阅读说明：本技术 测量光学量测的性能的方法、衬底和设备 (Method, substrate and apparatus for measuring performance of optical metrology ) 是由 L·G·蒙蒂拉 K·肖梅 于 2018-04-17 设计创作，主要内容包括：一种方法包括：使用来自组件的辐射照射产品测试衬底,其中产品测试衬底不具有经蚀刻的器件图案,并且在被照射时,产生非零灵敏度,非零灵敏度表示产品测试衬底的光学响应特性相对于辐射特性的变化的变化；测量由产品测试衬底重定向的辐射的至少一部分来确定参数值；以及基于参数值,对组件采取措施。(One method comprises the following steps: illuminating a product test substrate with radiation from the assembly, wherein the product test substrate does not have the etched device pattern and, when illuminated, produces a non-zero sensitivity that represents a change in an optical response characteristic of the product test substrate relative to a change in the radiation characteristic; measuring at least a portion of the radiation redirected by the production test substrate to determine a parameter value; and taking action on the component based on the parameter value.)

测量光学量测的性能的方法、衬底和设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年5月4日提交的美国临时专利申请号62/501,515的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本说明书涉及用于测量光学量测的性能的方法、衬底和设备。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)或被设计为具有其他功能的器件。在该情况下，可以将图案形成装置(备选地称为掩模或掩模版)用于生成待形成在被设计为具有功能的器件的单独层上的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯的一部分)上。图案的转印通常经由成像到衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器，在所谓的步进器中，通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描仪，在所谓的扫描器中，通过借助辐射束在给定方向(“扫描”方向)上扫描图案，同时在与该方向平行或反平行的方向上同步扫描衬底来照射每个目标部分。通过将图案压印到衬底上，也可以将图案从图案形成装置转印到衬底上。

发明内容

制造器件(例如，半导体器件)通常涉及使用许多制造工艺来处理衬底(例如，半导体晶片)，以形成各种特征并通常形成器件的多个层。通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子注入来制造和处理这样的层和/或特征。可以在衬底上的多个管芯上制造多个器件，然后将其分离成单独的器件。该器件制造过程可以被认为是图案化过程。图案化过程涉及图案转印步骤(例如，使用光刻设备的光学光刻和/或纳米压印光刻)，以在衬底上提供图案，并且通常但可选地涉及一个或多个相关的图案处理步骤(例如，通过显影设备进行抗蚀剂显影、使用烘烤工具烘烤衬底、通过蚀刻设备蚀刻图案等)。此外，图案化过程涉及一个或多个量测过程。

在图案化过程期间的各个步骤处使用量测过程来监视和/或控制该过程。例如，量测过程用于测量衬底的一个或多个特性(例如，在图案化过程期间在衬底上形成的特征的相对位置(例如，配准、重叠、对准等)或尺寸(例如，线宽、临界尺寸(CD)、厚度等))，使得例如可以根据一个或多个特性来确定图案化过程的性能。如果一个或多个特性是不可接受的(例如，超出(多个)特性的预定范围)，则可以例如基于对一个或多个特性的测量来设计或更改图案化过程的一个或多个变量，使得通过图案化过程制造的衬底具有可接受的(多个)特性。

随着光刻技术和其他图案化工艺技术的发展，功能元件的尺寸不断减小，而每个器件中诸如晶体管的功能元件的数量在数十年中稳定增加。同时，在对准、重叠、临界尺寸(CD)等方面对精度的要求变得越来越严格。在图案化过程中不可避免地产生诸如对准误差、重叠误差、CD误差等的误差。例如，对准和/或成像误差可以由光学像差、图案形成装置加热、图案形成装置误差和/或衬底加热产生，并且可以根据例如对准、重叠、CD等来表征。附加地或备选地，可能在图案化过程的其他部分(例如，在蚀刻、显影、烘烤等过程中)中引入误差，并且类似地可以根据例如重叠、CD等来表征误差。误差可能导致器件的功能问题，包括器件无法运行或功能器件的一个或多个电问题。因此，希望能够表征一个或多个这些误差并对图案化过程采取设计、修改、控制等步骤来将这些误差中的一个或多个减少或最小化。

在一个实施例中，提供了方法，方法包括：使用来自组件的辐射照射产品测试衬底，其中产品测试衬底不包括在其中蚀刻的器件图案，并且在被照射时产生非零灵敏度，非零灵敏度表示产品测试衬底的光学响应特性相对于辐射特性的变化的变化；测量由产品测试衬底重定向的辐射的至少一部分来确定参数值；以及基于参数值，对组件采取措施。

在一个实施例中，提供了方法，方法包括：计算被辐射照射的产品测试衬底的光学响应，以确定产品测试衬底的一个或多个物理特性，产品测试衬底在被照射时将产生非零灵敏度，非零灵敏度表示产品测试衬底的光学响应特性相对于辐射特性的变化的变化；以及生成包括一个或多个物理特性的电子指令来生成产品测试衬底。

在一个实施例中，提供了用于使用来自组件的辐射进行照射的产品测试衬底，其中产品测试衬底不包括在其中蚀刻的器件图案，并且在被照射时产生非零灵敏度，非零灵敏度表示产品测试衬底的光学响应特性相对于辐射特性变化的变化。

在一个方面，提供了非暂时性计算机程序产品，包括用于使得处理器系统执行本文所述方法的机器可读指令。在一个方面，提供了计算机程序产品，包括其上记录有指令的计算机非暂时性可读介质，指令在由计算机执行时，实现本文所述的方法或一个或多个过程步骤。

在一个方面，提供了用于测量图案化过程的物体的量测设备，量测设备被配置为执行本文所述的方法。在一个方面，提供了用于检查图案化过程的物体的检查设备，检查设备可操作来执行本文所述的方法。

在一个方面，提供了系统，系统包括：量测设备，被配置为将辐射束提供到物体表面上并检测由物体表面上的结构重定向的辐射；以及本文所述的计算机程序产品。在一个实施例中，系统进一步包括光刻设备，光刻设备包括：支撑结构，被配置为保持图案形成装置来对辐射束进行调制；以及投影光学系统，被布置为将经调制的辐射束投影到辐射敏感衬底上，其中物体是衬底。

在一个实施例中，提供了系统，系统包括：硬件处理器系统；以及被配置为存储机器可读指令的非暂时性计算机可读存储介质，其中当执行机器可读指令时，机器可读指令使得硬件处理器系统执行本文所述的方法。

附图说明

现在将仅通过示例的方式，参考附图来描述实施例，其中：

图1示意性地描绘了光刻设备的一个实施例；

图2示意性地描绘了光刻单元或簇的一个实施例；

图3A是根据一个实施例的使用提供某些照射模式的第一对照射孔、用于测量目标的测量设备的示意图；

图3B是给定照射方向的目标的衍射光谱的示意图；

图3C是第二对照射孔的示意图，第二对照射孔在使用测量设备进行基于衍射的重叠测量时提供了进一步的照射模式；

图3D是第三对照射孔的示意图，第三对照射孔将第一对孔和第二对孔组合，在使用基于衍射的重叠测量的测量设备中提供了进一步的照射模式；

图4示意性地描绘了多周期性结构(例如，多光栅)目标的形式以及衬底上测量光斑的轮廓；

图5示意性地描绘了在图3的设备中获得的图4的目标的图像；

图6示意性地描绘了示例量测设备和量测技术；

图7示意性地描绘了示例量测设备；

图8图示了量测设备的照射光斑与量测目标之间的关系；

图9示意性地描绘了基于测量数据导出一个或多个感兴趣变量的过程；

图10是图示一个示例对准系统的示意图；

图11是来自各种不同种类的产品衬底所检测的辐射强度随着入射辐射波长变化的示例图；

图12是来自特定种类的产品衬底所检测的辐射强度随着入射辐射波长变化的示例图，其中不同的曲线对应于衬底上堆叠的不同厚度；

图13是所计算的预期对准随着从衬底上的测量标记接收辐射的光学器件(光学传感器系统)的数值孔变化的示例图；

图14是各种照射源的输出强度光谱的示例图；

图15A是产品测试衬底的一个实施例的堆叠的示意图；

图15B是针对图15A的产品测试衬底的衍射效率随着入射辐射波长变化的示例图；

图16A是产品测试衬底的一个实施例的堆叠的示意图；

图16B是针对图16A的产品测试衬底的衍射效率随着入射辐射波长变化的示例图；

图17是创建产品测试衬底的方法的示例流程图；

图18是使用产品测试衬底的方法的示例流程图；以及

图19示意性地描绘了可以实现本公开的实施例的计算机系统。

具体实施方式

在详细描述实施例之前，提出可以在其中实现实施例的示例环境是有益的。

图1示意性地描绘了光刻设备LA。设备包括：

-被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射、DUV辐射)的照射系统(照射器)IL；

-被构造为支撑图案形成装置(例如，掩模)MA并连接到第一***PM的支撑结构(例如，掩模台)MT，第一***PM被配置为根据某些参数将图案形成装置精确地定位；

-被构造为保持衬底(例如，抗蚀剂涂覆的晶片)W并连接到第二***PW的衬底台(例如，晶片台)WT，第二***PW被配置为根据某些参数将衬底精确地定位；以及

-投影系统(例如，折射式投影透镜系统)PS，被配置为将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上，在参考框架(RF)上支持投影系统。

照射系统可以包括用于对辐射进行引导、成形或控制的各种类型的光学组件(例如，折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学组件、或其任何组合)。

支撑结构以取决于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及其他条件(例如，图案形成装置是否被保持在真空环境中)的方式来支撑图案形成装置。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成装置。支撑结构可以是框架或台(可以根据需要固定或移动)。支撑结构可以确保图案形成装置例如相对于投影系统处于期望的位置处。本文中术语“掩模版”或“掩模”的任何使用可以被认为与更通用的术语“图案形成装置”同义。

本文中所使用的术语“图案形成装置”应被广义地解释为指代可以用于在衬底的目标部分中赋予图案的任何装置。在一个实施例中，图案形成装置是可以用于在辐射束的截面上将图案赋予辐射束以在衬底的目标部分中创建图案的任何装置。应注意，例如如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则赋予辐射束的图案可能不完全对应于衬底的目标部分中的期望图案。通常，赋予辐射束的图案将对应于在目标部分中创建的器件中的特定功能层(例如，集成电路)。

图案形成装置可以是透射型或反射型的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二进制、交替相移和衰减相移的掩模类型以及各种混合式掩模类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用小反射镜的矩阵布置，小反射镜中的每一个都可以单独地倾斜，以在不同方向上反射入射辐射束。倾斜的反射镜将图案赋予由反射镜矩阵反射的辐射束中。

本文所使用的术语“投影系统”应广义地解释为涵盖适合于所使用的曝光辐射或其他因素(例如，使用浸没液体或使用真空)的任何类型的投影系统(包括折射型、反射型、折射反射型、磁性型、电磁型和静电光学系统或其任何组合)。本文中术语“投影透镜”的任何使用可以被认为与更通用的术语“投影系统”同义。

投影系统PS具有可能不均匀的光学传递函数，不均匀可能影响在衬底W上成像的图案。对于非偏振辐射，这样的影响可以通过两个标量映射很好地描述，两个标量映射描述了投影系统PS发出的辐射的透射率(变迹)和相对相位(像差)随着其光瞳平面中的位置的变化。这些标量映射(可以称为透射映射和相对相位映射)可以表示为完整基函数集合的线性组合。一个特别方便的集合是形成在单位圆上定义的正交多项式集合的Zernike多项式。每个标量映射的确定可以涉及确定这样的展开中的系数。由于Zernike多项式在单位圆上正交，因此可以通过依次计算每个Zernike多项式的测量标量映射的内积并将其除以该Zernike多项式范数的平方来确定Zernike系数。

透射映射和相对相位映射取决于场和系统。即，通常，每个投影系统PS对于每个场点(即，对于在其像平面中的每个空间位置)将具有不同的Zernike展开。可以通过借助投影系统PS、例如将来自投影系统PS的物平面(即，图案形成装置MA的平面)中的点状源的辐射进行投影并使用剪切干涉仪测量波前(即，具有相同相位的点的轨迹)来确定投影系统PS在其光瞳平面中的相对相位。剪切干涉仪是公共路径干涉仪并因此有利地不需要次级参考光束来测量波前。剪切干涉仪可以包括在投影系统(即，衬底台WT)的图像平面中的衍射光栅(例如，二维栅格)以及被布置为检测与投影系统PS的光瞳平面共轭的平面中的干涉图案的检测器。干涉图案与辐射的相位相对于剪切方向上的光瞳平面中的坐标的导数有关。检测器可以包括感测元件(例如，电荷耦合器件(CCD))的阵列。

