阅读说明：本技术 基板结构及其制作方法 (Board structure and preparation method thereof ) 是由 何崇文 于 2018-05-25 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种基板结构及其制作方法。基板结构包括介电层、第一图案化线路层、至少一第一铜柱、至少一第二铜柱以及第二图案化线路层。第一图案化线路层内埋在介电层中且包括至少一第一接垫与至少一第二接垫。第一图案化线路层的表面切齐于介电层的下表面。第一铜柱内埋在介电层中且位于第一接垫上。第二铜柱内埋在介电层中且位于第二接垫上。第一铜柱的第一剖面宽度大于第二铜柱的第二剖面宽度。第一接垫的第一宽度大于第一铜柱的第一剖面宽度。第二接垫的第二宽度大于第二铜柱的第二剖面宽度。(The present invention provides a kind of board structure and preparation method thereof.Board structure includes dielectric layer, the first patterned line layer, at least one first copper post, at least one second copper post and the second patterned line layer.It is buried in first patterned line layer in the dielectric layer and including at least one first connection pad and at least one second connection pad.The surface of first patterned line layer is trimmed in the lower surface of dielectric layer.It buries in the dielectric layer and is located on the first connection pad in first copper post.It buries in the dielectric layer and is located on the second connection pad in second copper post.First sectional width of the first copper post is greater than the second sectional width of the second copper post.First width of the first connection pad is greater than the first sectional width of the first copper post.Second width of the second connection pad is greater than the second sectional width of the second copper post.)

基板结构及其制作方法

技术领域

本发明涉及一种基板结构及其制作方法，且特别是有关于一种具有较佳散热效果的基板结构及其制作方法。

背景技术

一般而言，若欲形成导通孔或导电孔，可在形成一层介电层后，经由例如是激光钻孔法来形成盲孔，以暴露出此介电层下方的线路层。然后，再借由电镀的方式电镀铜层在盲孔内与此介电层上，而形成另一线路层与导通孔。然而，进行电镀制程时，由于激光钻孔法所形成的盲孔内无介电层，需要以电镀方式填入铜材来塞孔。为了避免盲孔上方的铜面形成凹陷的品质问题，现有的制程步骤需要先进行增加镀铜厚度的步骤之后，再加上减铜厚的步骤而达到平整度规格，或者使用特殊镀铜药水来减缓镀铜速率，以增加镀铜时间，进而避免上述的凹陷的情况产生。但是上述方式所需的成本较高且制程步骤也较多。此外，由激光钻孔所形成的盲孔经由电镀填孔的方式形成导通孔的制程和结构受限于其盲孔的密度不易提高，且盲孔的形状不利于作成线状或块状的凸块，因此上述的制程不易达成高功率晶片所需的散热功能。

发明内容

本发明是针对一种基板结构，其在同一线路层上具有不同尺寸的铜柱，具有较佳的散热效果。

本发明还针对一种基板结构的制作方法，用以制作上述的基板结构。

根据本发明的实施例，基板结构包括介电层、第一图案化线路层、至少一第一铜柱、至少一第二铜柱以及第二图案化线路层。介电层具有彼此相对的上表面与下表面。第一图案化线路层内埋在介电层中，且包括至少一第一接垫与至少一第二接垫。第一图案化线路层的表面切齐于介电层的下表面。第一铜柱内埋在介电层中，且位于至少一第一接垫上。第二铜柱内埋在介电层中，且位于第二接垫上。第一铜柱的第一剖面宽度大于第二铜柱的第二剖面宽度，而第一接垫的第一宽度大于第一铜柱的第一剖面宽度，且第二接垫的第二宽度大于第二铜柱的第二剖面宽度。第二图案化线路层配置于介电层的上表面上。第二图案化线路层包括至少一第三接垫以及至少一第四接垫。

在根据本发明的实施例的基板结构中，介电层为玻纤浸树脂(Prepreg,PP)、味之素构成膜ABF(Ajinomoto Build－up Film,ABF)、环氧树脂或环氧膜塑料。

