阅读说明：本技术 超声波模组及其制备方法、超声传感器 (Ultrasonic module, preparation method thereof and ultrasonic sensor ) 是由 胡潇然 张千 向勇 于 2019-09-24 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种超声波模组及其制备方法,基于所述超声波模组制备方法制备获得的超声波模组,可改变现有技术中激发层需要先与走线电连接之后,再通过走线连接至PIN的方式,从而可减少电转接而产生的接触电阻,从而可提高超声发射效率。进一步地,通过将Tx PIN与Rx PIN分离,并分别采用不同的电连接方式,可以增强所述电连接件之上的PIN与所述薄膜晶体管层上PIN的连接强度,从而可避免在所述压电薄膜层厚度较大的情况下,容易出现断裂等问题。具有所述超声波模组的超声传感器同样具有低接触电阻及较高连接强度的有益效果。(The invention provides an ultrasonic module and a preparation method thereof, and the ultrasonic module prepared by the ultrasonic module preparation method can change the mode that an excitation layer needs to be firstly electrically connected with a wire and then connected to a PIN through the wire in the prior art, so that the contact resistance generated by electrical switching can be reduced, and the ultrasonic emission efficiency can be improved. Furthermore, by separating the Tx PIN from the Rx PIN and respectively adopting different electric connection modes, the connection strength between the PIN on the electric connection piece and the PIN on the thin film transistor layer can be enhanced, so that the problems of easy occurrence of fracture and the like under the condition that the thickness of the piezoelectric thin film layer is larger can be avoided. The ultrasonic sensor with the ultrasonic module also has the beneficial effects of low contact resistance and higher connection strength.)

超声波模组及其制备方法、超声传感器

【技术领域】

本发明涉及超声传感领域，尤其涉及一种超声波模组及其制备方法、超声传感器。

【背景技术】

现有的超声传感器可广泛应用在移动终端、智能家居、打击犯罪等多个领域。给人们的生活带来了很多的便利和安全。现有的超声传感器中包括薄膜晶体管层(TFT,ThinFilm Transistor)，如图1中所示，在薄膜晶体管层91上设有用于电性连接的pin脚910，pin脚910通过导电结构95连接在柔性电路板96(FPC，Flexible Printed Circuit)对应的pin脚961之上，以实现电性连接。为了实现所述超声传感器的功能，在所述薄膜晶体管层91上还形成有ITO导电结构92以及压电薄膜层93，在所述压电薄膜层93远离所述薄膜晶体管层91的一面设有激发层94，激发层94覆盖所述压电薄膜层93并与ITO导电结构92电连接，ITO导电结构92再通过薄膜晶体管91内部走线连接至pin脚910上，pin脚910通过所述导电结构95连接到柔性电路板96之上。

采用上述现有的连接方式由于存在多种电连接转换结构，因此会形成多个接触面，从而导致接触电阻较大，现有连接方式的接触电阻为15欧姆，甚至20欧姆以上。

【

发明内容

】

为克服现有超声传感器接触电阻较大的问题，本发明提供一种超声波模组及其制备方法、超声传感器。

本发明为解决上述技术问题的一技术方案提供一种超声波模组制备方法，其包括：在一薄膜晶体管层上分别形成的Tx PIN、Rx PIN及压电薄膜层；形成一激发层以覆盖所述压电薄膜层远离所述薄膜晶体管层的一面及至少部分覆盖所述Tx PIN远离所述薄膜晶体管层的一面；提供一电连接件分别电连接至所述激发层及所述薄膜晶体管层的Rx PIN。

优选地，上述电连接件电连接至所述激发层具体包括：将所述激发层全覆盖所述Tx PIN并实现电连接，进一步将所述电连接件电连接至所述激发层。

优选地，上述电连接件电连接至所述激发层具体包括：将所述激发层部分覆盖于所述Tx PIN之上，所述Tx PIN可分为裸露部分及覆盖部分，所述裸露部分与所述电连接件通过一导电结构实现电性连接，所述覆盖部分与所述激发层直接电连接，以使所述电连接件与所述激发层实现间接电连接。