光刻设备的投影系统PS可能不产生可见的条纹，因此可以使用诸如例如移动衍射光栅的相位步进技术来增强波前确定的准确性。可以在衍射光栅的平面中并且在垂直于测量的扫描方向的方向上执行步进。步进范围可以是一个光栅周期，并且可以使用至少三个(均匀分布)的相位步长。因此，例如，可以在y方向上执行三个扫描测量，对于x方向上的不同位置执行每个扫描测量。衍射光栅的该步进将相位变化有效地变换为强度变化，从而允许确定相位信息。光栅可以在垂直于衍射光栅的方向(z方向)上步进来校准检测器。

可以通过借助投影系统PS，例如从投影系统PS的物平面(即，图案形成装置MA的平面)中的点状光源投影辐射，并使用检测器测量与投影系统PS的光瞳平面共轭的平面中的辐射强度来确定投影系统PS在其光瞳平面中的透射(变迹)。可以使用与用于测量波前来确定像差的检测器相同的检测器。

投影系统PS可以包括多个光学(例如，透镜)元件，并且还可以包括调整机构AM，调整机构AM被配置为调整一个或多个光学元件来校正像差(跨越整个场的光瞳平面的相位变化)。为此，调整机构可用于以一个或多个不同方式来操纵投影系统PS内的一个或多个光学(例如，透镜)元件。投影系统可以具有坐标系，其中其光轴在z方向上延伸。调整机构可操作以进行以下的任何组合：将一个或多个光学元件移位；将一个或多个光学元件倾斜；和/或使一个或多个光学元件变形。光学元件的移位可以沿任何方向(x、y、z或其组合)。通过关于x和/或y方向上的轴旋转，光学元件的倾斜通常在垂直于光轴的平面之外，但是关于z轴的旋转可用于非旋转对称的非球面光学元件。光学元件的变形可以包括低频形状(例如，像散)和/或高频形状(例如，自由形式的非球面)。例如可以通过使用一个或多个致动器在光学元件的一个或多个侧面上施加力和/或通过使用一个或多个加热元件来加热光学元件的一个或多个选定区域来执行光学元件的变形。通常，可能无法调整投影系统PS来校正变迹(跨光瞳平面的透射变化)。当设计用于光刻设备LA的图案形成装置(例如，掩模)MA时，可以使用投影系统PS的透射映射。使用计算光刻技术，可以将图案形成装置MA设计为至少部分地校正变迹。

如这里所描绘的，设备是透射型的(例如，采用透射型掩模)。备选地，设备可以是反射型的(例如，采用如上所述的可编程反射镜阵列类型或采用反射型掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双平台)或更多个台(例如，两个或更多个衬底台WTa、WTb、两个或更多个图案形成装置台，在没有专用衬底的情况下，投影系统下方的衬底台WTa和台WTb例如便于测量和/或清洁等)的类型。在这样的“多平台”机器中，可以并行使用附加的台，或者可以在一个或多个台上执行预备步骤，同时使用一个或多个其他台来进行曝光。例如，可以进行使用对准传感器AS的对准测量和/或使用水平传感器LS的水平(高度、倾斜等)测量。

光刻设备也可以是这样的类型，其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以填充投影系统和衬底之间的空间。浸没液体也可以应用于光刻设备中的其他空间(例如，图案形成装置和投影系统之间的空间)。浸没技术可以用于增加投影系统的数值孔在现有技术中是公知的。本文所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底的结构必须浸入液体中，而仅意味着在曝光期间，液***于投影系统和衬底之间。

参考图1，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。例如当源是准分子激光器时，源和光刻设备可以是分离的实体。在这样的情况下，源不被认为形成光刻设备的一部分，并且借助于光束传递系统BD，辐射束从源SO传递到照射器IL，光束传递系统BD包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其他情况下，例如，当源是汞灯时，源可以是光刻设备的组成部分。源SO和照射器IL连同光束传递系统BD(根据需要)可以被称为辐射系统。

照射器IL可以包括被配置为调整辐射束的角度强度分布的调节器AD。通常，可以调节照射器的光瞳平面中的至少外部和/或内部径向范围(通常被分别称为σ-外部和σ-内部)的强度分布。另外，照射器IL可以包括诸如积分器IN和聚光器CO的各种其他组件。照射器可以用于调节辐射束，以在其截面中具有期望的均匀性和强度分布。

辐射束B入射在保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并被图案形成装置图案化。穿过图案形成装置MA之后，辐射束B穿过投影系统PL，投影系统PL将光束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二***PW和位置传感器IF(例如，干涉量测装置、线性编码器、2-D编码器或电容式传感器)，可以精确地移动衬底台WT，例如以将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库机械检索之后、或在扫描期间，第一***PM和另一位置传感器(在图1中未明确描绘)可以被用于相对于辐射束B的路径来将图案形成装置MA精确定位。通常，可以借助于形成第一***PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精细定位)来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以使用形成第二***PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现衬底台WT的移动。在步进器的情况下(与扫描仪相反)，支撑结构MT可以仅连接至短行程致动器，也可以固定。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来将图案形成装置MA和衬底W对准。尽管所示的衬底对准标记占据了专用的目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中(这些称为划线对准标记)。类似地，在图案形成装置MA上提供多于一个的管芯的情况下，图案形成装置对准标记可以位于管芯之间。

所描绘的设备可以用于以下模式中的至少一个模式：

1.在步进模式中，支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT保持基本静止，同时赋予辐射束的整个图案被一次投影到目标部分C上(即，单次静态曝光)。衬底台WT然后沿X和/或Y方向移位，使得可以将不同的目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式中，同步扫描支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT，同时将赋予辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度确定了目标部分的高度(在扫描方向上)。

3.在另一模式中，保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如，掩模台)MT被保持为基本静止，并且在赋予辐射束的图案被投影到目标部分C上的同时移动或扫描衬底台WT。在该模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要将可编程图案形成装置更新。该操作模式可以容易地应用于利用可编程图案形成装置(例如，上述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻。

还可以采取使用上述模式的组合和/或变形或使用完全不同的模式。

如图2所示，光刻设备LA可以形成光刻单元LC的一部分，光刻单元LC有时也被称为光刻池或光刻簇，光刻单元LC还包括在衬底上执行一个或多个曝光前和曝光后处理的设备。常规地，这些设备包括用于沉积一个或多个抗蚀剂层的一个或多个旋涂器SC、用于将曝光的抗蚀剂显影的一个或多个显影器DE、一个或多个激冷板CH和/或一个或多个烘烤板BK。衬底处理器或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取一个或多个衬底、在不同处理设备之间移动衬底并将衬底传递到光刻设备的进料台LB。通常统称为轨道的这些设备处于轨道控制单元TCU的控制下，轨道控制单元TCU本身由管理控制系统SCS控制，管理控制系统SCS也经由光刻控制单元LACU来控制光刻设备。因此，可以操作不同的设备来将生产量和处理效率最大化。

为了使得被光刻设备曝光的衬底正确且一致地进行曝光和/或为了监视包括至少一个图案转印步骤(例如，光学光刻步骤)的图案化过程(例如，器件制造过程)，期望检查衬底或其他物体来测量或确定一个或多个性质(例如，对准、重叠(例如，可以在重叠层中的结构之间或同一层中、由例如双重图案化过程单独提供给该层的结构之间)、线厚度、临界尺寸(CD)、聚焦偏移、材料性质等)。因此，在其中设置有光刻池LC的制造设施通常还包括量测系统MET，量测系统MET测量已在光刻池中进行处理的一些或所有衬底W或光刻池中的其他物体。量测系统MET可以是光刻池LC的一部分，例如，它可以是光刻设备LA的一部分(例如，对准传感器AS)。

一个或多个所测量的参数可以包括例如在图案化的衬底之中或之上形成的连续层之间的重叠、例如在图案化的衬底之中或之上形成的特征的临界尺寸(CD)(例如，临界线宽)、光学光刻步骤的聚焦或聚焦误差、光学光刻步骤的剂量或剂量误差、光学光刻步骤的光学像差等。该测量可以在产品衬底本身的目标上和/或在衬底上提供在专用量测目标上执行。可以在抗蚀剂显影之后但在蚀刻之前执行或者可以在蚀刻之后执行测量。

存在多个技术(包括使用扫描电子显微镜、基于图像的测量工具和/或各种专用工具)来测量在图案化过程中形成的结构。如上所述，快速且非侵入性形式的专用量测工具是将辐射束引导到衬底表面上的目标上并测量散射(衍射/反射)束的性质的工具。通过评估由衬底散射的辐射的一个或多个性质，可以确定衬底的一个或多个性质。这可以称为基于衍射的量测。该基于衍射的量测的一个这样的应用是在目标内测量特征不对称性。例如，这可以用作重叠的量测，但是其他应用也是已知的。例如，可以通过比较衍射光谱的相对部分(例如，比较周期性光栅的衍射光谱中的-1阶和+1阶)来测量不对称性。可以如上所述并例如在美国专利申请公开US2006-066855中描述的进行量测，其全部内容通过引用整体并入本文。基于衍射的量测的另一应用是在目标内测量特征宽度(CD)。这样的技术可以使用下文描述的设备和方法。

因此，在器件制造过程(例如，图案化过程或光刻过程)中，可以在过程之前、期间或之后对衬底或其他物体进行各种类型的测量。测量可以确定特定衬底是否有缺陷、可以对过程和在过程中使用的设备进行调整(例如，对准衬底上的两个层或将图案形成装置与衬底对准)、可以测量过程和设备的性能或可以用于其他目的。测量的示例包括光学成像(例如，光学显微镜)、非成像光学测量(例如，基于衍射的测量(例如，ASML YieldStar、ASMLSMASH GridAlign))、机械测量(例如，使用触针进行轮廓分析、原子力显微镜(AFM))和/或非光学成像(例如，扫描电子显微镜(SEM))。如在美国专利号6,961,116(其全部内容通过引用并入本文)中所描述的，SMASH(Smart Alignment Sensor Hybrid)系统采用了自参考干涉仪，自参考干涉仪产生两个重叠且相对旋转的对准标记图像、检测光瞳平面中的强度(在该强度下图像的傅立叶变换会产生干涉)、并从两个图像的衍射阶之间的相位差中提取位置信息，相位差表现为干涉阶的强度变化。

可以将量测结果直接或间接地提供给管理控制系统SCS。如果检测到误差，则可以对后续衬底的曝光进行调整(特别是如果可以尽快且足够快地进行检查，使得批次中的一个或多个其他衬底仍被曝光)和/或对经曝光的衬底的后续曝光进行调整。而且，可以将已曝光的衬底剥离并再加工来提高产量，或者将其丢弃，从而避免在已知有缺陷的衬底上执行进一步处理。在衬底的仅一些目标部分有缺陷的情况下，可以仅对那些良好的目标部分执行进一步的曝光。

在量测系统MET内，量测设备用于确定衬底的一个或多个性质，特别是确定不同衬底的一个或多个性质如何变化或同一衬底的不同层在层与层之间如何变化。如上所述，可以将量测设备集成到光刻设备LA或光刻池LC中或者可以是独立设备。

为了实现量测，可以在衬底上提供一个或多个目标。在一个实施例中，目标被特别设计并且可以包括周期性结构。在一个实施例中，目标是器件图案的一部分(例如，器件图案的周期性结构)。在一个实施例中，器件图案是存储器器件的周期性结构(例如，双极晶体管(BPT)、位线接触(BLC)等结构)。

在一个实施例中，衬底上的目标可以包括一个或多个1-D周期性结构(例如，光栅)，将一个或多个1-D周期性结构印刷为使得在显影之后，周期性结构特征由固态抗蚀剂线形成。在一个实施例中，目标可以包括一个或多个2-D周期性结构(例如，光栅)，将一个或多个2-D周期性结构印刷为使得在显影之后，一个或多个周期性结构由固态抗蚀剂柱或抗蚀剂中的通孔形成。可以将栅条、栅柱或通孔选择性地蚀刻到衬底中(例如，蚀刻到衬底上的一个或多个层中)。

