一种自谐振驱动隔离低应力型双向Class E2高频功率变换器

文档序号:1864360 发布日期:2021-11-19 浏览:6次 >En<

阅读说明:本技术 一种自谐振驱动隔离低应力型双向Class E2高频功率变换器 (Self-resonance driving isolation low-stress bidirectional Class E2High frequency power converter ) 是由 胡西红 黄春蓉 秦东东 于 2020-05-14 设计创作,主要内容包括:本发明涉及一种自谐振驱动隔离低应力型双向Class E~(2)高频功率变换器,属于开关电源技术领域,解决了现有变换器存在的开关管电压应力高、系统体积大且能量无法双向流动的问题。变换器包括:第一Class E谐振单元、隔离型匹配网络、第二Class E谐振单元;所述第一Class E谐振单元的第二端口与所述隔离型匹配网络的第一端口相连,所述隔离型匹配网络的第二端口与所述第二Class E谐振单元的第一端口相连;当所述变换器的能量正向流动时,所述第一Class E谐振单元的第一端口与电源相连,所述第二Class E谐振单元的第二端口与负载相连;当所述变换器的能量反向流动时,所述第一Class E谐振单元的第一端口与负载相连,所述第二Class E谐振单元的第二端口与电源相连。(The invention relates to a self-resonance drive isolation low-stress bidirectional Class E 2 A high-frequency power converter belongs to the technical field of switching power supplies and solves the problems that the existing converter has high voltage stress of a switching tube, a system is large in size and energy cannot flow bidirectionally. The converter includes: the device comprises a first Class E resonance unit, an isolated matching network and a second Class E resonance unit; the second port of the first Class E resonance unit is connected with the first port of the isolation type matching network, and the second port of the isolation type matching network is connected with the first port of the second Class E resonance unit; when the energy of the converter flows in the forward direction, a first port of the first Class E resonance unit is connected with a power supply, and a second port of the second Class E resonance unit is connected with a load; when the energy of the converter flows reversely, the first port of the first Class E resonance unit is connected with a load, and the second port of the second Class E resonance unit is connected with a power supply.)

一种自谐振驱动隔离低应力型双向Class E2高频功率变换器

技术领域

本发明涉及开关电源技术领域,尤其涉及一种自谐振驱动隔离低应力型双向Class E2高频功率变换器。

背景技术

在工业电子和消费电子领域,大量被使用的开关电源被要求具有高稳定性、高效率、高功率密度、小体积和轻量化的特点,以确保系统能够持续安全可靠的工作,并有效降低其体积与重量。得益于以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带半导体技术的快速发展,尤其是以优异高频特性见长的GaN开关器件的大规模投产与应用,提高系统的工作频率成为了一个行之有效的方法,能够轻松实现开关电源的小型化和轻量化。当系统的工作频率提高到几十兆赫兹时,系统中无源元件的参数值大幅减小,对提高系统的集成度和降低系统体积有重大意义。

然而随着开关频率的提高,系统将处于全谐振状态,由此将导致系统中的电压与电流应力过高,对系统的安全稳定运行以及工作效率的提升带来不利影响。为了降低系统中开关管的电压应力,通常是在开关管的两端并联LC谐振支路,从而对系统的电压谐波特性进行调整,达到降低应力的目标。然而这种引入额外支路的方法会增大系统的体积并阻碍系统效率的提升。

为提升系统工作的安全性,通常需对功率变换器进行电气隔离,针对这一问题,目前已有的设计方法是采用高频磁芯绕线式变压器,但是该种变压器的漏感会影响系统的谐振工作状态,同时磁芯式变压器的使用也不利于系统的小型化和高效率。

此外,随着技术的进步,双向DC/DC功率变换器作为一种能量双向流动的接口,在光伏发电、微电网系统和电动汽车等领域显示出巨大的技术优势与应用潜力。传统的双向功率变换器的电路拓扑主要以Buck/Boost型、Buck-Boost型、Cuk型和Zata/SEPIC型等非隔离型拓扑以及全桥式、半桥式等隔离型拓扑,这些拓扑的开关管通常采用硬开关的工作模式,因而器件发热较高且系统效率较低。

在高频驱动技术领域,通常采用高频晶振产生独立的方波信号,然后经后级电路提高高频方波信号的驱动能力,从而满足开关管的驱动要求。然而方波驱动在高频条件下的容性开关损耗巨大,针对这一问题,通常会在方波驱动的基础上串联谐振电感,从而构成谐振驱动,驱动能量在开关管门极寄生电容和谐振电感上相互传递转换,从而降低了驱动损耗,但是其缺点是谐振输入电流增大,驱动电路输入电阻上的损耗仍旧较大。

