疑似缺陷，或者为了检测出多个疑似缺陷而长时间占有检测器。

识别为疑似缺陷，例如是由于表面粗糙度粗而难以将其高度与缺陷的高度区分出来的缘故。

本发明鉴于上述的技术问题而完成，其目的在于，提供一种光掩膜坯料关联基板的评价方法，其在光掩膜坯料关联基板中，能够简便地评价其表面状态(形成于透明基板上的光学膜等的透射率、光学常数以外的膜质)。

(二)技术方案

为了实现上述目的，本发明提供一种光掩膜坯料关联基板的评价方法，其特征在于，拍摄所述光掩膜坯料关联基板的表面而获取表面图像，从该获取的表面图像中获取该表面图像的对比度，利用该获取的表面图像的对比度来评价所述光掩膜坯料关联基板。

此外，在此所谓的表面图像的对比度是指，向光掩膜坯料关联基板的表面照射光，并在通过其反射而获得的像中，在光掩膜坯料关联基板的规定的范围内获得的图像的最亮的部分与最暗的部分的光强度的差。即，当将图像的最亮的部分的反射光的强度设定为Imax，将最弱的部分设定为Imin时，对比度Δ用Δ＝(Imax-Imin)/(Imax+Imin)来定义。

本发明的发明人进行了认真研究，得知，对比度Δ与光掩膜坯料关联基板的表面粗糙度形状相关，通过测量对比度Δ，从而能够成为掩膜坯料的反映了表面粗糙度、起伏等的表面状态(在表面形成有膜的情况下，是膜表面的状态，下面也称为膜质)的指标。而且，本发明是一种利用这样的新的指标来评价光掩膜坯料关联基板的方法，能够不破坏且简便地评价透射率、光学常数以外的膜质。

另外，通过在例如缺陷检查前进行该评价方法，从而能够预先去除存在多个疑似缺陷那样的光掩膜坯料关联基板。由此，能够防止如以往那样，由于多个疑似缺陷而长时间占有缺陷检测器。因此，能够实现缺陷检查的高效化。

而且，通过本发明的评价方法，结果能够排除例如膜质异常的产品而稳定地提供高品质的光掩膜坯料关联基板。

此时，可以为，当评价所述光掩膜坯料关联基板时，进行：标准对比度获取工序，预先准备作为标准的光掩膜坯料关联基板，并获取该标准光掩膜坯料关联基板的表面图像的对比度作为标准对比度；评价对象对比度获取工序，准备与所述标准光掩膜坯料关联基板不同的评价对象的光掩膜坯料关联基板，并用与所述标准对比度获取工序相同的光学系统来获取所述评价对象光掩膜坯料关联基板的表面图像的对比度作为评价对象对比度；以及对比度比较工序，通过比较所述评价对象对比度与所述标准对比度，从而评价所述评价对象光掩膜坯料关联基板。

通过像这样准备作为标准的光掩膜坯料关联基板并作为标准试样来进行比较，从而能够更准确地评价膜质。

另外，可以为，在所述对比度比较工序中，当所述评价对象对比度在所述标准对比度的规定值％以内时，将所述评价对象光掩膜坯料关联基板作为合格品。

特别地，可以为，在所述对比度比较工序中，当所述评价对象对比度在所述标准对比度的±10％以内时，将所述评价对象光掩膜坯料关联基板作为合格品。

通过这些工序，能够更切实地判别膜质正常的产品与异常的产品，能够从评价对象中进行合格品判定。因此，能够提供品质稳定的光掩膜坯料关联基板。

另外，本发明提供一种光掩膜坯料关联基板的评价方法，其特征在于，拍摄所述光掩膜坯料关联基板的表面而获取表面图像，从该获取的表面图像中获取该表面图像的对比度，计算出用于使该获取的表面图像的对比度成为规定的值的对比度放大率，利用该计算出的对比度放大率来评价所述光掩膜坯料关联基板。