在一个实施例中，图案化过程的感兴趣参数之一是重叠。可以使用暗场散射量测来测量重叠，在暗场散射量测中，衍射的零阶(对应于镜面反射)被阻止，仅处理更高阶的衍射。可以在PCT专利申请号WO 2009/078708和WO 2009/106279中找到暗场量测的示例，其全部内容通过引用并入于此。在美国专利申请公开US2011-0027704、US2011-0043791和US2012-0242970中描述了该技术的进一步发展，其全部内容通过引用并入于此。使用衍射阶的暗场检测的基于衍射的重叠使得能够在较小的目标上进行重叠测量。这些目标可以小于照射光斑，并且可以被衬底上的器件产品结构围绕。在一个实施例中，可以在一个辐射捕获中测量多个目标。

图3A中示意性地示出了测量例如重叠的实施例的量测设备。图3B中更详细地示出了目标T(包括诸如光栅的周期性结构)和经衍射的射线。量测设备可以是独立设备或者可以例如在测量站处并入光刻设备LA中或并入光刻单元LC中。由虚线O来表示在整个设备中具有多个分支的光轴。在该设备中，由输出11(例如，诸如激光器或氙气灯的源或连接到源的开口)发射的辐射通过包括透镜12、14和物镜16的光学系统、经由棱镜15被引导到衬底W上。这些透镜以4F布置的双重顺序布置。只要它仍然将衬底图像提供到检测器上，可以使用不同的透镜布置。

在一个实施例中，透镜布置允许访问中间的光瞳平面以进行空间频率滤波。因此，可以通过在呈现衬底平面的空间光谱的平面(这里称为(共轭)光瞳平面)中定义空间强度分布来选择辐射入射到衬底上的角度范围。特别地，这可以例如通过在物镜光瞳平面的反投影图像的平面中、在透镜12和14之间***适当形式的孔板13而完成。在所示的示例中，孔板13具有标记为13N和13S的不同形式，从而允许选择不同的照射模式。本示例中的照射系统形成离轴照射模式。在第一照射模式中，孔板13N提供从仅出于描述目的被指定为“北”的方向的离轴照射。在第二照射模式中，孔板13S用于提供从相反方向(标记为“南”)的类似照射。通过使用不同的孔，可以使其他照射模式。因为在期望照射模式之外的任何不必要的辐射都可能干扰期望的测量信号，光瞳平面的其余部分理想地是暗的。

如图3B所示，将目标T与衬底W放置为基本垂直于物镜16的光轴O。从轴O偏离一定角度照射到目标T上的射线I产生零阶射线(实线0)和两个一阶射线(点链线+1和双点链线-1)。在过填充的小目标T的情况下，这些射线只是覆盖衬底区域(包括量测目标T和其他特征)的许多平行射线之一。由于板13中的孔具有有限的宽度(必须允许有用的辐射量)，因此入射射线I实际上将占据一定角度范围，并且经衍射的射线0和+1/-1将稍微扩散。根据小目标的点扩散函数，+1和-1的每个阶将进一步扩散一定角度范围，而不是如图所示的单个理想射线。注意，可以设计或调整周期性结构的间距和照射角度，使得进入物镜的第一阶光线与中心光轴紧密对准。图3A和图3B中所示的射线有些离轴，纯粹是为了使得它们能够在图中更容易区分。由衬底W上的目标衍射的至少0阶和+1阶被物镜16收集并借助棱镜15被引导返回。

返回图3A，通过指定沿直径相反的孔(被标记为北(N)和南(S))来图示第一和第二照射模式。当入射射线I来自光轴的北侧时，即当使用孔板13N应用第一照射模式时，被标记为+1(N)的+1阶衍射射线进入物镜16。相反，当使用孔板13S应用第二照射模式时，-1阶衍射射线(标记为1(S))是进入透镜16的射线。因此，在一个实施例中，通过在某些条件下(例如，在旋转目标或改变照射模式或改变成像模式后)两次测量目标可以获得测量结果，以分别获得-1和+1衍射阶强度。对给定目标的这些强度进行比较提供了目标中不对称性的测量，并且目标中的不对称性可以用作光刻过程的参数(例如，重叠)的指示。在上述情况下，改变照射模式。

分束器17将经衍射的光束划分为两个测量分支。在第一测量分支中，光学系统18使用零阶和一阶衍射光束在第一传感器19(例如，CCD或CMOS传感器)上形成目标的衍射光谱(光瞳平面图像)。每个衍射阶到达传感器上的不同点，使得图像处理可以对阶进行比较和对比。由传感器19捕获的光瞳平面图像可以用于将量测设备聚焦和/或将强度测量归一化。如下文进一步描述的，光瞳平面图像还可以用于其他测量目的(例如，重建)。

在第二测量分支中，光学系统20、22在传感器23(例如，CCD或CMOS传感器)上的衬底W上形成目标的图像。在第二测量分支中，在与物镜16的光瞳平面共轭的平面中提供孔光阑21。孔光阑21起到阻挡零阶衍射光束的作用，使得形成在传感器23上的目标的图像由-1或+1阶光束形成。关于由传感器19和23测量的图像的数据被输出到处理器和控制器PU，图像处理器和控制器PU的功能将取决于所执行的特定测量类型。注意，在广义的意义上使用术语“图像”。如果仅存在-1和+1阶中的一个，将不会形成周期性结构特征(例如，光栅线)的图像。

图3中所示的孔板13和光阑21的特定形式仅是示例。在另一实施例中，使用目标的同轴照射，并且使用具有离轴孔的孔光阑，以将仅一个第一阶的衍射辐射基本上传递至传感器。在其他实施例中，代替一阶光束或除一阶光束之外，可以在测量中使用二阶、三阶和更高阶光束(图3中未示出)。

为了使得照射适应于这些不同类型的测量，孔板13可以包括围绕阀板形成的若干孔图案，旋转阀板来将期望的图案放置到位。注意，孔板13N或13S用于测量沿一个方向(X或Y，取决于设置)定向的目标的周期性结构。为了测量正交周期性结构，可以实现目标旋转90°和270°。在图3C和(d)中示出了不同的孔板。图3C图示了另外两个类型的离轴照射模式。在图3C的第一照射模式中，孔板13E提供从仅出于描述目的被指定为相对于先前描述的“北”为“东”的方向的离轴照射。在图3C的第二照射模式中，孔板13W用于提供从相反方向(标记为“西”)的类似照射。图3D图示了另外两个类型的离轴照射模式。在图3D的第一照射模式下，孔板13NW提供从如上所述被指定为“北”和“西”的方向的离轴照射。在第二照射模式中，孔板13SE用于提供从相反方向(如先前所述，标记为“南”和“东”)的类似照射。在例如上述先前公开的专利申请公开中描述这些设备的使用以及设备的许多其他变型和应用。

图4描绘了在衬底上形成的复合量测目标T的一个示例。复合目标包括紧密定位在一起的四个周期性结构(在这种情况下为光栅)32、33、34、35。在一个实施例中，可以使周期性结构布局小于测量光斑(即，周期性结构布局被过填充)。因此，在一个实施例中，周期性结构可以足够紧密地定位在一起，使得它们全部在由量测设备的照射束形成的测量光斑31内。因此，在该情况下，四个周期性结构全部同时被照射并同时在传感器19和23上成像。在专用于重叠测量的示例中，周期性结构32、33、34、35本身就是通过叠加周期性结构而形成的复合周期性结构(例如，复合光栅)，即，在衬底W上形成的器件的不同层中对周期性结构进行图案化，使得一个层中的至少一个周期性结构与不同层中的至少一个周期性结构重叠。这样的目标的外部尺寸可以在20μm×20μm之内或在16μm×16μm之内。此外，所有周期性结构用于测量特定层对之间的重叠。为了使目标能够测量多于一个的层对，周期性结构32、33、34、35可以具有经不同偏置的重叠偏移量，以便于测量其中形成有复合周期性结构的不同部分的不同层之间的重叠。因此，针对衬底上的目标的所有周期性结构将用于测量一个层对并且针对衬底上的另一相同目标的所有周期性结构将用于测量另一层对，其中不同的偏移有助于区分层对。

返回到图4，如图所示，周期性结构32、33、34、35的定向也可以不同，以沿X和Y方向衍射入射辐射。在一个示例中，周期性结构32和34是分别具有+d、-d的偏移的X方向的周期性结构。周期性结构33和35可以是分别具有偏移+d和-d的Y方向的周期性结构。尽管图示了四个周期性结构，但是另一实施例可以包括更大的矩阵来获得期望的精度。例如，九个复合周期性结构的3×3阵列可以具有偏移-4d、-3d、-2d、-d、0、+d、+2d、+3d、+4d。可以在由传感器23捕获的图像中标识这些周期性结构的单独图像。

图5示出了可以使用图3D的孔板13NW或13SE、在图3的设备中使用图4的目标，在传感器23上形成并由传感器23检测的图像的一个示例。尽管传感器19不能解析不同的单独的周期性结构32至35，但传感器23可以对其进行解析。深色矩形表示传感器上图像的场，在该场内，衬底上的照射光斑31被成像到对应的圆形区域41中。在圆形区域41内，矩形区域42-45表示周期性结构32至35的图像。不是在划线道中或除划线道中之外可以将目标定位在器件产品特征中。如果周期性结构位于器件产品区域中，则器件特征在该图像场的***也可见。处理器和控制器PU使用模式识别来处理这些图像，以标识周期性结构32至35的单独图像42至45。通过这种方式，不必在传感器框架内的特定位置处将图像非常精确地对准，这整体上显著提高了测量设备的生产量。

一旦已标识出周期性结构的单独图像，就可以例如通过对所标识区域内的所选择的像素强度值求平均或求和来测量那些单独图像的强度。图像的强度和/或其他属性可以相互比较。可以将这些结果进行组合来测量光刻过程的不同参数。重叠性能是这样的参数的一个示例。

在一个实施例中，图案化过程的感兴趣参数之一是特征宽度(例如，CD)。图6描绘了使得能够实现特征宽度确定的高度示意性示例量测设备(例如，散射仪)。量测设备包括将辐射投影到衬底W上的宽带(白光)辐射投影仪2。如例如在左下方的图中所示出的，经重定向的辐射被传递到光谱仪检测器4，光谱仪检测器4测量镜面反射辐射的光谱10(强度随着波长变化)。根据该数据，可以由处理器PU(例如，通过严格耦合波分析和非线性回归或通过与如图6右下方所示的模拟光谱库进行比较)重建产生所检测的光谱的结构或轮廓。通常，对于重建，结构的整体形式是已知的，并且从制造结构的过程知识中假定了一些变量，仅剩下待从所测量的数据确定的一些结构变量。这样的量测设备可以被配置为垂直入射量测设备或倾斜入射量测设备。此外，除了通过重建来测量参数之外，角度分辨散射量测还可以用于测量产品和/或抗蚀剂图案中的特征的不对称性。不对称性测量的一个特定应用是测量重叠，其中目标包括彼此叠置的一个周期性特征集合。在例如美国专利申请公开US2006-066855中描述了以这种方式进行的不对称性测量的概念，其全部内容并入本文。

图7图示了适用于本文所公开的本发明的实施例的量测设备100的一个示例。在美国专利申请号US 2006-033921和US 2010-201963中更详细地解释了这种类型的量测设备的操作原理，其全部内容通过引用并入本文。由虚线O表示在整个设备中具有若干分支的光轴。在该设备中，由源110(例如，氙灯)发出的辐射通过光学系统引导到衬底W上，光学系统包括：透镜系统120、孔板130、透镜系统140、部分反射表面150和物镜160。在一个实施例中，这些透镜系统120、140、160被布置在4F布置的双序列中。在一个实施例中，使用透镜系统120将由辐射源110发射的辐射进行准直。根据需要可以使用不同的透镜布置。可以通过在呈现衬底平面的空间光谱的平面中限定空间强度分布来选择辐射入射到衬底上的角度范围。特别地，在物镜光瞳平面的反投影图像的平面中，这可以通过在透镜120和140之间***合适形式的孔板130来完成。通过使用不同的孔，可以实现不同的强度分布(例如，环形、偶极子等)。可以调整径向和周边方向的照射角度分布以及诸如辐射的波长、偏振和/或相干性的性质来获得期望的结果。例如，可以在光源110和部分反射表面150之间提供一个或多个干涉滤光片130(参见图9)，以在例如400nm-900nm或更小(例如，200nm-900nm)的范围内选择感兴趣的波长。干涉滤光片可以是可调的，而不是包括不同滤光片的集合。可以使用光栅代替干涉滤光片。在一个实施例中，可以在源110和部分反射表面150之间提供一个或多个偏振器170(参见图9)来选择感兴趣的偏振。偏振器可以是可调的，而不是包括不同偏振器的集合。