本发明为解决上述技术问题的一技术方案还提供一种超声波模组，其包括薄膜晶体管层及设置在所述薄膜晶体管层之上压电薄膜层、至少一Tx PIN及多个Rx PIN；所述超声波模组还包括一激发层及电连接件，所述激发层覆盖所述压电薄膜层远离所述薄膜晶体管层的一面及所述激发层至少部分覆盖Tx PIN远离所述薄膜晶体管层的一面；所述电连接件分别电连接至所述激发层及所述薄膜晶体管层的Rx PIN。

优选地，所述激发层包括覆盖在所述薄膜晶体管层上的第一激发层及至少部分覆盖在所述Tx PIN之上的第二激发层，所述第一激发层的厚度大于所述第二激发层。

优选地，所述Tx PIN的数量为一个或多个，所述Rx PIN的数量为多个。

优选地，所述激发层全覆盖所述Tx PIN并实现电连接，所述电连接件与所述激发层之间设置导电结构，以使所述电连接件与所述激发层电连接。

优选地，所述激发层部分覆盖所述Tx PIN并实现电连接，所述薄膜晶体管层的TxPIN包括裸露部分及覆盖部分，所述裸露部分与所述电连接件通过一导电结构实现电性连接，所述覆盖部分与所述激发层直接电连接，以使所述电连接件与所述激发层实现间接电连接。

优选地，所述电连接件上包括多个PIN，所述PIN与所述薄膜晶体管层的Rx PIN之间设置导电结构，以使所述PIN与所述Rx PIN之间电连接。

本发明为解决上述技术问题的一技术方案还提供一种超声传感器，其包括如上所述的超声波模组。

与现有技术相比，本发明所提供的超声波模组及其制备方法、超声传感器具有如下的有益效果：

本发明所提供的超声波模组制备方法可改变现有技术中激发层需要先与设于所述薄膜晶体管层内的走线电连接之后，再通过走线连接至PIN的方式，从而可减少电转接而产生的接触电阻，从而可提高超声发射效率。在本发明所提供的超声波模组制备方法可使接触电阻降低至2欧姆以下，甚至低于1欧姆。进一步地，在本发明中，通过将Tx PIN与RxPIN分离，并分别采用不同的电连接方式，可以增强所述电连接件之上的PIN与所述薄膜晶体管层上PIN的连接强度，从而可避免在所述压电薄膜层厚度较大的情况下，容易出现断裂等问题。

在所述超声波模组制备方法中，所述激发层可全覆盖或部分覆盖所述Tx PIN并实现电连接。当所述激发层全覆盖所述Tx PIN时，所述Tx PIN无外露部分，所述电连接件电可直接电连接至所述激发层，由于所述激发层与所述Rx PIN露出所述薄膜晶体管层的高度不一致，因此，在此情况下，所述电子连接件可分为两次绑定(bonding)在对应的激发层及所述Rx PIN之上。

而当所述激发层部分覆盖于所述Tx PIN之上，所述Tx PIN的裸露部分与所述电连接件通过一导电结构实现电性连接，所述Tx PIN的覆盖部分与所述激发层电连接，以使所述电连接件与所述激发层实现间接电连接。在此情况下，所述电子连接件可通过一次绑定在对应的激发层及所述Rx PIN之上。基于上述的两个设置方式，可满足多种使用的需求，从而可以拓宽所述超声波模组的适用场景。

本发明还提供一种超声波模组，所述超声波模组中包括所述激发层覆盖所述压电薄膜层远离所述薄膜晶体管层的一面及所述激发层至少部分覆盖Tx PIN远离所述薄膜晶体管层的一面；所述电连接件分别电连接至所述激发层及所述薄膜晶体管层的Rx PIN。可改变现有技术中激发层需要先与走线电连接之后，再通过走线连接至PIN的方式，从而可减少电转接而产生的接触电阻，从而可提高超声发射效率。在本发明所提供的超声波模组可使接触电阻降低至2欧姆以下，甚至为低于1欧姆。进一步地，通过将Tx PIN与Rx PIN分离，并分别采用不同的电连接方式，可以增强所述电连接件之上的PIN与所述薄膜晶体管层上PIN的连接强度，从而可避免在所述压电薄膜层厚度较大的情况下，容易出现断裂等问题。

