具体实施方式

〔第一实施方式〕

以下，“同层”是指通过同一工序由相同材料形成。此外，“下层”意味着通过比较对象的层之前的工序形成，“上层”意味着通过比较对象的层之后的工序形成。此外，在本说明书中，将从显示设备的下层朝向上层的方向设为上方。

参照图1至图3说明本实施方式所涉及的显示设备2。图2为本实施方式涉及的显示设备2的俯视图。图1的(a)为图2的区域A的放大俯视图，图1的(b)为图1的(a)的BB线向视剖视图。图3是图2的CC线向视剖视图。

如图2所示，本实施方式涉及的显示设备2具有显示区域DA和与该显示区域DA的周围相邻的边框区域NA。参照图1更详细地说明本实施方式涉及的显示设备2的显示区域DA的构造。并且，在图1的(a)中，省略了后面详细说明的空穴传输层24、第二电极27以及密封层6的图示。

如图1的(b)所示，本实施方式涉及的显示设备2从下层起依次具备支承基板10、树脂层12、阻挡层3、TFT层(薄膜晶体管层)4、发光元件层5以及密封层6。显示设备2也可以在密封层6的更上层具备具有光学补偿功能、触摸传感器功能、保护功能等的功能膜等。

支承基板10可以是例如PET薄膜等柔性基板，也可以是玻璃基板等硬直基板。作为树脂层12的材料，可举出聚酰亚胺等。

阻挡层3是用于防止在使用显示设备时水、氧等异物渗透至TFT层4、发光元件层5的层。阻挡层3可以由例如通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜或这些的层叠膜构成。

TFT层4从下层开始依次包括半导体层15、第一无机层16(栅极绝缘膜)、栅电极GE、第二无机层18、电容布线CE、第三无机层20、源极布线SH(金属布线层)、平坦化膜21(层间绝缘膜)。以包含半导体层15、第一无机层16、栅电极GE的方式构成薄膜晶体管元件(TFT)Tr。

半导体层15例如由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体构成。并且，在图2中，以半导体层15为沟道的TFT以顶栅结构表示，但也可以是底栅结构(例如，TFT的沟道为氧化物半导体的情况)。

栅电极GE、电容电极CE、或源极布线SH例如可以包括铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)中的至少一种。此外，栅电极GE、电容电极CE或源极布线SH由上述金属的单层膜或层叠膜构成。特别是在本实施方式中，栅电极GE包含Mo，源极布线SH包含Al。

第一无机层16、第二无机层18及第三无机层20可以由例如通过CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜、或这些的层叠膜构成。平坦化膜21例如可以由聚酰亚胺、丙烯酸等的可涂布的感光性有机材料构成。在平坦化膜21的与薄膜晶体管Tr的源极布线SH重叠的位置形成有接触孔21c。

发光元件层5(例如，有机发光二极管层)从下层开始依次包括第一电极22、覆盖第一电极22的边缘的边缘罩23、空穴传输层24、发光层25、辅助布线26和第二电极27。

在本实施方式中，如图1的(a)所示，发光元件层5包括作为多个发光元件的红色发光元件5R、绿色发光元件5G、以及蓝色发光元件5B，其中，红色发光元件5R包括红色发光层25R、绿色发光元件5G包括绿色发光层25G、蓝色发光元件5B包括蓝色发光层25B。发光元件层5在多个发光元件的每一个中具备岛状的第一电极22及发光层25，还具备多个发光元件共用的空穴传输层24岛状的以及第二电极27。

第一电极22设置在俯视观察下与平坦化膜21及接触孔21c重叠的位置。第一电极22经由接触孔21c与源极布线SH电连接。因此，TFT层4中的信号经由源极布线SH供给至第一电极22。并且，第一电极22的厚度例如也可以是100nm。在本实施方式中，第一电极22例如由ITO(Indium Tin Oxide:铟锡氧化物)和含Ag的合金的层积构成，具有光反射性。

边缘罩23为有机绝缘膜，例如包含聚酰亚胺、丙烯酸等有机材料。边缘罩23形成在覆盖第一电极22的边缘的位置。此外，边缘罩23对应多个发光元件的每一个而具有开口部23h，第一电极22的一部分从边缘罩23露出。并且，也可以在边缘罩23的不与第一电极22重叠的位置，形成膜厚比其他边缘罩23大的间隔件23s。