发明内容

鉴于上述的分析,本发明旨在提供一种自谐振驱动隔离低应力型双向Class E2高频功率变换器,用以解决现有变换器存在的上述缺陷。

本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的:

一种自谐振驱动隔离低应力型双向Class E2高频功率变换器,所述变换器包括:第一Class E谐振单元、隔离型匹配网络、第二Class E谐振单元;

所述第一Class E谐振单元的第二端口与所述隔离型匹配网络的第一端口相连,所述隔离型匹配网络的第二端口与所述第二Class E谐振单元的第一端口相连;

当所述变换器的能量正向流动时,所述第一Class E谐振单元的第一端口与电源相连,所述第二Class E谐振单元的第二端口与负载相连;

当所述变换器的能量反向流动时,所述第一Class E谐振单元的第一端口与负载相连,所述第二Class E谐振单元的第二端口与电源相连。

在上述方案的基础上,还做出了如下改进:

进一步,所述第一Class E谐振单元包括:电容C1、谐振电容CF,谐振电感LF、电感LG1、N型开关管SF、直流偏置电源Vb1

谐振电感LF的一端连接电容C1的一端,谐振电感LF的另一端连接N型开关管SF的漏极、谐振电容CF的一端;

电容C1的另一端连接直流偏置电源Vb1的负极、N型开关管SF的源极以及谐振电容CF的另一端;直流偏置电源Vb1的正极串联电感LG1后连接至N型开关管SF的栅极;

所述谐振电感LF的一端作为所述第一Class E谐振单元的第一正端口,用于连接电源正极或负载正极;

所述电容C1的另一端作为所述第一Class E谐振单元的第一负端口,用于连接电源负极或负载负极;

所述谐振电容CF的一端作为第一Class E谐振单元的第二正端口,用于连接隔离型匹配网络的第一正端口;

谐振电容CF的另一端作为第一Class E谐振单元的第二负端口,用于连接隔离型匹配网络的第一负端口。

进一步,所述第二Class E谐振单元包括谐振电容Cd、电容C2,谐振电感Ld、电感LG2、N型开关管Sd、直流偏置电源Vb2

谐振电容Cd的一端连接谐振电感Ld的一端、N型开关管Sd的漏极;谐振电感Ld的另一端连接电容C2的一端;

谐振电容Cd的另一端连接直流偏置电源Vb2的负极、N型开关管Sd的源极、电容C2的另一端;直流偏置电源Vb2的正极经串联电感LG2后连接至N型开关管Sd的栅极;

所述谐振电容Cd的一端作为第二Class E谐振单元的第一正端口,用于连接隔离型匹配网络的第二正端口;

所述谐振电容Cd的另一端作为第二Class E谐振单元的第一负端口,用于连接隔离型匹配网络的第二负端口;

所述电容C2的一端作为第二Class E谐振单元的第二正端口,用于电源正极或负载正极;

所述电容C2的另一端作为第二Class E谐振单元的第二正端口,用于连接电源负极或负载负极。

进一步,所述隔离型匹配网络包括:电容CB、电容Crec和变压器Tr

电容CB的一端连接变压器Tr的正输入端,变压器Tr的正输出端连接电容Crec的一端,电容CB的另一端作为隔离型匹配网络的第一正端口;变压器Tr的负输入端作为隔离型匹配网络的第一负端口,电容Crec的另一端作为隔离型匹配网络的第二正端口,变压器Tr的负输出端作为隔离型匹配网络的第二负端口。

进一步,变压器Tr中包括理想变压器T、原边漏感Lr、励磁电感Lm和副边漏感Lrec;原边漏感Lr的一端同时连接理想变压器T的初级线圈同名端和励磁电感Lm的一端,励磁电感Lm的另一端连接理想变压器T的初级线圈异名端,理想变压器T的次级线圈异名端连接副边漏感Lrec的一端,原边漏感Lr的另一端作为变压器Tr的正输入端,励磁电感Lm的另一端作为变压器Tr的负输入端,副边漏感Lrec的另一端作为变压器Tr的正输出端,理想变压器T的次级线圈同名端作为变压器Tr的负输出端。

进一步,根据以下公式确定Ld和Cd的参数取值:

其中,ω=2πf,T=1/f,f为所述变换器的工作频率;Po为所述变换器的输出功率,Vo为所述变换器的输出电压;Ton=DdT,Toff=(1-Dd)T,Dd为所述第二Class E谐振单元中N型开关管Sd的工作占空比; 为Iin的初始相位角。

