阅读说明：本技术 控制装置 (Control device ) 是由 铃木达也 佐内秀男 太田雅也 于 2017-04-12 设计创作，主要内容包括：控制装置与处置器具一起使用,对用于使所述处置器具工作的电能向所述处置器具的供给进行控制,其中,所述处置器具具备具有磁体的操作输入件以及用于探测磁通密度的传感器,所述传感器处的磁通密度基于利用所述操作输入件进行的操作而发生变化。所述控制装置具备处理器,所述处理器获取所述传感器同所述操作输入件之间的距离与所述磁通密度的关系,并基于所述关系来设定用于将所述电能的所述供给在接通状态与断开状态之间切换的阈值。(The control device is used together with a treatment instrument that includes an operation input member having a magnet and a sensor for detecting a magnetic flux density, and controls supply of electric energy for operating the treatment instrument to the treatment instrument, wherein the magnetic flux density at the sensor changes based on an operation performed by the operation input member. The control device includes a processor that acquires a relationship between a distance between the sensor and the operation input member and the magnetic flux density, and sets a threshold value for switching the supply of the electric energy between an on state and an off state based on the relationship.)

控制装置

技术领域

本发明涉及一种基于传感器处的磁通密度来控制电能向处置器具的供给的控制装置。

背景技术

在WO2016/0067739A1中公开了一种处置器具以及控制电能向处置器具的供给的控制装置。在该处置器具中，设置有按钮等操作输入件，操作输入件具备磁体。另外，在处置器具中设置用于探测磁通密度的霍尔元件等传感器。基于利用操作输入件进行的操作而操作输入件移动，由此磁体与传感器之间的距离发生变化，从而传感器处的磁通密度发生变化。而且，控制装置基于通过利用操作输入件进行的操作而传感器处的磁通密度从第一阈值以下的状态切换为大于第一阈值的状态，来向处置器具供给用于使处置器具工作的电能。通过向处置器具供给电能，末端执行器对处置对象施加高频电流和/或超声波振动等处置能量，来对处置对象进行处置。另外，控制装置基于通过利用操作输入件进行的操作而传感器处的磁通密度从第二阈值以上的状态切换为小于第二阈值的状态，来停止向处置器具供给用于使处置器具工作的电能。在该处置器具中，第一阈值和第二阈值分别被设定为固定值。

发明内容

在WO2016/0067739A1那样的处置器具中，存在操作输入件同传感器之间的距离与传感器处的磁通密度的关系根据传感器或磁体的特性等而变化的情况。与操作输入件同传感器之间的距离与传感器处的磁通密度的关系的变化对应地，传感器处的磁通密度为第一阈值时和传感器处的磁通密度为第二阈值时的各情况下的操作输入件的位置发生变化。因而，用于使处置器具工作的电能向处置器具的供给状态切换时的操作输入件的位置变化。有时由于电能向处置器具的供给状态切换时的操作输入件的位置发生变化而对操作输入件的操作性产生影响。

本发明的目的在于提供一种抑制由于操作输入件同传感器之间的距离与传感器处的磁通密度的关系的变化而产生的对操作输入件的操作性的影响的控制装置。

为了达到上述目的，本发明的某个方式的控制装置与处置器具一起使用，对用于使所述处置器具工作的电能向所述处置器具的供给进行控制，所述处置器具具备具有磁体的操作输入件以及用于探测磁通密度的传感器，基于利用所述操作输入件进行的操作，所述操作输入件与所述磁体一起移动，由此所述传感器处的所述磁通密度发生变化，其中，所述控制装置具备处理器，所述处理器获取所述传感器同所述操作输入件之间的距离与所述磁通密度的关系，所述处理器基于所述关系，来设定用于将所述电能的所述供给在接通状态与断开状态之间切换的阈值。

附图说明

图1是概要性地示出第一实施方式所涉及的处置系统的图。

图2是概要性地示出第一实施方式所涉及的处置系统中的电连接状态的框图。

图3A是概要性地示出第一实施方式所涉及的某一个操作按钮位于初始位置的状态的图。

图3B是概要性地示出第一实施方式所涉及的某一个操作按钮位于按下位置的状态的图。

图4是概要性地示出第一实施方式所涉及的某一个传感器与处理器及传感器电源的电连接状态的图。

图5是示出第一实施方式所涉及的处理器在对某一个传感器处的磁通密度设定用于切换电能向处置器具的供给状态的阈值时进行的处理的流程图。

图6是示出比较例所涉及的某一个磁体同对应的传感器之间的距离与对应的传感器处的磁通密度的关系的概要图。

图7是示出第一实施方式所涉及的某一个磁体同对应的传感器之间的距离与对应的传感器处的磁通密度的关系的概要图。

图8是示出第二实施方式所涉及的处理器在对某一个传感器处的磁通密度设定用于切换电能向处置器具的供给状态的阈值时进行的处理的流程图。

图9是示出第二实施方式所涉及的某一个磁体同对应的传感器之间的距离与对应的传感器处的磁通密度的关系的概要图。

图10是示出第三实施方式所涉及的处理器在对某一个传感器处的磁通密度设定用于切换电能向处置器具的供给状态的阈值时进行的处理的流程图。

图11是示出第四实施方式所涉及的处理器在末端执行器的识别以及电能向处置器具的输出设定时进行的处理的流程图。

图12是示出第四实施方式所涉及的某一个磁体同对应的传感器之间的距离与对应的传感器处的磁通密度的关系的概要图。

图13是示出第五实施方式所涉及的处理器在操作按钮数量的识别以及电能向处置器具的输出设定时进行的处理的流程图。

图14是概要性地示出在第五实施方式所涉及的第二连接体安装有具备两个操作按钮的第一连接体的状态的图。

具体实施方式

(第一实施方式)

参照图1至图7来说明本发明的第一实施方式。图1是示出使用作为本实施方式的控制装置的能源装置3的处置系统1的图。如图1所示，处置系统1具备处置器具2和能源装置3。能源装置3对用于使处置器具2工作的电能向处置器具2的供给进行控制。处置器具2具备能够进行保持的第一连接体(外壳)5以及以能够与第一连接体5分离的方式安装于第一连接体5的第二连接体(支承构件)6。第二连接体6与线缆7的一端连接。线缆7的另一端与能源装置3连接。