在所述超声波模组中，将所述激发层分为厚度不一致的第一激发层及第二激发层，可实现所述激发层分别与压电薄膜层及Rx PIN之间的关系，从而可提高可进一步提高连接的稳定性。

在所述超声波模组中，所述激发层可全覆盖或部分覆盖所述Tx PIN并实现电连接。当所述激发层全覆盖所述Tx PIN时，所述Tx PIN并无外露部分，所述电连接件可直接接触并电连接至所述激发层，由于所述激发层与所述Rx PIN露出所述薄膜晶体管层的高度不一致，因此，在此情况下，所述电子连接件可分为两次绑定在对应的激发层及所述Rx PIN之上。

而当所述激发层部分覆盖于所述Tx PIN之上，所述Tx PIN的裸露部分与所述电连接件通过一导电结构实现电性连接，所述Tx PIN的覆盖部分与所述激发层直接接触并电连接，以使所述电连接件与所述激发层实现间接电连接。在此情况下，所述电子连接件可通过一次绑定在对应的激发层及所述Rx PIN之上。基于上述的两个设置方式，可满足多种使用的需求，从而可以拓宽所述超声波模组的适用场景。

本发明还提供一种超声传感器，其包括所述超声波模组，因此，所述超声传感器也可具有如上述超声波模组对应的有益效果。

【附图说明】

图1是现有技术中超声波模组的剖面结构示意图。

图2是本发明第一实施例所提供的超声波模组制备方法的步骤流程示意图。

图3是图2中所述超声波模组制备方法中对应步骤S1的结构示意图之一。

图4是图2中所述超声波模组制备方法中对应步骤S1的结构示意图之二。

图5是图2中所述超声波模组制备方法中对应步骤S2的结构示意图。

图6是图2中所述超声波模组制备方法中对应步骤S3的结构示意图之一。

图7是图2中所述超声波模组制备方法中对应步骤S3的结构示意图之二。

图8是图7中所示沿Ⅰ-Ⅰ方向的剖面示意图。

图9是图7中所示沿Ⅱ-Ⅱ方向的剖面示意图。

图10是本发明第二实施例所提供的超声波模组制备方法的步骤流程示意图。

图11是图10中所述超声波模组制备方法中对应步骤S2的结构示意图。

图12是图10中所述超声波模组制备方法中对应步骤S3的结构示意图之一。

图13是图10中所述超声波模组制备方法中对应步骤S3的结构示意图之二。

图14是图13中所示沿Ⅲ-Ⅲ方向的剖面示意图。

图15是图13中所示沿Ⅳ-Ⅳ方向的剖面示意图。

图16是本发明第三实施例所提供的超声波模组中电连接件为分离状态的结构示意图。

图17是图16中超声波模组中电连接件为组合状态的结构示意图。

图18是图13中所示沿Ⅴ-Ⅴ方向的剖面示意图。

图19是图13中所示沿Ⅵ-Ⅵ方向的剖面示意图。

图20是本发明第四实施例所提供的超声波模组中电连接件为分离状态的结构示意图。

图21是图20中超声波模组中电连接件为组合状态的结构示意图。

图22是图21中所示沿Ⅶ-Ⅶ方向的剖面示意图。

附图标识说明：

91、薄膜晶体管层；92、ITO导电结构；93、压电薄膜层；94、激发层；910、pin脚；95、导电结构；96、柔性电路板；

11、薄膜晶体管层；110、PIN脚；111、Tx PIN；112、Rx PIN；13、压电薄膜层；14、激发层；15、导电结构；16、电连接件；161、PIN；

21、薄膜晶体管层；211、Tx PIN；2111、裸露部分；2112、覆盖部分；212、Rx PIN；23、压电薄膜层；24、激发层；25、导电结构；26、电连接件；261、PIN；

30、超声波模组；31、薄膜晶体管层；311、Tx PIN；312、Rx PIN；33、压电薄膜层；34、激发层；341、第一激发层；342、第二激发层；35、导电结构；36、电连接件；361、PIN；

41、薄膜晶体管层；411、Tx PIN；4111、裸露部分；4112、覆盖部分；412、Rx PIN；43、压电薄膜层；44、激发层；441、第一激发层；442、第二激发层；45、导电结构；46、电连接件；461、PIN；