在根据本发明的实施例的基板结构中，第一铜柱的第一剖面宽度的范围大于0.5毫米且小于20毫米。

在根据本发明的实施例的基板结构中，第二铜柱的第二剖面宽度的范围介于15微米至500微米之间。

在根据本发明的实施例的基板结构中，基板结构还包括第一防焊层，配置于介电层上，且覆盖第二图案化线路层，并暴露出部分第三接垫以及部分第四接垫。

在根据本发明的实施例的基板结构中，基板结构还包括至少一增层介电层、至少一增层图案化线路层、至少一第一增层铜柱以及至少一第二增层铜柱。增层介电层配置于介电层与第一防焊层之间。增层图案化线路层内埋在增层介电层中，且至少直接接触第一铜柱与第二铜柱。增层图案化线路层包括至少一第一增层接垫以及至少一第二增层接垫。第一增层铜柱内埋在增层介电层中，且位于第一增层接垫上。第一增层铜柱连接第二图案化线路层与增层图案化线路层。第二增层铜柱内埋在增层介电层中，且位于第二增层接垫上。第二增层铜柱连接第二图案化线路层与增层图案化线路层。

在根据本发明的实施例的基板结构中，基板结构还包括第二防焊层，配置于介电层的下表面上，且覆盖第一图案化线路层，并暴露出部分第一接垫以及部分第二接垫。

在根据本发明的实施例的基板结构中，基板结构还包括第一表面处理层以及第二表面处理层。第一表面处理层配置于第一防焊层所暴露出的第三接垫与第四接垫上。第二表面处理层配置于第二防焊层所暴露出的第一接垫与第二接垫上。

在根据本发明的实施例的基板结构中，基板结构还包括核心基板，具有彼此相对的第一表面与第二表面以及连接第一表面与第二表面的至少一镀铜塞孔。镀铜塞孔的孔径由第一表面与第二表面往核心基板中心逐渐递减。介电层配置于核心基板上，而第一图案化线路层连接镀铜塞孔。

根据本发明的实施例，基板结构的制作方法包括以下步骤。提供载板，载板具有彼此相对的顶表面与底表面。在载板的顶表面上与底表面上分别形成第一图案化线路层，其中第一图案化线路层包括至少一第一接垫与至少一第二接垫。在第一接垫上与第二接垫上分别形成至少一第一铜柱与至少一第二铜柱。第一铜柱的第一剖面宽度大于第二铜柱的第二剖面宽度，而第一接垫的第一宽度大于第一铜柱的第一剖面宽度，且第二接垫的第二宽度大于第二铜柱的第二剖面宽度。在载板的顶表面上与底表面上分别提供介电层。介电层具有至少一开口，而开口的孔径小于第一铜柱的第一剖面宽度。在载板的顶表面上与底表面上分别压合介电层，以至少覆盖第一图案化线路层与第二铜柱。开口暴露出第一铜柱的第一表面。进行研磨程序，以完全暴露出第一铜柱的第一表面与第二铜柱的第二表面，且定义出介电层的上表面。在介电层的上表面上分别形成第二图案化线路层。第二图案化线路层包括至少一第三接垫以及至少一第四接垫。在介电层上分别形成第一防焊层，以覆盖第二图案化线路层，并暴露出部分第三接垫以及部分第四接垫。

在根据本发明的实施例的基板结构的制作方法中，载板包括核心层以及两个铜箔层。铜箔层分别配置于核心层的相对两配置表面上。

在根据本发明的实施例的基板结构的制作方法中，铜箔层分别覆盖核心层的配置表面，且分别暴露出部分配置表面。

在根据本发明的实施例的基板结构的制作方法中，介电层为玻纤浸树脂。基板结构的制作方法还包括以下步骤。在载板的顶表面上与底表面上分别提供介电层时，在介电层上分别提供铜皮。铜皮具有粗糙表面，且粗糙表面面向介电层。在载板的顶表面上与底表面上分别压合介电层及其上的铜皮。进行研磨程序，以移除部分铜皮，而完全暴露出第一铜柱的第一表面与第二铜柱的第二表面以及部分介电层的底漆。