在某个实施例中，第一连接体5在处置器具2使用后被废弃。而且，第二连接体6在处置器具2使用后被进行清洗和灭菌等，并被再次利用。第二连接体6与线缆7的一端连接。线缆7的另一端与能源装置3以能够分离的方式连接。

第二连接体6具备能够进行保持的外壳15。外壳15具备长边轴C来作为中心轴，并沿着长边轴C延伸设置。在此，将沿着长边轴C的方向的一方侧设为顶端侧(箭头C1侧)，将与顶端侧相反的一侧设为基端侧(箭头C2侧)。

第一连接体5具备末端执行器14和形成外壳的壳体11。末端执行器14对生物体组织等处置对象进行处置。第一连接体(顶端侧连接体)5从顶端侧安装于第二连接体(基端侧连接体)6的顶端部。在本实施方式中，杆构件(探针)13以从壳体11的顶端向顶端侧突出的状态安装于壳体11。末端执行器14由杆构件(探针)13的从壳体11突出的突出部分形成。

图2是示出处置系统1中的控制结构的框图。如图2所示，能源装置3具备存储介质(存储器)22以及对处置系统1整体进行控制的处理器(控制器)21。处理器21由包括CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ASIC(Application Specific IntegratedCircuit：专用集成电路)或FPGA(Field Programmable Gate Array：现场可编程门阵列)等的集成电路形成。处理器21可以由一个集成电路形成，也可以由多个集成电路形成。处理器21中的处理是按照处理器21或存储介质22中存储的程序进行的。另外，在存储介质22中存储处理器21中所使用的处理程序以及处理器21中的运算所使用的参数及表等。此外，在某个实施例中，处理器21设置于处置器具2，后述的处理的至少一部分由设置于处置器具2的处理器21进行。在该情况下，设置于处置器具2的处理器21也构成对用于使处置器具2工作的电能向处置器具2的供给进行控制的控制装置。另外，在该情况下，也可以在处置器具2中设置存储介质22。

在第二连接体6的外壳15的内部设置有超声波转换器16。超声波转换器16通过将电能变换为振动能量，来产生超声波振动。在第二连接体6被安装于第一连接体5的状态下，在外壳15的内部，形成末端执行器14的杆构件13的基端被与超声波转换器16的顶端连接。因此，在第二连接体6被安装于第一连接体5的状态下，由超声波转换器16产生的超声波振动经由杆构件13被传递到末端执行器14。

能源装置3具备能量输出源23来作为输出用于使处置器具2工作的电能的输出源。能量输出源23经由电路径(未图示)连接于处置器具2。电路径例如由在线缆7的内部延伸设置的电布线等形成。能量输出源23具备波形生成器、变换电路以及变压器等，用于将来自电池电源或插座电源等的电力变换为例如规定频率范围内的任意频率的交流电力。而且，能量输出源23通过电路径输出进行变换所得到的交流电力，并将交流电力作为用于使处置器具2工作的电能供给到超声波转换器16。由超声波转换器16产生的超声波振动经由杆构件13被传递到末端执行器14，并作为处置能量从末端执行器14被施加于处置对象。

在某个实施例中，取代超声波振动而将高频电流用作处置能量。在该情况下，在末端执行器14设置具有导电性的电极。另外，能量输出源23与对被检体(人体)安装的对电极板电连接。能量输出源23向末端执行器14的电极和对电极板分别供给高频电力来作为用于使处置器具2工作的电能。由此，电极和对电极板作为电位互不相同的电极而发挥功能，从而高频电流经过处置对象而在末端执行器14与对电极板之间流动。而且，高频电流被施加于处置对象。

另外，在另一某个实施例中，由加热器产生的热被用作处置能量。在该情况下，在末端执行器14设置加热器，能量输出源23将直流电力或交流电力作为用于使处置器具2工作的电能供给到加热器。而且，通过向加热器供给电能，来将加热器热施加于处置对象。

处理器21通过控制能量输出源23的输出，来控制用于使处置器具2工作的电能向处置器具2的供给。处置器具2通过被供给电能，来将上述的超声波振动、高频能量以及热中的至少一方作为处置能量施加于处置对象。例如，可以将超声波振动和高频能量同时施加于处置对象，也可以将高频能量和热同时施加于处置对象。

如图1至图3B所示，在第二连接体6的外壳15的内部设置有柔性基板等基板40。而且，在基板40上设置有(在本实施方式中为三个)传感器41(在本实施方式中为41A～41C)。传感器41中的各个传感器例如为霍尔元件，用于探测磁通密度B(Ba；Bb；Bc)。此外，传感器41的数量不限于三个，设置一个以上的传感器41即可。传感器41经由电路径42而与能源装置3的处理器21电连接。另外，在能源装置3中设置有输出用于使传感器41工作的电流(电能)的传感器电源43。传感器41经由电路径42而与传感器电源43电连接。由处理器21等控制电流从传感器电源43向传感器41的输出。此外，电路径42由在外壳15的内部及线缆7的内部穿过并延伸设置的多个电布线以及基板40上的电路等形成。

图4是示出传感器41中的某一个传感器(在图4中为41A)与处理器21及传感器电源43的电连接状态的图。如图4所示，传感器电源43具备输出用于使传感器41A工作的电流的电源45A。电源45A例如为直流电源。传感器41A经由形成电路径42的一部分的电流路径46A1、46A2而与电源45A电连接。另外，处理器21具备电压检测电路47A。传感器41A经由形成电路径42的一部分的传感器输出路径48A1、48A2而与电压检测电路47A电连接。此外，在某个实施例中，电压检测电路47A也可以与处理器21分开设置。