在本实施方式中，在与从边缘罩23以及开口部23h露出的第一电极22重叠的位置上，针对多个发光元件共同地形成空穴传输层24。空穴传输层24为无机的空穴传输层，例如，作为空穴传输材料，包含NiO或MgNiO。

对于多个发光元件中的每一个，在覆盖每个开口23h的位置处形成发光层25。在本实施方式中，对于多个发光元件的每一个，发光层25具备上述的红色发光层25R、绿色发光层25G、蓝色发光层25B。

在本实施方式中，辅助布线26形成在与边缘罩23重叠的位置。如图1的(a)所示，辅助布线26设置成格子状。并且，在本实施方式中，辅助布线26不限于图1的(a)所示那样的、大致等间隔地排列的多个直线状的辅助布线26垂直交叉的形状。例如，如蛇形那样，相邻的辅助布线26的间隔可以根据位置而不同，另外，辅助布线26也可以倾斜地交叉。

辅助布线26的材料也可以是银。银通常是显示设备的背板所使用的材料，例如TFT层4的金属层等，通过辅助布线26具备银，在形成辅助布线26时，能够援用用于形成背板的材料。此外，辅助布线26也可以具备Al或Cu的单体、或者Ti/Al/Ti的层叠结构或W/Ta的层叠结构。

在本实施方式中，空穴传输层24及辅助布线26形成于边缘罩23的密封层6侧。因此，空穴传输层24与辅助布线26相互接触。

第二电极27作为多个发光元件共用的共用电极而形成，覆盖发光层25。此外，第二电极27具有金属纳米线，具有高透光性。第二电极27具备的金属纳米线例如可以是银纳米线。此外，第二电极27也可以具备金纳米线或铜纳米线等导电性金属纳米线。并且，第二电极27还形成在与边缘罩23上的辅助布线26重叠的位置。因此，第二电极27具备的金属纳米线与辅助布线26电连接。

在本实施方式中，第二电极27可以具备电子传输材料。第二电极27具备的电子传输材料通常也可以采用用于发光元件的电子传输层的材料，例如，既可以是ZnO，也可以是MgZnO。特别是，第二电极27的材料也可以是将银纳米线分散液和ZnO纳米粒子分散液混合而成的混合材料。此外，该混合材料中也可以包含粘合剂、分散剂或其它添加剂。由此，第二电极27具有电子传输性，兼具电子传输层的功能。

密封层6包括比第二电极27更上层的第一无机密封膜31、比第一无机密封膜31更上层的有机密封膜32、比有机密封膜32更上层的第二无机密封膜33，用于防止水、氧等异物向发光元件层5的渗透。第一无机密封膜31及第二无机密封膜33可以由例如通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜或这些的层叠膜构成。有机密封膜32例如可以由聚酰亚胺、丙烯酸等的可涂布的感光性有机材料构成。

接着，参照图2以及图3对显示区域DA的周围的边框区域NA中的各构成进行说明。图3表示图2的CC线向视剖视图，示出了相邻于本实施方式涉及的显示设备2的显示区域DA的周围的边框区域NA中的各部件。

如图3所示，显示设备2在边框区域NA中也可以具备支承基板10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4和密封层6。

此外，显示设备2也可以在边框区域NA中具备图3所示的由边缘罩23构成的虚拟堤(Dummy bank)DB。虚拟堤DB可以用作与用于形成显示区域DA的共用层的CVD掩膜等抵接的间隔件。

进一步，显示设备2也可以在边框区域NA中具备如图2及图3所示的由边缘罩23构成的第一堤BK1、以及由平坦化膜21和边缘罩23构成的第二堤BK2。第一堤BK1和第二堤BK2在显示区域DA的周围形成为框状。第一堤BK1和第二堤BK2限制涂布上层的密封层6的有机密封膜32时引起的有机密封膜32的浸润扩散。例如，在图3中，第一堤BK1与有机密封膜32的端部抵接，限制有机密封膜32的浸润扩散。

如图2及图3所示，显示设备2在边框区域NA中，在平坦化膜21与第二电极27之间具备主干布线34。如图2所示，辅助布线26从主干布线34分支，并从边框区域NA向显示区域DA延伸。

如图2及图3所示，在边框区域NA中，在包围显示区域DA的周围的一部分的位置，也可以形成有作为平坦化膜21的开口的狭缝35。在狭缝35的显示区域DA侧及显示设备2的周围侧，通过形成TFT层4的TFT，可以形成图2及图3所示的栅极驱动器单片GD。需要说明的是，狭缝35不是必须形成。