【

具体实施方式

】

为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参阅图2，本发明第一实施例提供一种超声波模组制备方法S10，其包括如下步骤:

步骤S1，在一薄膜晶体管层上分别形成的Tx PIN、Rx PIN及压电薄膜层；

步骤S2，形成一激发层以覆盖所述压电薄膜层远离所述薄膜晶体管层的一面及TxPIN远离所述薄膜晶体管层的一面；及

步骤S3，提供一电连接件，并将所述电连接件电连接至所述激发层以及所述薄膜晶体管层的Rx PIN之上。

其中，所述电连接件用于与外部电路连接。

结合图3中所示，提供一薄膜晶体管层11，所述薄膜晶体管层11包括由多个薄膜晶体管(图未示)，一般来说多个薄膜晶体管呈阵列状分布，也就是相当于多个像素点，分别感应各个位置的电信号。

在所述薄膜晶体管层11上形成PIN脚110。进一步地，可将所述薄膜晶体管层11分为三个区域，其中两个区域对应可以形成分离设置的Tx PIN 111与Rx PIN 112。

如图4中所示，在所述薄膜晶体管层11的第三个区域内形成压电薄膜层13。如图中所示，所述压电薄膜层13、所述Tx PIN 111与所述Rx PIN 112在所述薄膜晶体管层11的表面为独立设置。所述Tx PIN 111的数量可为一个或多个，所述Rx PIN 112的数量为多个。

当所述Tx PIN 111或所述Rx PIN 112的数量为多个时，其可成列设置也可分散设置，具体可基于实际需要设置的数量及整体结构分布要求而做调整。

在本发明此处及以下所提及的所述压电薄膜层13为原位极化的压电膜，即所述压电薄膜层13是采用原位极化的方式极化形成。具体地，所述压电薄膜层13的材质可选用但不限于：聚偏氟乙烯，聚氯乙烯，聚-γ-甲基-L-谷氨酸酯，聚碳酸酯、聚偏氟乙烯共聚物中的一种或者几种的组合。

在现有技术中，所述压电薄膜层13通常是通过采购现有的成品，通过一层粘结层粘附在基体上来进行极化，通常，此种方法形成的压电薄膜层13厚度均在30μm以上。

在本发明的一些实施例中，所述压电薄膜层13的材料还可进一步选用聚偏氟乙烯的共聚物为聚偏氟乙烯-三氟乙烯(PVDF-TrFE)共聚物，为了获得压电效应较好的压电薄膜层13，所述聚偏氟乙烯与三氟乙烯的质量比的范围是(60-95):(5-30)，优选地，其质量比的范围是(75-86):(15-25)，进一步优选地，其质量比为80：20，所述聚偏氟乙烯和三氟乙烯共聚物较单独选用聚偏氟乙烯可降低成本，且其还具有较好的压电效应。

在实际制备过程中，所述压电薄膜层13也可以是采用化学气相沉积、物理气相沉积、等离子体溅射、涂覆等方式将所述压电薄膜层13形成在所述薄膜晶体管层11之上。此时，所述压电薄膜层13的厚度小于30μm，其厚度可进一步为小于9μm，再进一步地，其厚度可为1.5μm-7.4μm、1.9μm-7.2μm、2.2μm-8.6μm、2.8μm-8.4μm或者3.6μm-6.6μm，更进一步地，可以具体是1.8μm、2.4μm、2.6μm、3.7μm、3.9μm、4.2μm、4.6μm、5.6μm、5.8μm、6.7μm、8.6μm、8.7μm。

进一步在上述步骤S2中，如图5中所示，形成一激发层14以覆盖所述压电薄膜层13远离所述薄膜晶体管层11的一面，进一步地，所述激发层全覆盖所述Tx PIN 111，进一步将还可将所述电连接件16电连接至所述激发层14。所述激发层14可通过丝印或溅射的方式形成。所述激发层14可包括如银层等。