在本实施方式中，处理器21利用由作为霍尔元件等的传感器41A产生的霍尔效应，来获取由传感器41A探测出的磁通密度Ba。即，处理器21使传感器电源43的电源45A输出电流，并使电流通过电流路径46A1、46A2流向传感器41A，由此使传感器41A工作。在传感器41A工作的状态下，当在垂直于电流路径46A1、46A2中所流过的电流的方向上产生磁场时，通过霍尔效应而在垂直于电流且垂直于磁场的方向上产生电动势。通过产生电动势，来从传感器41A向传感器输出路径48A1、48A2输出电能(电压)，从而在传感器输出路径48A1、48A2之间施加电压。而且，电压检测电路47A检测传感器输出路径48A1、48A2之间的电压。在此，传感器输出路径48A1、48A2之间的电压与传感器41A处的磁场的磁通密度Ba对应地变化，磁通密度Ba越大，则电压越大。因而，处理器21的电压检测电路47A获取传感器输出路径48A1、48A2之间的电压来作为与磁通密度Ba对应地变化的来自传感器41A的输出信息。另外，在存储介质22中存储表示传感器输出路径48A1、48A2之间的电压与磁通密度Ba的关系的表或函数等。处理器21基于电压检测电路47A的检测结果以及所存储的电压与磁通密度Ba的关系等，来计算传感器41A处的磁通密度Ba。

此外，关于除传感器41A以外的传感器41B、41C，也分别与传感器41A同样地与处理器21及传感器电源43电连接。因而，在处置系统1中设置有与电源45A同样的电源(45B；45C)、与电流路径46A1、46A2同样的电流路径(46B1、46B2；46C1、46C2)、与电压检测电路47A同样的电压检测电路(47B；47C)以及与传感器输出路径48A1、48A2同样的传感器输出路径(48B1、48B2；48C1、48C2)。而且，与获取传感器41A处的磁通密度Ba同样地，处理器21获取传感器41B处的磁通密度Bb和传感器41C处的磁通密度Bc。此外，在某个实施例中，也可以是，将传感器41A～41C设置为以并联方式进行电连接，从设置于传感器电源43的共用的电源向传感器41A～41C输出用于使传感器41A～41C工作的电流。

在第一连接体5设置有从壳体11朝向基端侧突出的突出片50。在突出片50上，以能够移动的方式安装有(在本实施方式中为三个)操作按钮51(在本实施方式中为51A～51C)来作为操作输入件。利用操作按钮51中的各个操作按钮，来输入用于使能源装置3(能量输出源23)输出用于使处置器具2工作的电能的操作。在本实施方式中，操作按钮51的数量与传感器41的数量相同。操作按钮51中的各个操作按钮与传感器41中的一个传感器对应地设置。另外，操作按钮51各自具备产生磁场的磁体52。磁体52(在本实施方式中为52A～52C)中的各个磁体被固定于对应的操作按钮(51中的对应的一个)，并能够与对应的操作按钮(51中的对应的一个)一起相对于突出片50进行移动。操作按钮51中的各个操作按钮通过被输入操作，来与对应的磁体(52中的对应的一个)一起进行移动。

传感器41中的各个传感器与对应的操作按钮(51中的对应的一个)及对应的磁体(52中的对应的一个)相向配置。另外，传感器41中的各个传感器由于对应的操作按钮(51中的对应的一个)移动而与对应的磁体(52中的对应的一个)之间的距离D(Da；Db；Dc)发生变化。在传感器41中的各个传感器处，由于与对应的磁体(52中的对应的一个)之间的距离D(Da；Db；Dc)发生变化，从而磁通密度B(Ba；Bb；Bc)变化。即，在传感器41中的各个传感器处，由于对应的操作按钮(51中的对应的一个)移动，而磁通密度B(Ba；Bb；Bc)变化。

操作按钮51中的各个操作按钮在没有被进行操作输入的状态、即没有被按压的状态下，位于初始位置Pe(Pae；Pbe；Pce)。图3A是示出操作按钮51中的某一个(在图3A中为51A)位于初始位置Pe(在此为Pae)的状态的图。如图3A所示，在操作按钮51A位于初始位置Pae的状态下，操作按钮51A在相对于传感器41A的移动范围内位于离传感器41A最远的位置。因而，在操作按钮51A位于初始位置Pae的状态下，传感器41A与对应的磁体52A之间的距离Dae在操作按钮51A的移动范围内的传感器41A与磁体52A之间的距离Da中为最大的距离。

图3B是示出操作按钮51中的某一个(在图3B中为51A)被最大程度地按下到突出片50的内部的状态的图。如图3B所示，在操作按钮51A被最大程度地按下的状态下，操作按钮51A位于按下位置(最大位移位置)Pas。操作按钮51A能够在初始位置Pae与按下位置Pas之间移动。在操作按钮51A位于按下位置Pas的状态下，操作按钮51A在相对于传感器41A的移动范围内离传感器41A最近。因而，在操作按钮51A位于按下位置Pas的状态下，传感器41A与磁体52A之间的距离Das在操作按钮51A的移动范围内的传感器41A与磁体52A之间的距离Da中为最小的距离。

此外，与操作按钮51A同样地，操作按钮51B也能够在初始位置Pbe与按下位置Pbs之间移动。另外，与操作按钮51A同样地，操作按钮51C也能够在初始位置Pce与按下位置Pcs之间移动。

在本实施方式中，处理器21获取对应的操作按钮(51中的一个)位于初始位置Pe的状态下的传感器41处的磁通密度Be来作为距离D与磁通密度B的关系。然后，处理器21基于所获取到的关系(磁通密度Be)，来设定阈值(第一阈值)Bth1和阈值(第二阈值)Bth2，该阈值(第一阈值)Bth1是用于自不从能源装置3向处置器具2供给用于使处置器具2工作的电能的状态(断开状态)切换为从能源装置3向处置器具2供给用于使处置器具2工作的电能的状态(接通状态)的值，该阈值(第二阈值)Bth2是用于自从能源装置3向处置器具2供给用于使处置器具2工作的电能的状态(接通状态)切换为不从能源装置3向处置器具2供给用于使处置器具2工作的电能的状态(断开状态)的值。