在根据本发明的实施例的基板结构的制作方法中，介电层为玻纤浸树脂。基板结构的制作方法还包括以下步骤。在载板的顶表面上与底表面上分别提供介电层时，在介电层上分别提供铜皮。铜皮具有底漆，且底漆面向介电层。在载板的顶表面上与底表面上分别压合介电层及其上的铜皮。进行研磨程序，以移除部分铜皮，而完全暴露出第一铜柱的第一表面与第二铜柱的第二表面以及部分介电层。进行蚀刻程序在进行研磨程序之后，以移除剩余的铜皮，而暴露出介电层的上表面。

在根据本发明的实施例的基板结构的制作方法中，载板的材料为含玻纤树脂材料。

在根据本发明的实施例的基板结构的制作方法中，载板的材料包括金属材料，而所述金属材料包括铜或不锈钢。

在根据本发明的实施例的基板结构的制作方法中，介电层为味之素构成膜。

在根据本发明的实施例的基板结构的制作方法中，第一铜柱的第一剖面宽度的范围大于0.5毫米且小于20毫米。

在根据本发明的实施例的基板结构的制作方法中，第二铜柱的第二剖面宽度的范围介于15微米至500微米之间。

在根据本发明的实施例的基板结构的制作方法中，还包括以下步骤。在介电层的上表面上分别形成第二图案化线路层之前，在介电层的上表面上分别形成至少一增层图案化线路层，以至少直接接触第一铜柱与第二铜柱。增层图案化线路层包括至少一第一增层接垫以及至少一第二增层接垫。在第一增层接垫上与第二增层接垫上分别形成至少一第一增层铜柱与至少一第二增层铜柱。在介电层的上表面上分别形成至少一增层介电层，以至少覆盖增层图案化线路层、第一增层铜柱以及第二增层铜柱。

在根据本发明的实施例的基板结构的制作方法中，还包括以下步骤。在介电层上分别形成第一防焊层之后，移除载板，以分别暴露出介电层相对于上表面的下表面。第一图案化线路层的表面切齐于介电层的下表面。

在根据本发明的实施例的基板结构的制作方法中，还包括：移除载板之后，在介电层的下表面上形成第二防焊层，以覆盖第一图案化线路层，并暴露出部分第一接垫以及部分第二接垫。

在根据本发明的实施例的基板结构的制作方法中，还包括：在第一防焊层所暴露出的第三接垫与第四接垫上形成第一表面处理层。形成第二表面处理层在第二防焊层所暴露出的第一接垫与第二接垫上。

在根据本发明的实施例的基板结构的制作方法中，载板为核心基板，具有玻纤树脂层以及位于玻纤树脂层的相对两侧的上铜面与下铜面，透过激光在上铜面与下铜面同一位置钻孔而成为通孔，其中通孔的孔径由上铜面与下铜面向玻纤树脂层的中心缩减，透过镀铜塞孔制作线路而成为载板上的顶表面与底表面的第一图案化线路层。

基于上述，在本发明的基板结构的结构中，在同一图案化线路层上具有不同尺寸的第一铜柱与第二铜柱，以同时提供导热与导电的功能。借此，本发明的基板结构可具有较佳的散热效果。此外，相较于熟知的以激光钻孔后经由电镀填孔的方式所形成导通孔而言，本发明是先形成不同尺寸的铜柱在同一图案化线路层上，而后再压合介电层，可省略激光钻孔及增加镀铜厚度的步骤或省略使用特殊镀铜药水来减缓镀铜速率的步骤，具有降低生产生本及简化制程步骤的优势。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1A至图1I绘示为本发明的一实施例的一种基板结构的制作方法的剖面示意图；

