阅读说明：本技术 基板材料、基板材料制备方法及相关基板 (Substrate material, substrate material preparation method and related substrate ) 是由 王和志 黄国创 恽振阳 于 2019-08-13 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种基板材料,所述基板材料包括氟聚合物和陶瓷填充材料,所述陶瓷填充材料由陶瓷粉末通过偶联剂改性制成,所述偶联剂包括硅烷偶联剂、钛酸盐偶联剂及锆酸盐偶联剂中的任意一种或多种。本发明还提供了一种基板材料制备方法及使用所述基板材料和应用所述基板材料制备方法的层压板、覆铜箔层压板以及印制电路板。与相关技术相比,本发明的基板材料、基板材料制备方法、层压板、覆铜箔层压板以及印制电路板的氟聚合物和陶瓷填充材料相容性较好且均匀分散性、基板材料吸水率低且结构致密、介电性能好、工艺简单且成本较低。(The invention provides a substrate material which comprises a fluoropolymer and a ceramic filling material, wherein the ceramic filling material is prepared by modifying ceramic powder through a coupling agent, and the coupling agent comprises any one or more of a silane coupling agent, a titanate coupling agent and a zirconate coupling agent. The invention also provides a preparation method of the substrate material, and a laminated board, a copper clad laminated board and a printed circuit board which use the substrate material and the preparation method of the substrate material. Compared with the prior art, the substrate material, the preparation method of the substrate material, the laminated board, the copper-clad laminated board and the fluorine polymer and ceramic filling material of the printed circuit board have the advantages of good compatibility, uniform dispersibility, low water absorption of the substrate material, compact structure, good dielectric property, simple process and low cost.)

基板材料、基板材料制备方法及相关基板

【技术领域】

本发明涉及覆铜板技术领域，尤其涉及一种基板材料和基板材料制备方法及使用所述基板材料和应用所述基板材料制备方法的层压板、覆铜箔层压板以及印制电路板。

【背景技术】

随着5G时代的来临，电子产品的发展趋向多功能化，零部件不断向轻、薄、短、小等方向发展，尤其是高密度集成电路技术的广泛应用，对民用电子产品提出高性能化、高可靠性和高安全性的要求；对工业用电子产品提出技术性能良好、低成本、高能耗的要求。然而，传统的无机基板介电常数高，影响信号传输速度和响应时间。纯有机基板的热膨胀系数高、热导率低、热稳定性差。因此，急需一种介电、力学、热学等性能均优异的材料来满足高传速低延时的集成电路的要求。

聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，简称PTFE)具有优秀的介电性能 (低介电常数和低介电损耗)，以及良好的化学稳定性和热稳定性，所以聚四氟乙烯覆铜板在卫星通讯、移动无线电通讯、卫星广播电视雷达设备以及计算机等领域具有潜在的应用价值。

但是，纯聚四氟乙烯的热膨胀系数大，具体值为106ppm/℃，与铜(具体值为16ppm/℃)的热膨胀系数相差较大，直接覆铜容易发生热适配失效；另外，纯聚四氟乙烯的热导率低，具体值为0.20～0.25W/mk；同时纯聚四氟乙烯的流动性差，难以成型，成型时由于大的收缩率易导致变形开裂；而且纯聚四氟乙烯由于表面能极低，导致其附着能力极差；还有纯聚四氟乙烯的抗压能力差，强度不高等。

因此，实有必要提供一种新的基板材料、制备方法及相关基板解决上述技术问题。

【

发明内容

】

本发明的目的在于提供一种具有氟聚合物和陶瓷填充材料相容性较好且均匀分散性、基板材料吸水率低且结构致密、介电性能好、工艺简单且成本较低的基板材料、基板材料制备方法、层压板、覆铜箔层压板以及印制电路板。

为达到上述目的，本发明提供了一种基板材料，所述基板材料包括氟聚合物和陶瓷填充材料，所述陶瓷填充材料由陶瓷粉末通过偶联剂改性制成，所述偶联剂包括硅烷偶联剂、钛酸盐偶联剂及锆酸盐偶联剂中的任意一种或多种。