接着，对作为控制装置的能源装置3和处置系统1的作用及效果进行说明。在使用处置系统1对处置对象进行处置时，经由线缆7来使第二连接体6连接于能源装置3。而且，使传感器电源43向传感器41中的各个传感器供给电流，来使传感器41工作。另外，将连接体5、6之间连接。而且，将末端执行器14配置在处置对象的附近。

在从连接体5、6之间被连接的时间点起到使末端执行器14与处置对象接触为止的期间中的任意的时刻(时间点)，由处理器21设定用于在接通状态与断开状态之间切换的阈值Bth(Bth1、Bth2)，其中，接通状态是向处置器具2供给用于使处置器具2工作的电能的状态，断开状态是不向处置器具2供给用于使处置器具2工作的电能的状态。此时，针对传感器41(41A～41C)各自设定阈值Bth1(Bath1；Bbth1；Bcth1)和阈值Bth2(Bath2；Bbth2；Bcth2)。阈值(第一阈值)Bath1、Bbth1、Bcth1可以彼此相同，也可以彼此不同。同样地，阈值(第二阈值)Bath2、Bbth2、Bcth2可以彼此相同，也可以彼此不同。

图5是示出在针对传感器41中的一个传感器的阈值Bth的设定中由处理器21进行的处理的流程图。在图5中，作为例子，示出在设定针对传感器41A的阈值Bath时由处理器21进行的处理。图5的阈值Bath的设定是在操作按钮51(磁体52)中的各个操作按钮位于初始位置Pe的状态且从能源装置3不能输出用于使处置器具2工作的电能的状态下进行的。处理器21通过针对传感器41中的各个传感器进行图5所示的处理，来针对传感器41中的各个传感器设定用于将电能向处置器具2的供给状态从断开状态切换为接通状态的第一阈值Bth1(Bath1～Bcth1)以及用于将电能向处置器具2的供给状态从接通状态切换为断开状态的第二阈值Bth2(Bath2～Bcth2)。

如图5所示，在阈值Bath1及阈值Bath2的设定中，处理器21获取传感器41A处的磁通密度Ba(S101)。然后，处理器21将在S101中获取到的磁通密度Ba设定为对应的操作按钮51A位于初始位置Pae的状态下的传感器41A处的磁通密度Bae(S102)。此时，可以将被设定为磁通密度Bae的磁通密度Ba的值存储在存储介质22中。

然后，处理器21计算对磁通密度Bae加上规定的值(第一值)K1a所得到的值来作为第一阈值Bath1(S103)。另外，处理器21计算对磁通密度Bae加上规定的值(第二值)K2a所得到的值来作为第二阈值Bath2(S104)。规定的值K1a大于规定的值K2a。因此，阈值Bath1大于阈值Bath2。阈值Bath1与阈值Bath2之差为从K1a减去K2a所得到的值。另外，规定的值K1a被设定为使得阈值Bath1小于操作按钮51A位于按下位置Pas的状态下的磁通密度Bas。规定的值K1a、K2a例如被存储在存储介质22中。在此，规定的值K1a、K2a为固定值。所计算出的阈值Bath1、Bath2例如被存储在存储介质22中。由此，针对传感器41A设定出阈值Bath1、Bath2。然后，处理器21结束阈值Bath1、Bath2的设定。而且，与传感器41A中的阈值Bath1、Bath2的设定同样地，处理器21分别设定传感器41B中的阈值Bbth1、Bbth2以及传感器41C中的阈值Bcth1、Bcth2。

处理器21基于针对传感器41中的各个传感器的阈值Bth1、Bth2的设定已结束，使灯、显示画面或蜂鸣器等通知部工作，来向手术操作者通知阈值Bth1、Bth2的设定已结束。

当针对传感器41中的各个传感器的阈值Bth1、Bth2的设定结束时，在手术操作者将末端执行器14配置在体腔内的生物体组织等处置对象的附近的状态下，手术操作者按压操作按钮51中的某一个，来输入用于使能源装置3向处置器具2输出电能的操作。在开始输出电能的时间点，末端执行器14位于处置对象的附近，但没有与处置对象接触。然后，在持续从能源装置3输出电能的状态下，手术操作者使末端执行器14与处置对象接触。

在用于使处置器具2工作的电能的输出控制中，处理器21针对全部的传感器41(41A～41C)获取磁通密度B(Ba～Bc)。此时，获取彼此在同一时间点处的磁通密度Ba～Bc的值。然后，处理器针对所获取到的磁通密度Ba～Bc中的各个磁通密度，判断磁通密度(Ba～Bc中的一个)是否大于对应的第一阈值(Bath1～Bcth1中的对应的一个)。在针对全部的磁通密度Ba～Bc均判断为磁通密度B为对应的第一阈值Bth1以下的情况下，处理器21将用于使处置器具2工作的电能从能源装置3的输出维持为停止的状态。

在仅针对磁通密度Ba～Bc中的一个磁通密度判断为磁通密度B大于对应的阈值Bth1的情况下，处理器21使能源装置3开始向处置器具2输出用于使处置器具2工作的电能。即，处理器21使能量输出源23输出电能，来向处置器具2供给电能。由此，如上述的那样，超声波振动、高频电流以及热中的至少一方作为处置能量被施加于处置对象。即，处理器21基于通过利用操作按钮51中的某一个操作按钮进行的操作而对应的传感器(41中的对应的一个)处的磁通密度B从第一阈值Bth1以下的状态切换为大于第一阈值Bth1的状态，来向处置器具2供给用于使处置器具2工作的电能。

此时，在磁通密度Ba大于阈值Bath1的情况下，处理器21以第一输出模式进行输出。另外，在磁通密度Bb大于阈值Bbth1的情况下，处理器21以与第一输出模式不同的第二输出模式进行输出。而且，在磁通密度Bc大于阈值Bcth1的情况下，处理器21以与第一输出模式及第二输出模式不同的第三输出模式进行输出。从能源装置3输出的电能的输出状态按每个输出模式而不同。即，是否需要从能量输出源23输出和/或与输出有关的参数按每个输出模式而不同。