在此，如图3所示，主干布线34与第二电极27一起延伸至包括狭缝35的内部的、比狭缝35更靠近显示设备2的周围侧的位置。此外，如图2所示，在边框区域NA中形成有与第一电极22同材料且与第一电极22同层的导电膜36。导电膜36从边框区域NA上的比狭缝35更靠近显示区域DA侧，通过狭缝35的内部而延伸至比狭缝35更靠近显示设备2的周围侧。因此，主干布线34与导电膜36在包含狭缝35的内部的位置电连接。

导电膜36进一步延伸到与第一堤BK1以及第二堤BK2重叠的位置。在与第一堤BK1以及第二堤BK2重叠的位置，形成有与TFT层4的源极布线SH相同材料且为相同层的源极导电膜37。因此，在包含第一堤BK1与第二堤BK2之间的位置的第一连接部CN1中，导电膜36与源极导电膜37连接。

如图2所示，显示设备2在边框区域NA具备端子部38。端子部38形成于第二堤BK2的周围。在端子部38上安装有经由迂回布线39而供给用于驱动显示区域DA中的各发光元件的信号的未图示的驱动器等。在显示区域DA的四个边的周围之中、形成迂回布线39的位置，也可以不形成狭缝35。

并且，在与迂回布线39重叠且与第一堤BK1以及第二堤BK2重叠的位置也形成有源极导电膜37。因此，在与迂回布线39重叠且包含第一堤BK1与第二堤BK2之间的位置的第二连接部CN2中，迂回布线39与源极导电膜37连接。

第一连接部CN1中的源极导电膜37与第二连接部CN2中的源极导电膜37电导通。因此，经由迂回布线39、源极导电膜37以及导电膜36，建立高压电源与主干布线34电连接、进而建立高压电源与辅助布线26的电连接。因此，辅助布线26与高压电源及第二电极27双方电连接，起到使第二电极27的远离高压电源的位置处的电压下降降低的效果。

并且，在支承基板10为柔性基板的情况下，如图2所示，显示设备2也可以在第二堤BK2与端子部38之间具备沿着显示设备2的外周边形成的弯折部F。实际的显示设备2也可以通过利用弯折部F弯折而使包括端子部38的显示设备2的周围侧从弯折部F向显示设备2的背面侧弯折。

接下来，参照图4详细说明本实施方式涉及的显示设备2的制造方法。图4为表示本实施方式涉及的显示设备2的各制造工序的流程图。

首先，在透光性的支承基板(例如母玻璃基板)上形成树脂层12(步骤S1)。接着，在树脂层12的上层形成阻挡层3(步骤S2)。接着，在阻挡层3的上层形成TFT层4(步骤S3)。在从步骤S1到步骤S3为止的各层的形成中，能够采用以往公知的成膜方法。

并且，在步骤S3中，也可以与源极布线SH的形成一并进行源极导电膜37的形成。此外，也可以与平坦化膜21的形成一并进行狭缝35的形成以及第二堤的一部分的形成。进一步，也可以与TET层4中的薄膜晶体管Tr的形成一并形成栅极驱动器单片GD所具备的晶体管。

接着，在TFT层的上层形成发光元件层(步骤S4)。关于步骤S4中的各层的形成方法，参照图5至图7，更详细地进行说明。图5为表示本实施方式中的发光元件层5的形成工序的流程图。图6以及图7是用于更详细地说明基于图5的流程图实施的发光元件层5的形成工序的工序剖视图。并且，在包括图6及图7的后续的工序剖视图中，均示出与图1的(b)对应的位置的工序剖视图。

通过执行至步骤S3，能够得到图6的(a)所示的构造。在步骤S4中，首先形成第一电极22(步骤S4-1)。第一电极22的成膜可以采用溅射法等。并且，在步骤S4-1中，也一并执行导电膜36的成膜。

接着，将第一电极22图案化为各个电极(步骤S4-2)。在第一电极22的图案化中，能够采用使用光刻法的蚀刻法等。通过执行步骤S4-2，能够得到图6的(b)所示的各个第一电极22。并且，在步骤S4-2中，也一并执行导电膜36的图案化。

接着，将边缘罩23的材料涂布于包含第一电极22的上层的位置(步骤S4-3)。边缘罩23的材料的涂布能够采用以往公知的有机材料的涂布方法。边缘罩23的材料也涂布于边框区域NA。

