具体实施方式

在以下的段落中对实施方式进行说明。其他实施方式也可以包括替代例、同等例及变形例。此外，说明上的实施方式可能包含一些新的特征，并且，特定的特征在这里记载的装置、系统、方法的某些实施方式中也可以不是必须的。

图1A表示医用成像系统10的例示性的实施方式。医用成像系统10具备至少1个磁共振成像法(MRI)装置100、分别是特别地构成的计算装置(例如，特别构成的台式计算机、特别构成的笔记本型计算机、特别构成的服务器)的1个或多个图像生成装置110和显示装置120。

MRI装置100构成为，使用磁共振成像法对目标(例如患者)的区域(例如，区、体积、切片)进行扫描，取得扫描数据。1个或多个图像生成装置110从MRI装置100取得扫描数据，基于扫描数据生成目标的区域的图像。在1个或多个图像生成装置110生成图像后，1个或多个图像生成装置110将图像向显示图像的显示装置120发送。

图1B表示图1A所示的MRI装置100的例示性的实施方式的沿着线A－A的截面模型图。MRI装置100收容生成静磁场(B₀磁场)的主磁铁102。主磁铁102是中空的圆筒状。此外，MRI装置100具备梯度磁场线圈103，也可以具备1个或多个RF全身用线圈104。MRI装置100也可以将梯度磁场线圈103和RF全身用线圈104收容(收容到例如主磁铁102的内周上)。也可以除了MRI装置100中包含的RF全身用线圈104以外，还将1个或多个RF线圈130(例如，相控阵列线圈、表面线圈)收容到其他的线圈收容装置105、或毡、罩、置于患者上的护罩等的壳体中。MRI装置100或其他的特别构成的计算装置能够作为RF线圈130的控制装置发挥功能。

RF线圈包括RF发送线圈、RF接收线圈和RF收发线圈。RF发送线圈生成用来生成与B₀磁场垂直的B₁磁场的RF脉冲。使宏观磁化(net magnetization：净磁化)旋转，以使其从具有B₀磁场的基准远离，结果产生横磁化进动(transverse precessing magnetization)。RF发送线圈也可以构成为，以拉摩尔频率(Larmor frequency)ω_r使B₁磁场振动，结果产生生成横磁场的进动磁化(precessing magnetization)。拉摩尔频率ω_r依存于进动系统(precessing system)(例如，构成扫描对象目标的物质的原子核)的质量及B₀磁场的强度。

RF接收线圈检测经由生成感应电动势(EMF)的电磁感应的由B₁磁场带来的进动磁化。检测到的感应EMF也可以作为扫描数据使用，或者扫描数据也可以是基于检测到的感应EMF的其他的数据。此外，RF收发线圈是将RF发送线圈与RF接收线圈的功能组合的线圈。

RF接收线圈、RF发送线圈、RF收发线圈是具备已调谐的电气零件的共振电路(例如LC共振电路)。已调谐的RF线圈具有RF线圈的共振频率与希望的频率(例如，构成患者的组织的物质的自旋的核磁共振的频率)一致的电容(C)(以及，有时与电容同样是电感(L))。在该共振频率下，由进动磁化带来的较小的外部摄动(small external perturbation)从RF线圈产生较大的响应。RF线圈具备形成RF线圈元件的3个以上的导电体。

图2A表示RF线圈的例示性的实施方式。RF线圈230具备构成RF线圈元件的3个电介质覆盖导体231A～C(例如覆盖导体)。各电介质覆盖导体231A～C具备单独的导电体(例如传送线)。这样，RF线圈230具备3个导电体232A～C(总括地称作“导电体232”)，导电体232被以局部并联的方式(或者，以2个导电体的2个最接近部分间的距离遍及导电体232的长度为一定或大致一定的方式)、以及形成闭RF环的方式排列。即，导电体232在空间上相互平行。例如，导电体232也可以是铜线、柔性PCB基板的最上面或底面上的1个或多个铜层、被聚酰亚胺(Polyimide)或电介质材料的薄层夹着的1个或多个铜层、铜配线或其他的导电性材料。在这里记载的本实施方式及其他实施方式中，导电体232的轨距(截面直径)的至少某些也可以相同，或者该轨距也可以全部相互不同。此外，导电体232也可以由多个较小的导电体(例如被扭绞的多个线)构成。

在本实施方式中，各导电体232被单独的电介质材料234A～C(总括地称作“电介质材料234”)覆盖(例如，安装着外套或被包裹)。即，导电体232沿着RF线圈元件的长度(长度方向)，通过独立的多个距离及1个或多个电介质材料相互电气地分离。第1电介质材料234A、第2电介质材料234B、第3电介质材料234C中的至少某些也可以是相同的电介质材料，或者也可以全部相互不同。图2B表示图2A所示的RF线圈230的沿着线A－A的截面图。如图2B所示，在导电体各自中，与长度的方向垂直的截面的形状相对于导电体各自的轴芯具有各向同性。即，RF线圈元件由相对于自身的轴芯各向同性的构造体形成。因此，具有导电体的RF线圈元件具有能够向任意的方向弯曲的挠性。换言之，RF线圈元件由能够容许向任意的方向弯曲的构造体构成。

导电体232的端部与B₀匀场电路241、B₁匀场电路242、匹配及去耦电路243、至少1个电容器244中的1个或多个耦合(例如连接)。例如，在RF线圈中，在3个以上的导电体具有第1导电体、第2导电体和第3导电体的情况下，该RF线圈具备连接在第1导电体上的第1匀场电路和连接在第2导电体上的第2匀场电路。例如，在第1匀场电路是B₀匀场电路241的情况下，第2匀场电路是B₁匀场电路242。RF线圈230的例示性的实施方式仅具有单一断点的电容器244。在本实施方式中，第1导电体232A具有(i)与电容器244以和匹配及去耦电路243连接的第1端和(ii)与B₁匀场电路242连接的第2端。第2导电体232B具有(i)与B₀匀场电路241连接的第1端和(ii)与B₀匀场电路241连接的第2端。第3导电体232C具有(i)与B₁匀场电路242连接的第1端和(ii)与电容器244和匹配及去耦电路243连接的第2端。

电介质材料234遍及RF线圈230的长度维持导电体232的电气分离，但导电体232具有相互重叠的电容。例如，图2C表示图2A的RF线圈230的相互重叠的电容的1个区域。由于第1导电体232A通过电介质材料而与第2导电体232B分离，沿着RF线圈230的长度(例如，RF线圈230的圆周、RF线圈230的外周)与第2导电体232B重叠，所以第1导电体232A及第2导电体232B在重叠的区域239中生成相互重叠的电容。导电体232间的相互重叠的电容能够作为沿着RF线圈230的长度的1个或多个追加的断点电容器发挥功能。