如图7所示，利用衬底W，将目标T垂直于物镜160的光轴O放置。因此，来自源110的辐射被部分反射表面150反射并经由物镜160聚焦到衬底W上的目标T上的照射光斑S中(参见图8)。在一个实施例中，物镜160具有高数值孔(NA)(期望地为至少0.9或至少0.95)。浸没式量测设备(使用相对较高折射率的液体(例如，水))甚至可以具有大于1的数值孔。

从偏离轴线O的角度聚焦到照射光斑的照射射线170、172产生衍射射线174、176。应记住，这些射线只是覆盖衬底中包括目标T的区域的许多平行射线之一。照射光斑内的每个元素都在量测设备的视场内。由于板130中的孔具有有限的宽度(必须允许有用的辐射量)，所以入射射线170、172实际上将占据一定角度范围，并且衍射射线174、176将稍微扩散。根据小目标的点扩散函数，每个衍射阶将在一个角度范围内进一步扩散，而不是如图所示的单个理想射线。

物镜160收集目标在衬底W上衍射的至少0阶，并借助部分反射表面150将其引导返回。光学元件180将至少一部分衍射光束提供给光学系统182，光学系统182使用零阶和/或一阶衍射光束在传感器190(例如，CCD或CMOS传感器)上形成目标T的衍射光谱(光瞳平面图像)。在一个实施例中，提供孔186来滤除某些衍射阶，从而将特定的衍射阶提供给传感器190。在一个实施例中，孔186基本上或仅允许零阶辐射到达传感器190。在一个实施例中，传感器190可以是二维检测器，使得可以测量衬底目标T的二维角散射光谱。传感器190可以是例如CCD或CMOS传感器的阵列，并且可以使用例如每帧40毫秒的积分时间。传感器190可以用于测量在单个波长(或窄波长范围)处的重定向辐射的强度、在多个波长处单独地或在一定波长范围内积分的强度。此外，传感器可以用于单独测量具有横向磁极化和/或横向电极化的辐射强度和/或横向磁极化和横向电极化辐射之间的相位差。

可选地，光学元件180将至少一部分衍射光束提供给测量分支200，以在传感器230(例如，CCD或CMOS传感器)上的衬底W上形成目标的图像。测量分支200可以用于各种辅助功能(例如，使得量测设备聚焦(即，使得衬底W能够位于物镜160的焦点中)和/或用于引言中提到的暗场成像。

为了针对不同尺寸和形状的光栅提供定制的视场，在透镜系统140内从光源110到物镜160的路径上提供了可调节的场阑300。场阑300包含孔302并位于与目标T平面共轭的平面中，使得照射光斑成为孔302的图像。可以根据放大系数来将图像缩放，或者孔和照射光斑可以是1：1尺寸关系。为了使得照射适应于不同类型的测量，孔板300可以包括围绕阀板(disc)形成的多个孔图案，阀板旋转以将期望的图案放置到位。备选地或附加地，可以提供并交换板300的集合，以实现相同的效果。附加地或备选地，也可以使用可编程孔器件(例如，可变形镜阵列或透射空间光调制器)。

通常，目标将与其平行于Y轴或平行于X轴的周期性结构特征对齐。就其衍射行为而言，具有在平行于Y轴的方向上延伸的特征的周期性结构在X方向上具有周期性，而具有在平行于X轴的方向上延伸的特征的周期性结构在Y方向上具有周期性。为了测量两个方向上的性能，通常提供两个类型的特征。尽管为了简单起见，将参考线和间隔，但是周期性结构不必由线和间隔形成。而且，每个线和/或线之间的间隔可以是由较小的子结构形成的结构。此外，例如，在周期性结构包括栅柱和/或通孔的情况下，可以一次使用两个维度上的周期性来形成周期性结构。

图8图示了常规目标T的平面图以及图7的设备中的照射光斑S的范围。为了获得不被周围结构干涉的衍射光谱，在一个实施例中，目标T是大于照射光斑S的宽度(例如，直径)的周期性结构(例如，光栅)。光斑S的宽度可以小于目标的宽度和长度。换言之，目标被照射“欠填充”，并且衍射信号基本上不是来自目标自身外部的产品特征等的任何信号。因为可以将其视为无限的，所以这简化了目标的数学重建。

图9示意性地描绘了基于使用量测获得的测量数据来确定目标图案30'的一个或多个感兴趣变量的值的示例过程。由检测器190检测的辐射为目标30’提供了所测量的辐射分布108。

对于给定目标30'，可以使用例如数值麦克斯韦求解器210，从参数化的数学模型206来计算/模拟辐射分布208。参数化的数学模型206示出组成目标并与目标相关联的各种材料的示例层。参数化的数学模型206可以包括所考虑的目标的一部分的特征和层的一个或多个变量，可以改变和导出一个或多个变量。如图9所示，一个或多个变量可以包括一个或多个层的厚度t、一个或多个特征的宽度w(例如，CD)、一个或多个特征的高度h、一个或多个特征的侧壁角度α和/或特征之间的相对位置(在本文中视为重叠)。尽管未示出，但是一个或多个变量可以进一步包括但不限于一个或多个层的折射率(例如，实数或复数折射率、折射率张量等)、一个或多个层的消光系数、一个或多个层的吸收、显影期间的抗蚀剂损失、一个或多个特征的基础和/或一个或多个特征的线边缘粗糙度。可以根据图案化过程和/或其他测量过程的知识，将1-D周期性结构或2-D周期性结构的一个或多个参数的一个或多个值(例如，宽度、长度、形状)或3-D轮廓特性的一个或多个值输入到重建过程。例如，变量的初始值可以是被测量目标的一个或多个参数的那些期望值(例如，CD、节距等的值)。

在某些情况下，目标可被划分为单位单元的多个实例。为了在该情况下帮助简化目标的辐射分布的计算，可以将模型206设计为使用目标结构的单位单元进行计算/模拟，其中单位单元作为实例跨越整个目标被重复。因此，模型206可以使用一个单位单元进行计算，并使用适当的边界条件复制结果来适应整个目标，以确定目标的辐射分布。

附加地或备选地，在重建时计算辐射分布208，可以针对所考虑的目标部分的变量的多个变化来预先计算多个辐射分布208，以创建用于重建时使用的辐射分布库。

然后在212处，将所测量的辐射分布108与所计算的辐射分布208(例如，在该时间附近计算或从库中获得)进行比较，以确定两者之间的差异。如果存在差异，则可以改变参数化数学模型206的一个或多个变量的值，获得新的经计算的辐射分布208(例如，经计算或从库中获得)，并将其与所测量的辐射分布108进行比较，直到所测量的辐射分布108和辐射分布208之间存在足够的匹配。此时，参数化数学模型206的变量的值提供了实际目标30'的几何形状的良好或最佳匹配。在一个实施例中，当所测量的辐射分布108与所计算的辐射分布208之间的差异在公差阈值之内时，存在足够的匹配。

在一个实施例中，图案化过程的感兴趣参数之一是对准(例如，衬底与图案形成装置之间的对准)。因此，如上所述，可以为衬底(和/或衬底台和/或图案形成装置)提供一个或多个对准目标，以在衬底上提供参考位置，并且为光刻设备提供对准系统来测量一个或多个对准目标的对准位置。通过测量一个或多个对准目标的对准位置，原则上可以预测衬底上一个或多个点的位置，例如，可以计算先前曝光的目标部分的位置，并且可以控制光刻设备以在先前曝光的目标部分的顶部上曝光连续的目标部分。

通常，衬底上的对准目标包括一个或多个衍射光栅。光刻设备的对准系统然后包括对准传感器系统，以及用于朝向一个或多个光栅发射辐射的辐射源和用于检测来自一个或多个光栅的衍射辐射(例如，在第一、第二、第三和/或更高阶衍射的辐射)的检测器，对准系统用于确定一个或多个光栅的位置。

并且，尽管已描述了检查设备的示例(主要在散射量测原理上进行操作)，但是对准设备在以下相似原理上进行操作：将辐射从源提供到目标(例如，对准光栅)上、使用检测器对来自目标的经重定向(例如，衍射)的部分进行检测、以及分析所检测的辐射来确定两个或更多物体(例如，衬底和图案形成装置)之间的对准。

图10是图示示例对准系统1000的示意图。对准系统1000包括向棱镜1008提供电磁辐射1006的相干照射源1004(例如，激光器)。电磁辐射的至少一部分从界面1010反射，以照射对准目标1012(例如，对准标记)，对准目标1,12可以位于衬底W上、衬底台WT上等。对准目标1012可以具有一百八十度的对称性。通过一百八十度的对称性，意味着当对准目标1012关于垂直于对准目标1012的平面的对称轴旋转一百八十度时，对准目标与未旋转的对准目标基本相同。可以这样实现的轴称为对称轴。在一个实施例中，对准目标1012位于衬底W上的辐射敏感膜中。

在一个实施例中，在对准目标1012和辐射束之间沿箭头1014指示的方向提供相对运动(例如，通过移动衬底台WT)。由对准目标1012重定向的电磁辐射穿过棱镜1008并由图像旋转干涉仪1016收集。应当理解，不需要形成高质量的图像，但是应当解析对准目标的特征。图像旋转干涉仪1016可以是任何适当的光学元件集合，并且在一个实施例中，图像旋转干涉仪1016是棱镜的组合，图像旋转干涉仪1016形成对准目标的两个图像，将一个图像相对于另一图像旋转一百八十度，然后以干涉方式重新组合两个图像，使得在与对准目标1012对准时，电磁辐射将以相长或相消的方式在偏振或幅度上进行干涉，从而易于检测对准目标1012的中心。穿过由干涉仪1016建立的旋转中心的光学射线限定了传感器对准轴1018。

检测器1020从图像旋转干涉仪1016接收电磁辐射。检测器1020然后将一个或多个信号提供给信号分析器1022。信号分析器1022被耦合到衬底台WT或其位置传感器IF，使得当确定对准目标1012的中心时，已知衬底台WT的位置。因此，参考衬底台WT，准确地知道对准目标1012的位置。备选地，可以已知对准传感器1000的位置，使得对准目标1012的中心相对于对准传感器1000已知。因此，对准目标1012的中心相对于参考位置的确切位置是已知的。

在一个实施例中，照射源1004包括4色激光模块组件(LMA)和偏振复用器(PMUX)。LMA被配置为生成四个不同的激光束。例如，LMA可以生成532nm的绿色波长辐射束、633nm的红色波长辐射束、780nm的近红外波长辐射束和850nm的远红外波长辐射束。偏振复用器被配置为将由LMA生成的四个激光束复用为充当对准系统1000的照射源的单个偏振束。可以理解，可以产生更多或更少的波长。

在一个实施例中，目标的测量精度和/或灵敏度可以相对于提供到目标上的辐射束的一个或多个特性(例如，辐射束的波长、辐射束的偏振、辐射束的相位、辐射束的强度分布(即，角度或空间强度分布)、辐射束在衬底上的入射角等)而变化。因此，可以选择期望获得例如目标的良好测量精度和/或灵敏度的特定测量策略。