此外，在此所谓的表面图像的对比度的放大率(γ)，是指使对比度成为规定的大小时的放大率(倍率)。即，当将规定的对比度设定为α时，对比度放大率γ用γ＝α/Δ来定义。

利用这样的本发明的评价方法，能够不破坏而简便地评价透射率、光学常数以外的膜质。

另外，通过在缺陷检查前实施等，能够预先排除具有多个疑似缺陷的光掩膜坯料关联基板。除此之外，能够排除表面状态异常的产品而有助于制造高品质的光掩膜坯料关联基板。

此时，可以为，当评价所述光掩膜坯料关联基板时，进行：标准对比度放大率计算工序，预先准备作为标准的光掩膜坯料关联基板，并计算出该标准光掩膜坯料关联基板的表面图像的对比度的对比度放大率作为标准对比度放大率；评价对象对比度放大率计算工序，准备与所述标准光掩膜坯料关联基板不同的作为评价对象的光掩膜坯料关联基板，并用与所述标准对比度放大率计算工序相同的光学系统来计算出所述评价对象光掩膜坯料关联基板的表面图像的对比度的对比度放大率作为评价对象对比度放大率；以及比度放大率比较工序，通过比较所述评价对象对比度放大率与所述标准对比度放大率来评价所述评价对象光掩膜坯料关联基板。

通过像这样准备作为标准的光掩膜坯料关联基板并作为标准试样进行比较，从而能够更准确地评价膜质。

可以为，在所述对比度放大率比较工序中，当所述评价对象对比度放大率是所述标准对比度放大率的规定值％以内时，将所述评价对象光掩膜坯料关联基板作为合格品。

特别地，可以为，在所述对比度放大率比较工序中，当所述评价对象对比度放大率是所述标准对比度放大率的±10％以内时，将所述评价对象光掩膜坯料关联基板作为合格品。

根据这些工序，能够更切实地判别膜质、光掩膜用玻璃基板正常的产品和异常的产品，并能够从评价对象中进行合格品判定。因此，能够提供品质稳定的光掩膜坯料关联基板。

另外，可以为，当拍摄所述光掩膜坯料关联基板的表面来获取表面图像时，在共焦点光学系统且明视场下进行拍摄。

通过使用作为光学系统的共焦点光学系统，从而能够更大幅度地表现针对高度方向变化的对比度的变化，因此优选。尤其是在使用了激光的共焦点光学系统中，高度的偏移容易作为反射强度的差进行表现。

另外，通过设为明视场，即使没有那么多表面的凹凸，也能够更切实地获得对比度。

(三)有益效果

如以上那样，根据本发明，在光掩膜坯料关联基板中，能够不破坏且简便地评价作为透射率、光学常数以外的特性的表面状态。而且，能够防止以存在疑似缺陷为原因的缺陷检测器的长时间占有，有助于稳定地制造表面状态好的高品质产品。

附图说明

图1是表示光掩膜坯料关联基板制造中的使用了对比度的本发明的评价流程的一例。

图2是表示光掩膜坯料的膜的表面状态与对比度的相关性一例的说明图。其中，(a)是无缺陷部的对比度Δa，(b)是表面粗糙度比一般情况更大的情况下的对比度Δb。

图3是表示实施例1中的标准基板STD和LOT(E)的AFM结果的图表。其中，(a)是Ra，(b)是Rq。

图4是实施例1中的图表，其中，(a)是比较了标准基板STD、LOT(E)相对于Ra的Δ_AVE的图表，(b)是比较了标准基板STD、LOT(E)相对于Rq的Δ_AVE的图表。

图5是表示光掩膜坯料的膜的表面状态与对比度放大率的相关性一例的说明图。其中，(a)是无缺陷部的对比度放大率γ_a，(b)是表面粗糙度比一般情况更大的情况下的对比度放大率γ_b。

图6是实施例2中的图表，其中，(a)是比较了标准基板STD、LOT(E)相对于Ra的γ_AVE的图表，(b)是比较了标准基板STD、LOT(E)相对于Rq的γ_AVE的图表。

具体实施方式

下面参照附图对本发明的实施方式进行更详细地说明，但本发明不限于此。

(第一实施方式)

首先，对作为评价光掩膜坯料关联基板的表面状态的指标而使用对比度的情况进行说明。

在本发明的评价方法中，作为工序只要包含以下内容即可，即，拍摄光掩膜坯料关联基板的表面而获取表面图像，并从该获取的表面图像中获取该表面图像的对比度，并利用该获取的表面图像的对比度来评价光掩膜坯料关联基板。在获取对比度时使用前述的式子。