图1J绘示为本发明的另一实施例的一种基板结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图；

图2A至图2C绘示为本发明的另一实施例的一种基板结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图；

图3绘示为本发明的又一实施例的一种基板结构的剖面示意图。

附图标号说明

10：载板；

11：顶表面；

12：核心层；

12a、12b：配置表面；

13：底表面；

14：铜箔层；

100、100’：基板结构；

110：第一图案化线路层；

110a：增层图案化线路层；

111：表面；

112：第一接垫；

112a：第一增层接垫；

114：第二接垫；

114a：第二增层接垫；

115：核心基板

117：镀铜塞孔

120：第一铜柱；

120a：第一增层铜柱；

122：第一表面；

130：第二铜柱；

130a：第二增层铜柱；

132：第二表面；

140、140’：介电层；

140a：增层介电层；

141、141’：开口；

142、142’：上表面；

144：下表面；

145、145’：铜皮；

146：粗糙表面；

147：底漆；

150：第二图案化线路层；

152：第三接垫；

154：第四接垫；

160：第一防焊层；

170：第二防焊层；

180：第一表面处理层；

190：第二表面处理层；

D、D’：孔径；

L：厚度；

L1：第一高度；

L2：第二高度；

L3、L3’：第三厚度；

T1：第一宽度；

T2：第二宽度；

W1：第一剖面宽度；

W2：第二剖面宽度。

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1A至图1I绘示为本发明的一实施例的一种基板结构的制作方法的剖面示意图。须说明的是，图1F是以立体图表示的。请先参考图1A，依照本实施例的基板结构的制作方法，首先，提供载板10，其中载板10具有彼此相对的顶表面11与底表面13。详细来说，本实施例的载板10包括核心层12以及两个铜箔层14，其中铜箔层14分别配置于核心层12的相对两配置表面12a、12b上。此处，位于配置表面12a上的铜箔层14具有顶表面11，而位于配置表面12b上的铜箔层14具有底表面13。铜箔层14分别覆盖核心层12的两配置表面12a、12b，且分别暴露出部分两配置表面12a、12b。

接着，请参考图1B，在载板10的顶表面11上与底表面13上分别形成第一图案化线路层110，其中第一图案化线路层110包括至少一第一接垫112与至少一第二接垫114。此处，第一图案化线路层110是采用半加层法，以在铜箔层14上涂膜、曝光、显影及镀铜而形成。位于载板10的顶表面11上与底表面13上的第一图案化线路层110会分别暴露出载板10的部分顶表面11与部分底表面13，意即第一图案化线路层110并不是全面性地覆盖在顶表面11上与底表面13上。

接着，请再参考图1B，在第一接垫112上与第二接垫114上分别形成至少一第一铜柱120与至少一第二铜柱130，意即一个第一铜柱120是形成在一个第一接垫112上，而一个第二铜柱130是形成在一个第二接垫114上。特别是，本实施例的第一铜柱120的第一剖面宽度W1大于第二铜柱130的第二剖面宽度W2，而第一接垫112的第一宽度T1大于对应的第一铜柱120的第一剖面宽度W1，且第二接垫114的第二宽度T2大于对应的第二铜柱130的第二剖面宽度W2。较佳地，第一铜柱120的第一剖面宽度W1的范围大于0.5毫米且小于20毫米，而第二铜柱130的第二剖面宽度W2的范围介于15微米至500微米之间。此处，第一铜柱120与第二铜柱130是采用电镀法以形成在第一图案化线路层110的第一接垫112与第二接垫114上。第一铜柱120的第一高度L1与第二铜柱130的第二高度L2相同，例如是30微米至200微米之间。

接着，请参考图1C，在载板10的顶表面11上与底表面13上分别提供介电层140，其中介电层140具有至少一开口141，而开口141的孔径D小于第一铜柱120的第一剖面宽度W1。更具体来说，在本实施例中，在载板10的顶表面11上与底表面13上分别提供介电层140的同时，在介电层140上分别提供铜皮145，其中铜皮145具有粗糙表面146，且粗糙表面146面向介电层140。此处，介电层140为玻纤浸树脂(Prepreg，PP)，可有效地提高结构强度及其均匀性。另一方面，本实施例的铜皮145可例如是超薄铜皮，如含超薄铜皮厚度为3微米至5微米以及18微米的铜皮载体。