接着，对边缘罩23进行图案化(步骤S4-4)。例如，通过在边缘罩23的材料中添加感光性树脂，能够使用光刻法执行边缘罩23的图案化。此外，为了形成间隔件23s，也可以执行使用了半色调掩模的光刻。

由此，如图6的(c)所示，得到包括间隔件23s的边缘罩23。并且，通过边缘罩23的图案化，除去第一电极22的端部以外的一部分从边缘罩23的开口部23h露出。并且，在步骤S4-4中，执行虚拟堤DB以及第一堤BK1的形成。进一步，在步骤S4-4中，执行第二堤BK2的剩余部分的形成。

接着，如图6的(d)所示，在从边缘罩23及开口部23h露出的第一电极22的上层形成空穴传输层24(步骤S4-5)。空穴传输层24的成膜可以使用溅射法、或者喷墨、各种涂布机等使用溶液涂布装置的涂布烧成法、或者使用CVD掩模的低温CVD法等。

接着，在空穴传输层24的上层形成辅助布线26(步骤S4-6)。关于辅助布线26的成膜，也可以使用溅射法等。并且，在步骤S4-6中，还一并执行主干布线34的成膜。

接着，对辅助布线26进行图案化(步骤S4-7)。辅助布线26的图案化可以采用使用了光刻法的蚀刻法等。在此，通过使空穴传输层24由无机材料构成，可降低辅助布线26的图案化导致的对空穴传输层24及空穴传输层24的下层的各层的损伤。并且，在步骤S4-7中，也一并执行主干布线34的图案化。

接着，实施发光层25的形成。在发光层25的形成中，首先，实施具有发光层25中的任一个发光色的发光层的成膜(步骤S4-8)。例如，通过将红色发光层25R的材料涂布于空穴传输层24及辅助布线26的上层，实施红色发光层25R的成膜。

接着，对成膜的红色发光层25R实施图案化(步骤S4-9)。在此，例如，作为红色发光层25R的材料，也可以采用使发出红色光的量子点分散于感光性材料中的材料。由此，可以使用光刻法对涂布的红色发光层25R的材料进行图案化。此时，也可以使光掩模抵接于间隔件23s而执行红色发光层25R的光刻。

根据发光层25的种类反复执行上述步骤S4-8和步骤S4-9。由此，图7的(b)所示的红色发光层25R、绿色发光层25G以及蓝色发光层25B分别形成在覆盖各个开口部23h的位置。

并且，在本实施方式中，举出通过光刻法对发光层25进行图案化的方法的例子，但不限于此。例如，发光层25可以通过利用喷墨法直接分开涂布而形成。此外，在本实施方式中，举出发光层25包含量子点的例子，但不限于此。例如，发光层25可以含有机EL材料。该情况下，发光层25可以通过使用蒸镀掩模的有机EL材料的蒸镀而形成。

在形成发光层25之后，形成第二电极27。在第二电极27的形成中，首先，将混合了电子传输材料的金属纳米线的墨，涂布在覆盖各发光层25以及辅助布线26的上层的位置(步骤S4-10)。接着，使涂布的金属纳米线的墨干燥(步骤S4-11)，形成图7的(c)所示的第二电极27。第二电极27也形成在与辅助布线26重叠的位置，因此建立了辅助布线26与第二电极27的电连接。通过以上，完成发光元件层5的形成工序。

在步骤S4之后，形成密封层6(步骤S5)。接着，将包含支承基板10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4、发光元件层5、密封层6的层叠体分割，得到多个单片(步骤S6)。接着，在端子部38安装电子电路基板(例如IC芯片)，作为显示设备2(步骤S7)。

并且，在本实施方式中，也可以将上述透光性的玻璃基板直接作为支撑基板10。但是，通过追加一部分工序，能够制造柔性的显示设备2。

例如，步骤S5之后，隔着透光性的支承基板对树脂层12的下表面照射激光，使支承基板与树脂层12之间的结合力降低，将支承基板从树脂层12剥离。接着，在树脂层12的下表面粘贴PET膜等的下表面膜以作为支承基板10。之后，转移到步骤S6，从而得到柔性的显示设备2。在该情况下，也可以在步骤S6与步骤S7之间，将端子部38侧从弯折部F向支承基板10的背面侧弯折。