在正在以上述的输出模式中的某一个输出模式(例如第一输出模式)向处置器具2输出电能的状态下，即使除与输出模式对应的磁通密度B(例如Ba)以外的磁通密度B(例如Bb、Bc)变化为大于对应的阈值(例如Bbth1；Bcth1)的状态，处理器21也继续以正在向处置器具2进行输出的输出模式(例如第一输出模式)进行输出。即，处理器21以与磁通密度Ba～Bc中的、最先变化为大于对应的阈值Bth1的状态的磁通密度B对应的输出模式输出电能。

另外，在某个实施例中，在针对磁通密度Ba～Bc中的两个以上的磁通密度，判断为同时变化成磁通密度B(Ba～Bc中的一个)大于对应的阈值Bth1(Bath1～Bcth1中的对应的一个)的状态的情况下，处理器21进行错误通知。此时，用于使处置器具2工作的电能从能源装置3的输出被维持为停止的状态。而且，处理器21使灯、显示画面或蜂鸣器等错误通知部工作，来进行错误通知。

然后，处理器21针对被判断为大于对应的阈值Bth1的磁通密度B(Ba～Bc中的对应的一个)，判断磁通密度B是否为对应的第二阈值Bth2(Bath2～Bcth2中的对应的一个)以下。在磁通密度B大于对应的阈值Bth2的情况下，继续使能源装置3输出用于使处置器具2工作的电能。另一方面，在磁通密度B为对应的阈值Bth2以下的情况下，处理器21停止从能源装置3向处置器具2的用于使处置器具2工作的电能的输出。由此，停止向处置器具2供给用于使处置器具2工作的电能。即，处理器21基于通过利用操作按钮51中的一个操作按钮进行的操作而对应的传感器(41中的对应的一个)处的磁通密度B从大于第二阈值Bth2的状态切换为第二阈值以下的状态，来停止向处置器具2供给用于使处置器具2工作的电能。

图6和图7是针对某一个传感器41示出传感器41同对应的磁体52之间的距离D与传感器41处的磁通密度B的关系的图。在图6和图7中，作为例子，示出传感器41A同磁体52A之间的距离Da与传感器41A处的磁通密度Ba的关系。在图6和图7中，横轴表示距离Da，纵轴表示磁通密度Ba。

距离Da与磁通密度Ba的关系有时根据传感器41A的个体差异(特性)、对应的磁体52A的个体差异(形状、特性)或者传感器41A-磁体52A之间的组装位置的偏移等变动因素而变化。在图6和图7中，针对状态L1、L2分别示出关系。在状态L1与状态L2中，距离Da与磁通密度Ba的关系互不相同。

在图6中，作为比较例，示出使用固定值(Bath1-0、Bath2-0)来作为用于对使处置器具2工作的电能的供给状态进行切换的阈值的例子。即，在图6所示的比较例中，同距离Da与磁通密度Ba的关系的变化无关，阈值Bath1、Bath2是固定的。

在此，在状态L1下，将磁通密度Ba为阈值Bath1-0时的距离Da设为距离Dath1-1A。另外，在状态L2下，将磁通密度Ba为阈值Bath1-0时的距离Da设为距离Dath1-2A。如图6所示，距离Dath1-2A小于距离Dath1-1A。即，在状态L1与状态L2中，磁通密度Ba为阈值Bath1时的距离Dath1互不相同。因而，如图6所示的比较例那样，在阈值Bath1使用固定值(Bath1-0)的情况下，由于距离Da与磁通密度Ba的关系发生变化，而使磁通密度Ba为阈值Bath1时的距离Dath1变化。由于距离Dath1发生变化，而使电能向处置器具2的输出状态切换时的操作按钮51A的位置变化(偏移)。由于电能向处置器具2的输出状态切换时的操作按钮51A的位置发生变化，而对操作按钮51A的操作性产生影响。

在本实施方式中，在S101、S102的处理中获取磁通密度Bae。在此，操作按钮51A位于初始位置Pae的状态下的磁通密度Bae根据距离Da与磁通密度Ba的关系的不同而变化。因而，状态L1下的磁通密度Bae-1与状态L2下的磁通密度Bae-2互不相同。处理器21获取磁通密度Bae来作为距离Da与磁通密度Ba的关系。

另外，在S103的处理中，通过对磁通密度Bae加上规定的值(固定值)K1a来计算阈值Bath1。即，处理器21基于所获取到的距离Da与磁通密度Ba的关系(磁通密度Bae)来计算阈值Bath1。因此，如图7所示，在状态L1下磁通密度Ba为阈值Bath1-1时的距离Dath1-1与在状态L2下磁通密度Ba为阈值Bath1-2时的距离Dath1-2之差(偏移)小于图6所示的比较例的距离Dath1-1A与距离Dath1-2A之差。即，距离Dath1在状态L1与状态L2之间的变化(移动)小于图6所示的比较例的该变化。即，电能向处置器具2的供给状态从断开状态切换为接通状态时的操作按钮51A的位置因距离Da与磁通密度Ba的关系的不同而产生的偏移(偏差)小于图6所示的比较例的该偏移。

另外，在S104的处理中，通过对磁通密度Bae加上规定的值(固定值)K2a来计算阈值Bath2。即，与计算阈值Bath1时的处理同样地，基于所获取到的距离Da与磁通密度Ba的关系(磁通密度Bae)来计算阈值Bath2。因此，与阈值Bath1的情况同样地，电能向处置器具2的供给状态从接通状态切换为断开状态时的操作按钮51A的位置因距离Da与磁通密度Ba的关系的不同而产生的偏移(偏差)小于图6所示的比较例的该偏移。

另外，关于传感器41B中的阈值Bbth1、Bbth2以及传感器41C中的阈值Bcth1、Bcth2，也与传感器41A的阈值Bath1、Bath2同样地，电能向处置器具2的供给状态切换时的操作按钮51B、51C的位置因距离Db、Dc与磁通密度Bb、Bc的关系的不同而产生的偏移(偏差)小于图6所示的比较例的该偏移。