进一步地，在进行步骤S3之前，还包括在所述激发层14远离所述薄膜晶体管层11的一面以及Rx PIN 112远离所述薄膜晶体管层11的一面上形成导电结构15，所述导电结构15具体分布的方式可基于实际连接结构的需求而决定，在此不作为具体限定。所述导电结构15包括但不受限于导电胶、导电介质等，其中，以导电胶为例，所述导电胶具体可包括ACF(异方性导电胶，Anisotropic Conductive Film)、ACA(各向异性导电胶，AnisotropicConductive Adhesives)、ICAs(各向同性导电胶，Isotropic Conductive Adhesive)。从所述导电胶的组成上做区分，所述导电胶可包括树脂基体、导电粒子和分散添加剂、助剂等。

如图6中所示，结合上述步骤S3，提供一具有PIN 161的电连接件16，其中，所述电连接件16上的PIN 161的具体排布方式与所述薄膜晶体管层11中对应的Tx PIN及Rx PIN一致。

结合图7中所示，将所述电连接件16移动至所述薄膜晶体管层11之上，以使所述电连接件16与设于所述薄膜晶体管层11之上器件实现电连接。在本实施例中，所述电连接件16可包括柔性电路板(FPC，Flexible Printed Circuit)、PCB板(Printed Circuit Board)或通过引线(电线)直接连接。

当所述电连接件16为柔性电路板或PCB板时，所述电连接件16上设有多个PIN161，其可分别与所述Tx PIN 111或所述Rx PIN 112对应。如图中所示，移动以使所述电连接件16上的多个PIN 161与对应的所述Tx PIN 111或所述Rx PIN 112上设置的所述导电结构15连接以实现电性导通。

如图7中所述由于所述Tx PIN 111上覆盖有激发层14，因此，所述电连接件16上的PIN 161可通过所述导电结构15直接连接至所述激发层14之上(如图8中所示)，进一步地，所述电连接件16上PIN 161可通过所述导电结构15直接连接至所述薄膜晶体管层11的RxPIN 112之上(如图9中所示)。

在上述过程中，需要分两步进行绑定(bonding)：

第一步，是先将所述电连接件16上的PIN 161绑定在激发层14之上；

第二步，再将所述电连接件16上的PIN 161绑定在所述薄膜晶体管层11的Rx PIN112之上。

当所述电连接件16为由多根引线组成时，则引线可与所述Rx PIN 112或所述激发层14直接电连接。

请参阅图10，本发明的第二实施例提供另一种超声波模组制备方法P10，其包括如下步骤:

步骤P1，在一薄膜晶体管层上分别形成的Tx PIN、Rx PIN及压电薄膜层；

步骤P2，形成一激发层以覆盖所述压电薄膜层远离所述薄膜晶体管层的一面及部分覆盖Tx PIN远离所述薄膜晶体管层的一面；及

步骤P3，提供一具有Tx PIN及Rx PIN的电连接件，并将所述电连接件电连接至所述薄膜晶体管层的Tx PIN及Rx PIN之上。

所述超声波模组制备方法P10与所述超声波模组制备方法S10的区别在于：

如图11中所示，在所述薄膜晶体管层21上设置的激发层24部分覆盖所述薄膜晶体管层21的Tx PIN 211，以使所述薄膜晶体管层21设置的Rx PIN 212外露。所述Tx PIN 211可分为裸露部分2111及覆盖部分2112，所述裸露部分2111与所述电连接件26通过一导电结构25实现电性连接，所述覆盖部分2112与所述激发层24直接接触以实现电连接，以使所述电连接件26与所述激发层24实现间接电连接。

进一步地，如图12中所示，所述导电结构15设于所述Tx PIN 211及所述Rx PIN212之上，用于连接所述Tx PIN 211、所述Rx PIN 212至所述电连接件26的PIN 261之上。

可以理解，在本实施例中，所述Tx PIN 211的数量可为一个或多个，所述Rx PIN212的数量为多个。

如图13中所示，当所述电连接件26部分叠设与所述薄膜晶体管层21之上时，所述电连接件26上设置的多个PIN 261，其可分别与所述Tx PIN 211或所述Rx PIN 212对应。如图中所示，移动以使所述电连接件26上的多个PIN 261与对应的所述Tx PIN 211或所述RxPIN 212上设置的所述导电结构15连接以实现电性导通。