接着，请同时参考图1C与图1D，在载板10的顶表面11上与底表面13上分别压合介电层140及其上的铜皮145，以至少覆盖第一图案化线路层110与第二铜柱130。由于铜皮145的粗糙表面146面向介电层140，因此压合时铜皮145与介电层140之间可具有较佳地结合力。此时，由于介电层140的厚度L3小于第一铜柱120的第一高度L1加上第一图案化线路层110a的厚度L，因此介电层140的开口141会暴露出第一铜柱120的第一表面122。再者，因为开口141的孔径D小于第一铜柱120的第一剖面宽度W1，所以在压合后，邻近第一铜柱120的第一表面122周围的介电层140及其上的铜皮145会略微翘起。另一方面，由于介电层140的厚度L3小于第二铜柱120的第二高度L2加上第一图案化线路层110a的厚度L，因此对应第二铜柱130处的介电层140及其上的铜皮145会呈现凸起状。

接着，请参考图1E，进行研磨程序，以移除部分铜皮145，而完全暴露出第一铜柱120的第一表面122与第二铜柱130的第二表面132以及部分介电层140。此时，位于第一铜柱120的第一表面122周围的介电层140会被暴露出来。从俯视观，被暴露出的介电层140呈现环状且位于铜皮145与第一铜柱120之间。

接着，在进行研磨程序之后，进行化铜和电镀铜制成并图案化以制作一般的线路层。请参考图1J，若后续要制作细线路，则须进行蚀刻程序来移除剩余的特殊铜皮(PCF)145’露出其下涂布的底漆(Primer)147而在底漆147上制作细线路。换句话说，蚀刻程序为选择性地步骤，端看所需的线路粗细来决定。此处，铜皮145’具有底漆147，且底漆147是面向介电层140。

接着，请参考图1F，在介电层140的上表面142上分别形成至少一增层图案化线路层110a，以至少直接接触第一铜柱120与第二铜柱130。增层图案化线路层110a包括至少一第一增层接垫112a以及至少一第二增层接垫114a。

紧接着，请参考图1G，在第一增层接垫112a上与第二增层接垫114a上分别形成至少一第一增层铜柱120a与至少一第二增层铜柱130a。特别是，第一铜柱120与第一增层铜柱120a排列于同一基准线上，以便导热。此处，增层图案化线路层110a的形成方式与第一图案化线路层110的形成方式相同，而第一增层铜柱120a及第二增层铜柱130a的形成方式与第一铜柱120及第二铜柱130的形成方式相同，在此不再赘述。

接着，请再参考图1H，在介电层140的上表面142上分别形成至少一增层介电层140a，以至少覆盖增层图案化线路层110a、第一增层铜柱120a以及第二增层铜柱130a。此处，形成增层介电层140a的步骤同上述图1C、图1D以及图1E的步骤，意即须先在增层介电层140a上同时提供铜皮(未绘示)；接着，同时压合增层介电层140a及其上的铜皮；然后，进行研磨程序以及选择性地进行蚀刻程序，而完成增层介电层140a的制作。

紧接着，请再参考图1H，在介电层140的上表面142上分别形成第二图案化线路层150。详细来说，第二图案化线路层150是直接形成在介电层140的上表面142上方的增层介电层140a上，其中第二图案化线路层150包括至少一第三接垫152以及至少一第四接垫154。此处，第二图案化线路层150的形成方式与第一图案化线路层110的形成方式相同，在此不再赘述。

接着，请再参考图1H，在介电层140上的增层介电层140a上分别形成第一防焊层160，以覆盖第二图案化线路层150，并暴露出部分第三接垫152以及部分第四接垫154。

然后，请同参考图1H与图1I，在介电层140上分别形成第一防焊层160之后，移除载板10，以分别暴露出介电层140相对于上表面142的下表面144。此时，第一图案化线路层110的表面111切齐于介电层140的下表面144，意即第一图案化线路层110为埋入式线路结构(Embedded Trace Structure,ETS)。须说明的是，为了方便说明起见，图1I仅绘示载板10一侧的线路结构。

接着，请再参考图1I，在介电层140的下表面144上形成第二防焊层170，以覆盖第一图案化线路层110，并暴露出部分第一接垫112以及部分第二接垫114。

最后，请再参考图1I，在第一防焊层160所暴露出的第三接垫152与第四接垫154上形成第一表面处理层180，以及在第二防焊层170所暴露出的第一接垫112与第二接垫114上形成第二表面处理层190。此处，第一表面处理层180以及第二表面处理层190的材质例如是金、银、镍/金、镍/钯/金、镍/银或其他适当的金属材质，在此并不加以限制。至此，已完成基板结构100的制作。