在本实施方式中，不经由接触孔就能够建立辅助布线26与第二电极27的电连接。在本实施方式中，由于没有形成该接触孔，发光层25等部件的形成中的位置精度的要求降低，能够更容易地实现显示设备2的高分辨率化。

此外，在本实施方式中，在第二电极27的下层具备辅助布线26。因此，在辅助布线26的图案化工序中，未形成第二电极27。因此，能够防止辅助布线26的图案化导致的第二电极27受到损伤。因此，在本实施方式中，作为第二电极27的材料，能够采用金属纳米线那样的、辅助布线26的图案化导致受到损伤的材料。

进一步，在本实施方式中，第二电极27具备电子传输材料。因此，在发光元件层5中，无需在发光层25与第二电极27之间形成电子传输层。因此，显示设备2的制造过程更加简化。

在此，在发光层25与第二电极27之间形成电子传输层的情况下，为了建立辅助布线26与第二电极27的电连接，需要将该电子传输层图案化，并在与辅助布线26重叠的位置上不形成电子传输层。在本实施方式中，由于不形成电子传输层，因此对于电子传输层的图案化也不需要。

因此，例如可以采用银纳米线或ZnO的纳米粒子分散的纳米材料那样图案化导致受到损伤的材料作为电子传输材料。进一步，由于在第二电极27的形成中不需要图案化的工序，因此，也能够降低对第二电极27和比第二电极27靠下层的各层的损伤。

在此，辅助布线26通常优选直接形成在与该辅助布线26的紧密性高的部件的上层。此外，辅助布线26与该辅助布线26相接的部件的紧密性根据两者的材料而不同。通常，辅助布线26与空穴传输层24的紧密性高于辅助布线26与边缘罩23的紧密性。因此，由于能够减少辅助布线26的剥离等辅助布线26的形成不良，因此优选本实施方式涉及的显示设备2。

〔第二实施方式〕

图8为本实施方式涉及的显示设备2的、对应于图1的(b)的位置的剖视图。本实施方式涉及的显示设备2与前实施方式涉及的显示设备2相比，空穴传输层24形成于第一电极22与边缘罩23之间。即，在本实施方式中，空穴传输层24设置在边缘罩23的TFT层4侧。

在本实施方式中，空穴传输层24相对于多个第一电极22共用地形成在第一电极22的上层和平坦化膜21的上层。特别地，空穴传输层24形成在覆盖第一电极22的上表面和侧面的位置。伴随于此，边缘罩23形成在空穴传输层24的上层，在俯视观察下形成在覆盖第一电极22的端部的位置。夹着空穴传输层24，除去第一电极22的端部的第一电极22的一部分从开口部23h露出。此外，辅助布线26也直接形成在边缘罩23上。

除了上述点之外，本实施方式涉及的显示设备2具备与前实施方式涉及的显示设备2相同的构成。

本实施方式涉及的显示设备2也可以在图4所示的流程图所示的各工序中，除了步骤S4之外，通过同一方法制造。图9为用于说明本实施方式涉及的显示设备2的发光元件层5的形成方法的流程图。图10为用于更详细地说明基于图9的流程图实施的发光元件层5的形成工序的工序剖视图。

如图9所示，本实施方式涉及的发光元件层5的形成工序与前实施方式所涉及的发光元件层5的形成工序相比较，除了在步骤S4-2之后执行步骤S4-5这一点以外，能够通过同一方法来制造。

在本实施方式所涉及的发光元件层5的形成工序中，通过执行步骤S4-2，可以得到图10的(a)所示的结构。接着，执行步骤S4-5，通过在第一电极22以及平坦化膜21的上层形成空穴传输层24，得到图10的(b)所示的空穴传输层24。接着，通过依次执行步骤S4-3和步骤S4-4，得到图10的(c)所示的空穴传输层24的上层的边缘罩23。接着，通过依次执行步骤S4-6和步骤S4-7，得到图10的(d)所示的在边缘罩23的上层与边缘罩23直接接触的辅助布线26。在步骤S4-8以后，通过与前面实施方式中的步骤S4-8以后相同地实施，从而得到本实施方式的发光元件层5。

在本实施方式的显示设备2中，也无需为了建立辅助布线26与第二电极27的电连接而形成接触孔。因此，根据本实施方式的显示设备2有利于高分辨率化。

此外，在本实施方式中，在空穴传输层24的上层形成有边缘罩23以及开口部23h，在俯视观察下开口部23h被发光层25覆盖。因此，在俯视观察下空穴传输层24被边缘罩23及发光层25完全覆盖。因此，能够抑制空穴传输层24与第二电极27的短路，有利于提高成品率。