如图13中所述由于所述Tx PIN 211上部分覆盖有激发层，而部分外露，外部的部分上可设有导电结构25。所述电连接件26上的PIN 261直接连接通过所述导电结构25连接至所述Tx PIN 211之上(如图14中所示)，进一步地，所述电连接件26上PIN 261直接连接至所述薄膜晶体管层21的Rx PIN 212之上(如图15中所示)。

在上述过程中，可通过一次绑定(bonding)即可完成电连接，也即，可将电连接件26上的PIN 261绑定在所述薄膜晶体管层21对应的所述Tx PIN 211与所述Rx PIN 212之上。

请参阅图16，本发明的第三实施例提供一种超声波模组30，所述超声波模组30基于上述第一实施例中所提供的超声波模组制备方法S10制备获得，所述超声波模组30包括薄膜晶体管层31，所述薄膜晶体管层31上对应设有Tx PIN 311与多个Rx PIN 312。其中，如图16中所示，所述Tx PIN 311为一个大尺寸PIN结构，从而可以进一步减少接触电阻。

进一步地，所述超声波模组3还包括一激发层34及与外部电路连接的电连接件36，所述激发层34覆盖所述压电薄膜层33远离所述薄膜晶体管层31的一面及所述激发层34至少部分覆盖Tx PIN 311远离所述薄膜晶体管层31的一面；可以理解，在此处所述激发层34与所述压电薄膜层33远离所述薄膜晶体管层31的一面直接接触并实现电连接，所述激发层34与所述Tx PIN 311远离所述薄膜晶体管层31的一面至少部分直接接触并实现电连接。所述电连接件36分别电连接至所述激发层34及所述薄膜晶体管层31的Rx PIN 312。

其中，所述Tx PIN 311的数量为一个或多个，所述Rx PIN 312的数量为多个。在所述薄膜晶体管层31还包括压电薄膜层33，在所述压电薄膜层33之上还设有激发层34。结合图16及图17中所示，所述激发层34可包括第一激发层341与第二激发层342，其中所述第一激发层341覆盖在所述压电薄膜层33之上。所述第二激发层342可至少部分覆盖在所述TxPIN 311之上。可以理解，也即，所述第二激发层342全覆盖所述Tx PIN 311，或所述第二激发层342部分覆盖所述Tx PIN 311之上，以使部分所述Tx PIN 311裸露在外。在本实施例中，如图16中所示，所述第二激发层342全覆盖所述Tx PIN 311。

结合图中所示，所述第一激发层341与所述压电薄膜层33直接接触并电连接，所述第二激发层342与所述Tx PIN 311直接接触并实现电连接。

具体地，所述第一激发层341可通过丝印或者溅射方式形成在所述压电薄膜层33之上，而所述第二激发层342也可以通过丝印或者溅射方式。所述第一激发层341与所述第二激发层342可一体成型或者也可以通过设置掩模(mask)的方式分区域成型后拼接成一体。

在本发明中，所述第一激发层341的厚度大于所述第二激发层342。所述第一激发层341的厚度为大于9μm，例如可为9μm-18μm、10μm-20μm、19μm-35μm等，具体地可以是15μm、18μm、24μm、26μm、37μm、39μm等。上述厚度的选择，可满足所述第一激发光341与所述压电薄膜层33之间电连接的需求，从而使所述超声波模组30可获得最优的工作状态。

所述第二激发层342的厚度为10μm以下，例如可为2μm-8μm、4μm-8μm、5μm-9μm等，具体可为是1μm、3μm、5μm、7μm或8μm等。上述针对所述第二激发层342厚度的限定，则可在满足导电性的前提下，保证所述第二激发层342与所述电连接件36之前绑定的便捷度。当所述第二激发层342的厚度为8μm以下时，所述电连接件36也可通过一次绑定实现电连接。

具体可结合图18中所示，所述第一激发层341直接设于所述Tx PIN 311之上，可以增大所述第一激发层341与所述Tx PIN 311之间的接触面积。

所述电连接件上包括多个PIN 361，为了使所述第二激发层342远离所述薄膜晶体管层31的一面可与所述电连接件36上设置的PIN 361连接更稳定，可在所述第二激发层342上形成导电结构35。所述导电结构35可将所述第二激发层342与所述PIN 361实现电性连接，从而可使所述超声波模组3实现电导通及正常运行。