由于本实施例的第一铜柱120与第二铜柱130是分别形成于第一图案化线路层110的第一接垫112上与第二接垫114上，意即在同一第一图案化线路层110上具有不同尺寸的第一铜柱120与第二铜柱130，因此可同时提供导电与导热的功能。借此，本实施例的基板结构100可具有较佳的散热效果。再者，在介电层140上分别形成第一防焊层160之后，会移除载板10，以分别暴露出介电层140相对于上表面142的下表面144。此时，所完成的半成品基板结构为无核心(coreless)基板结构，且因为可同时制作二个半成品基板结构，因此具有节省制作成本及制程时间，进而提高产能的优势。此外，相较于熟知的以激光钻孔后经由电镀填孔的方式所形成导通孔而言，本实施例是先形成不同尺寸的第一铜柱120与第二铜柱130在同一第一图案化线路层110上，而后再压合介电层140，可大幅降低激光钻孔及重覆镀铜和减铜的步骤来达到激光填孔的步骤，具有降低生产生本及简化制程步骤的优势。另外，由于本实施例的介电层140为玻纤浸树脂(Prepreg，PP)，可提高结构强度，因此在出货时，无须额外增设承载板来支撑基板结构，可有效地降低生产成本。

请再参考图1I，在结构上，基板结构100包括介电层140、第一图案化线路层110、至少一第一铜柱120、至少一第二铜柱130、第二图案化线路层150以及第一防焊层160。介电层140具有彼此相对的上表面142与下表面144。第一图案化线路层110内埋在介电层140中，且包括至少一第一接垫112与至少一第二接垫114。第一图案化线路层110的表面111切齐于介电层140的下表面144。第一铜柱120内埋于介电层140中，且位于第一接垫112上。第二铜柱130内埋在介电层140中，且位于第二接垫114上。第一铜柱120的第一剖面宽度W1大于第二铜柱130的第二剖面宽度W2，而第一接垫112的第一宽度T1大于第一铜柱120的第一剖面宽度W1，且第二接垫114的第二宽度T2大于第二铜柱130的第二剖面宽度W2。第二图案化线路层150配置在介电层140的上表面142上，其中第二图案化线路层150包括至少一第三接垫152以及至少一第四接垫154。第一防焊层160配置在介电层140上，且覆盖第二图案化线路层150，并暴露出部分第三接垫152以及部分第四接垫154。

再者，本实施例的基板结构100还包括至少一增层介电层140a、至少一增层图案化线路层110a、至少一第一增层铜柱120a以及至少一第二增层铜柱130a。增层介电层140a配置在介电层140与第一防焊层160之间。增层图案化线路层110a内埋在增层介电层140a中，且至少直接接触第一铜柱120与第二铜柱130。增层图案化线路层110a包括至少一第一增层接垫112a以及至少一第二增层接垫114a。第一增层铜柱120a内埋在增层介电层140a中，且位于第一增层接垫112a上。第一增层铜柱120a连接第二图案化线路层150与增层图案化线路层110a。第二增层铜柱130a内埋在增层介电层140a中，且位于第二增层接垫114a上。第二增层铜柱130a连接第二图案化线路层150与增层图案化线路层110a。

此外，本实施例的基板结构100还包括第二防焊层170，其中第二防焊层170配置在介电层140的下表面144上，且覆盖第一图案化线路层110，并暴露出部分第一接垫112以及部分第二接垫114。基板结构100还包括第一表面处理层180以及第二表面处理层190。第一表面处理层180配置于第一防焊层160所暴露出的第三接垫152与第四接垫154上。第二表面处理层190配置于第二防焊层170所暴露出的第一接垫112与第二接垫114上。

在本实施例的基板结构100的结构中，在同一第一图案化线路层110上具有不同尺寸的第一铜柱120与第二铜柱130，以同时提供导电与导热的功能。借此，本实施例的基板结构100可具有较佳的散热效果。