〔第三实施方式〕

图11为本实施方式涉及的显示设备2的、对应于图1的(b)的位置的剖视图。本实施方式的显示设备2与第一实施方式的显示设备2相比，发光元件层5在发光层25与第二电极27之间还具备电子传输层28。电子传输层28针对多个发光层25的每一个形成为岛状。电子传输层28具备ZnO或IGZO(In-Ga-Zn-O系的氧化物半导体)等无机电子传输材料。并且，在本实施方式中，发光元件层5也可以取代第二电极27而具备不具备电子传输材料的第二电极29。除了上述点之外，本实施方式涉及的显示设备2具备与第一实施方式涉及的显示设备2相同的构成。

本实施方式涉及的显示设备2也可以在图4所示的流程图所示的各工序中，除了步骤S4之外，通过同一方法制造。图12为用于说明本实施方式涉及的显示设备2的发光元件层5的形成方法的流程图。图13为用于更详细地说明基于图12的流程图实施的发光元件层5的形成工序的工序剖视图。

如图12所示，本实施方式涉及的发光元件层5的形成工序与第一实施方式的发光元件层5的形成工序相比，到步骤S4-5为止，可以通过相同的方法来制造。在本实施方式中，在步骤S4-5之后，首先实施步骤S4-8以及步骤S4-9，从而形成发光层25。在发光层25的形成的完成时刻，可得到图13的(a)所示的结构。

接着，在空穴传输层24及发光层25的上层形成电子传输层28(步骤S4-12)。电子传输层28的成膜可以通过与空穴传输层24的成膜相同的方法来实施。接着，实施电子传输层28的图案化(步骤S4-13)。电子传输层28的图案化可以通过光刻法实施。由此，在如图13的(b)所示的覆盖各发光层25的位置，得到形成为岛状的电子传输层28。

接着，依次实施步骤S4-6以及步骤S4-7，形成图13的(c)所示的辅助布线26。在此，由于空穴传输层24和电子传输层28均由无机材料构成，因此在步骤S4-7中，降低了对空穴传输层24、电子传输层28以及这些的下层的各层的损伤。

接着，依次实施步骤S4-10以及步骤S4-11，形成图13的(d)所示的第二电极29。此时，由于在辅助布线26的上层不存在电子传输层28，因此在本实施方式中，也建立了辅助布线26与第二电极29的电连接。通过以上，形成本实施方式的发光元件层5。

在本实施方式涉及的显示设备2中，也无需为了建立辅助布线26与第二电极29的电连接而形成接触孔。因此，根据本实施方式的显示设备2有利于高分辨率化。

此外，电子传输层28与第二电极29分开形成，第二电极29无需具备电子传输材料。

因此，第二电极29的电导率上升。

并且，在本实施方式中，列举了在任一发光层25的上层均形成由同一材料构成的电子传输层28的例子，但不限于此。例如，与发光层25同样地，关于电子传输层28，也可以根据下层的发光层25的发光色改变材料。在该情况下，也可以根据发光层25的发光色反复实施电子传输层28的成膜和图案，从而形成电子传输层28。根据上述构成，能够根据发光层25的发光色，对各个发光层25形成具有更合适的材料的电子传输层28，改善各发光元件的发光效率。

此外，在本实施方式中，举例说明了在每个发光层25形成各个电子传输层28的构成，但不限于此。只要辅助布线26与第二电极29的电连接被确立，本实施方式涉及的显示设备2也可以在一部分的发光层25彼此之间具有共用的电子传输层28。例如，电子传输层28可以在彼此相邻的同种发光层25中共用地形成，也可以在红色发光层25R和蓝色发光层25B之间、或者红色发光层25R和绿色发光层25G之间共用地形成。

〔第四实施方式〕

图14为本实施方式涉及的显示设备2的、对应于图1的(b)的位置的剖视图。本实施方式涉及的显示设备2与前实施方式涉及的显示设备2相比，发光元件层5具备多个发光元件共用的电子传输层28。而且，本实施方式涉及的发光元件层5在第二电极29的上层具备透明导电膜30。而且，在本实施方式中，辅助布线26形成在透明导电膜30的上层的、与边缘罩23重叠的位置。除了上述点之外，本实施方式涉及的显示设备2具备与前实施方式涉及的显示设备2相同的构成。