如果设半径r_a的线A和半径r_b的线B平行，离开了距离D，则线A与线B之间的电容C可以如以下这样记载。

[数式1]

这里，ε是介电常数，L是重叠长度。在D>>r_a及r_b的情况下，为下式。

[数式2]

RF线圈230、第1导电体232A、第2导电体232B、电介质材料234的参数也可以通过构成与导电体232之间的相互重叠的电容的结构来选择，以将RF线圈230调谐。参数例如有RF线圈230的尺寸(例如直径)、RF线圈230的形状、导电体232间的距离、构成导电体232的物质、导电体232的截面直径(轨距)、导电体232的长度、导电体232的重叠的长度、构成电介质材料234的物质、电介质材料234的厚度、电容器244的电容。

切换电路(例如控制装置的切换电路)能够使得B₀匀场电路241、B₁匀场电路242、匹配及去耦电路243成为可使用，或者能够通过其他的方法设为有效。在为有效的情况下(例如，在向RF线圈230供给电流或电压的情况下)，B₀匀场电路241使RF线圈230生成将B₀磁场内的变动(variance)补偿的磁场。在为有效的情况下，B₁匀场电路242使RF线圈230执行B₁匀场。进而，这里记载的RF线圈230及其他的RF线圈的某些实施方式不具备B₀匀场电路241、不具备B₁匀场电路242、或者B₀匀场电路241或B₁匀场电路242的哪个都不具备。

此外，在为有效的情况下，匹配及去耦电路243的某些实施方式使RF线圈作为RF发送线圈、RF接收线圈、RF收发线圈中的1个或多个发挥功能。进而，这里记载的RF线圈230及其他RF线圈的某些实施方式构成为，仅作为发送线圈发挥功能，这里记载的RF线圈230及其他的RF线圈的某些实施方式构成为，仅作为接收线圈发挥功能。匹配及去耦电路243也可以为了RF线圈230与其他电路(例如低噪声放大器等的放大器)的阻抗匹配或噪声匹配而使用。此外，在RF线圈230的阵列(例如，图15A～15H所示的阵列)中，匹配及去耦电路243将该阵列的RF线圈230去耦(例如，减少基于互感的耦合)。

图2D表示其他的例示性的实施方式的图2A的RF线圈的部件间的连接。在本实施方式中，电容器244的一侧连接在第1导电体232A和第2导电体232B的两者上，电容器244的另一侧仅连接在第3导电体232C上。

此外，RF线圈也可以是由下述的实施方式表示的其他结构。

图3A表示RF线圈的例示性的实施方式。图3B表示图3A所示的RF线圈的沿着线A－A的截面图。RF线圈330(如图2A的RF线圈23那样)形成环，但在图3A中没有图示RF线圈330的电容器344的相反侧的一半。

本实施方式与图2A所示的实施方式类似，但电介质覆盖导体331A～C(例如以三重螺旋)被扭绞、或被用其他的方法扭绞。因此，RF线圈330的截面图不同。图3A所示的RF线圈的某些实施方式中，电介质覆盖导体331A～C没有被扭绞，但具有与图3B所示的截面图类似或相同的截面图。

电介质覆盖导体331A～C的扭绞也是为了将RF线圈330调谐而可调整的参数。电介质覆盖导体331A～C分别具备导电体332A～C和电介质材料334A～C。电介质材料334A～C的至少某些也可以相同，或者也可以全部不同。导电体332A～C被扭绞，但导电体332A～C中的任意的2个的2个最接近部分间的距离也可以遍及导电体332A～C的长度是一定的，或者也可以是大致一定的。

导电体332A～C的端部与B₀匀场电路341、B₁匀场电路342、匹配及去耦电路343、电容器344中的1个或多个连接。在本实施方式中，第1导电体332A具有(i)与电容器344和匹配及去耦电路343连接的第1端和(ii)与B₁匀场电路342连接的第2端。第2导电体332B具有(i)与B₁匀场电路342连接的第1端和(ii)与电容器344和匹配及去耦电路343连接的第2端。第3导电体332C具有(i)与B₀匀场电路341连接的第1端和(ii)与B₀匀场电路341连接的第2端。

此外，在RF线圈330的其他实施方式中，如方框349所示，电容器344和匹配及去耦电路343的结构也可以不同。图3C表示RF线圈的电路的例示性的实施方式。该电路表示方框349所示的电路的其他实施方式。该实施方式具备从具备匹配电路的匹配网络346分离的去耦或调谐电路345。此外，该实施方式具备2个电容器344A～B。进而，方框349所示的电路的该实施方式也可以与RF线圈330的其他实施方式(例如，这里说明的其他实施方式)一起使用。

此外，在这里说明的本实施方式及其他实施方式中，B₀匀场电路341、B₁匀场电路342、匹配及去耦电路343与控制它们的动作的控制装置(例如，MRI装置、特别构成的计算装置)结合。

图4A表示RF线圈的例示性的实施方式，图4B表示图4A所示的RF线圈的沿着线A－A的截面图。RF线圈430具备2个电介质覆盖导体431B～C和没有被电介体覆盖的其他的导电体432A。2个电介质覆盖导体431B～C和其他的导电体432A形成RF线圈元件。此外，各电介质覆盖导体431B～C分别具备导电体432B～C和电介质材料434B～C。电介质材料434B～C既可以相同，或者也可以相互不同。这样，RF线圈430具备形成闭RF环的3个导电体432A～C。

导电体432B的1个具有非连接端433B(例如浮动端(floating end))。具有非连接端433B的导电体432B的长度能够调整，能够将该调整用于RF线圈430的调谐。

导电体432A～C的另一端与B₀匀场电路441、B₁匀场电路442、匹配及去耦电路443、电容器444中的1个或多个连接。在本实施方式中，第1导电体432A具有(i)与B₁匀场电路442连接的第1端和(ii)与电容器444和匹配及去耦电路443连接的第2端。第2导电体432B具有(i)与电容器444和匹配及去耦电路443连接的第1端和(ii)非连接端433B。第3导电体432C具有(i)与B₀匀场电路441连接的第1端和(ii)与B₀匀场电路441及B₁匀场电路442连接的第2端。