优选的，所述氟聚合物包括聚四氟乙烯、六氟丙烯、四氟乙烯以及全氟烷基乙烯基醚中任意一种或多种。

优选的，所述氟聚合物为聚四氟乙烯。

优选的，所述陶瓷填充材料包括二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝、氮化铝、氧化镁、氧化钙、氧化锌以及氧化钡中的任意一种或多种。

优选的，所述陶瓷填充材料为二氧化硅。

优选的，所述陶瓷填充材料为熔融无定形二氧化硅。

优选的，所述硅烷偶联剂包括二甲基二甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙氨基)丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、对氯甲基苯基三甲氧基硅烷、氨基乙基氨基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三乙氧基硅烷、 (3,3,3-三氟丙基)三氯硅烷、(3,3,3-三氟丙基)二甲基氯硅烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基二氯硅烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基二甲氧基硅烷、(三氟-1,1,2,2-四氢)辛基)-1-三氯硅烷、(三氟-1,1,2,2-四氢辛基)-1-甲基二氯硅烷、(三氟 -1,1,2,2-四氢辛基)-1-二甲基氯硅烷、(庚氟-1,1,2,2-四氢癸基)-1-甲基二氯硅烷、(庚氟-1,1,2,2-四氢癸基)-1-三氯硅烷、(庚二氟-1,1,2)2-(2-四氢癸基)-1-二甲氧基氯硅烷(庚氟异丙氧基)丙基甲基二氯硅烷、3-(庚氟异丙氧基)丙基三氯硅烷以及3-(庚氟异丙氧基)丙基三乙氧基硅烷中的任意一种或多种。

优选的，所述偶联剂为二甲基二甲氧基硅烷。

优选的，所述钛酸盐偶联剂包括新戊基(二烯丙基)氧基三癸酰基钛酸酯、新戊(二烯丙基)氧三(十二烷基)苯磺酰基钛酸酯、新戊基(二烯丙基)氧三(二辛基)磷酸钛酸酯以及异丙基三(二辛基焦磷酸酰氧基)钛酸酯中的任意一种或多种。

优选的，所述锆酸盐偶联剂包括新戊基(二烯丙基)氧三(二辛基)焦磷酸锆、新戊基(二烯丙基)氧三(N-乙二胺)乙基锆酸盐的任意一种或多种。

本发明还提供一种层压板，所述层压板由如上中的任意一项所述的基板材料制成。

本发明还提供一种覆铜箔层压板，所述覆铜箔层压板包括至少一张如上所述的层压板的一侧或两侧的铜箔。

本发明还提供一种印制电路板，所述印制电路板包括至少一张如上所述的层压板。

本发明还提供一种基板材料制备方法，该方法包括如下步骤：

偶联剂水解，将0.5～3份的水和8～30份的无水乙醇混合，滴入pH调节液并充分搅拌，调节pH值至3～6，再加入0.5-3份如权利要求1或7～10 中的任意一种或多种所述的偶联剂，调节温度在20～50℃，充分搅拌0.5～3 小时，得到偶联剂水解液；

疏水性陶瓷材料制备，将40～60份的陶瓷粉末加入所述偶联剂水解液中，充分搅拌0.5～2小时后放入至超声清洗器中进行分散0.5～2小时，除去溶剂得到疏水性陶瓷材料；

基板材料制备，将50～80份的氟聚合物乳液加入容器中搅拌，其体系温度为20～50℃；将50-70份的所述疏水性陶瓷材料缓慢加入所述氟聚合物乳液中，充分搅拌1～5小时，得到所述基板材料。

优选的，所述氟聚合物为聚四氟乙烯。

优选的，所述基板材料制备步骤之后，还包括如下步骤：

将所述基板材料在成膜设备中制成一定厚度的薄膜；

将所述薄膜在热压机中烧结，烧结的升温速率为1～5℃/分钟，保温温度为350～390℃，保温时间为1～3小时，降温速度为0.5～3℃/分钟；得到成型的所述基板材料。