此外，可以仅对评价对象的光掩膜坯料关联基板进行上述工序进行评价，但也可以如以下说明的那样，除了评价对象的光掩膜坯料关联基板之外，对作为标准的光掩膜坯料关联基板这双方进行上述工序，并比较所获得的对比度彼此而进行评价。通过准备标准光掩膜坯料关联基板作为标准试样来进行比较，从而能够更准确地评价膜质等的表面状态。

下面对更具体的工序流程进行说明。

＜标准对比度获取工序＞

首先，准备标准光掩膜坯料关联基板。在是透明基板(光掩膜用玻璃基板)、光掩膜坯料中间产品、光掩膜坯料的情况下，可以准备进一步形成于其上的光学膜的材质等与评价对象光掩膜坯料关联基板相同的材料。

此外，作为成为评价对象的光掩膜坯料关联基板，适用于透明基板(光掩膜用玻璃基板)，还适用于对形成了一般用于光掩膜的含Cr膜、含MoSi膜等的光掩膜坯料、各光学膜分别进行层叠时的中间产品即光掩膜坯料中间产品，在是光掩膜坯料、光掩膜坯料中间产品的情况下，对膜结构、膜厚等没有特别限制。可以是作为光掩膜坯料的膜结构而形成了含有MoSi的半色调膜的结构、在其上形成了作为遮光膜的含Cr膜的结构、进一步地在其上形成了含有Si的硬质掩膜的结构、在含有MoSi的半色调膜上按顺序形成了含Cr膜、MoSi遮光膜、含C膜的结构，也可以是形成了含Cr膜的结构、在其上形成了含Si膜的结构、进一步地在其上形成了含Cr膜的结构。成膜方法也没有限制，例如适用喷溅法。

接着，拍摄所准备的标准光掩膜坯料关联基板的表面而获取表面图像。只要是能够以之后可以从获取的表面图像中获取对比度的方式进行拍摄的设备即可，例如可以使用能够获取表面图像的缺陷检查装置。

此时，通过使用共焦点光学系统，从而能够更大幅度地表现针对高度方向变化的对比度的变化。另外，通过设为明视场，即使在所拍摄的表面没有那么多凹凸，也能够更切实地获得对比度，因此优选。尤其优选用共焦点光学系统在明视场下进行拍摄。

此外，作为拍摄范围，可举出没有表面的异物、凹陷、针孔等缺陷的部分。

优选使拍摄时所使用的波长为例如600nm以下。对下限没有特别限制，只要是例如150nm以上即可，波长短，可反映对缺陷的灵敏度、微细的凹凸，因此优选。特别地，在半间距为10nm以下的世代中，优选是400nm以下。

然后，从获取的表面图像中获取该表面图像的对比度。并将其作为标准对比度。

此外，关于表面图像，也可以使用利用微分处理等图像处理算法进一步强调了表面状态的图像。

＜评价对象对比度获取工序＞

接着，准备与标准光掩膜坯料关联基板不同的另外的实际的评价对象的光掩膜坯料关联基板。然后，用与标准对比度获取工序相同的光学系统同样地获取表面图像，并获取该表面图像的对比度。并将其作为评价对象对比度。

＜对比度比较工序＞

接着，通过将所获取的评价对象对比度与标准对比度进行比较，从而对评价对象光掩膜坯料关联基板进行评价。

此处的比较评价的基准没有特别限定，例如可以设定标准对比度的±10％以内这样的基准。即，当评价对象对比度在标准对比度的±10％以内时，能够将评价对象光掩膜坯料关联基板作为合格品对待。如果是这样的基准，则能够从正常品中更切实地判别膜质、光掩膜用玻璃基板异常的产品，能够高精度地判定评价对象的合格品。能够实现品质的稳定化。

此外，并不限于±10％以内，能够根据期望的评价基准来设定为标准对比度的规定值％以内。

根据以上那样的本发明的评价方法，与使用例如AFM的以往的破坏检查不同，能够不破坏且简便地评价光掩膜坯料关联基板的表面状态。而且，通过在缺陷检查前实施等，而能够防止疑似缺陷所引起的缺陷检查的长时间化，能够实现高效化。另外，由于能够排除表面状态异常的产品，因此能够提供高品质的光掩膜坯料关联基板。