图4C表示其他实施方式的图4A所示的RF线圈的沿着线A－A的截面图。在本实施方式中，没有被电介体覆盖的导电体432被配置为与其他的2个导电体432同距离或大致同距离。

图5A表示RF线圈的例示性的实施方式，图5B表示图5A所示的RF线圈的沿着线A－A的截面图。RF线圈530具备包括构成RF线圈元件的第1电介质覆盖导体531A、第2电介质覆盖导体531B、第3电介质覆盖导体531C(总括地称作“电介质覆盖导体531”)的3个电介质覆盖导体。电介质覆盖导体531被配置为二轴(Twinax)构造。例如，3个以上的导电体中的一个导电体(导电体532A)由将铜线、铁线或铝线等的线状的导体编为网状的编成体形成，将覆盖着3个以上的导电体中的没有形成编成体的导电体(导电体532B、导电体532C)的电介质材料(第2电介质覆盖导体531B、第3电介质覆盖导体531C)包围。这样，第1电介质覆盖导体531A具备将第2电介质覆盖导体531B和第3电介质覆盖导体531C包围的(例如由编成体形成的编织物(braided weave))导电体532A。此外，第2电介质覆盖导体531B和第3电介质覆盖导体531C分别具备分别被电介质材料534B～C包围的导电体532B～C。也可以第1电介质材料534A、第2电介质材料534B、第3电介质材料534C中的至少某些是相同的电介质材料，或者也可以全部不同。由此，RF线圈530具备形成闭RF环的导电体532A～C。

导电体532A～C的端部与B₀匀场电路541、B₁匀场电路542、匹配及去耦电路543、电容器544中的1个或多个连接。在本实施方式中，第1导电体532A具有(i)与B₀匀场电路541连接的第1端和(ii)与B₀匀场电路541连接的第2端。第2导电体532B具有(i)与B₁匀场电路542连接的第1端和(ii)与电容器544和匹配及去耦电路543连接的第2端。第3导电体532C具有(i)与电容器544和匹配及去耦电路543连接的第1端和(ii)与B₁匀场电路542连接的第2端。

图6表示RF线圈的例示性的实施方式。如图5A那样，RF线圈630具备包括以二轴构造配置而构成RF线圈元件的第1电介质覆盖导体631A、第2电介质覆盖导体631B、第3电介质覆盖导体631C的3个电介质覆盖导体631。这样，第1电介质覆盖导体631A具备将第2电介质覆盖导体631B和第3电介质覆盖导体631C包围的导电体632A。即，导电体632A由编成体构成，将分别覆盖着没有形成编成体的2个导电体(632B、632C)的第2电介质覆盖导体631B和第3电介质覆盖导体631C包围。此外，第2电介质覆盖导体631B和第3电介质覆盖导体631C分别具备导电体632B～C。但是，导电体632B～C这2个分别具有非接触端633B～C。

导电体632A～C的另一端分别与B₀匀场电路641、B₁匀场电路642、匹配及去耦电路643、电容器644中的1个或多个连接。在本实施方式中，第1导电体632A具有(i)与B₀匀场电路641连接的第1端和(ii)与B₀匀场电路641、B₁匀场电路642、电容器644、匹配及去耦电路643连接的第2端。第2导电体632B具有(i)与B₁匀场电路642连接的第1端和(ii)非连接端633B。第3导电体632C具有(i)与电容器644和匹配及去耦电路643连接的第1端和(ii)非连接端633C。

图7A表示RF线圈的例示性的实施方式，图7B表示图7A所示的RF线圈的沿着线A－A的截面图。RF线圈730具备包括第1电介质覆盖导体731A、第2电介质覆盖导体731B、第3电介质覆盖导体731C的3个电介质覆盖导体(总括地称作“电介质覆盖导体731”)。电介质覆盖导体731以三轴构造(triaxial configuration)配置，构成RF线圈要素。例如，在3个以上的导电体中，2个导电体(第1导电体732A、第2导电体732B)由将铜线、铁线或铝线等的线状的导体编为网状的编成体形成。此时，由编成体形成的2个导电体中的一个导电体(第2导电体732B)将覆盖3个以上的导电体中的没有形成编成体的导电体(第3导电体732C)的电介质材料(第3电介质材料734C)包围。由编成体形成的2个导电体中的另一个导电体(第1导电体732A)将覆盖上述一个导电体(第2导电体732B)的电介质材料(第2电介质材料734B)包围。这样，第1电介质覆盖导体731A具备将第2电介质覆盖导体731B和第3电介质覆盖导体731C包围的第1导电体732A，第2电介质覆盖导体731B具备将第3电介质覆盖导体731C包围的第2导电体732B。因而，RF线圈730具备形成闭RF环的3个导电体732A～C，3个导电体732A～C被电介质材料734A～C分别直接包围。第1电介质材料734A、第2电介质材料734B、第3电介质材料734C中的至少某些也可以是相同的电介质材料，或者也可以全部不同。

在本实施方式中，第2导电体732B具有非连接端733B，第3导电体732C具有非连接端733C。导电体732A～C的另一端分别与B₀匀场电路741、B₁匀场电路742、匹配及去耦电路743、电容器744中的1个或多个连接。在本实施方式中，第1导电体732A具有(i)与B₀匀场电路741、电容器744、匹配及去耦电路743连接的第1端和(ii)与B₀匀场电路741及B₁匀场电路742连接的第2端。第2导电体732B具有(i)与电容器744和匹配及去耦电路743连接的第1端和(ii)非接触端733B。第3导电体732C具有(i)与B₁匀场电路742连接的第1端和(ii)非接触端733C。

图8A表示RF线圈的例示性的实施方式，图8B表示图8A所示的RF线圈的沿着线A－A的截面图。RF线圈830具备包括第1电介质覆盖导体831A、第2电介质覆盖导体831B、第3电介质覆盖导体831C，构成RF线圈元件的3个电介质覆盖导体(总括地称作“电介质覆盖导体831”)。第2电介质覆盖导体831B和第3电介质覆盖导体831C被以同轴构造配置。第1电介质覆盖导体831A具备第1导电体832A，第2电介质覆盖导体831B具备将第3电介质覆盖导体831C包围的第2导电体832B。此外，第3电介质覆盖导体831C具备第3导电体832C。因而，RF线圈830具备3个导电体832A～C，3个导电体832A～C被电介质材料834A～C分别直接包围。第1电介质材料834A、第2电介质材料834B、第3电介质材料834C中的至少某些也可以是相同的电介质材料，或者也可以全部不同。