为了启用测量，可以使用指定使用测量系统的测量的一个或多个参数的测量方案。在一个实施例中，术语“测量方案”包括测量本身的一个或多个参数、所测量的图案的一个或多个参数或两者。例如，如果在测量方案中使用的测量是基于衍射的光学测量，则测量本身的一个或多个参数可以包括测量辐射的波长、测量辐射的偏振、辐射束的相位、相对于测量辐射的衬底的入射角和/或相对于经衍射的测量辐射的衬底上的图案的相对取向。测量本身的一个或多个参数可以包括在测量中使用的量测设备的一个或多个参数。所测量的图案可以是其衍射被测量的图案。所测量的图案可以是专门为测量目的而设计或选择的图案(也称为“目标”或“目标结构”)。目标的多个副本可以放置在衬底上的许多地方。测量方案可用于将成像的图案层与衬底上的现有图案对准。通过测量衬底的相对位置，可以使用测量方案将图案形成装置与衬底对准。如果测量方案包括所测量的图案的一个或多个参数，则所测量的图案的一个或多个参数可以包括图案的标识(例如，将图案与另一图案区分)和/或图案的至少一部分形状和/或图案的至少一部分的取向和/或图案的至少一部分的节距(例如，周期性结构的节距，包括位于下部周期性结构之上的层中的上部周期性结构的节距和/或下部周期性结构的节距)和/或图案的至少一部分的尺寸(例如，CD)(例如，周期性结构的特征的CD，包括上部周期性结构和/或下部周期性结构的特征的CD)和/或图案的至少一部分的材料性质(例如，折射率、消光系数、材料类型等)和/或图案的特征的分段(例如，周期性结构的特征划分为子结构)等。

测量方案可以以(r₁，r₂，r₃，...r_n；t₁，t₂，t₃，...t_m)的形式表示，其中r_i是测量的一个或多个参数，并且t_j是所测量的一个或多个图案的一个或多个参数。可以理解，n和m可以是1。此外，测量方案不需要同时具有测量的一个或多个参数和所测量的一个或多个图案的一个或多个参数两者；它可以仅具有测量的一个或多个参数，或者仅具有所测量的一个或多个图案的一个或多个参数。

现在，在实践中图案化过程(例如，由器件制造商执行)可以涉及将各种材料的层(也称为堆叠)沉积在衬底上的各种处理技术。在图案化过程的整个周期中，这些过程层与各个系统和阶段中的辐射交互。例如，当对衬底进行曝光/测量时，来自对准传感器、水平传感器、曝光投影系统(例如，曝光辐射)、重叠、CD等的检查量测设备等的辐射可以与衬底上的各个层交互。

根据各种折射率值、消光系数、层的厚度等，这些系统可以对入射辐射具有不同的响应。图11中示出了不同光谱响应的一个示例。图11描绘了通过7种不同的图案化过程生产的衬底的曲线，这些图案化过程涉及衬底上材料的不同组合，并使用不同的辐射波长进行对准测量。每个曲线表示来自7种不同图案化过程之一的衬底。水平轴对应于用于测量衬底上的标记的对准测量光束的波长(500nm至900nm)，竖直轴对应于归一化的一阶衍射强度。针对每个不同的图案化过程的衬底上的相同类型的标记确定每个曲线。这些曲线是摆幅曲线的示例。更一般地，本文中的摆幅曲线描述了光学响应特性(例如，强度、衍射效率等)与用于产生光学响应特性的辐射的特性(例如，波长、偏振、相位、入射角等)之间的关系。此外，摆幅曲线不必用图形表示；术语“摆幅曲线”涵盖仅以数据表示的关系。因此，摆幅曲线可以仅表示为数据、图形或两者。

图11示出了在不同的图案化过程中，可以存在不同的光谱性质。可以看出，对于特定图案化过程的衬底，对于波长的微小变化，强度可以显著改变，并且对于特定图案化过程的衬底，在整个波长范围内，强度可以具有相当宽的值域。此外，对于来自不同图案化过程的衬底，变化和值域可能完全不同。同样，某些曲线可以有效地在响应中出现峰值或不连续性，而其他曲线则没有。

进一步地，如图12所示，光谱响应曲线可以随着衬底上各个层的厚度的微小变化而显著改变。类似于图11，水平轴对应于用于测量衬底上的标记的对准测量光束的波长(500nm至900nm)，并且竖直轴对应于归一化的一阶衍射强度。在图12中，每个曲线对应于来自相同图案化过程但堆叠厚度变化的衬底。特别地，每个曲线对应于其中堆叠的厚度相对于标称堆叠以1％的步长变化+/-5％的衬底。如图12所示，对于该示例，虽然曲线具有相同的总体形状，但是其值域可以改变，他们可以沿水平轴移位等。因此，堆叠厚度的变化可能导致响应中的显著变化。

如将理解，使用辐射的光刻池中的不同组件在针对图案形成过程的衬底的摆幅曲线的不同部分处交互。例如，对准传感器(如图10的工具)可以在可见光或近红外光(例如， )的不同波长处进行探测。水平传感器可以在紫外光、可见光或近红外光的不同波长(例如，或 )处进行探测。重叠、CD等的量测检查工具(例如，图3-图9的工具之一)可以在可见光或近红外光中探测衬底中的衬底。曝光投射系统可以在紫外光和极紫外光(例如，约13.5nm、约193nm、约248nm、约365nm)下将曝光束投影到衬底上。因此，这些组件中的每一个的性能或使用这些组件中的每一个的性能可能受到堆叠的不同影响。而且，该性能可以根据堆叠的变化(例如，堆叠的一个或多个层的厚度的过程变化)而变化，并且可能由于变化而在衬底之间和衬底内发生变化。

因此，在一个实施例中，可以在简单的单层堆叠上校准这些组件中的一个或多个。但是，复杂的多层过程堆叠可能出现精度误差或性能欠佳的情况。例如，对于将光致抗蚀剂曝光，相对于简单的单层情况，下层的光学性质的差异改变了用于曝光的最佳剂量/图案。对于使用辐射进行测量的传感器(例如，对准传感器、水平传感器、重叠、CD等量测系统等)，所检测的辐射光谱轮廓可能与使用简单的单层堆叠所校准的照射光谱轮廓显著不同，从而导致精度误差。

下面描述由在图案化过程中处理的衬底引起的对准传感器的精度误差的示例。对准传感器的功能是测量对准标记的横向位置。然而，如图13所示，由于例如对准传感器中的像差，穿过对准传感器的光学元件的不同波长和角度导致计算出不同的对准位置。在图13中，针对多个不同波长(g、r、n和f分别对应于不同波长)中的每一个，示出了在竖直轴上以纳米为单位计算的预期对准随着对准传感器的数值孔的变化。尽管期望地，对于每个波长，所计算的期望对准在所有数值孔处应当为零，但是可以看出，期望对准可以例如在相同数值孔处、针对不同波长而不同，以及针对相同波长、对于不同数值孔而不同。因此，可以在基准标记或校准衬底上执行校准，以校正对准传感器模块中的这样的光学像差。

然而，从对准标记衍射的所检测的波长或角度的任何变化将有效地导致测量处于未校准状态。例如，图14图示了用于提供特定的远红外测量波长的十个照射源的示例输出强度光谱，可以在对准传感器中使用其中一个或多个来提供远红外对准测量光束。竖直轴以任意单位示出了强度，水平轴示出了源输出的波长。如图14所示，光源具有相对较宽的光谱带宽。因此，当将该照射光谱与如图11所示的特定图案化过程的衬底的光谱响应摆幅曲线组合时，可以直观地看到所检测的光谱将与照射光谱不同，从而产生过程引起的精度误差。

因此，考虑到图案化过程，可以例如在组件(例如，对准传感器)设计期间和/或针对适用组件的性能测试，执行使用通过图案化过程创建的衬底的测试。即，可以测量过程引起的精度误差。

为此，通常将需要在整个产品开发周期中处理衬底，以针对图案化过程中的衬底的各种实例设计可靠的解决方案。但是，这些产品衬底可能昂贵、费时且制造复杂。此外，获得产品衬底以进行测量(例如，收集、跟踪和运输产品衬底的中间和/或最终版本)可能在物流上很复杂并且成本很高。此外，存在知识产权保护的问题。例如，在由产品制造商以外的其他人执行测试的情况下，由于担心公开他们的知识产权并保持对竞争对手的竞争优势，产品制造商可能不愿共享所制造的中间或最终衬底，更不用说制造产品的方法(例如，关于材料、层厚度等的详细信息)。因此，该测试通常可能在图案化过程开发周期的末端，这增加图案化过程开发时间和成本，并降低灵活性。

因此，在一个实施例中，提供了产品测试衬底，产品测试衬底在被组件(例如，光刻设备的量测系统、投影系统等)曝光于辐射时，可以模仿或复制产品衬底的行为。因此，在一个实施例中，产品测试衬底可以标识产品衬底所呈现的一些挑战。通过在产品周期的早期标识这样的挑战可以很有用。这对于改善组件(例如，量测系统)的处理中的性能可以很有用。

如图11和图12所示，过程效果通常与摆幅曲线的斜率相关。因此，具有大斜率的摆幅曲线可能特别麻烦。例如，如图11所示，在适用的标称工作辐射波长处的大斜率可能是麻烦的，因为与标称工作辐射波长的任何相对较小的波长变化都将导致例如强度的显著变化。此外，如图12所示，精度误差可能会因衬底堆叠的变化(例如，导致堆叠内设计差异的过程变化(例如，材料成分的变化、层厚度的变化等))而附加或备选地发生变化。衬底堆叠中的变化可以是例如一个或多个层的厚度的衬底内变化和/或例如一个或多个层的厚度的衬底间(即，衬底到衬底)的变化。此外，可应用组件的实例之间(例如，不同的传感器系统之间)的光学像差的变化可导致同一过程衬底上的组件之间的精度差异。

因此，在一个实施例中，提供了产品测试衬底，其中产品测试衬底的光学响应特性对于产品测试衬底上的入射辐射的特性变化具有相对较高的非零灵敏度。即，相对于入射辐射的特性变化，光学响应特性至少具有非零变化。在一个实施例中，产品测试衬底的光学响应特性是强度和/或衍射效率(例如，衍射一阶辐射的强度或衍射效率)。在一个实施例中，入射辐射的特性是辐射波长、辐射的入射角、辐射的偏振和/或辐射束的相位。换言之，产品测试衬底在被特定的特性值的辐射(例如，辐射束的波长、辐射束的偏振、辐射束的相位、辐射束的强度分布(角度或空间强度分布)、辐射束在衬底上的入射角等)照射时，针对该产品测试衬底，将在摆幅曲线的特定的特性值处实现光学响应特性(例如，强度)针对辐射特性的相对较大的斜率。在一个实施例中，针对产品测试衬底的摆幅曲线的至少一部分具有非零的斜率。在一个实施例中，针对产品测试衬底的摆幅曲线的至少一部分是非线性的。

在一个实施例中，产品测试衬底在由产品测试衬底(和产品衬底)上的组件提供的辐射的一个或多个标称特性(例如，波长)下具有相对较高的灵敏度。因此，例如，可以将对准传感器系统配置为提供4个标称波长下的辐射(但是可以理解，对准传感器系统可以提供更少或更多的波长)。因此，产品测试衬底被配置为当被对准传感器系统在一个或多个波长下照射时，在那些波长的一个或多个波长下提供相对较高的灵敏度。当然，如果提供多个这样的高灵敏度，则它们不必各自具有相同的值。

在一个实施例中，灵敏度可以被认为是摆幅曲线的斜率。在一个实施例中，灵敏度可以以每单位波长的强度变化的百分比来表示，并且在一个实施例中，其值为0.25％/nm或更大、0.5％/nm或更大、0.75％/nm或更大或1％/nm或更大；常规值可以在0.25％/nm至1％/nm之间选择。在一个实施例中，灵敏度可以是0.25或更大(例如，约14°或更大)、0.5或更大(例如，约25°或更大)、0.75或更大(例如，约36°或更大)、或者1或更大(例如，约45°或更大)的摆幅曲线斜率的值。在一个实施例中，衬底可以具有角度灵敏度。可以根据每单位角度(例如，度)的角反射率变化(例如，以％表示)来表示角斜率。在一个实施例中，角反射率具有大于或等于1％/度的值，并且常规的角斜率可以具有选自1％/度至6％/度的范围的值。在一个实施例中，灵敏度可以被认为是每单位斜率的误差(例如，每1％斜率1nm的像差误差)。在该上下文中，灵敏度可以从每单位斜率0nm-5nm的误差范围内选择。