本发明还提供一种层压板，所述层压板由如上中的任意一项所述的基板材料制备方法制成。

本发明还提供一种覆铜箔层压板，所述覆铜箔层压板包括至少一张如上所述的层压板的一侧或两侧的铜箔。

本发明还提供一种印制电路板，所述印制电路板包括至少一张如上所述的层压板。

与相关技术相比，本发明的基板材料的陶瓷粉末通过偶联剂改性制成所述陶瓷填充材料，其中，所述偶联剂包括硅烷偶联剂、钛酸盐偶联剂及锆酸盐偶联剂中的任意一种或多种，通过改性，提高了陶瓷粉末的表面张力，从而使所述陶瓷填充材料具有疏水性。再将所述陶瓷填充材料与氟聚合物复合，从而使本发明的所述基板材料、基板材料制备方法及使用所述基板材料和应用所述基板材料制备方法的层压板、覆铜箔层压板以及印制电路板的氟聚合物和陶瓷填充材料相容性较好且均匀分散性、基板材料吸水率低且结构致密、介电性能好，工艺简单且成本较低。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：

图1为本发明的基板材料制备方法的流程框图；

图2为本发明的基板材料制备方法的实施例的流程框图；

图3为本发明的基板材料制备方法的步骤S1的子流程框图；

图4为本发明的基板材料制备方法的步骤S2的子流程框图；

图5为本发明的基板材料制备方法的步骤S3的子流程框图；

图6为改性的二氧化硅的扫描电子显微镜图；

图7为本发明的基板材料的扫描电子显微镜图。

【

具体实施方式

】

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供了一种基板材料，所述基板材料包括氟聚合物和陶瓷填充材料，所述陶瓷填充材料由陶瓷粉末通过偶联剂改性制成，所述偶联剂包括硅烷偶联剂、钛酸盐偶联剂及锆酸盐偶联剂中的任意一种或多种。

所述氟聚合物包括聚四氟乙烯、六氟丙烯、四氟乙烯以及全氟烷基乙烯基醚中任意一种或多种。

所述氟聚合物为聚四氟乙烯。聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，简称PTFE)具有优秀的介电性能(低介电常数和低介电损耗)，以及良好的化学稳定性和热稳定性。

为了降低所述氟聚合物的热膨胀系数，提高其热导率，需要将所述氟聚合物与陶瓷做复合。但是由于，所述氟聚合物表面能极低，而陶瓷粉末往往含有羟基，表面能较高，因此需要对陶瓷粉末做改性处理，降低其表面能，增加其疏水性。市面上出售的陶瓷粉末大多是不经过偶联剂改性的，属亲水性陶瓷；少部分改性陶瓷，要么改性效果一般，即疏水性一般，要么颗粒尺寸或者陶瓷粉末种类匮乏，改性效果及粉末型号的可选性较少；因此需要对陶瓷粉末做偶联剂的改性。所述陶瓷填充材料通过所述偶联剂进行改性，提高陶瓷粉末的表面张力，使其由亲水性变为疏水性，明显降低所述基板材料制成的基板的吸水率。

所述陶瓷填充材料包括二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝、氮化铝、氧化镁、氧化钙、氧化锌以及氧化钡中的任意一种或多种。

所述陶瓷填充材料为二氧化硅。优选的，所述陶瓷填充材料为熔融无定形二氧化硅。所述基板材料所用的陶瓷，包括二氧化硅、二氧化钛以及其他陶瓷粉末通常为亲水性材料。

所述硅烷偶联剂包括二甲基二甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基) 丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙氨基)丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、对氯甲基苯基三甲氧基硅烷、氨基乙基氨基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三乙氧基硅烷、(3,3,3-三氟丙基)三氯硅烷、(3,3,3-三氟丙基)二甲基氯硅烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基二氯硅烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基二甲氧基硅烷、(三氟-1,1,2,2-四氢)辛基)-1- 三氯硅烷、(三氟-1,1,2,2-四氢辛基)-1-甲基二氯硅烷、(三氟-1,1,2,2-四氢辛基)-1-二甲基氯硅烷、(庚氟-1,1,2,2-四氢癸基)-1-甲基二氯硅烷、(庚氟 -1,1,2,2-四氢癸基)-1-三氯硅烷、(庚二氟-1,1,2)2-(2-四氢癸基)-1-二甲氧基氯硅烷(庚氟异丙氧基)丙基甲基二氯硅烷、3-(庚氟异丙氧基)丙基三氯硅烷以及3-(庚氟异丙氧基)丙基三乙氧基硅烷中的任意一种或多种。