在本实施方式中，第1导电体832A具有非连接端833A，第3导电体832C具有非连接端833C。导电体832A～C的另一端分别与B₀匀场电路841、B₁匀场电路842、匹配及去耦电路843、电容器844中的1个或多个连接。在本实施方式中，第1导电体832A具有(i)与电容器844、匹配及去耦电路843连接的第1端和(ii)非连接端833A。第2导电体832B具有(i)与B₀匀场电路841、电容器844、匹配及去耦电路843连接的第1端和(ii)与B₀匀场电路841及B₁匀场电路842连接的第2端。第3导电体832C具有(i)与B₁匀场电路842连接的第1端和(ii)非接触端833C。

RF线圈的某些实施方式具备比3多的导电体。例如，图9A表示RF线圈的例示性的实施方式，图9B表示图9A所示的RF线圈的沿着线A－A的截面图。RF线圈930具备包括第1电介质覆盖导体931A、第2电介质覆盖导体931B、第3电介质覆盖导体931C、第4电介质覆盖导体931D，构成RF线圈元件的4个电介质覆盖导体(总括地称作“电介质覆盖导体931”)。第1电介质覆盖导体931A具备第1导电体932A，第2电介质覆盖导体931B具备第2导电体932B，第3电介质覆盖导体931C具备第3导电体932C，第4电介质覆盖导体931D具备第4导电体932D。因而，RF线圈930具备4个导电体932A～D，4个导电体932A～D被电介质材料934A～D分别覆盖。第1电介质材料934A、第2电介质材料934B、第3电介质材料934C、第4电介质材料934D中的至少某些也可以是相同的电介质材料，或者也可以全部不同。

在本实施方式中，第2导电体932B的一端与第4导电体932D的一端连接。导电体932A～D的另一端与B₀匀场电路941、B₁匀场电路942、匹配及去耦电路943、电容器944中的1个或多个连接。在本实施方式中，第1导电体932A具有(i)与B₁匀场电路942连接的第1端和(ii)与电容器944、匹配及去耦电路943连接的第2端。第2导电体932B具有(i)与第4导电体932D的第2端连接的第1端和(ii)与B₀匀场电路941连接的第2端。第3导电体932C具有(i)与电容器944、匹配及去耦电路943连接的第1端和(ii)与B₁匀场电路942连接的第2端。第4导电体932D具有(i)与B₀匀场电路941连接的第1端和(ii)与第2导电体932B的第1端连接的第2端。

在图9B所示的实施方式中，电介质覆盖导体931局部地平行。此外，电介质覆盖导体931在截面图中以排成一列的方式排列。

图9C表示图9A的其他实施方式的RF线圈的沿着线A－A的截面图。在本实施方式中，4个电介质覆盖导体931以第1导电体932A和第4导电体932D比图9B中的第1导电体932A和第4导电体932D更接近的方式配置。此外，在截面图中，电介质覆盖导体931被配置为，形成钻石形状。

4个电覆盖导体931A～D也可以采取其他的排列。例如，图9D表示图9A的其他实施方式的RF线圈的沿着线A－A的截面图。在截面图中，电介质覆盖导体931以第2电介质覆盖导体931B、第3电介质覆盖导体931C和第4电介质覆盖导体931D形成三角形的方式排列。此外，第2电介质覆盖导体931B与第1电介质覆盖导体931A最接近。这样，在截面图中，电介质覆盖导体931被排列为形成大致的形状。这里，第1电介质覆盖导体931A形成形状的竿，第2电介质覆盖导体931B、第3电介质覆盖导体931C、第4电介质覆盖导体931D形成形状的三角形。

图10A表示RF线圈的例示性的实施方式，图10B表示图10A所示的RF线圈的沿着线A－A的截面图，图10C表示图10A所示的RF线圈的沿着线B－B的截面图。RF线圈1030具备包括第1电介质覆盖导体1031A、第2电介质覆盖导体1031B、第3电介质覆盖导体1031C，构成RF线圈的3个电介质覆盖导体。第1电介质覆盖导体1031A具备第1导电体1032A，第2电介质覆盖导体1031B具备第2导电体1032B，第3电介质覆盖导体1031C具备第3导电体1032C。因而，RF线圈1030具备3个导电体1032A～C，3个导电体1032A～C被电介质材料1034A～C分别覆盖。第1电介质材料1034A、第2电介质材料1034B、第3电介质材料1034C中的至少某些也可以是相同的电介质材料，或者也可以全部不同。

在本实施方式中，第2导电体1032B和第3导电体1032C遍及RF线圈1030的全长(例如，圆周、外周)不延伸，不相互重叠。代之，在本实施方式中，第2导电体1032B和第3导电体1032C分别遍及RF线圈1030的长度的约一半而延伸。但是，在某些实施方式中，第2导电体1032B和第3导电体1032C不是对称的，第2导电体1032B和第3导电体1032C中的1个超过RF线圈1030的一半而延伸，或者，第2导电体1032B和第3导电体1032C的至少1个没有达到RF线圈1030的实质上一半。第2导电体1032B和第3导电体1032C的长度、以及该导电体与第1导电体1032A的重叠的长度能够调整，可以将该调整用于RF线圈1030的调谐。

此外，第2导电体1032B具有非连接端1033B，和与匹配及去耦电路1043、电容器1044连接的端部。第3导电体1032C具有非连接端1033C，和与匹配及去耦电路1043、电容器1044连接的端部。第1导电体1032A具有与B₀匀场电路1041连接的2个端部。进而，某些实施方式除了B₀匀场电路1041以外或代之而具备B₁匀场电路。

图11A表示RF线圈的例示性的实施方式，图11B表示图11A所示的RF线圈的沿着线A－A的截面图，图11C表示图11A所示的RF线圈的沿着线B－B的截面图。RF线圈1130具备包括第1电介质覆盖导体1131A、第2电介质覆盖导体1131B、第3电介质覆盖导体1131C的3个电介质覆盖导体。第1电介质覆盖导体1131A具备第1导电体1132A，第2电介质覆盖导体1131B具备第2导电体1132B，第3电介质覆盖导体1131C具备第3导电体1132C。因而，RF线圈1130具备3个导电体1132A～C，3个导电体1132A～C分别被电介质材料1134A～C覆盖。第1电介质材料1134A、第2电介质材料1134B、第3电介质材料1134C中的至少某些也可以是相同的电介质材料，或者也可以全部不同。