透明导电膜30与辅助布线26和第二电极29这两者电连接。因此，辅助布线26经由透明导电膜30与第二电极29的银纳米线电连接。此外，透明导电膜30形成在整体覆盖第一电极22的上表面和侧面的位置。透明导电膜30也可以包括例如ITO或IZO(Indium ZincOxide：氧化铟锌)。

图15为本实施方式涉及的显示设备2的、对应于图1的(b)的位置的剖视图。并且，本实施方式中，举例说明边框区域NA中的平坦化膜21上未设置狭缝35的构成。

在边框区域NA中，如图15所示，在平坦化膜21上，从下层开始依次形成有第二电极29、透明导电膜30以及主干布线34。在此，透明导电膜30和主干布线34向显示设备2的周围侧延伸，形成至与导电膜36重叠的位置。

特别的，在本实施方式中，如图15所示，在虚拟堤DB彼此之间所形成的第三连接部CN3中，透明导电膜30与导电膜36接触，并电连接。因此，在本实施方式中，主干布线34经由透明导电膜30与导电膜36电连接。并且，如图15所示，第二电极29也可以不延伸到与导电膜36重叠的位置。

本实施方式涉及的显示设备2也可以在图4所示的流程图所示的各工序中，除了步骤S4之外，通过同一方法制造。图16为用于说明本实施方式涉及的显示设备2的发光元件层5的形成方法的流程图。图17以及图18是用于更详细地说明基于图16的流程图实施的发光元件层5的形成工序的工序剖视图。

如图16所示，本实施方式涉及的发光元件层5的形成工序与前实施方式涉及的发光元件层5的形成工序相比，到发光层25的形成为止，可以通过相同的方法来制造。在发光层25的形成的完成时刻，可得到图17的(a)所示的结构。

在发光层25的形成之后，在本实施方式中，实施步骤S4-12，以形成电子传输层28。

在步骤S4-12的完成时刻得到图17的(b)所示的结构。并且，在本实施方式中，可以不实施电子传输层28的图案化。

接着，实施步骤S4-10以及步骤S4-11，形成图17的(d)所示的第二电极29。接着，在第二电极29的上层形成图18的(a)所示的透明导电膜30(步骤S4-14)。透明导电膜30也可以使用CVD法或溅射法等形成。接着，实施步骤S4-6以及步骤S4-7，在透明导电膜30的上层形成图18的(c)所示的辅助布线26。通过以上，形成本实施方式涉及的发光元件层5。

在本实施方式中，在第二电极29的上层形成有透明导电膜30，在该透明导电膜30的上层形成有辅助布线26。因此，通过透明导电膜30保护包含第二电极29的、透明导电膜30以下的下层。因此，降低了辅助布线26的图案化导致的、对透明导电膜30的下层的损伤。特别是，通过透明导电膜30，能够更有效地保护包含容易受到辅助布线26的图案化导致的损伤的金属纳米线的第二电极29。

上述各实施方式涉及的显示设备2的发光元件层5也可以具有柔软性，且可弯曲。例如，上述各实施方式涉及的发光元件层5也可以具备OLED(Organic Light EmittingDiode:有机发光二极管)作为显示元件。在该情况下，各实施方式涉及的显示设备2可以是有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器。

或者，上述各实施方式涉及的发光元件层5也可以具备QLED(Quantum dot LightEmitting Diode:量子点发光二极管)作为发光元件。在该情况下，各实施方式涉及的显示设备2可以是QLED显示器。

本发明不限于上述各实施方式，能在权利要求所示的范围中进行各种变更，将不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合得到的实施方式也包含于本发明的技术范围。而且，能够通过组合各实施方式分别公开的技术方法来形成新的技术特征。

附图标记说明

2 显示设备

3 阻挡层

4 TFT层

5 发光元件层

5R 红色发光元件

5G 绿色发光元件

5B 蓝色发光元件

6 密封层

10 支承基板

22 第一电极

23 边缘罩

23h 开口部

24 空穴传输层

25 发光层

25R 红色发光层

25G 绿色发光层

25B 蓝色发光层

26 辅助布线

27/29 第二电极

28 电子传输层

30 透明导电膜

34 主干布线

36 导电膜

DA 显示区域

NA 边框区域