作为本发明，除了评价/检查产品之外，能够用于发现工序中的错误、异常。例如，也能够用作成膜工序中的工序监视。另外，能够用作光掩膜用玻璃基板的因研磨条件的变化造成的表面粗糙度、起伏的变化的监视。

另外，在如上述那样在进行缺陷检查之前进行本发明的评价方法的情况下，当评价对象对比度是规定的值以上时，在缺陷检查中，将实际上不存在的缺陷识别为存在缺陷的可能性高，因此使检查结果为NG、或者中断检查即可。

例如，在下个工序控制缺陷检查工序的情况下，能够通过以下那样的流程实施本发明。

图1表示光掩膜坯料关联基板制造中的使用了对比度的本发明的评价流程的工序的例子。

评价装置可以使用能够获取表面图像的缺陷检查装置。

首先，对表面图像获取、对比度获取、合格与否判定(对比度比较)的一系列工序以自动化执行的方式构筑程序。

接着，制作标准基板(标准光掩膜坯料关联基板)，获取表面图像、以及计算出标准对比度Δ_STD。在此，根据例如角部四点和中心部总计五点的平均值来计算出Δ_STD。

最后，在评价装置中设定将Δ_STD±10％以内视为正常品的阈值。

当以上的设定结束后，实施评价对象的光掩膜坯料关联基板(评价对象光掩膜坯料关联基板)的检查。在图像获取工序中，获取预先指定的坐标的表面图像，在对比度获取工序中，从所获取的图像中自动地测量对比度，在合格与否判定工序中，对检查品的对比度与预先设定的基准值进行比较，仅在判断为是±10％以内的情况下，进入下个工序。在此，对判断为异常的光掩膜坯料关联基板，中止检查，并发出警报。

根据本检查流程，能够快速检测在以往难以进行合格与否判别的膜表面的异常，迅速地实施工序改善。

(第二实施方式)

接着，对作为评价光掩膜坯料关联基板的表面状态的指标而使用对比度放大率的情况进行说明。

在本发明的评价方法中，作为工序只要包含以下内容即可，即，拍摄光掩膜坯料关联基板的表面而获取表面图像，并从该获取的表面图像中获取该表面图像的对比度，计算出用于使该获取的表面图像的对比度成为规定的值的对比度放大率，并利用该计算出的对比度放大率来评价光掩膜坯料关联基板。在计算出对比度放大率时使用前述的式子。

即，与第一实施方式相比，方式为，在获取了对比度之后计算出对比度放大率，并使用对比度放大率代替对比度来进行评价。

更具体而言，例如，首先，进行标准对比度放大率计算工序，即，预先准备标准光掩膜坯料关联基板，并计算出表面图像的对比度的对比度放大率作为标准对比度放大率。

接着，进行评价对象对比度放大率计算工序，即，准备评价对象光掩膜坯料关联基板，并用与标准对比度放大率计算工序相同的光学系统来计算出评价对象光掩膜坯料关联基板的表面图像的对比度的对比度放大率作为评价对象对比度放大率。

然后，进行对比度放大率比较工序，即，通过比较标准对比度放大率与评价对象对比度放大率来对评价对象光掩膜坯料关联基板进行评价。

这样，也能够不破坏且简便地进行光掩膜坯料关联基板的评价，能够与第一实施方式时同样地实现前述的各种效果。

此外，关于其它的要素(例如，共焦点光学系统且明视场这样的条件、对比度放大率比较工序中的基准：标准对比度放大率的规定值％以内(尤其是±10％以内)等)可以与第一实施方式相同。

实施例

以下，示出实施例和比较例来更具体地说明本发明，但本发明并不限定于此。

(实施例1)

进行了本发明的评价方法中的使用了相对于相移膜的对比度的评价方法。

首先，在一边为6英寸(约15cm)的正方形的石英玻璃基板上，通过作为靶而使用了钼硅靶、硅靶，作为喷溅气体而使用了氩、氮、氧气的喷溅法，对由钼、硅、氧、氮构成的相移膜进行成膜，并制作了两张标准基板。对一张标准基板使用分光光度计，测量透射率、反射率，并使用AFM测量了表面粗糙度。使另一方的标准基板成为作为相移膜的对比度基准的标准基板STD(标准光掩膜坯料)。