在本实施方式中，第1电介质覆盖导体1131A和第2电介质覆盖导体1131B被配置在同心轴上，第1电介质覆盖导体1131A和第3电介质覆盖导体1131C被配置在同心轴上。此外，在本例中，第2导电体1132B和第3导电体1132C分别仅相对于RF线圈1130的长度的一部分延伸，处于第1电介质覆盖导体1131A的内侧。第2导电体1132B和第3导电体1132C不相互重叠。第2导电体1132B具有非连接端1133B，和与匹配及去耦电路1143、电容器1144连接的端部。第3导电体1132C具有非连接端1133C，和与匹配及去耦电路1143、电容器1144连接的端部。第1导电体1132A具有与B₀匀场电路1141连接的端部。进而，某些实施方式除了B₀匀场电路1141以外或代之而具备B₁匀场电路。

图12A表示RF线圈的例示性的实施方式，图12B表示图12A所示的RF线圈的沿着线A－A的截面图，图12C表示图12A所示的RF线圈的沿着线B－B的截面图。RF线圈1230具备包括第1电介质覆盖导体1231A、第2电介质覆盖导体1231B、第3电介质覆盖导体1231C、第4电介质覆盖导体1231D的4个电介质覆盖导体。第1电介质覆盖导体1231A和第2电介质覆盖导体1231B被配置在同心轴上，第3电介质覆盖导体1231C和第4电介质覆盖导体1231D被配置在同心轴上。第1电介质覆盖导体1231A具备第1导电体1232A，第2电介质覆盖导体1231B具备第2导电体1232B，第3电介质覆盖导体1231C具备第3导电体1232C，第4电介质覆盖导体1231D具备第4导电体1232D。导电体1232A～D被电介质材料1234A～D分别覆盖。第1电介质材料1234A、第2电介质材料1234B、第3电介质材料1234C、第4电介质材料1234D中的至少某些也可以是相同的电介质材料，或者也可以全部不同。

此外，在本实施方式中，第1导电体1232A和第2导电体1232B分别遍及RF线圈1230的长度的约一半而延伸。第3导电体1232C和第4导电体1232D遍及RF线圈1230的长度的另一方的约一半而延伸。第1导电体1232A和第2导电体1232B都沿着RF线圈1230的长度与第3导电体1232C及第4导电体1232D的哪个都不重叠。进而，第3导电体1232C和第4导电体1232D都沿着RF线圈1230的长度与第1导电体1232A和第2导电体1232B的哪个都不重叠。

导电体1232A～D分别具有非接触端1233A～D。此外，第1导电体1232A具有与第1电容器1244A连接的端部，第2导电体1232B具有与匹配及去耦电路1243、第2电容器1244B连接的端部。第3导电体1232C具有与第1电容器1244A连接的端部，第4导电体1232D具有与匹配及去耦电路1243、第2电容器1244B连接的端部。除此以外，根据实施方式，第1电容器1244A的电容也可以与第2电容器1244B的电容相等，或者，第1电容器1244A的电容也可以与第2电容器1244B的电容不同。

图13A表示RF线圈的例示性的实施方式，图13B表示图13A所示的RF线圈的沿着线A－A的截面图，图13C表示图13A所示的RF线圈的沿着线B－B的截面图。RF线圈1330具备包括第1电介质覆盖导体1331A、第2电介质覆盖导体1331B、第3电介质覆盖导体1331C、第4电介质覆盖导体1331D的4个电介质覆盖导体。第1电介质覆盖导体1331A具备第1导电体1332A，第2电介质覆盖导体1331B具备第2导电体1332B，第3电介质覆盖导体1331C具备第3导电体1332C，第4电介质覆盖导体1331D具备第4导电体1332D。导电体1332A～D被电介质材料1334A～D分别覆盖。第1电介质材料1334A、第2电介质材料1334B、第3电介质材料1334C、第4电介质材料1334D中的至少某些也可以是相同的电介质材料，或者也可以全部不同。

在本实施方式中，第1导电体1332A和第2导电体1332B分别遍及RF线圈1330的长度的约一半而延伸。第3导电体1332C和第4导电体1332D遍及RF线圈1330的长度的另一方的约一半而延伸。第1导电体1332A和第2导电体1332B都沿着RF线圈1330的长度与第3导电体1332C和第4导电体1332D的哪个都不重叠。进而，第3导电体1332C和第4导电体1332D都沿着RF线圈1330的长度与第1导电体1332A和第2导电体1332B的哪个都不重叠。但是，在某些实施方中，第1导电体1332A和第3导电体1332C不对称，第2导电体1332B和第4导电体1332D不对称，或者，导电体1332A～D中的至少1个没有达到RF线圈1330的长度的实质上一半。

导电体1332A～D分别具有非连接端1333A～D。此外，第1导电体1332A具有与第1电容器1344A和匹配及去耦电路1343连接的端部，第2导电体1332B具有与第2电容器1344B连接的端部。第3导电体1332C具有与第1电容器1344A、匹配及去耦电路1343连接的端部，第4导电体1332D具有与第2电容器1344B连接的端部。除此以外，根据实施方式，第1电容器1344A的电容也可以与第2电容器1344B的电容相等，或者，第1电容器1344A的电容也可以与第2电容器1344B的电容不同。

RF线圈的某些实施方式具有与图2A、图3A、图4A、图5A、图6、图7A、图8A、图9A、图10A、图11A、图12A、图13A的形状不同的形状。例如，图14A～图14I表示RF线圈1430的形状的例示性的实施方式。如图14A～图14I所示，RF线圈1430的形状例如是蝴蝶形、矩形、螺线管形、正方形、椭圆、平行四边形、梯形、多边形、圆形中的1个形状。RF线圈的形状与其他参数同样能够选择，为了特定的应用(例如，RF发送线圈、RF接收线圈、RF收发线圈)而构成。

此外，也可以将多个RF线圈配置为RF线圈阵列。图15A～图15H表示RF线圈阵列的例示性的实施方式。如由图15A的例示性的实施方式表示那样，某些RF线圈阵列具备不重叠的RF线圈1530。并且，如由图15B～图15H表示那样，某些RF线圈阵列具备以各种重叠量及配置而重叠的RF线圈1530。为了操作RF线圈阵列而使用的匀场电路、匹配及去耦电路、控制方法可以根据不同的应用而构成。例如，也可以基于MRI装置的参数、扫描样式、被扫描的患者或目标的解剖学的构造、被扫描的材料(例如组织)、RF线圈阵列内的RF线圈1530的位置及朝向(包括RF线圈阵列被配置在被扫描的目标(例如患者)的周围时的位置及朝向)中的1个或多个，来构成匀场电路、匹配及去耦电路、控制方法。