进一步,根据以下公式确定LF、CF、Crec、Lr、理想变压器的理想匝比n的参数取值:

其中,m1和m2分别为所述第一Class E谐振单元中N型开关管SF的电压应力的基波和三次谐波的极点系数,k为所述变压器的耦合系数;Rinv=(1.5Vin)2/(2Po),Vin为所述变换器的输入电压;Xrec=Rrec/2。

进一步,根据以下公式确定LG1的取值:

其中,s为拉普帕斯算子,CGD1、CGS1分别为所述N型开关管SF的米勒寄生电容和栅源寄生电容,RG1为所述N型开关管SF的栅极寄生电阻;VDS_SF为所述N型开关管SF的漏源电压基波幅值;VGS_SF为所述N型开关管SF的栅源驱动电压的基波幅值。

进一步,根据以下公式确定LG2的取值:

其中,CGD2、CGS2分别为所述N型开关管Sd的米勒寄生电容和栅源寄生电容,RG2为所述N型开关管Sd的栅极寄生电阻;VDS_Sd为所述N型开关管Sd的漏源电压基波幅值;VGS_Sd为所述N型开关管Sd的栅源驱动电压的基波幅值。

进一步,计算LG1时,VDS_SF取值为正向输入电压的1.5倍;计算LG2时,VGS_Sd取值为正向输出电压的1.5倍。

本发明有益效果如下:

本实施例提供的自谐振驱动隔离低应力型双向Class E2高频功率变换器,开关管电压应力较低、系统体积较小且能量能够双向流动。采用高频空芯变压器来提供电气隔离,并在不引入LC支路的情况下,保证开关管电压应力得到有效降低。同时将开关管的驱动电路与系统的功率电路集成到一起,采用自谐振驱动的方式,从而降低系统的体积并提高系统的工作效率。此外,系统的逆变和整流环节采用了对称的谐振型Class E结构,有利于系统能量双向流动的实现,且无论系统工作在正向流动模式还是反向流动模式,逆变与整流两个环节的开关管均工作于零电压导通(ZVS)模式,因此提高了系统的安全性与工作效率。

本发明中,上述各技术方案之间还可以相互组合,以实现更多的优选组合方案。本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分优点可从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的内容中来实现和获得。

附图说明

附图仅用于示出具体实施例的目的,而并不认为是对本发明的限制,在整个附图中,相同的参考符号表示相同的部件。

图1为现有Boost型高频功率变换器的电路原理图;

图2为现有基于含磁芯绕线式变压器的高频DC/DC系统电路原理图;

图3为现有双全桥型双向DC/DC变换器电路原理图;

图4为实施例1中自谐振驱动隔离低应力型双向Class E2高频功率变换器电路原理图;

图5为开关阻抗ZDS的等效阻抗网络;

图6为自谐振电路原理图;

图7为正向流动模式下SF和Sd的漏源电压波形图;

图8为反向流动模式下SF和Sd的漏源电压波形图。

具体实施方式

下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例,其中,附图构成本申请一部分,并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理,并非用于限定本发明的范围。

现有的一种Boost型高频功率变换器的电路拓扑结构如图1所示。这种高频DC/DC拓扑在开关管S的两端并联了L2F和C2F,通过LF、CF、L2F和C2F的谐振,可以使开关管的漏源阻抗对二次谐波呈现低阻特性,对三次谐波呈现高阻特性,从而消除了开关管两端的二次谐波并放大了三次谐波,使开关管的电压应力大大降低。但是这种拓扑未实现电气隔离,并且L2F和C2F的引入会降低系统的效率和功率密度。

现有的另一种高频DC/DC功率变换器拓扑结构如图2所示。这种电路同样采用引入LC支路的方法来降低开关管S的电压应力。另外,为了实现电气隔离,该电路采用了磁芯式绕线变压器结构,但是其变压器为绕线式结构且磁芯较大,明显增大了系统的体积和重量,严重背离开关电源高频化的初衷,对开关电源的小型化和轻量化产生不利影响。同时,磁芯在高频条件下的损耗极大,且变压器的漏感对系统参数的精确设计造成障碍,这都将严重损害了系统性能的提升。