所述偶联剂为二甲基二甲氧基硅烷。二甲基二甲氧基硅烷的成本较低，远低于含氟类硅烷偶联剂。所以，所述基板材料成本较低。二甲基二甲氧基硅烷对陶瓷粉改性的效果可以媲美于含氟类硅烷偶联剂。

所述钛酸盐偶联剂包括新戊基(二烯丙基)氧基三癸酰基钛酸酯、新戊(二烯丙基)氧三(十二烷基)苯磺酰基钛酸酯、新戊基(二烯丙基)氧三(二辛基) 磷酸钛酸酯以及异丙基三(二辛基焦磷酸酰氧基)钛酸酯中的任意一种或多种。

所述锆酸盐偶联剂包括新戊基(二烯丙基)氧三(二辛基)焦磷酸锆或新戊基(二烯丙基)氧三(N-乙二胺)乙基锆酸盐的任意一种或多种。

综合上述,将所述氟聚合物与所述陶瓷粉末进行复合，再使所述氟聚合物将所述陶瓷粉末进行充分包裹，改性的所述陶瓷粉末在所述氟聚合物乳液中具有较好的相容性和均匀分散性，得到的所述陶瓷填充的所述氟聚合物生成的所述基板材料成分均匀且结构致密。

本发明还提供一种层压板，所述层压板由如上中的任意一项所述的基板材料制成。

本发明还提供一种覆铜箔层压板，所述覆铜箔层压板包括至少一张如上所述的层压板的一侧或两侧的铜箔。

本发明还提供一种印制电路板，所述印制电路板包括至少一张如上所述的层压板。

请参阅图1-2，图1为本发明的基板材料制备方法的流程框图；图2 为本发明的基板材料制备方法的实施例的流程框图。本发明还提供一种基板材料制备方法，该方法包括如下步骤：

步骤S1、偶联剂水解

请参阅图3，所述步骤S1包括如下子步骤：

所述步骤S11、将0.5～3份的水和8～30份的无水乙醇混合，作为硅烷偶联剂水解的溶剂，为硅烷偶联剂的水解提供羟基，生成硅醇。

所述步骤S12、滴入pH调节液并充分搅拌，滴入速度不能过大，否则易生成凝胶状物质，调节pH值至3～6，硅烷偶联剂的水解过程中伴随着硅醇的缩合反应，调节pH值，可以控制硅烷偶联剂的水解速度，从而操纵其主导反应，pH过高或者过低，会使硅醇的缩合速度大于硅烷的水解速度，或者水解速度过慢，导致硅醇的浓度过低，影响改性效果

所述步骤S13、再加入0.5-3份如上任意一项所述的偶联剂，调节温度在20～50℃，充分搅拌0.5～3小时，得到偶联剂水解液，该水解液的硅醇羟基与二氧化硅表面的羟基发生反应，从而改善二氧化硅的疏水性能，温度是调节硅烷偶联剂的水解的关键因素，温度过高会使硅醇的缩合速度增大，形成胶核，甚至出现沉淀，温度过低，则水解反应速率过低。

步骤S2、疏水性陶瓷材料制备

请参阅图4，所述步骤S2包括如下子步骤：

所述步骤S21、将40～60份的陶瓷粉末加入所述偶联剂水解液中。

所述步骤S22、充分搅拌0.5～2小时后放入至超声清洗器中进行分散 0.5～2小时。

所述步骤S23、除去溶剂，得到疏水性陶瓷材料。

步骤S3、基板材料制备

请参阅图5，所述步骤S3包括如下子步骤：

所述步骤S31、将50～80份的氟聚合物乳液加入容器中搅拌，其体系温度为20～50℃。

所述步骤S32、将50-70份的所述疏水性陶瓷材料缓慢加入所述氟聚合物乳液中。

所述步骤S33、充分搅拌1～5小时，得到所述基板材料。

在本实施方式中，所述氟聚合物为聚四氟乙烯。

步骤S4、将所述基板材料在成膜设备中制成一定厚度的薄膜。

步骤S5、将所述薄膜在热压机中烧结，烧结的升温速率为1～5℃/分钟，保温温度为350～390℃，保温时间为1～3小时，降温速度为0.5～3℃/ 分钟；得到成型的所述基板材料。