图16A表示RF线圈的例示性的实施方式，图16B表示图16A所示的导电体间的电容。RF线圈1630具备包括第1电介质覆盖导体1631A、第2电介质覆盖导体1631B、第3电介质覆盖导体1631C的3个电介质覆盖导体。第1电介质覆盖导体1631A具备第1导电体1632A，第2电介质覆盖导体1631B具备第2导电体1632B，第3电介质覆盖导体1631C具备第3导电体1632C。电容器1644的一端与第1导电体1632A及第2导电体1632B的两者连接，电容器1644的另一端与第3导电体1632C连接。

在图16A中，第1导电体1632A、第2导电体1632B、第3导电体1632C分别具有非连接端1633A～C。但是，在某些实施方式中，非连接端1633A～C中的至少1个与1个或多个其他电路(例如，匹配及去耦电路、B₀匀场电路、B₁匀场电路)连接。同样，与电容器1644连接的第1导电体1632A、第2导电体1632B、第3导电体1632C的端部中的至少1个也可以也与1个或多个其他电路连接。

第1导电体1632A与第3导电体1632C之间的分布电容是C_AC。此外，第2导电体1632B与第3导电体1632C之间的分布电容是C_BC。因此，合计分布电容C_T是C_T＝C_AC+C_BC。由于2个导电体与电容器1644的一端连接，并且1个导电体与电容器1644的另一端连接，所以RF线圈1630的本实施方式具有比其他实施方式更宽的调谐范围或更高的Q值。这也能够应用于如图17A的RF线圈的实施方式那样具备比3个多的导电体的RF线圈。

图17A表示RF线圈的例示性实施方式，图17B表示图17A所示的导电体间的电容。RF线圈1730具备包括第1电介质覆盖导体1731A、第2电介质覆盖导体1731B、第3电介质覆盖导体1731C、第4电介质覆盖导体1731D的4个电介质覆盖导体。第1电介质覆盖导体1731A具备第1导电体1732A，第2电介质覆盖导体1731B具备第2导电体1732B，第3电介质覆盖导体1731C具备第3导电体1732C，第4电介质覆盖导体1731D具备第4导电体1732D。此外，导电体1732A～D分别具有非连接端1733A～D。

电容器1744的一端与第1导电体1732A及第2导电体1732B的两者连接，电容器1744的另一端与第3导电体1732C及第4导电体1732D的两者连接。

在图17A中，导电体1732A～D分别具有非连接端1733A～D，但在某些实施方式中，非连接端1733A～D中的至少1个与1个或多个其他电路(例如，匹配及去耦电路、B₀匀场电路、B₁匀场电路)连接。同样，与电容器1744连接的第1导电体1732A、第2导电体1732B、第3导电体1732C、第4导电体1732D的端部中的至少1个也可以也与1个或多个其他电路连接。

第1导电体1732A与第3导电体1732C之间的分布电容是C_AC。此外，第1导电体1732A与第4导电体1732D之间的分布电容是C_AD。此外，第2导电体1732B与第3导电体1732C之间的分布电容是C_BC。第2导电体1732B与第4导电体1732D之间的分布电容是C_BD。因此，合计分布电容C_T是C_T＝C_AC+C_AD+C_BC+C_BD。

作为追加，表1表示来自RF线圈的例示性的实施方式的参数。

[表1]

*(例如，如图2D所示)电容器的一侧与3个导电体之中的2个连接，电容器的另一侧仅与3个导电体之中的1个连接。

**(例如，如图2A所示)电容器的一侧仅与3个导电体之中的1个连接，电容器的另一侧仅与3个导电体之中的1个连接。

***某些导电体由多个较小的导电体构成，截面直径是多个较小的导电体的组合的直径。

如上述那样，导电体的长度及重叠，例如如图18A、图18B、图19A、图19B所示，可以为了将RF线圈调谐而调整。

图18A表示RF线圈的例示性的实施方式。RF线圈1830具备包括第1电介质覆盖导体1831A、第2电介质覆盖导体1831B、第3电介质覆盖导体1831C的3个电介质覆盖导体。第1电介质覆盖导体1831A具备第1导电体1832A，第2电介质覆盖导体1831B具备第2导电体1832B，第3电介质覆盖导体1831C具备第3导电体1832C。电容器1844的一端与第1导电体1832A及第2导电体1832B的两者连接，电容器1844的另一端与第3导电体1832C连接。此外，导电体1832A～C分别具有非连接端1833A～C。

在本实施方式中，相对于RF线圈1830的长度(例如，圆周、外周)的导电体1832A～C的延伸量比图16A的导电体1632A～C短。进而，沿着RF线圈1830的长度的导电体1832A～C的相互重叠比图16A的导电体1632A～C的相互重叠小。

在图18A中，导电体1832A～C分别具有非接触端1833A～C，但在某些实施方式中，非连接端1833A～C中的至少1个与1个或多个其他电路(例如，匹配及去耦电路、B₀匀场电路、B₁匀场电路)连接。同样，与电容器1844连接的第1导电体1832A、第2导电体1832B、第3导电体1832C的端中的至少1个也可以也与1个或多个其他电路连接。

图18B表示RF线圈的例示性的实施方式。RF线圈1830具备包括第1电介质覆盖导体1831A、第2电介质覆盖导体1831B、第3电介质覆盖导体1831C的3个电介质覆盖导体。第1电介质覆盖导体1831A具备第1导电体1832A，第2电介质覆盖导体1831B具备第2导电体1832B，第3电介质覆盖导体1831C具备第3导电体1832C。

第2导电体1832B具有非接触端1833B。导电体1832A～C的另一端与B₀匀场电路1841、B₁匀场电路1842、匹配及去耦电路1843、电容器1844中的1个或多个连接。在本实施方式中，第1导电体1832A具有(i)与B₀匀场电路1841连接的第1端和(ii)与B₀匀场电路1841及B₁匀场电路1842连接的第2端。第2导电体1832B具有(i)与电容器1844、匹配及去耦电路1843连接的第1端和(ii)非接触端1833B。第3导电体1832C具有(i)与B₁匀场电路1842连接的第1端和(ii)与电容器1844、匹配及去耦电路1843连接的第2端。