在一个实施例中，可以相对容易和/或快速地制造产品测试衬底。在一个实施例中，产品测试衬底堆叠中没有任何器件结构。因此，衬底可以具有不包含专有信息的优点，并且因此不存在知识产权风险。在一个实施例中，产品测试衬底堆叠仅由一个或多个平面层构成，或者由位于堆叠顶部的图案下方的仅一个或多个平面层构成。

此外，如上所述，过程影响的根本原因之一来自过程摆幅曲线中的大斜率。因此，可以制造产品测试衬底，以在感兴趣的一个或多个入射辐射特性(例如，波长)下有效地实现摆幅曲线中的大斜率。在一个实施例中，可以创建产品测试衬底，以针对期望的应用调整摆幅曲线，从而在特定的条件集合下实现大斜率。

在一个实施例中，使用光刻池的过程轨道来制造产品测试衬底。使用轨道来构建过程测试衬底的优点在于生产衬底的速度和/或效率。因此，产品测试衬底的实施例可以在商业过程轨道上制造，因此具有轨道的任何工厂都可以制造产品测试衬底。

在一个实施例中，在没有任何蚀刻步骤的情况下制造产品测试衬底。在一个实施例中，产品测试衬底堆叠包括通过旋涂创建的一个或多个层，使得可以在沉积期间，通过旋涂速度来控制一个或多个层的厚度。

在一个实施例中，使用在烘烤和显影之后交联的一个或多个材料来制造产品测试衬底。在一个实施例中，产品测试衬底堆叠包括旋涂碳(SoC)和/或旋涂玻璃(SoG)的一个或多个层。在一个实施例中，产品测试衬底堆叠包括一个或多个抗蚀剂。

在一个实施例中，产品测试衬底具有20个层或更少的层。在一个实施例中，在4个或更少的过程步骤(例如，涂覆、沉积、图案转印和显影)中制成产品测试衬底。在一个实施例中，用于在产品测试衬底上进行测量的图案不具有小于约500nm、小于约800nm或小于约1000nm的特征。

在一个实施例中，产品测试衬底与产品衬底相比较简单，并且因此可以相对便宜地生产。此外，在一个实施例中，可以通过例如剥离全部或部分堆叠来多次回收产品测试衬底。

图15A是产品测试衬底的一个实施例的堆叠的示意图。产品测试衬底包括具有覆盖基础衬底1500的多个层的基础衬底1500。在一个实施例中，提供了特定材料的一个或多个层1510。在图15A的示例中，提供了3个层，但是可以提供单个或其他数量的层。在一个实施例中，一个或多个层1510包括旋涂碳。在一个实施例中，层1510中的每一个在75nm-100nm厚的范围内，因此在该示例中总厚度为225-300nm。

覆盖一个或多个层1510的是与一个或多个层1510的材料不同的特定材料的一个或多个层1520。在图15A的示例中，提供了2个层，但是可以提供单个或其他数量的层。在一个实施例中，一个或多个层1520包括旋涂玻璃。在一个实施例中，层1520中的每一个的厚度在20nm-40nm的范围内，因此在该示例中总厚度为40nm-80nm。

在一个实施例中，提供了覆盖一个或多个层1520的特定材料的一个或多个层1530。在图15A的示例中，提供了3个层，但是可以提供单个或其他数量的层。在一个实施例中，一个或多个层1530包括旋涂碳。在一个实施例中，层1530中的每一个的厚度在75nm-100nm的范围内，因此在该示例中总厚度为225nm-300nm。

在一个实施例中，提供了覆盖一个或多个层1530的特定材料的一个或多个层1540。在图15A的示例中，提供了一个层，但是可以提供另一数量的层。在一个实施例中，一个或多个层1540包括旋涂玻璃。在一个实施例中，层1540中的每一个的厚度在20nm-40nm的范围内，因此在该示例中总厚度为20nm-40nm。

在一个实施例中，可以不提供任何其他层，从而保留平坦的顶部表面。这样的产品测试衬底可以与例如水平传感器系统一起使用。在一个实施例中，可以提供覆盖一个或多个层1540的抗蚀剂层1550。在一个实施例中，层1550的厚度在100nm-300nm范围内或在5nm-35nm范围内。在一个实施例中，抗蚀剂层1550可以具有平坦的顶部表面。这样的产品测试衬底可以与例如光刻设备的水平传感器系统和/或投影系统一起使用。在用于例如对准测量系统的该实施例中，提供了形成在层1550中的图案1560。在该示例中，层是抗蚀剂层，但是可以是不同的材料。在一个实施例中，层1500-1540中的一个或多个可以包括图案，使得可以测量重叠。

图15B是图15A的产品测试衬底的衍射效率(以百分比表示)随着入射辐射波长(nm)变化的示例图(即，产品测试衬底的摆幅曲线)。如图15B所示，产品测试衬底的摆幅曲线不是线性的或基本上线性的。相反，摆幅曲线是非线性的。在一个实施例中，摆幅曲线具有一个或多个凹陷(例如，在约634nm和约840nm处示出)。

此外，如图15B所示，摆幅曲线在一个或多个感兴趣波长处具有相对较高的陡峭斜率。因此，产品测试衬底的光学响应特性对于在一个或多个感兴趣波长下、产品测试衬底上的入射辐射的特性变化具有相对较高的灵敏度。在图15B的情况下，摆幅曲线在感兴趣的波长约634nm、780nm和840nm处具有陡峭的斜率。在一个实施例中，感兴趣波长是由量测系统(例如，对准测量系统)产生的测量波长。

图16A是产品测试衬底的另一实施例的堆叠的示意图。产品测试衬底包括基础衬底1600，基础衬底1600具有覆盖基础衬底1600的多个层。在一个实施例中，提供了特定材料的一个或多个层1610。在图16A的示例中，提供了3个层，但是可以提供单个或其他数量的层。在一个实施例中，一个或多个层1610包括旋涂碳。在一个实施例中，每个层1610的厚度在75nm-100nm的范围内，因此在该示例中总厚度为225nm-300nm。

覆盖一个或多个层1610的是与一个或多个层1610的材料不同的特定材料的一个或多个层1620。在图16A的示例中，提供了1个层，但是也可以提供其他数量的层。在一个实施例中，一个或多个层1620包括旋涂玻璃。在一个实施例中，层1620中的每一个的厚度在20nm-40nm的范围内，因此在该示例中总厚度为20nm-40nm。

在一个实施例中，提供了覆盖一个或多个层1620的特定材料的一个或多个层1630。在图16A的示例中，提供了3个层，但是可以提供单个或其他数量的层。在一个实施例中，一个或多个层1630包括旋涂碳。在一个实施例中，层1630中的每一个的厚度在75nm-100nm的范围内，因此在该示例中总厚度为225nm-300nm。

在一个实施例中，可以不提供任何其他层，从而留下平坦的顶部表面。这样的产品测试衬底可以与例如水平传感器系统一起使用。在一个实施例中，可以提供覆盖一个或多个层1630的抗蚀剂层1640。在一个实施例中，层1640的厚度在100nm-300nm或5nm-35nm的范围内。在一个实施例中，抗蚀剂层1640可以具有平坦的顶部表面。这样的产品测试衬底可以与例如光刻设备的水平传感器系统和/或投影系统一起使用。在用于例如对准测量系统的该实施例中，提供了形成在层1640中的图案1650。在该示例中，层是抗蚀剂层，但是可以是不同的材料。在一个实施例中，层1600-1630中的一个或多个可以包括图案，使得可以测量重叠。

图16B是图16A的产品测试衬底的衍射效率(以百分比为单位)随着入射辐射波长(nm)变化的示例图(即，产品测试衬底的摆幅曲线)。如图16B所示，产品测试衬底的摆幅曲线不是线性的或基本线性的。相反，摆幅曲线是非线性的。在一个实施例中，摆幅曲线具有一个或多个凹陷(例如，在约600nm和约795nm处示出)。

此外，如图16B所示，摆幅曲线在一个或多个感兴趣的波长处具有相对较高的陡峭斜率。因此，产品测试衬底的光学响应特性对于产品测试衬底上的一个或多个感兴趣波长下的入射辐射的特性变化具有相对较高的灵敏度。在图16B的情况下，摆幅曲线在感兴趣的波长约634nm、780nm和840nm处具有陡峭的斜率。在一个实施例中，感兴趣的波长是由量测系统(例如，对准测量系统)产生的测量波长。与图15B相比，可以看出，图16B的摆幅曲线使得能够在感兴趣的不同波长处提供不同的斜率，从而提供特定于具体应用的灵敏度/斜率。例如，在图16的示例中，与图15的产品测试衬底相比，产品测试衬底对产品测试衬底上大约780nm处的入射辐射的特性变化具有更高的灵敏度。

图17是创建产品测试衬底的示例方法1700的流程图。在1702处，在衬底基础上提供第一材料层(例如，通过沉积技术沉积、旋涂等)。在一个实施例中，衬底基础是硅晶片。在一个实施例中，第一材料层包括材料的多个子层(例如，2至20个子层)。

在第一类型的产品测试衬底中，第一材料层包括含碳材料。在一个实施例中，第一层的材料包括旋涂碳。在一个实施例中，第一层包括多个旋涂碳层。在一个实施例中，第一材料层选自600nm至1200nm的范围。

在第二类型的产品测试衬底中，第一材料层包括二氧化硅。在一个实施例中，第一层包括多个自旋二氧化硅层。在一个实施例中，第一材料层选自300nm至1500nm的范围。

在1704处，在第一材料层上提供第二材料层(例如，通过沉积技术沉积、旋涂等)。在一个实施例中，第二材料层包括材料的多个子层(例如，2至20个子层)。

在第一类型的产品测试衬底中，第二材料层包括含玻璃的材料。在一个实施例中，第二层的材料包括旋涂玻璃。在一个实施例中，第二层包括多个旋涂玻璃层。在一个实施例中，第二材料层选自10nm至300nm的范围。

在第二类型的产品测试衬底中，第二材料层包括二氧化铪。在一个实施例中，第二层包括多个二氧化铪层。在一个实施例中，第二材料层选自10nm至300nm的范围。

在一个实施例中，第二层的材料可以是第一层的材料，并且第一层的材料可以是第二层的材料。

在可选步骤1706中，在第二材料层上提供第三材料层(例如，通过沉积技术沉积、旋涂等)。在一个实施例中，第三材料层包括材料的多个子层(例如，2至20个子层)。在一个实施例中，第三材料层与第一材料层相同。

在第一类型的产品测试衬底中，第三材料层包括含碳材料。在一个实施例中，第三层的材料包括旋涂碳。在一个实施例中，第三层包括多个旋涂碳层。在一个实施例中，第三材料层选自600nm至1200nm的范围。

在一个实施例中，在无需显影和/或蚀刻的情况下，可以在常规的轨道系统中生产第一、第二和/或第三层。在一个实施例中，在不使用任何蚀刻、离子注入和/或化学机械平坦化的情况下生产产品测试衬底。

在一个实施例中，第一、第二和可选的第三层一起产生具有相对高的平坦度的层。例如，层平面度小于或等于10nm或小于或等于5nm。

在可选步骤1708中，可以提供抗蚀剂层。在一个实施例中，可以为抗蚀剂层提供图案(例如，量测标记图案)。在一个实施例中，通过使用来自被评估的组件的辐射照射抗蚀剂来产生图案。在一个实施例中，图案是经显影的抗蚀剂。在一个实施例中，图案是在两个不同层中具有重叠图案的重叠量测标记。在该情况下，可以在第二或可选的第三层中创建基本图案，或者在第二或可选的第三层之上提供的层中创建基本图案。

如上所述，选择层的厚度和/或材料，以在一个或多个感兴趣的波长处显示具有期望灵敏度的摆幅曲线。例如，摆幅曲线可以是陡峭的(例如，5-20％的斜率)，其中在一个或多个感兴趣的特定波长处(例如，红光和近红外光 带宽)具有较低的一阶衍射效率/强度(例如，小于或等于30％、小于或等于10％或小于或等于1％)。

在一个实施例中，可以使用光学仿真工具来选择材料(例如，材料类型、折射率等)、材料的厚度等，以获得将具有期望轮廓的摆幅曲线的定制辐射场。

图18是使用如本文所述的产品测试衬底的示例方法1800的流程图。

在1802处，使用来自诸如光刻设备的投影系统、量测工具(例如，光刻设备的水平传感器、光刻设备的对准传感器、光刻设备外部的量测工具等)的组件的辐射来照射本文所述的产品测试衬底。