如上述的那样，在本实施方式中，能够抑制切换电能向处置器具2的供给状态时的、操作按钮51的位置因距离D与磁通密度B的关系的变化而产生的变化(偏差)。因而，即使在传感器41中的距离D与磁通密度B的关系例如由于连接体5、6之间的安装精度、使用处置器具2的环境的温度等而发生了变动(变化)的情况下，也能够抑制切换电能向处置器具2的供给状态时的操作按钮51的位置的偏差，从而确保操作按钮51的操作性。

(第二实施方式)

使用图8和图9来说明第二实施方式。图8是示出在本实施方式的阈值Bth1、Bth2的设定中由处理器21进行的处理的流程图。在图8中，作为例子，示出在设定与传感器41A对应的阈值Bath1、Bath2时由处理器21进行的处理。图8的阈值Bath1、Bath2的设定是在不能从能源装置3输出用于使处置器具2工作的电能的状态下进行的。处理器21针对传感器41中的各个传感器设定对应的阈值Bth1(Bath1～Bcth1中的一个)、Bth2(Bath2～Bcth2中的一个)。

在本实施方式中也是，在S101中获取磁通密度Ba。在获取磁通密度Ba时，使操作按钮51A位于初始位置Pae。然后，在S102中，将所获取到的磁通密度Ba设定为操作按钮51A位于初始位置Pae的状态下的磁通密度Bae。此外，被设定为磁通密度Bae的磁通密度Ba可以被存储在存储介质22中。然后，在本实施方式中，处理器21判断是否被进行了获取磁通密度Ba的指示输入(S111)。在没有被输入获取指示的情况下(S111-“否”)，处理器21进行待机，直到在S111中判断为被输入了获取指示为止。获取指示例如在设置于能源装置3的触摸面板等操作输入部进行输入。

在被进行了获取指示的情况下(S111-“是”)，处理器21获取传感器41A处的磁通密度Ba(S112)。此时，在操作按钮51A位于按下位置Pas的状态下获取磁通密度Ba。然后，处理器21将所获取到的磁通密度Ba设定为操作按钮51A位于按下位置Pas的状态下的磁通密度Bas(S113)。此外，被设定为磁通密度Bas的磁通密度Ba可以被存储在存储介质22中。

处理器21使用磁通密度Bae、Bas来计算第一阈值Bath1(S114)。在S114中，通过对磁通密度Bae与磁通密度Bas的中间值加上规定的值(第三值)K3a，来计算阈值Bath1。然后，处理器21使用磁通密度Bae、Bas来计算第二阈值Bath2(S115)。在S115中，通过从磁通密度Bae与磁通密度Bas的中间值减去规定的值(第三值)K3a，来计算阈值Bath2。规定的值K3a被设定为使阈值Bath1、Bath2为从磁通密度Bae至磁通密度Bas的范围内的值。即，阈值Bath2与阈值Bath1之差(2·K3a)小于磁通密度Bas与磁通密度Bae之差。规定的值K3a例如被存储在存储介质22中。在S114、S115中计算出的阈值Bath1、Bath2例如被存储在存储介质22中。然后，处理器21结束阈值Bath1、Bath2的设定。而且，与阈值Bath1、Bath2的设定同样地，处理器21分别进行阈值Bbth1、Bbth2以及阈值Bcth1、Bcth2的设定。

图9是针对某一个传感器41示出传感器41同对应的磁体52之间的距离D与传感器41处的磁通密度B的关系的图。在图9中，作为例子，示出传感器41A同磁体52A之间的距离Da与传感器41A处的磁通密度Ba的关系。在图9中，横轴表示距离Da，纵轴表示磁通密度Ba。

在本实施方式中，在S101、S102的处理中获取磁通密度Bae，在S112、S113的处理中获取磁通密度Bas。在此，操作按钮51A位于初始位置Pae的状态下的磁通密度Bae以及操作按钮51A位于按下位置Pas的状态下的磁通密度Bas根据距离Da与磁通密度Ba的关系的不同而变化。因而，状态L1下的磁通密度Bae-1与状态L2下的磁通密度Bae-2互不相同。另外，状态L1下的磁通密度Bas-1与状态L2下的磁通密度Bas-2互不相同。处理器21获取磁通密度Bae、Bas来作为距离Da与磁通密度Ba的关系。

另外，在S114的处理中，基于磁通密度Bae、Bas来计算阈值Bath1。另外，在S115的处理中，基于磁通密度Bae、Bas来计算阈值Bath2。即，处理器21基于所获取到的距离Da与磁通密度Ba的关系(磁通密度Bae、Bas)，来计算阈值Bath1、Bath2。因此，如图9所示，状态L1下的磁通密度Ba为阈值Bath1-1时的距离Dath1-1与状态L2下的磁通密度Ba为阈值Bath1-2时的距离Dath1-2之差(偏移)小于图6所示的比较例的距离Dath1-1A与距离Dath1-2A之差。另外，状态L1下的磁通密度Ba为阈值Bath2-1时的距离Dath2-1与状态L2下的磁通密度Ba为阈值Bath2-2时的距离Dath2-2之差(偏移)小于图6所示的比较例的距离Dath2-1A与距离Dath2-2A之差。因而，在本实施方式中，也与第一实施方式同样地，即使在传感器41A中的距离Da与磁通密度Ba的关系发生了变动(变化)的情况下，也能够抑制切换电能向处置器具2的供给状态时的操作按钮51A的位置的偏差，从而确保操作按钮51A的操作性。

另外，在本实施方式中，规定的值K3a被设定为使阈值Bath1、Bath2为从磁通密度Bae至磁通密度Bas的范围内的值。因此，磁通密度Ba为阈值Bath1、Bath2时的距离Dath1、Dath2被设定在从距离Dae至距离Das的范围内。因而，在本实施方式中，通过将阈值Bath1、Bath2设定在从磁通密度Bae至磁通密度Bas之间的操作按钮51A的移动范围内，切换电能向处置器具2的供给状态时的操作按钮51A的位置可靠地位于操作按钮51A的移动范围内。