在本实施方式中，具有非接触端1833B的第2导电体1832B相对于RF线圈1830的长度的延伸量比图4A的具有非接触端433的导电体432短。

图19A表示RF线圈的例示性的实施方式。RF线圈1930具备包括第1电介质覆盖导体1931A、第2电介质覆盖导体1931B、第3电介质覆盖导体1931C的3个电介质覆盖导体。第1电介质覆盖导体1931A具备第1导电体1932A，第2电介质覆盖导体1931B具备第2导电体1932B，第3电介质覆盖导体1931C具备第3导电体1932C。

第2导电体1932B和第3导电体1932C分别具有非连接端1933B～C。第2导电体1932B和第3导电体1932C各自的端部与电容器1944连接。此外，第1导电体1932A的端部与1个或多个其他电路(例如，匹配及去耦电路、B₀匀场电路、B₁匀场电路)(在图19A中没有图示)连接。同样，与电容器1944连接的第2导电体1932B和第3导电体1932C的端部中的至少1个也可以也与1个或多个其他电路连接。

与图10A的RF线圈1030形成对照的是，在本实施方式中，第2导电体1932B和第3导电体1932C不是对称或大致对称。代之，第2导电体1932B与第3导电体1932C相比实质上较短，第3导电体1932C超过RF线圈1930的长度的一半而延伸。此外，沿着RF线圈1930的长度的第3导电体1932C与第1导电体1932A的重叠量比第2导电体1932B与第1导电体1932A的重叠量大。

图19B表示RF线圈的例示性的实施方式。RF线圈1930具备包括第1电介质覆盖导体1931A、第2电介质覆盖导体1931B、第3电介质覆盖导体1931C、第4电介质覆盖导体1931D的4个电介质覆盖导体。第1电介质覆盖导体1931A具备第1导电体1932A，第2电介质覆盖导体1931B具备第2导电体1932B，第3电介质覆盖导体1931C具备第3导电体1932C，第4电介质覆盖导体1931D具备第4导电体1932D。

导电体1932A～D分别具有非接触端1933A～D。第1导电体1932A和第3导电体1932C各自的端部与第1电容器1944A连接。第2导电体1932B和第4导电体1932D各自的端部与第2电容器1944B连接。此外，与第1电容器1944A连接的第1导电体1932A和第3导电体1932C的端部中的至少1个也可以与1个或多个其他电路(例如，匹配及去耦电路、B₀匀场电路、B₁匀场电路)(在图19B中没有图示)连接。进而，与第2电容器1944B连接的第2导电体1932B和第4导电体1932D的端部中的至少1个也可以与1个或多个其他电路连接。

与图13A的RF线圈1330形成对照的是，在图19B中，第1导电体1932A和第3导电体1932C不是对称或大致对称，第2导电体1932B和第4导电体1932D不是对称或大致对称。此外，沿着RF线圈1930的长度的第1导电体1932A与第2导电体1932B的重叠量比第3导电体1932C与第4导电体1932D的重叠量大。

图20表示RF线圈的例示性的实施方式。RF线圈2030具备包括第1电介质覆盖导体2031A、第2电介质覆盖导体2031B、第3电介质覆盖导体2031C的3个电介质覆盖导体。第1电介质覆盖导体2031A具备第1导电体2032A，第2电介质覆盖导体2031B具备第2导电体2032B，第3电介质覆盖导体2031C具备第3导电体2032C。导电体2032A～C的端部与B₀匀场电路2041、B₁匀场电路2042、发送/接收电路2048、电容器2044中的1个或多个连接。也可以实施匹配及去耦电路，发送/接收电路2048具备使RF线圈2030作为发送线圈、接收线圈或收发线圈中的1个发挥功能的供给电压或电流的电路。此外，切换电路2049将B₀匀场电路2041、B₁匀场电路2042、发送/接收电路2048起动及停止。

图21表示RF线圈的例示性的实施方式。RF线圈2130具备包括第1电介质覆盖导体2131A、第2电介质覆盖导体2131B、第3电介质覆盖导体2131C的3个电介质覆盖导体。第1电介质覆盖导体2131A具备第1导电体2132A，第2电介质覆盖导体2131B具备第2导电体2132B，第3电介质覆盖导体2131C具备第3导电体2132C。导电体2132A～C的各端部与B₀匀场电路2141、B₁匀场电路2142、第1电容器2144A、第2电容器2144中的1个或多个连接。在本实施方式中，匹配及去耦电路2143经由2个电容器2144A～B与RF线圈2130连接，以使得对于向RF线圈2130的各连接成为1个电容器。RF线圈2130与匹配及去耦电路2143的连接的本实施方式例如可以用于在图3A、图4A、图5A、图6、图7A、图8A、图9A、图10A、图11A、图12A、图13A、图16A、图17A、图18A、图18B中表示的RF线圈等的其他的RF线圈。

图21B表示匹配及去耦电路的例示性的实施方式。在本实施方式中，匹配及去耦电路2143具备第1电容器2144A和第2电容器2144B。匹配及去耦电路2143的某些实施方式仅具备第1电容器2144A和第2电容器2144B中的1个。并且，第1电容器2144A和第2电容器2144B的至少1个也可以是调谐电容器。

图22A表示RF线圈的例示性的实施方式。RF线圈2230具备包括第1电介质覆盖导体2231A、第2电介质覆盖导体2231B、第3电介质覆盖导体2231C的3个电介质覆盖导体。第1电介质覆盖导体2231A具备第1导电体2232A，第2电介质覆盖导体2231B具备第2导电体2232B，第3电介质覆盖导体2231C具备第3导电体2232C。导电体2232A～C的各端部与B₀匀场电路2241、B₁匀场电路2242、匹配及去耦电路2243、电容器2244中的1个连接。在本实施方式中，在匹配及去耦电路2243向RF线圈2230的1个连接中，在匹配及去耦电路2243与RF线圈2230之间有电容器2244。RF线圈2230与匹配及去耦电路2243的连接的本实施方式例如可以用于在图3A、图4A、图5A、图6、图7A、图8A、图9A、图10A、图11A、图12A、图13A、图16A、图17A、图18A、图18B中表示的RF线圈等的其他的RF线圈。

