阅读说明：本技术 一种低损耗宽幅可控分压电路 (Low-loss wide-width controllable voltage division circuit ) 是由 袁林 严波 惠辉 赵宏森 解伟 于 2019-09-30 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种低损耗宽幅可控分压电路,涉及电路控制技术领域。包括控制芯片、NMOS晶体管,所述控制芯片用于接收包括PWM信号在内的控制信号,所述地GND和所述地PGND连接。本发明能够解决电阻分压发热高和二极管分压调节困难的问题。(The invention discloses a low-loss wide-width controllable voltage division circuit, and relates to the technical field of circuit control. The control chip is used for receiving control signals including PWM signals, and the ground GND is connected with the ground PGND. The invention can solve the problems of high resistance voltage division heating and difficult diode voltage division regulation.)

一种低损耗宽幅可控分压电路

技术领域

本发明涉及电路控制技术领域，具体涉及一种低损耗宽幅可控分压电路。

背景技术

待分压电路中常见的分压器件包括电阻、二极管或者两者的组合。其中电阻又包括可调滑动变阻器、数字电位器等。电阻的分压值随着通过电阻的电流的大小呈正比例变化，电阻分压的方式可调性差，大功率电阻存在体积大、发热高和效率低的缺点。而二极管的分压值随通过二极管的电流的大小变化幅度相对较小，二极管的发热相对较低，但是二极管存在着分压值不可调或着调压困难的缺点。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明公开一种低损耗宽幅可控分压电路，能够解决电阻分压发热高和二极管分压调节困难的问题。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：

一种低损耗宽幅可控分压电路，包括：

控制芯片，所述控制芯片连接有地GND；

NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的G极接收控制芯片发出的控制信号，所述NMOS晶体管的S极连接有地PGND，所述NMOS晶体管的D极串联待分压电路；

所述控制芯片用于接收包括PWM信号在内的控制信号，所述地GND和所述地PGND连接。

优选的技术方案，还包括用于向所述低损耗宽幅可控分压电路供电的电源。

优选的技术方案，在所述PMW信号占空比设置为0时，所述NMOS晶体管处于断开状态，所述待分压电路断开。

优选的技术方案，在所述PMW信号占空比设置为1时，所述NMOS晶体管处于连通状态，所述待分压电路连通。

优选的技术方案，在所述PMW信号占空比设置为0-1之间时，所述NMOS晶体管处于交替连通状态，所述待分压电路交替连通。

本发明公开一种低损耗宽幅可控分压电路，具有以下优点：

本发明能够实现低损耗且宽幅可调的分压效果。

在一个完整的通断周期内，当分压电路处于连通状态，分压电路的阻抗远小于待分压电路其他部分的阻抗，分压电路以较低的阻抗存在于待分压电路回路中，分压电路产生的压降几乎可以忽略不计，相应的分压电路造成的功率损耗极低；当分压电路处于断开的状态，分压电路几乎完全阻隔电流通过，此时整个电路的功耗几乎为0。

分压电路在断开状态和连通状态交替工作，当交替的频率合适时，相当于分压电路对待分压电路回路产生了一个分压的效果。通过调节控制信号改变分压电路在一个完整的通断周期内的连通时间和断开时间的比例，即可实现分压电路的分压比接近总输入电源的0％-100％的准全幅的宽幅分压效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例的电路图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明实施例所述一种低损耗宽幅可控分压电路，包括控制电路和分压电路。其中控制电路包括控制芯片U1，所述控制芯片U1的第一引脚1和第八引脚8连接，在所述第一引脚1和所述第八引脚8之间形成第一连接点A。在本实施例中，控制芯片U1选用型号为UCC27524D的驱动器，以实现对电路的控制。

控制电路还包括第一电阻R1，所述第一连接点A和所述控制芯片U1的第六引脚6连接，所述第一电阻R1在所述第一连接点A和所述第六引脚6之间串联设置。

控制电路还包括第一电容C1和第二电容C2，所述第六引脚6连接有地GND，所述第一电容C1和所述第二电容C2在所述第六引脚6和所述地GND之间并联设置。

控制电路还包括用于向所述低损耗宽幅可控分压电路供电的第一电源Vcc1，所述第一电源Vcc1和所述第六引脚6连接。

分压电路包括第二电阻R2，所述第二电阻R2在所述第五引脚5串联设置。

分压电路还包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的G极和所述第二电阻串联设置，所述NMOS晶体管的S极连接有地PGND，所述NMOS晶体管的D极串联待分压电路。

在本实施例中，所述控制芯片U1的第四引脚4用于接收包括PWM信号在内的控制信号L1，控制信号L1通过控制芯片U1后由控制芯片U1的第五引脚5向分压电路发出驱动电压A1，从而实现对分压电路的调节，所述地GND和所述地PGND连接。

具体的，控制信号L1内的PMW信号可调，PMW信号的调节方式是本领域技术人员所熟知的，在此不在赘述。在所述PMW信号占空比设置为0时，所述NMOS晶体管处于断开状态，所述待分压电路断开。在所述PMW信号占空比设置为1时，所述NMOS晶体管处于连通状态，所述待分压电路连通。在所述PMW信号占空比设置为0-1之间时，所述NMOS晶体管处于交替连通状态，所述待分压电路交替连通。

当交替的频率合适时，相当于分压电路对待分压电路回路产生了一个分压的效果。通过调节控制信号改变分压电路在一个完整的通断周期内的连通时间和断开时间的比例，即可实现分压电路的分压比接近总输入电压的0％-100％的准全幅的宽幅分压效果。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。

在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。