在1804处，检测被经照射的产品测试衬底重定向的辐射。根据所检测的辐射来确定参数值(例如，强度值、衍射效率等)。

在1806处，对参数值进行处理，以确定组件。例如，可以针对由组件照射的裸衬底来确定参数值，然后针对由相同组件照射的产品测试衬底来确定该参数值。在一个实施例中，可以针对多个波长、针对裸衬底来确定参数值，以找到针对不同波长的参数值之间的差异。类似地，可以针对多个波长、针对产品测试衬底来确定参数值，以找到针对不同波长的参数值之间的差异。然后，可以对所确定的裸衬底和产品测试衬底的差异进行比较，以确定组件的效果(并且可以如本文所述对其采取措施)。

在一个实施例中，为了评估水平传感器，可以通过水平传感器照射与产品测试衬底具有相同高度的裸衬底，然后可以使用参数值的差异来确定产品测试衬底对水平传感器的效果(并且可以如本文所述对其采取措施)。

在一个实施例中，可以针对被分析的组件照射的产品测试衬底确定摆幅曲线，并且可以从摆幅曲线确定组件的效果(例如，如果使用理想的组件进行照射，则通过与针对产品测试衬底的模拟摆幅曲线进行比较)。

在一个实施例中，多个不同的产品测试衬底可以被组件照射，其中每个产品测试衬底具有不同的摆幅曲线，摆幅曲线表示例如在涉及由组件照射的过程中，一个或多个变量的一定百分比变化。然后可以分析所测量的不同产品测试衬底，以评估例如组件对过程变化的鲁棒性。

在一个实施例中，量测工具(例如，基于衍射的重叠或CD量测工具、水平传感器、对准传感器等)可以将某些测量辐射波长(例如，四个或更多个操作波长)用于测量。因此，用户可能期望确定用于测量的“最佳”波长，其中“最佳”可以是给出最准确结果的波长(或者至少比另一波长更准确)、可以是过程效果最稳健的波长(或者至少比另一波长的过程效果更稳健)等。因此，在一个实施例中，一个或多个产品测试衬底被生产为具有各自具有测试结构的区域，这些区域针对每个操作辐射波长，具有相似的摆幅曲线斜率或斜率范围(例如，0.25％/nm至1％/nm)。然后，通过测量测试结构对该范围的响应，用户可以确定哪个辐射波长对斜率范围最不敏感(或者至少比另一波长更不敏感)。然后可以期望波长在例如针对过程变化的鲁棒性和/或准确性方面给出更好的测量结果。在一个实施例中，可以通过将使用测试结构确定的参数与参考测试结构的已知参数(例如，裸衬底上的基准)进行比较来评估测试结构的响应。可以使用参考测试结构从中产生已知参数的相同波长来进行比较，也可以基于每个波长应产生相同已知参数的逐个波长进行比较。

在进一步的实施例中，用户可能希望对过程效果具有最佳鲁棒性的量测设备进行设计、设置等。因此，在一个实施例中，可以创建相似或夸大挑战性特性(例如，层厚度变化、测量辐射波长变化、角度变化等)的产品测试衬底的集合，然后修改并测试各种量测设备设计、设置等方面的考虑，以将过程效果减少或最小化并产生更稳健的量测设备。

因此，在一个实施例中，由量测工具测量的参数(例如，由基于衍射的量测工具测量的重叠或CD、由水平传感器工具测量的高度/方向/聚焦、由对准传感器测量的对准/位移等)可能受到摆幅曲线的影响。因此，通过在相对简单的产品测试衬底上测量和比较目标，产品测试衬底可用于通过那些量测工具来评估量测的鲁棒性。

在1808处，基于参数值采取措施。例如，动作可以包括对用于将器件产品衬底图案化的图案化过程进行配置(例如，在图案化过程中改变设备的设置)。作为另一示例，动作可以包括改变组件的设置。作为另一示例，动作可以包括将组件指定为不适合使用或引起组件的维修或更换。

因此，如本文所述，描述了具有例如性能测试和/或校准期望的摆幅曲线的创新的产品测试衬底。此外，如本文所述，还提供了用于构造这样的产品测试衬底的创新方法以及使用这样的产品测试衬底的方法。

在一个实施例中，提供了方法，方法包括：利用来自组件的辐射来照射产品测试衬底，其中产品测试衬底不包括蚀刻在其中的器件图案，并且在被照射时产生非零灵敏度，非零灵敏度表示产品测试衬底的光学响应特性相对于辐射特性变化的变化；测量辐射的由产品测试衬底重定向的至少一部分来确定参数值；并基于参数值，对组件采取措施。

在一个实施例中，针对产品测试衬底的、光学响应特性相对于辐射特性的摆幅曲线具有非线性部分。在一个实施例中，光学响应特性包括衍射效率和/或强度。在一个实施例中，特性包括产品测试衬底上的辐射波长、辐射偏振、辐射相位和/或辐射的入射角。在一个实施例中，产品测试衬底包括至少两个不同材料的大致平面的层，并且在其中具有图案。在一个实施例中，辐射的特性是波长，并且其中针对波长的特定感兴趣值，针对产品测试衬底的、以作为百分比的强度相对于以纳米表示的波长表示的摆幅曲线具有0.25％/nm或更大的斜率。在一个实施例中，产品测试衬底针对辐射特性的特定的第一感兴趣值产生第一非零灵敏度，并且针对辐射特性的特定的第二感兴趣值产生第二非零灵敏度，辐射特性的第二感兴趣值不同于辐射特性的第一感兴趣值。在一个实施例中，措施包括对用于将器件产品衬底图案化的图案化过程进行配置。在一个实施例中，措施包括改变组件的设置或将组件指定为不适合使用。

在一个实施例中，提供了方法，方法包括：计算针对被辐射照射的产品测试衬底的光学响应，以确定产品测试衬底的一个或多个物理特性，产品测试衬底在被照射时将产生非零灵敏度，非零灵敏度表示产品测试衬底的光学响应特性相对于辐射特性的变化的变化；以及生成包括一个或多个物理特性的电子指令来生成产品测试衬底。

在一个实施例中，方法进一步包括产生具有一个或多个物理特性的产品测试衬底。在一个实施例中，产品测试衬底不包括在其中蚀刻的器件图案。在一个实施例中，光学响应特性包括衍射效率和/或强度。在一个实施例中，特性包括产品测试衬底上的辐射波长、辐射偏振、辐射相位和/或辐射的入射角。在一个实施例中，产品测试衬底包括至少两个不同材料的大致平面的层，并且在其中具有图案。在一个实施例中，一个或多个物理特性使得产品测试衬底针对辐射特性的特定的第一感兴趣值产生第一非零灵敏度，并且针对辐射特性的特定的第二感兴趣值产生第二非零灵敏度，辐射特性的第一感兴趣值不同于辐射特性的第二感兴趣值。在一个实施例中，辐射特性是波长，并且其中针对波长的特定的感兴趣值，针对产品测试衬底的、以作为百分比的强度相对于以纳米表示的波长表示的摆幅曲线具有0.25％/nm或更大的斜率。

在一个实施例中，提供了用于利用来自组件的辐射进行照射的产品测试衬底，其中产品测试衬底不包括在其中蚀刻的器件图案，并且在被照射时产生非零灵敏度，非零灵敏度表示产品测试衬底的光学响应特性相对于辐射特性的变化的变化。

在一个实施例中，产品测试衬底包括至少两个不同材料的大致平面的层，并且在其中具有图案。在一个实施例中，对于产品测试衬底，光学响应特性相对于辐射特性的摆幅曲线具有非线性部分。在一个实施例中，光学响应特性包括衍射效率和/或强度。在一个实施例中，特性包括在产品测试衬底上的辐射波长、辐射偏振和/或辐射入射角。在一个实施例中，产品测试衬底针对辐射特性的特定的第一感兴趣值产生第一非零灵敏度，并且针对辐射特性的特定的第二感兴趣值产生第二非零灵敏度。辐射特性的第二感兴趣值不同于辐射特性的第一感兴趣值。在一个实施例中，辐射特性是波长，并且其中针对波长的特定的感兴趣值，针对产品测试衬底的、以作为百分比的强度相对于以纳米表示的波长表示的摆幅曲线具有0.25％/nm或更大的斜率。

参考图19，示出了计算机系统2100。计算机系统2100包括总线2102或用于通信信息的其他通信机制，以及与总线2102耦合以用于处理信息的处理器2104(或多个处理器2104和2105)。计算机系统2100还包括主存储器2106(例如，随机存取存储器(RAM)或其他动态存储设备)，主存储器2106耦合到总线2102，以用于存储信息和待由处理器2104执行的指令。主存储器2106还可以用于在处理器2104所执行的指令执行期间，存储临时变量或其他中间信息。计算机系统2100还包括只读存储器(ROM)2108或与总线2102耦合、以用于为处理器2104存储静态信息和指令的其他静态存储设备。提供诸如磁盘或光盘的存储设备2110并将其耦合到总线2102以存储信息和指令。

计算机系统2100可以经由总线2102耦合至用于向计算机用户显示信息的显示器2112(例如，阴极射线管(CRT)或平板显示器或触摸面板显示器)。包括字母数字键和其他键的输入设备2114耦合到总线2102，以用于将信息和命令选择通信到处理器2104。另一类型的用户输入设备是光标控件2116(例如，鼠标、轨迹球或光标方向键)，以用于将方向信息和命令选择通信给处理器2104并控制显示器2112上的光标移动。该输入设备通常在两个轴(第一轴(例如，x)和第二轴(例如，y))上具有两个自由度，这允许设备指定平面中的位置。触摸面板(屏)显示器也可以用作输入设备。

计算机系统2100可以适于响应于处理器2104执行主存储器2106中包括的一个或多个指令的一个或多个序列而在本文中用作处理单元。这样的指令可以从另一计算机可读介质(例如，存储设备2110)读入主存储器2106中。执行包括在主存储器2106中的指令序列使得处理器2104执行本文所述的过程。也可以采用多处理布置中的一个或多个处理器来执行包括在主存储器2106中的指令序列。在备选实施例中，可以使用硬连线电路代替软件指令或与软件指令结合。因此，实施例不限于硬件电路和软件的任何特定组合。

如本文所使用的术语“计算机可读介质”指代参与向处理器2104提供指令以供执行的任何介质。这样的介质可以采取许多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘(例如，存储设备2110)。易失性介质包括动态存储器(例如，主存储器2106)。传输介质包括同轴电缆、铜线和光纤(包括构成总线的电线2102)。传输介质也可以采用声波或光波的形式(例如，在射频(RF)和红外(IR)数据通信期间生成的声波或光波)。计算机可读介质的常见形式包括例如软盘、软磁盘、硬盘、磁带、任何其他磁介质、CD-ROM、DVD、任何其他光学介质、打孔卡、纸带、具有孔图案的任何其他物理介质、RAM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM、任何其他存储芯片或盒式磁带、如下文所述的载波或计算机可以从中读取的任何其他介质。

各种形式的计算机可读介质可以涉及将一个或多个指令的一个或多个序列传送给处理器2104以用于执行。例如，指令最初可以承载在远程计算机的磁盘上。远程计算机可以将指令加载到其动态存储器中，并使用调制解调器通过电话线发送指令。计算机系统2100本地的调制解调器可以在电话线上接收数据，并使用红外发射器将数据转换为红外信号。耦合到总线2102的红外检测器可以接收红外信号中携带的数据，并将数据放置在总线2102上。总线2102将数据携带到主存储器2106，处理器2104从主存储器2106中检索并执行指令。由主存储器2106接收的指令可以可选地在处理器2104执行之前或之后存储在存储设备2110上。

计算机系统2100还可包括耦合到总线2102的通信接口2118。通信接口2118提供耦合到网络链路2120的双向数据通信，网络链路2120连接到局域网2122。例如，通信接口2118可以是集成服务数字网(ISDN)卡或调制解调器，以提供与对应类型的电话线的数据通信连接。作为另一示例，通信接口2118可以是局域网(LAN)卡，以提供到兼容LAN的数据通信连接。也可以实现无线链路。在任何这样的实现中，通信接口2118发送和接收携带表示各种类型的信息的数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。