须说明的是，在其他未绘示的实施例中，介电层亦可为味之素构成膜、环氧树脂或环氧膜塑料，此仍属于本发明所欲保护的范围。

图2A至图2C绘示为本发明的另一实施例的一种基板结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在图1B的步骤之后，请参考图2A，在载板10的顶表面11上与底表面13上分别提供介电层140’，其中介电层140’具有至少一开口141’，而开口141’的孔径D’小于第一铜柱120的第一剖面宽度W1。此处，介电层140’为味之素构成膜(ABF)。

接着，请同时参考图2A与图2B，在载板10的顶表面11上与底表面13上分别压贴介电层140’，以至少覆盖第一图案化线路层110与第二铜柱130。此时，由于介电层140’的厚度L3’小于第一铜柱120的第一高度L1加上第一图案化线路层110a的厚度L，因此介电层140’的开口141’会暴露出第一铜柱120的第一表面122。再者，因为开口141’的孔径D’小于第一铜柱120的第一剖面宽度W1，所以在压合后，邻近第一铜柱120的第一表面122周围的介电层140’会略微翘起。另一方面，由于介电层140’的厚度L3’小于第二铜柱120的第二高度L2加上第一图案化线路层110a的厚度L，因此对应第二铜柱130处的介电层140’会呈现凸起状。然后，请参考图2C，对介电层140’进行研磨程序，以暴露出第二铜柱130的第二表面132，且定义出介电层140’的上表面142’。最后，在依据图1G、1H以及图1I的步骤即可完成基板结构的制作。由于本实施例的介电层140’为味之素构成膜(ABF)，可提高线路密度。

值得一提的是，在其他未绘示的实施例中，第一接垫与第一铜柱的总数量亦可以为零。也就是说，基板结构可以没有设置第一接垫与第一铜柱，此仍属于本发明所欲保护的范围。再者，在另一未绘示的实施例中，基板结构的线路层可依据需求而增加至20层以上，此仍属于本发明所欲保护的范围。

图3绘示为本发明的又一实施例的一种基板结构的剖面示意图。本实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，本实施例不再重复赘述。请参考图3，在本实施例中，基板结构100’包括核心基板115、介电层140、第一图案化线路层110、第一铜柱120、第二铜柱130以及第二图案化线路层150。核心基板115具有彼此相对的第一表面115a与第二表面115b以及连接第一表面115a与第二表面115b的至少一镀铜塞孔117，其中镀铜塞孔117的孔径由第一表面115a与第二表面115b往核心基板115内逐渐递减。第一图案化线路层110直接接触镀铜塞孔117且位于第一表面115a与第二表面115b上，而第一铜柱120与第二铜柱130分别位于部分第一图案化线路层110上。介电层140覆盖第一图案化线路层110、第一铜柱120、第二铜柱130以及核心基板115的第一表面115a与第二表面115b。第二图案化线路层150位于介电层140上且覆盖第一铜柱120与第二铜柱130。此处，第一铜柱120与第二铜柱130连接第一图案化线路层110与第二图案化线路层150。

在制程上，核心基板115可视为一种载板，具有玻纤树脂层(即核心基板115)以及位于所述玻纤树脂层的相对两侧的上铜面(即第一图案化线路层110远离核心基板115的表面)与下铜面(即第一图案化线路层110远离核心基板115的表面)，透过激光在上铜面与下铜面同一位置钻孔而成为通孔(即后续形成镀铜塞孔117的地方)。通孔的孔径由上铜面与下铜面向玻纤树脂层的中心缩减，透过镀铜塞孔制作线路而第一图案化线路层110。

综上所述，在本发明的基板结构的结构中，在同一图案化线路层上具有不同尺寸的第一铜柱与第二铜柱，以同时提供导热与导电的功能。借此，本发明的基板结构可具有较佳的散热效果。此外，相较于熟知的以激光钻孔后经由电镀填孔的方式所形成导通孔而言，本发明是先形成不同尺寸的铜柱于同一图案化线路层上，而后再压合介电层，可大幅降低激光钻孔及重覆镀铜和减铜的步骤来达到激光填孔的步骤，具有降低生产生本及简化制程步骤的优势。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。