本发明还提供一种层压板，所述层压板由如上中的任意一项所述的基板材料制备方法制成。

本发明还提供一种覆铜箔层压板，所述覆铜箔层压板包括至少一张如上所述的层压板的一侧或两侧的铜箔。

本发明还提供一种印制电路板，所述印制电路板包括至少一张如上所述的层压板。

为了验证本发明所述基板材料的实施效果进行以四组实施例来验证，本发明所述基板材料制成覆铜箔层压板，并对所述覆铜箔层压板进行测试, 其中实验用的材料的简称，详见如下描述，其他没有具体说明的简称均为本领域内技术人员熟知的产品简称。

材料	简称
		聚四氟乙烯	PTFE
二氧化硅	SiO<sub>2</sub>

本发明提供以下4组具体实施例进行说明，详见表1：

表1实施例和对照例的组分数据

其中，具体为：

实施例一

所述基板材料包括：56.1g的二氧化硅和73.2g聚四氟乙烯。

所述覆铜箔层压板制备方法如下：

基板材料制备：称量56.1g未经过改性的SiO2粉末，将其与73.2g的PTFE分散乳液进行超声搅拌混合3h。其中，含量比例有以下关系： PTFE:SiO₂＝43.9:56.1。

覆铜箔层压板制备：将上述得到的混合物在成膜设备中进行成膜，得到所需厚度的薄片，在其上下表面分别附上铜箔，热压烧结得到覆铜箔层压板。

实施例二

所述基板材料包括：56.1g的二氧化硅、73.2g聚四氟乙烯以及1.0g的二甲基二甲氧基硅烷。

所述覆铜箔层压板制备方法如下：

基板材料制备：

称量100g的二氧化硅粉末，称量1.0g的二甲基二甲氧基硅烷作为偶联剂，将二氧化硅粉末和偶联剂加入去离子水和酒精的混合液中，超声波处理和搅拌3小时。得到改性的二氧化硅陶瓷粉。其中，含量比例有以下关系：偶联剂：SiO₂＝1.5:100。

再称量56.1g改性好的SiO₂粉末，将其与73.2g的PTFE分散乳液进行超声波处理和搅拌混合3小时。含量比例有以下关系：PTFE:SiO₂＝43.9:56.1。

覆铜箔层压板制备：将上述得到的混合物在成膜设备中进行成膜，得到所需厚度的薄片，在其上下表面分别附上铜箔，热压烧结得到覆铜箔层压板。

实施例三

所述基板材料包括：56.1g的二氧化硅、73.2g聚四氟乙烯以及1.0g的苯基三甲氧基硅烷。

所述覆铜箔层压板制备方法如下：

基板材料制备：

称量100g的二氧化硅粉末，称量1.0g的苯基三甲氧基硅烷作为偶联剂，将二氧化硅粉末和偶联剂加入去离子水和酒精的混合液中，超声波处理和搅拌3小时。得到改性的二氧化硅陶瓷粉。其中，含量比例有以下关系：偶联剂：SiO₂＝1.5:100。

再称量56.1g改性好的SiO₂粉末，将其与73.2g的PTFE分散乳液进行超声波处理和搅拌混合3小时。含量比例有以下关系：PTFE:SiO₂＝43.9:56.1。

覆铜箔层压板制备：将上述得到的混合物在成膜设备中进行成膜，得到所需厚度的薄片，在其上下表面分别附上铜箔，热压烧结得到覆铜箔层压板。

实施例四

所述基板材料包括：56.1g的二氧化硅、73.2g聚四氟乙烯以及1.0g的十三氟辛基三乙氧基硅烷。

所述覆铜箔层压板制备方法如下：

基板材料制备：

称量100g的二氧化硅粉末，称量1.0g的十三氟辛基三乙氧基硅烷作为偶联剂，将二氧化硅粉末和偶联剂加入去离子水和酒精的混合液中，超声波处理和搅拌3小时。得到改性的二氧化硅陶瓷粉。其中，含量比例有以下关系：偶联剂：SiO₂＝1.5:100。