另外，与设定传感器41A中的阈值Bath1、Bath2同样地，处理器21分别设定传感器41B中的阈值Bbth1、Bbth2以及传感器41C中的阈值Bcth1、Bcth2。因此，关于传感器41B、41C，也能够获得与传感器41A同样的效果。

(第三实施方式)

使用图10来说明第三实施方式。在本实施方式中，通过制造时的检查试验等，将针对传感器41中的各个传感器的距离D与磁通密度B的关系预先存储在存储介质22中。

图10是示出在第三实施方式的处置系统1中设定阈值Bth1、Bth2时由处理器21进行的处理的流程图。在图10中，作为例子，示出在设定与传感器41A对应的阈值Bath1、Bath2时由处理器21进行的处理。图10的阈值Bath的设定是在不能从能源装置3输出用于使处置器具2工作的电能的状态下进行的。处理器21针对传感器41中的各个传感器设定对应的阈值Bth1(Bath1～Bcth1中的一个)、Bth2(Bath2～Bcth2中的一个)。

处理器21从存储介质22获取针对传感器41A的距离Da与磁通密度Ba的关系(S121)。在本实施方式中，例如在制造处置器具2时测量距离Da与磁通密度Ba的关系，并将测量出的关系存储到存储介质22中。然后，处理器21基于所获取到的关系，来获取规定的距离Dax1处的磁通密度Bax1(S122)。距离Dax1小于初始位置Pae处的距离Dae且大于按下位置Pae处的距离Das。另外，距离Dax1例如被存储在存储介质22中。然后，处理器21将距离Dax1处的磁通密度Bax1设定为阈值Bath1(S123)。

然后，处理器21基于所获取到的关系，来获取规定的距离Dax2处的磁通密度Bax2(S124)。距离Dax2小于初始位置Pae处的距离Dae且大于距离Dax1。另外，距离Dax2例如被存储在存储介质22中。然后，处理器21将距离Dax2处的磁通密度Bax2设定为阈值Bath2(S125)。

在本实施方式中，在操作按钮51A移动到使磁体52A与传感器41A之间的距离Da为规定的距离Dax1、Dax2的位置时，切换电能向处置器具2的输出状态。因而，通过任意地设定存储介质22中存储的规定的距离Dax1、Dax2，能够同距离Da与磁通密度Ba的关系无关地将切换电能向处置器具2的供给状态时的操作按钮51A的位置设定在期望的位置。

在本实施方式中，通过基于所存储的距离D与磁通密度B的关系来设定阈值Bth1、Bth2，从而可靠地防止切换电能向处置器具2的供给状态时的操作按钮51A的位置由于距离D与磁通密度B的关系的变化而发生变化(偏移)。

(第四实施方式)

使用图11和图12来说明第四实施方式。在本实施方式中，在从连接体5、6之间被连接的时间点起到使末端执行器14与处置对象接触为止的期间中的任意的时刻(时间点)，处理器21识别第一连接体5所具备的末端执行器14的种类。而且，处理器21基于所识别出的末端执行器14的种类，来设定与用于使处置器具2工作的电能的输出有关的参数。

图11是示出在第四实施方式中的末端执行器14的种类的识别以及与电能的输出有关的参数的设定中由处理器21进行的处理的流程图。末端执行器14的种类的识别以及与输出有关的参数的设定是在操作按钮51中的各个操作按钮位于初始位置Pe的状态且不能从能源装置3输出用于使处置器具2工作的电能的状态下进行的。

处理器21获取某个传感器41(41A～41C中的一个)处的磁通密度B(Ba～Bc中的对应的一个)(S131)。在图11中，作为例子，设为获取传感器41A处的磁通密度Ba来进行说明。处理器21将所获取到的磁通密度Ba设定为操作按钮51A位于初始位置Pae的状态下的磁通密度Bae(S132)。此外，被设定为磁通密度Bae的磁通密度Ba可以被存储在存储介质22中。

另外，在存储介质22中存储有表示磁通密度Bae与末端执行器14的种类的关系的表等。处理器21基于磁通密度Bae以及所存储的磁通密度Bae与末端执行器14的种类的关系等，来识别末端执行器14的种类(S133)。

然后，处理器21基于S133中的末端执行器14的种类的判断结果，来设定与用于使处置器具2工作的电能的输出有关的参数(S134)。与输出有关的参数例如包括电能的输出电平、对处置对象施加的处置能量的种类或者用于将电能的供给在断开状态与接通状态之间切换的阈值等。然后，处理器21结束末端执行器14的种类的识别以及与电能的输出有关的参数的设定。

图12是针对某一个传感器41示出传感器41同对应的磁体52之间的距离D与传感器41处的磁通密度B的关系的图。在图12中，作为例子，示出传感器41A同磁体52A之间的距离Da与传感器41A处的磁通密度Ba的关系。在图12中，横轴表示距离Da，纵轴表示磁通密度Ba。

在图12中，针对状态L3～L5分别示出关系。在状态L3～L5下，设置于连接体5的末端执行器14的种类(形状)互不相同。另外，在状态L3～L5下，磁体52A产生的磁场的强度互不相同。因此，在状态L3～L5下，距离Da与磁通密度Ba的关系互不相同。因而，在状态L3～L5下，磁通密度Bae(Bae-3～Bae-5)互不相同。

在本实施方式中，在S131、S132的处理中，获取磁通密度Bae。处理器21获取磁通密度Bae来作为距离Da与磁通密度Ba的关系。然后，在S133的处理中，基于所获取到的距离Da与磁通密度Ba的关系(磁通密度Bae)，来识别末端执行器14的种类。然后，在S134的处理中，基于所识别出的末端执行器14的种类，来设定与向处置器具2供给的电能的输出有关的参数。

像这样，在本实施方式中，由处理器21进行适合于设置于连接体5的末端执行器14的种类(形状)的输出设定。因此，能够省去手术操作者根据末端执行器14的种类进行输出模式等的设定的工夫。

(第五实施方式)