有关所述导电结构35的限定与上述第一实施例中所述导电结构15中一致，在此不再赘述。

进一步如图19中所示，所述电连接件36上的PIN 361同样也可通过所述导电结构35实现与所述Rx PIN 312之间的电连接。所述PIN 361与所述Rx PIN 312之间设置的导电结构中包括异方性导电胶。

请参阅图20-图22，本发明的第四实施例提供一种超声波模组40所述超声波模组30基于上述第二实施例中所提供的超声传感制备方法P10制备获得。所述超声波模组40同样包括激发层44，所述激发层44进一步包括第一激发层441及第二激发层442。所述超声波模组40与上述第三实施例中所提供的所述超声波模组30的区别在于：所述第二激发层442为部分覆盖在所述Tx PIN 411之上并与所述Tx PIN 411实现电连接，以使部分所述Tx PIN411裸露在外。

具体地，所述薄膜晶体管层41的Tx PIN 411可进一步包括裸露部分4111及覆盖部分4112，结合图20及图22中所示，在所述裸露部分4111上可设有一导电结构45，所述裸露部分4111与所述电连接件46之间通过所述导电结构45实现电性连接，所述覆盖部分4112与所述激发层44之间实现直接电接触连接，由于所述裸露部分4111与所述覆盖部分4112为一体设置，从而可以使所述电连接件46与所述激发层44实现间接电连接的同时，还可以减少其实现电连接的接触电阻。

如图22中所示，所述第一激发层441与所述第二激发层442为一体设置，第二激发层442的部分与所述Tx PIN 411接触，而Tx PIN 411的所述裸露部分4111则进一步通过所述导电结构45与所述电连接件46上的PIN 461连接。

需要说明的是，在上述第一实施例、第二实施例中所提及的有关薄膜晶体管层、激发层、导电结构、PIN及电连接件的相关说明同样适用于上述第三实施例中所提供的超声波模组30及第四实施例中所提供的超声波模组40中。

本发明第五实施例提供一种超声传感器，其包括如上所述任一种的超声波模组及驱动模组，所述驱动模组为所述超声波模组提供驱动能源。所述超声传感器可用于发出对应超声波信号，并可用于如指纹识别、安防监测、游戏控制、医疗检测、距离检测等领域。

本发明中所提供的超声传感器具有接触电阻小、连接稳定等特点。

与现有技术相比，本发明所提供的超声波模组及其制备方法、超声传感器具有如下的有益效果：

本发明所提供的超声波模组制备方法可改变现有技术中激发层需要先与走线电连接之后，再通过走线连接至PIN的方式，从而可减少电转接而产生的接触电阻，从而可提高超声发射效率。在本发明所提供的超声波模组制备方法可使接触电阻降低至2欧姆以下，甚至为低于1欧姆。进一步地，通过将Tx PIN与Rx PIN分离，并分别采用不同的电连接方式，可以增强所述电连接件之上的PIN与所述薄膜晶体管层上PIN的连接强度，从而可避免在所述压电薄膜层厚度较大的情况下，容易出现断裂等问题。

本发明还提供一种超声波模组，所述超声波模组中包括所述激发层覆盖所述压电薄膜层远离所述薄膜晶体管层的一面及所述激发层至少部分覆盖Tx PIN远离所述薄膜晶体管层的一面；所述电连接件分别电连接至所述激发层及所述薄膜晶体管层的Rx PIN。可改变现有技术中激发层需要先与走线电连接之后，再通过走线连接至PIN的方式，从而可减少电转接而产生的接触电阻，从而可提高超声发射效率。在本发明所提供的超声波模组可使接触电阻降低至2欧姆以下，甚至为低于1欧姆。进一步地，通过将Tx PIN与Rx PIN分离，并分别采用不同的电连接方式，可以增强所述电连接件之上的PIN与所述薄膜晶体管层上PIN的连接强度，从而可避免在所述压电薄膜层厚度较大的情况下，容易出现断裂等问题。

本发明还提供一种超声传感器，其包括所述超声波模组，因此，所述超声传感器也可具有如上述超声波模组对应的有益效果。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本发明的保护范围之内。