网络链路2120通常借助一个或多个网络提供到其他数据设备的数据通信。例如，网络链路2120可以借助本地网络2122提供到主机2124或互联网服务提供商(ISP)2126所操作的数据设备的连接。ISP2126进而借助全球分组数据通信网络(现在被称为“互联网”2128)来提供数据通信服务。本地网络2122和互联网2128均使用承载数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。通过各种网络的信号以及在网络链路2120上并且通过通信接口2118的信号(将数字信号携带到计算机系统2100以及携带来自计算机系统2100的数字数据)是传递信息的载波的示例性形式。

计算机系统2100可以借助(多个)网络、网络链路2120和通信接口2118发送消息并接收包括程序代码的数据。在互联网的示例中，服务器2130可以借助互联网2128、ISP2126、本地网络2122和通信接口2118，发送针对应用程序所请求的代码。根据一个或多个实施例，一个这样的下载应用程序提供例如本文公开的方法。所接收的代码可以在接收时由处理器2104执行，和/或存储在存储设备2110中或其他非易失性存储装置中，以供以后执行。以这种方式，计算机系统2100可以获得载波形式的应用程序代码。

本公开的实施例可以采取计算机程序的形式，计算机程序包括描述本文公开的方法的一个或多个机器可读指令序列或者具有存储在其中的计算机程序的数据存储介质(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。此外，机器可读指令可以体现在两个或更多个计算机程序中。可以将两个或更多个计算机程序存储在一个或多个不同的存储器和/或数据存储介质上。

当由位于光刻设备的至少一个组件内的一个或多个计算机处理器读取一个或多个计算机程序时，本文描述的任何控制器可以各自或组合地可操作。控制器可以各自或组合具有用于接收、处理和发送信号的任何合适的配置。一个或多个处理器被配置为与至少一个控制器通信。例如，每个控制器可以包括用于执行计算机程序的一个或多个处理器，计算机程序包括用于上述方法的机器可读指令。控制器可以包括用于存储这样的计算机程序的数据存储介质和/或用于接收这样的介质的硬件。因此，(多个)控制器可以根据一个或多个计算机程序的机器可读指令进行操作。

尽管在本文中可以具体参考在IC的制造中使用量测设备，但是应当理解，本文描述的量测设备和过程可以具有其他应用(例如，集成光学系统的制造、用于磁畴存储器、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的引导和检测图案)。本领域技术人员将理解，在这样的备选应用的上下文中，本文中术语“晶片”或“裸片”的任何使用分别被认为与更通用的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文所指的衬底可以在曝光之前或之后在例如轨道(通常将抗蚀剂层施加到衬底并将经曝光的抗蚀剂显影的工具)、量测工具和/或一个或多个各种其他工具中进行处理。在适用的情况下，本文的公开可以应用于此类和其他衬底处理工具。此外，可以例如多次处理衬底，以创建多层IC，使得本文所使用的术语衬底也可以指代已包括多个经处理的层的衬底。

尽管上面可能已在光学光刻的上下文中具体参考了本公开的实施例的使用，但是应当理解，本公开可以在其他应用(例如，纳米压印光刻)中使用，并且在上下文允许的情况下不仅限于光学光刻。在纳米压印光刻的情况下，图案形成装置是压印模板或模具。

在本文所述的量测设备中，可以提供衬底支撑件以在测量操作期间保持衬底W。衬底支撑件的形式可以与图1的衬底台WT相似或相同。在将量测设备与光刻设备集成在一起的示例中，它甚至可以是同一衬底台。可以提供粗略和精细***，以相对于测量光学系统准确地定位衬底。例如，提供各种传感器和致动器来获取感兴趣目标的位置，并将其置于物镜下方的位置。通常，将在整个衬底W上不同位置处的目标上进行许多测量。可以在X和Y方向上移动衬底支撑件来获取不同的目标，并在Z方向上移动衬底支撑件来获得目标相对于光学系统的焦点的期望位置。当例如光学系统在实践中可以保持基本静止(通常在X和Y方向上，也可能在Z方向上)且只有衬底移动时，就可以像将物镜移到相对于衬底的不同位置一样方便地进行思考和描述操作。如果衬底和光学系统的相对位置正确，则原则上哪一个在现实世界中移动或者两者都在移动或者光学系统的一部分在移动(例如，在Z和/或倾斜方向上)而光学系统的其余部分保持静止并且衬底在移动(例如，在X和Y方向上，但也可以在Z和/或倾斜方向上)并不重要。

本文中使用的术语“辐射”和“光束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，具有或约为365nm、355nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如，波长在5nm-20nm范围内)以及粒子束(例如，离子束或电子束)。

在上下文允许的情况下，术语“透镜”可以指代各种类型的光学组件(包括折射型、反射型、磁性型、电磁型和静电型光学组件)中的任一个或组合。

本文中提及的超越或超过阈值可以包括特定的事物具有小于特定值或小于或等于特定值的值、特定的事物具有大于特定值或大于或等于特定值的值、特定的事物的排名高于或低于(基于例如参数)其他事物(例如，通过排序)。

本文中提及的校正或修正误差包括消除误差或将误差减小到公差范围内。

如本文所使用的，术语“对…进行优化”或“优化”指代或意指调整光刻设备、图案化过程等，使得光刻或图案化处理的结果和/或过程具有更期望的特性(例如，设计布局在衬底上的投影精度更高、过程窗口更大等)。因此，本文所使用的术语“对…进行优化”或“优化”指代或意指例如与一个或多个变量的一个或多个值的初始集合相比，标识在至少一个相关指标中提供改进(例如，局部最优)的一个或多个变量的一个或多个值的过程。“最优”和其他相关术语应据此解释。在一个实施例中，可以迭代地应用优化步骤以提供一个或多个指标的进一步改进。

在系统的优化过程中，系统或过程的品质因数可以表示为成本函数。优化过程归结为寻找对成本函数进行优化(例如，最小化或最大化)的系统或过程的参数集合(设计变量)的过程。根据优化的目标，成本函数可以具有任何合适的形式。例如，成本函数可以是系统或过程的某些特性(评估点)相对于这些特性的预期值(例如，理想值)的偏差的加权均方根(RMS)；成本函数也可以是这些偏差中的最大值(即，最小偏差)。本文中的术语“评估点”应广义地解释为包括系统或过程的任何特性。由于系统或过程的实现的实用性，可以将系统的设计变量限制在有限范围内和/或相互相关。在光刻设备或图案化过程的情况下，约束通常与硬件的物理性质和特性(例如，可调范围和/或图案化设备可制造性设计规则)相关联，并且评估点可以包括衬底上抗蚀剂图像上的物理点以及非物理特性(例如，剂量和焦点)。

尽管以上已描述了本公开的具体实施例，但应理解，可以以与上述方式不同的方式来实践本公开。例如，本公开可以采用计算机程序(包含描述如上所公开的方法的机器可读指令的一个或多个序列)或者具有存储在其中的这样的计算机程序的非暂时性数据存储介质(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。

在框图中，图示的组件被描绘为离散的功能块，但是实施例不限于其中本文所描述的功能如图示进行组织的系统。由每个组件提供的功能可以由以与当前所描绘的不同方式进行组织的软件或硬件模块提供，例如，这样的软件或硬件可以混合、联合、复制、分解、分布(例如，在数据中心内或在地理位置上)或以其他方式组织。本文描述的功能可以由执行存储在有形、非暂时性机器可读介质上的代码的一个或多个计算机的一个或多个处理器来提供。在某些情况下，第三方内容交付网络可以托管通过网络传输的部分或全部信息，在这种情况下，就提供或以其他方式提供信息(例如，内容)的程度，可以通过发送指令以从内容交付网络检索该信息来提供信息。

除非另有明确说明，否则从讨论中显而易见的是，应理解，在整个说明书中，利用诸如“处理”、“计算(computing/calculating)”、“确定”等术语的讨论指代特定设备(例如，专用计算机或类似的专用电子处理/计算设备)的动作或过程。

读者应理解，本申请描述了若干发明。申请人没有将这些发明分成多个单独的专利申请，而是将这些发明归为单个文档，是因为它们的相关主题可以使申请过程更加经济。但是，这样的发明的独特优点和方面不应混为一谈。在一些情况下，实施例解决了本文指出的所有缺陷，但是应当理解，本发明是独立有用的，并且一些实施例仅解决这些问题的一部分或提供其他未提及的益处，这对于查看本公开的本领域技术人员而言是显而易见的。由于成本的限制，目前可能没有要求保护而是可能在以后的申请中(例如，连续申请或通过修改本权利要求书)要求保护本文中公开的某些发明。同样，由于篇幅所限，本文档的发明摘要或发明内容部分均不应视为包含所有此类发明或此类发明的所有方面的全面列表。

应理解，说明书和附图并非旨在将本发明限制为所公开的特定形式，相反，本发明涵盖落入由所附权利要求书限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等同物和备选形式。

鉴于此描述，本发明的各个方面的修改和备选实施例对于本领域技术人员将是显而易见的。因此，该描述和附图仅应被解释为例示性的，并且目的是向本领域技术人员教导实施本发明的一般方式。应当理解，本文示出和描述的本发明的形式将被视为实施例的示例。在受益于本发明的描述之后，对于本领域技术人员显而易见的是，元件和材料可以代替本文中图示和描述的那些元素和材料、可以颠倒或省略部件和过程、可以独立地利用某些特征、并且可以组合实施例或实施例的特征。在不脱离如所附权利要求书中所描述的本发明的精神和范围的情况下，可以对本文所述的元素进行改变。本文使用的标题仅用于组织目的，并不意味着用于限制本说明书的范围。

如贯穿本申请使用的，以允许的意义(即，意味着具有可能)而不是强制性的意义(即，意味着必须)来使用词语“可以”。词语“包括(include、including和includes)”等表示包括但不限于。如贯穿本申请所使用的，除非内容中另有明确说明，否则单数形式的“一(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”包括复数个指示物。因此，例如，尽管对于一个或多个元素使用其他术语和短语(例如，“一个或更多个”)，但是提及“一个”元素或“一个”元素包括两个或更多个元素的组合。除非另有说明，否则术语“或”是非排他性的，即包括“和”以及“或”。描述条件关系的术语(例如，“响应于X、Y”、“根据X、Y”、“如果X、Y”、“当X、Y时”等)涵盖因果关系，在因果关系中，先行项是必要的因果条件、先行项是充分的因果条件或者先行项是必然的因果条件，例如，“在获得条件Y时发生状态X”是“X仅在Y时发生”以及“X在Y和Z时发生”的泛化。因为某些结果可能延迟，所以这样的条件关系不限于在获得先行项后立即发生的结果，并且在条件陈述中，先行项与其后项相关联，例如，先行项与随后发生的可能性有关。除非另有说明，否则其中多个属性或功能被映射到多个对象(例如，执行步骤A、B、C和D的一个或多个处理器)的陈述涵盖映射到所有这些对象的所有这样的属性或功能或映射到属性或功能的子集的属性或功能的子集(例如，所有处理器各自执行步骤A-D，以及处理器1执行步骤A、处理器2执行步骤B和步骤C的一部分以及处理器3执行步骤C的一部分和步骤D的情况)。此外，除非另外说明，否则一个值或动作“基于”另一条件或值的陈述既涵盖条件或值是唯一因素的情况，又涵盖条件或值是多个因素中的一个因素的情况。除非另有说明，否则不应将特定的集合的“每个”实例具有某些属性的陈述理解为排除更大集合中某些其他相同或相似成员不具有该属性的情况(即，每个不一定代表所有)。

某些美国专利、美国专利申请或其他材料(例如，文章)通过引用并入，这样的美国专利、美国专利申请和其他材料的文本仅通过引用并入，这样的材料与此处阐述的陈述和附图之间不存在冲突。在发生这样的冲突的情况下，在通过引用并入的美国专利、美国专利申请和其他材料中的任何这样的冲突的文本均不通过引用明确地并入本文。

上面的描述旨在是图示性的，而不是限制性的。因此，对于本领域的技术人员将显而易见的是，在不脱离以下阐述的权利要求的范围的情况下，可以对所描述的本公开进行修改。