接着，使用LASERTEC公司(レーザーテック社)生产的M6640S，获取了标准基板STD的角部S1(-65mm、-65mm)、S2(-65mm、65mm)、S3(65mm、-65mm)、S4(65mm、65mm)、以及中心部S5(0mm、0mm)的未观察到凹形状、凸形状的缺陷的部分的表面图像。下面，将在规定的检测器中未观察到凹形状、凸形状的缺陷的部分定义为无缺陷部，并将本表面图像定义为无缺陷图像。

从S1～S5的无缺陷图像中求出各自的对比度Δ_S1～Δ_S5(标准对比度)。

在此，首先，以表面状态与对比度的相关性为例进行说明。图2表示光掩膜坯料的膜的表面状态与对比度的相关性。图2的(a)表示无缺陷部的对比度Δ_a。在是无缺陷图像的情况下，表示取决于膜的表面状态的对比度CON的对比度值。图2的(b)表示膜的表面粗糙度比一般情况更大的情况。在膜的表面粗糙度比图2的(a)更大的情况下，即使是无缺陷部，由于对比度CON被强调，因此无缺陷部的对比度Δ_b也比Δ_a更大。在本例以外，在较大的表面起伏、膜质异常等不同于正常的表面状态的情况下，也认为对比度Δ_b是比Δ_a更大的数值。

在下述表1中表示标准基板的对比度Δ_S1～Δ_S5。

根据本结果，计算出平均对比度Δ_AVE＝11。此外，获取图像越多越能够均衡对比度的偏差，如果考虑光掩膜坯料的生产效率的平衡，则优选为五张以内。另外，在也考虑了光掩膜坯料的面内均匀性的情况下，优选获取基板的角部和中心部的图像。

(表1)

对比度	Δ<sub>S1</sub>	Δ<sub>S2</sub>	Δ<sub>S3</sub>	Δ<sub>S4</sub>	Δ<sub>S5</sub>	Δ<sub>AVE</sub>
							STD	11	12	11	12	11	11

接着，作为评价对象而准备了用与上述标准基板相同的成膜条件进行了成膜的LOT(A)～(D)、以及通过使成膜气压变化并调整氮气体、氧气的流量而用与LOT(A)～(D)相同透射率、反射率、膜厚制造的LOT(E)(评价对象光掩膜坯料)。在M6640S中获取角部S1～S4和中心部S5的未检测出缺陷的部分的图像(无缺陷图像)，并从图像中求出对比度Δ_S1～Δ_S5(评价对象对比度)。

在下述表2中示出对比度Δ_S1～Δ_S5以及平均对比度Δ_AVE。

LOT(A)～(E)的透射率、反射率、膜厚的偏差是5％以内。

但是，关于LOT(A)～(D)的Δ_AVE，与标准基板比较，偏差收敛于±10％以内，LOT(E)的Δ_AVE是比标准基板STD大20％以上的值。

(表2)

对比度	Δ<sub>S1</sub>	Δ<sub>S2</sub>	Δ<sub>S3</sub>	Δ<sub>S4</sub>	Δ<sub>S5</sub>	Δ<sub>AVE</sub>
							LOT(A)	11	10	11	11	11	11
LOT(B)	11	12	11	12	12	12
							LOT(C)	10	10	11	11	11	11
LOT(D)	11	12	11	11	12	11
							LOT(E)	16	14	13	15	16	15

作为合格品判定基准，通过使评价对象对比度在标准对比度的±10％以内，而得到仅将LOT(A)～(D)判定为合格品，而LOT(E)不符合的结果。

图3表示标准基板STD和LOT(E)的AFM结果。作为表面粗糙度的指标，测量了算术平均粗糙度Ra和均方根高度Rq。在图3的(a)中表示Ra的结果，在图3的(b)中表示Rq的结果。

在任意的指标中都发现了0.1nm程度的显著差异。

另外，在图4的(a)、(b)中分别示出对相对于Ra、Rq的、标准基板STD、LOT(E)的Δ_AVE进行比较的结果。

根据图3、4，发现相对于标准对比度Δ_AVE为11的标准基板STD的Ra、Rq分别不足0.3nm、不足0.4nm而言，评价对象对比度Δ_AVE为15(即，评价对象对比度超过标准基板STD的情况下的±10％的范围)的LOT(E)分别比0.3nm大、比0.4nm大。

