阅读说明：本技术 一种增加蒸镀制程良率的方法 (Method for increasing yield of evaporation process ) 是由 叶顺闵 林伯璋 蔡孟霖 蘇政宏 于 2021-08-17 设计创作，主要内容包括：本发明属于半导体制造技术领域,具体涉及一种增加蒸镀制程良率的方法,S1：贴胶膜,保护和避免破坏产品表面；S2：研磨：晶圆背面减薄至所需厚度；S3：蚀刻：蚀刻晶圆背面始成粗糙表面利于蒸镀；S4:真空干燥保存：待蒸镀晶圆避免曝露在空去中；S5:蒸镀：将具导电性金属离子,溅镀于蚀刻后晶圆表面作为未来各组件间的导线用；本发明防止晶圆氧化物产生,以利提高蒸镀金属离子附着在晶圆的效率。(The invention belongs to the technical field of semiconductor manufacturing, and particularly relates to a method for increasing the yield of an evaporation process, which comprises the following steps of S1: sticking an adhesive film to protect and avoid damaging the surface of the product; s2: grinding: thinning the back of the wafer to the required thickness; s3: etching: etching the back of the wafer to form a rough surface for evaporation; s4, vacuum drying and storing: the wafer to be evaporated is prevented from being exposed in the air; s5, evaporation: sputtering conductive metal ions on the surface of the etched wafer to be used as leads among the future components; the invention prevents the wafer oxide from generating, so as to be beneficial to improving the efficiency of the evaporated metal ions attached to the wafer.)

一种增加蒸镀制程良率的方法

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体的讲涉及一种增加蒸镀制程良率的方法。

背景技术

现今半导体技术与日俱进，而未来的集成电路趋势是藉由将晶圆研磨薄化以达成后续封装制程能将数个薄化芯片堆叠封装包覆，且晶圆薄化更可让芯片实现低功率与低导通阻抗之优点，不仅有效延长产品寿命，更有效提升使用上的效率。

晶背金属化制程(Back Side Metal)是为改善高功率IC散热问题而开发的封装技术。BSM运用电子束蒸镀或金属溅镀制程，在晶圆背面镀一层可做为接合用的金属与基材(散热片/Lead frame)，以达到较佳的散热及导电效果。

发明内容

为解决现有技术存在的问题，本发明提供一种增加蒸镀制程良率的方法。该方法可以有效提升现有真空蒸镀制程的效率以及产品良率。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种增加蒸镀制程良率的方法，包含如下步骤：

S1：贴胶膜，保护和避免破坏产品表面；

S2：研磨：晶圆背面减薄至所需厚度；

S3：蚀刻：蚀刻晶圆背面始成粗糙表面利于蒸镀；

S4:真空干燥保存：待蒸镀晶圆避免曝露在空去中；

S5:蒸镀：将具导电性金属离子，溅镀于蚀刻后晶圆表面作为未来各组件间的导线用。

进一步地，S1步骤之前，还包括进料校验，筛选出符合品检的产品。

进一步地，S3步骤蚀刻具体包括以下步骤：研磨之后粗化湿蚀刻，随后IPA干燥，将胶膜撕掉，进行品检，品检合格产品进行蒸镀前蚀刻，蚀刻完成后再次进行IPA干燥。

进一步地，蚀刻步骤完成后，蒸镀之前，将晶圆残留的水分烘干，待蒸镀晶圆真空干燥保存。

进一步地，S5蒸镀之后，进行出货检验，符合品检的产品进行真空包装，并出货。

本方案的工作原理和效果如下：

本发明与现有技术不同在于，增加真空保存，可避免因为前后站点配置设备机台不足或者设备机台宕机导致蚀刻完后的待蒸镀晶圆曝露在大气下，防止氧化物产生，以利提高蒸镀金属离子附着在晶圆的效率。

附图说明

图1为本发明增加蒸镀制程良率的方法实施例1的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围内。

实施例1

如图1所示，一种增加蒸镀制程良率的方法，包括以下步骤

S1：贴胶膜，保护和避免破坏产品表面；

S2：研磨：晶圆背面减薄至所需厚度；

S3：蚀刻：蚀刻晶圆背面始成粗糙表面利于蒸镀；

S4:真空干燥保存：待蒸镀晶圆避免曝露在空去中；

S5:蒸镀：将具导电性金属离子，溅镀于蚀刻后晶圆表面作为未来各组件间的导线用。

S1步骤之前，还包括进料校验，筛选出符合品检的产品。

S3步骤蚀刻具体包括以下步骤：研磨之后粗化湿蚀刻，随后IPA干燥，将胶膜撕掉，进行品检，品检合格产品进行蒸镀前蚀刻，蚀刻完成后再次进行IPA干燥。

蚀刻步骤完成后，蒸镀之前，将晶圆残留的水分烘干，待蒸镀晶圆真空干燥保存。

S5蒸镀之后，进行出货检验，符合品检的产品进行真空包装，并出货。

在实际生产过长中，经过研磨与蚀刻后晶圆表层没有保护层在长时间曝露在大气状态下会造成晶圆生成氧化物(氧化层)，在蒸镀制程时会影响蒸镀的效率与产品良率，因此本方案增加晶圆在蒸镀站点前增加真空保存的机制，避免晶圆在大气状态下曝露太久，以利在蒸镀站点时确保晶圆表层之氧化减少。

在蚀刻站点后会利用烤箱将晶圆残留的水分烘乾，可将烤箱增加真空抽气功能，使在晶圆烘乾时，以真空保存至要蒸镀时再拿出，减少晶圆曝露在大气下，借此方式提升蒸镀的效率&产品良率。

最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。