再称量56.1g改性好的SiO₂粉末，将其与73.2g的PTFE分散乳液进行超声波处理和搅拌混合3小时。含量比例有以下关系：PTFE:SiO₂＝43.9:56.1。

覆铜箔层压板制备：将上述得到的混合物在成膜设备中进行成膜，得到所需厚度的薄片，在其上下表面分别附上铜箔，热压烧结得到覆铜箔层压板。

以上仅为几种实施例，其组合并不限于上述举例。

上述基板材料的配制后，制成覆铜箔层压板，并将覆铜箔层压板进行测试，并获得以下实验结果，详见表2：

表2实施例和对照例的所述基板材料的测试数据

测试项目	实施例1	实施例2	实施例3	实施例4
					介电常数	2.75	2.76	2.76	2.75
介质损耗	0.003	0.001	0.001	0.001
					粉末接触角	亲水性	140°	123°	143°
吸水率(％)	0.24	0.02	0.04	0.02

通过比较表2中的4组具体实施例以说明：

实施例1与实施例2-4具有相同质量份的二氧化硅和相同质量份的聚四氟乙烯，从而测试数据，实施例1-4的介电常数和介质损耗数据表明本发明的基板材料和覆铜箔层压板介电性能优。

但是，实施例2-4相对于实施例1具有不同硅烷偶联剂对其的陶瓷粉末进行改性，从而使实施例2-4的粉末接触角参数分别为140°、123°及 143°，而吸水率分别为0.02、0.04及0.02，表明实施例2-4的本发明基板材料的陶瓷粉末吸水率低。而实施例1因为不含硅烷偶联剂，故该基板材料粉末接触角参数显示亲水性，吸水率为0.24远大于实施例2-4的吸水率。

本发明的陶瓷粉末通过硅烷偶联剂改性，表面张力得到提高，由亲水性变为疏水性，基板材料和覆铜箔层压板介电性能优且吸水率低。其中，从改性效果来看，二甲基二甲氧基硅烷和十三氟辛基三乙氧基硅烷的改性效果最佳，苯基三甲氧基硅烷的改性效果较一般，从成本来看二甲基二甲氧基硅烷与苯基三甲氧基硅烷的最低，十三氟辛基三乙氧基硅烷的成本最高，因此，从性价比上来看，二甲基二甲氧基硅烷比较适合作为二氧化硅的改性偶联剂。

钛酸盐偶联剂和锆酸盐偶联剂也是一类含有双官能团的物质，其中包括有机官能团和水解官能团。钛酸盐偶联剂和锆酸盐偶联剂在水解过程中生成含有羟基的化合物，该物质能与二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝等粒子表面发生相互作用，使有机官能团部分包覆在粒子的外表面，从而改善粒子在体系中的分散性和疏水性，提高PTFE与陶瓷颗粒的混合效果，最终起到增强复合材料的机械性能、提高介电性能、降低吸水率等效果。

请参阅图6-7，图6为改性的二氧化硅的扫描电子显微镜图，图7为本发明的基板材料的扫描电子显微镜图。从图上可以看出，本发明的基板材料的氟聚合物和陶瓷填充材料相容性较好且均匀分散性，所述基板材料成分均匀且结构致密。

与相关技术相比，本发明的基板材料的陶瓷粉末通过偶联剂改性制成所述陶瓷填充材料，其中，所述偶联剂包括硅烷偶联剂、钛酸盐偶联剂及锆酸盐偶联剂中的任意一种或多种，通过改性，提高了陶瓷粉末的表面张力，从而使所述陶瓷填充材料具有疏水性。再将所述陶瓷填充材料与氟聚合物复合，从而使本发明的所述基板材料、基板材料制备方法及使用所述基板材料和应用所述基板材料制备方法的层压板、覆铜箔层压板以及印制电路板的氟聚合物和陶瓷填充材料相容性较好且均匀分散性、基板材料吸水率低且结构致密、介电性能好，工艺简单且成本较低。

以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。