而且，关于其它LOT(A)～(D)(都是评价对象对比度为标准基板STD的情况下的±10％以内)也进行了同样地测量，都与标准基板STD同样地，Ra、Rq分别不足0.3nm、不足0.4nm。

关于LOT(E)，存在例如在缺陷检查工序中判定为疑似缺陷的可能性。

根据图4的标准基板STD及LOT(E)的结果、和上述的LOT(A)～(D)的结果，可知通过使对比度的管理阈值为±10％以内，从而能够判别所制造的光掩膜坯料的正常和异常。能够将具有与标准基板STD为相同程度的Ra等的LOT(A)～(D)判断为合格品，能够排除Ra等变大的LOT(E)。

(实施例2)

进行了本发明的评价方法中的使用了对比度放大率的评价方法。

首先，利用M6640S获取与实施例1相同的标准基板STD、LOT(A)～(E)的角部S1(-65mm、-65mm)、S2(-65mm、65mm)、S3(65mm、-65mm)、S4(65mm、65mm)、以及中心部S5(0mm，0mm)的无缺陷图像，并从该表面图像中获取各自的对比度，进而提取了对比度放大率γ_S1～γ_S5(标准对比度放大率、评价对象对比度放大率)。

在此，首先，以表面状态与对比度放大率的相关性为例进行说明。图5表示光掩膜坯料的膜的表面状态与对比度放大率的相关性。对比度放大率是将表面图像的对比度放大到特定的灰度的倍率。图5的(a)表示无缺陷部的对比度放大率γ_a。在无缺陷图像的情况下，表示反映了膜的表面状态的对比度CON的放大率。图5的(b)表示膜的表面粗糙度比一般情况更大的情况。在膜的表面粗糙度比图5的(a)更大的情况下，即使是无缺陷部，由于对比度CON被强调，因此无缺陷部的对比度放大率γ_b也比γ_a更小。

在下述表3中表示标准基板的对比度放大率γ_S1～γ_S5。

根据本结果，计算出平均对比度放大率γ_AVE＝22.4。

(表3)

对比度放大率	γ<sub>S1</sub>	γ<sub>S2</sub>	γ<sub>S3</sub>	γ<sub>S4</sub>	γ<sub>S5</sub>	γ<sub>AVE</sub>
							STD	23.2	21.3	23.2	21.3	23.2	22.4

在下述表4中示出LOT(A)～(E)中的对比度放大率γ_S1～γ_S5、及平均对比度放大率γ_AVE。

关于LOT(A)～(D)的γ_AVE，与标准基板比较，偏差收敛于±10％以内，LOT(E)的γ_AVE是比标准基板STD小20％以上的值。

(表4)

对比度放大率	r<sub>S1</sub>	γ<sub>S2</sub>	γ<sub>S3</sub>	γ<sub>S4</sub>	γ<sub>S5</sub>	γ<sub>AVE</sub>
							LOT(A)	23.2	25.5	23.2	24.3	23.2	23.9
LOT(B)	23.2	21.3	23.2	21.3	21.3	22.0
							LOT(C)	25.6	26.5	23.2	23.2	23.2	24.1
LOT(D)	23.2	21.3	23.2	24.3	21.3	22.6
							LOT(E)	15.9	18.2	19.6	17.0	15.9	17.3

作为合格品判定基准，通过使评价对象对比度放大率在标准对比度放大率的±10％以内，而得到仅将LOT(A)～(D)判定为合格品，而LOT(E)不符合的结果。

在图6的(a)、(b)中示出了对相对于在AFM中测量的算术平均粗糙度Ra和均方根高度Rq的标准基板STD、LOT(E)的γ_AVE进行了比较的结果。而且，关于其它的LOT(A)～(D)也同样地进行了测量。

其结果为，与实施例1同样地，评价对象对比度放大率是标准对比度放大率的±10％以内的LOT(A)～(D)的Ra、Rq与标准基板STD是相同程度，都是分别不足0.3nm、不足0.4nm。另一方面，超过±10％的范围的LOT(E)分别比0.3nm大、比0.4nm大。

这样，可知，通过使对比度放大率的管理阈值在10％以内，从而能够判别所制造的光掩膜坯料的正常和异常。

此外，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式仅是例示，具有与记载于本发明的权利要求的技术思想实质上相同的结构，并实现同样的作用效果的技术方案，均包含于本发明的技术范围内。