使用图13和图14来说明第五实施方式。在本实施方式中，在从连接体5、6之间被连接的时间点起到使末端执行器14与处置对象接触为止的期间中的任意的时刻(时间点)，处理器21识别第一连接体5所具备的操作按钮51的数量和位置。然后，处理器21基于操作按钮51的数量和位置，来设定与用于使处置器具2工作的电能的输出有关的参数。

图13是示出在第五实施方式的处置系统1中的操作按钮51的数量和位置的识别以及与电能的输出有关的参数的设定中由处理器21进行的处理的流程图。操作按钮51的数量和位置的识别以及与电能的输出有关的参数的设定是在不能从能源装置3输出用于使处置器具2工作的电能的状态下进行的。

在本实施方式中，基于标识符Na、Nb、Nc来识别操作按钮51的数量和位置。处理器21针对传感器41(41A～41C)中的各个传感器获取磁通密度B(Ba～Bc)(S141)。另外，处理器21将标识符Na、Nb、Nc设定为0(S142)。此外，所设定的标识符Na、Nb、Nc可以被存储在存储介质22中。

处理器21判断磁通密度Ba是否为阈值Bamin以上(S143)。在磁通密度Ba为阈值Bamin以上的情况下(S143-“是”)，处理器21将操作按钮51A的标识符Na设定为1(S144)。所计算出的按钮数量N可以被存储到存储介质22中。在磁通密度Ba小于阈值Bamin的情况下(S143-“否”)，处理进入S145，处理器21进行后述的S145之后的处理。

在此，阈值Bamin被设定为相比于操作按钮51A位于初始位置Pae的状态下的磁通密度Bae而言足够小的值。另外，阈值Bamin被设定为相比于在与传感器41A相向的位置没有设置操作按钮51A(磁体52A)的状态下的磁通密度Ba而言足够大的值。因而，在设置了与传感器41A对应的操作按钮51A的情况下，磁通密度Ba大于阈值Bamin，将标识符Na设定为1(S144)。另外，在没有设置与传感器41A对应的操作按钮51A的情况下，磁通密度Ba小于阈值Bamin，标识符Na维持被设定为0的状态(S143-“否”)。

然后，处理器21针对磁通密度Bb、Bc分别进行与在S143、S144中针对磁通密度Ba进行的处理同样的处理(S145～S148)。由此，针对传感器41B和传感器41C分别判断在相向的位置是否存在操作按钮51。

处理器21基于在S141～S148的处理中设定的标识符Na、Nb、Nc，来设定与用于使处置器具2工作的电能的输出有关的参数(S149)。然后，处理器21将所设定的参数存储到存储介质22中。与输出有关的参数例如包括输出电能时的电能的输出电平、对处置对象施加的处置能量的种类、或者用于将电能的供给在断开状态与接通状态之间切换的阈值等。然后，处理器21结束按钮数量的识别以及与电能的输出有关的参数的设定。

图14是示出安装有具备两个操作按钮51(52A、52B)的连接体5的一例的图。另外，在第二连接体6设置有三个传感器41(41A～41C)。在图14所示的一例中，在安装了连接体5的状态下，在与传感器41A相向的位置设置有操作按钮51A。因而，传感器41A处的磁通密度Ba与操作按钮51A的位置无关地大于阈值Bamin。因此，在S143的处理中判断为存在操作按钮51A，在S144的处理中将标识符Na设定为1。然后，将标识符Na＝1存储到存储介质22中。

另外，在与传感器41B相向的位置设置有操作按钮51B。因而，传感器41B处的磁通密度Bb与操作按钮51B的位置无关地大于阈值Bbmin。因此，在S145的处理中判断为存在操作按钮51B，在S146的处理中将相加的标识符Nb设定为1。然后，将标识符Nb＝1存储到存储介质22中。

在与传感器41C相向的位置没有设置操作按钮51(C)。因此，传感器41C处的磁通密度Bc小于阈值Bcmin。因此，在S147的处理中判断为不存在操作按钮51(C)。因此，标识符Nc维持被设定为0的状态。

然后，在S149的处理中，基于所存储的标识符Na、Nb、Nc，来设定与用于使处置器具2工作的电能的输出控制有关的参数。在此，判断为存在操作按钮51A和操作按钮51B，从而设定与设置两个操作按钮51A、51B的处置器具2对应的参数。

在本实施方式中，针对传感器41A～41C中的各个传感器判断是否存在对应的操作按钮51，基于操作按钮51的数量、位置以及数量与位置的组合等中的至少一方，来设定与用于使处置器具2工作的电能的输出控制有关的参数。而且，将参数设定为能够进行适合于所判断出的操作按钮51的数量、位置以及数量与位置的组合等的输出的状态。

在本实施方式中，由处理器21进行适合于设置于连接体5的操作按钮51的数量、位置以及数量与位置的组合等的输出设定。因此，省去手术操作者根据按钮数量N进行输出模式等的设定的工夫。在上述的实施方式等中，控制装置(3)与处置器具(2)一起使用，对用于使所述处置器具(2)工作的电能向所述处置器具(2)的供给进行控制，所述处置器具(2)具备具有磁体(52)的操作输入件(51)以及用于探测磁通密度(B)的传感器(41)，基于利用所述操作输入件(51)进行的操作，所述操作输入件(51)与所述磁体(52)一起移动，由此所述传感器(41)处的所述磁通密度(B)发生变化，其中，控制装置(3)具备处理器(21)，所述处理器(21)获取所述传感器(41)同所述操作输入件(51)之间的距离(D)与所述磁通密度(B)的关系，所述处理器(21)基于所述关系，来设定用于将所述电能的所述供给在接通状态与断开状态之间切换的阈值(Bth)。

此外，本申请发明不限定于上述实施方式，在实施阶段，能够在不脱离其宗旨的范围内进行各种变形。另外，各实施方式也可以在可能的范围内适当地进行组合来实施，在该情况下，能够得到组合的效果。并且，在上述实施方式中包括各种阶段的发明，能够通过公开的多个技术特征的适当组合而提取出各种各样的发明。