图22B表示匹配及去耦电路的例示性的实施方式。在本实施方式中，匹配及去耦电路2243具备电容器2244。并且，电容器2244也可以是调谐电容器。

图23表示RF线圈的例示性的实施方式。RF线圈2330具备包括第1导电体2332A、第2导电体2332B、第3导电体2332C的3个导电体。第2导电体2332B是第1电介质覆盖导体2331B的部件，第3导电体2332C是第2电介质覆盖导体2331C的部件。导电体2332A～C的端部与B₀匀场电路2341、B₁匀场电路2342、匹配及去耦电路2343、电容器2344中的1个或多个连接。此外，与图4A的RF线圈的实施方式不同，本实施方式不具备非连接端。

图24表示RF线圈的例示性的实施方式。RF线圈2430具备包括第1电介质覆盖导体2431A、第2电介质覆盖导体2431B、第3电介质覆盖导体2431C的3个电介质覆盖导体。电介质覆盖导体2431A～C被配置为同心的三轴构造。这样，第1电介质覆盖导体2431A具备将第2电介质覆盖导体2431B和第3电介质覆盖导体2431C包围的第1导电体2432A，第2电介质覆盖导体2431B具备将第3电介质覆盖导体2431C包围的第2导电体2432B。因而，3个导电体2432A～C被单独的电介质材料分别直接包围。导电体2432A～C的端部与B₀匀场电路2441、B₁匀场电路2442、匹配及去耦电路2443、电容器2444中的1个或多个连接。与图7A的RF线圈的实施方式不同，本实施方式不具备非连接端。

图25表示RF线圈的例示性的实施方式。RF线圈2530具备包括第1电介质覆盖导体2531A、第2电介质覆盖导体2531B、第3电介质覆盖导体2531C的3个电介质覆盖导体。第2电介质覆盖导体2531B和第3电介质覆盖导体2531C被配置为同心轴构造。第1电介质覆盖导体2531A具备第1导电体2532A，第2电介质覆盖导体2531B具备将第3电介质覆盖导体2531C包围的第2导电体2532B。第3电介质覆盖导体2531C具备第3导电体2532C。导电体2532A～C的端部分别与B₀匀场电路2541、B₁匀场电路2542、匹配及去耦电路2543、电容器2544中的1个或多个连接。与图8A的RF线圈的实施方式不同，本实施方式不具备非连接端。

图26A～图26H表示RF线圈的截面图的例示性的实施方式。如图26A～图26H所示，多个导电体被电介质材料的相同的壳体包裹。这可以起到将导电体间的距离保持为希望的距离的作用。

图26A表示具备被电介质材料2634包围的3个导电体2632A～C的电介质覆盖导体组2631的截面图。在本实施方式的截面图中，3个导电体2632A～C形成正三角形或大致正三角形的点。

图26B表示具备被电介质材料2634包围的3个导电体2632A～C的电介质覆盖导体组2631的截面图。在本实施方式的截面图中，3个导电体2632A～C排成一列，第2导电体2632B比第3导电体导电体2632C距第1导电体2632A更近。并且，在本截面图中，电介质材料2634是大致运动场形状(即，带有圆弧的矩形(discorectangle)、伸长的椭圆(obround))。

图26C表示具备被电介质材料2634包围的3个导电体2632A～C的电介质覆盖导体组2631的截面图。在本实施方式的截面图中，3个导电体2632A～C形成等腰三角形或大致等腰三角形的点。

图26D表示具备被电介质材料2634包围的2个导电体2632A～B的电介质覆盖导体组2631的截面图。在本实施方式的截面图中，电介质材料2634是大致运动场形状。

图26E表示具备被电介质材料2634包围的4个导电体2632A～D的电介质覆盖导体组2631的截面图。在本实施方式的截面图中，4个导电体2632A～D排成一列，4个导电体2632A～D相等或大致相等地分离。并且，在本截面图中，电介质材料2634是大致运动场形状。

图26F表示具备被电介质材料2634包围的4个导电体2632A～D的电介质覆盖导体组2631的截面图。在本实施方式的截面图中，4个导电体2632A～D形成钻石形状的点。并且，在本截面图中，电介质材料2634是大致钻石形状。

图26G表示具备被电介质材料2634包围的4个导电体2632A～D的电介质覆盖导体组2631的截面图。在本实施方式的截面图中，4个导电体2632A～D被排列为，形成大致形状。这里，导电体2632B～D的3个形成三角形的点。并且，在本截面图中，电介质材料2634是大致形状。

图26H表示具备被电介质材料2634包围的4个导电体2632A～D的电介质覆盖导体组2631的截面图。在本实施方式的截面图中，3个导电体2632A～C形成钻石形状的点，1个导电体2632D位于三角形的底边上的2个导电体2632B～C之间。并且，在本截面图中，电介质材料2634是大致三角形状。

这里，连接词“或”通常意味着包含的“或”。在明示为排他的“或”的情况或根据文脉而必须是排他的“或”的情况下，“或”意味着排他的“或”。

根据以上叙述的有关实施方式的RF线圈，RF线圈元件由3个以上的较薄的挠性的导电体构成，并且这些导电体密接地排列而配置。进而，根据本RF线圈，导电体被配置在导电体之间的电介质材料电气地分离，由此形成较大的范围的分布电容。结果，本RF线圈能够以更灵活而轻量、低成本、更容易的调整来制造。

根据以上说明的至少1个实施方式等，能够提供具有良好的高频特性和挠性的RF线圈。

说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式是作为例子提示的，不是要限定发明的范围。这些实施方式能够以其他各种各样的形态实施，在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更、以及实施方式彼此的组合。这些实施方式及其变形包含在发明的范围或主旨中，同样包含在权利要求书所记载的发明和其等价的范围中。

标号说明

10 医用成像系统

100 MRI装置

102 主磁铁

103 梯度磁场线圈

104 RF全身用线圈

105 线圈收容装置

110 图像生成装置

120 显示装置

130、230、330、430、530、630、730、830、930、1030、1130、1230、1330、1430、1530、1630、1730、1830、1930、2030、2130、2230、2330、2430、2530 RF线圈

239 区域

241、341、441、541、641、741、841、941、1041、1141、1841、2041、2141、2241、2341、2441、2541 B₀匀场电路

242、342、442、542、642、742、842、942、1042、1142、1842、2042、2142、2242、2342、2442、2542 B₁匀场电路

243、343、443、543、643、743、843、943、1043、1143、1243、1343、1843、2143、2243、2343、2443、2543 匹配及去耦电路

244、344、444、544、644、744、844、944、1044、1144、1644、1744、1844、1944、2044、2244、2344、2444、2544 电容器

345 调谐电路

346 匹配网络

349 方框

2048 发送/接收电路

2049 切换电路

2631 电介质覆盖导体组

2634 电介质材料