现有一种双全桥型双向DC/DC变换器电路如图3所示。该电路的能量既能从高压侧VH流向低压侧VL,又能从低压侧VL流向高压侧VH,实现了能量的双向流动。但是该变换器使用的较多的开关管,且开关管处于硬开关的工作模式,因而系统的开关损耗较多。同时,为了实现电气隔离与电压等级变换,系统采用了磁芯式变压器,从而进一步增大了系统的功率损耗与体积。

针对现有电路的上述缺陷,本发明旨在提供一种开关管电压应力较低、系统体积较小且能量能够双向流动的隔离型Class E2高频功率变换器拓扑结构。具体方案见实施例1中的内容。

实施例1

本实施例公开了一种自谐振驱动隔离低应力型双向Class E2高频功率变换器,电路图如图4所示,所述变换器包括:第一Class E谐振单元、隔离型匹配网络、第二Class E谐振单元;所述第一Class E谐振单元的第二端口与所述隔离型匹配网络的第一端口相连,所述隔离型匹配网络的第二端口与所述第二Class E谐振单元的第一端口相连;当所述变换器的能量正向流动时,所述第一Class E谐振单元的第一端口与电源相连,所述第二ClassE谐振单元的第二端口与负载相连;当所述变换器的能量反向流动时,所述第一Class E谐振单元的第一端口与负载相连,所述第二Class E谐振单元的第二端口与电源相连。

优选地,所述第一Class E谐振单元包括:电容C1、谐振电容CF,谐振电感LF、电感LG1、N型开关管SF、直流偏置电源Vb1;其中,谐振电感LF的一端连接电容C1的一端,谐振电感LF的另一端连接N型开关管SF的漏极、谐振电容CF的一端;电容C1的另一端连接直流偏置电源Vb1的负极、N型开关管SF的源极以及谐振电容CF的另一端;直流偏置电源Vb1的正极串联电感LG1后连接至N型开关管SF的栅极;所述谐振电感LF的一端作为所述第一Class E谐振单元的第一正端口,用于连接电源正极或负载正极;所述电容C1的另一端作为所述第一Class E谐振单元的第一负端口,用于连接电源负极或负载负极。所述谐振电容CF的一端作为第一Class E谐振单元的第二正端口,用于连接隔离型匹配网络的第一正端口;谐振电容CF的另一端作为第一Class E谐振单元的第二负端口,用于连接隔离型匹配网络的第一负端口。需要说明的是,在第一Class E谐振单元中,直流偏置电源Vb1用于驱动N型开关管SF的栅极工作,可根据N型开关管SF的栅极的导通电压,选取与之相适应的Vb1的电压值。

优选地,所述第二Class E谐振单元包括谐振电容Cd、电容C2,谐振电感Ld、电感LG2、N型开关管Sd、直流偏置电源Vb2;谐振电容Cd的一端连接谐振电感Ld的一端、N型开关管Sd的漏极;谐振电感Ld的另一端连接电容C2的一端;谐振电容Cd的另一端连接直流偏置电源Vb2的负极、N型开关管Sd的源极、电容C2的另一端;直流偏置电源Vb2的正极经串联电感LG2后连接至N型开关管Sd的栅极;所述谐振电容Cd的一端作为第二Class E谐振单元的第一正端口,用于连接隔离型匹配网络的第二正端口;所述谐振电容Cd的另一端作为第二Class E谐振单元的第一负端口,用于连接隔离型匹配网络的第二负端口;所述电容C2的一端作为第二Class E谐振单元的第二正端口,用于电源正极或负载正极;所述电容C2的另一端作为第二Class E谐振单元的第二正端口,用于连接电源负极或负载负极。需要说明的是,在第二Class E谐振单元中,直流偏置电源Vb2用于驱动N型开关管Sd的栅极工作,可根据N型开关管Sd的栅极的导通电压,选取与之相适应的Vb2的电压值。

优选地,所述隔离型匹配网络包括:电容CB、电容Crec和变压器Tr;电容CB的一端连接变压器Tr的正输入端,变压器Tr的正输出端连接电容Crec的一端,电容CB的另一端作为隔离型匹配网络的第一正端口;变压器Tr的负输入端作为隔离型匹配网络的第一负端口,电容Crec的另一端作为隔离型匹配网络的第二正端口,变压器Tr的负输出端作为隔离型匹配网络的第二负端口。

优选地,变压器Tr中包括理想变压器T、原边漏感Lr、励磁电感Lm和副边漏感Lrec;原边漏感Lr的一端同时连接理想变压器T的初级线圈同名端和励磁电感Lm的一端,励磁电感Lm的另一端连接理想变压器T的初级线圈异名端,理想变压器T的次级线圈异名端连接副边漏感Lrec的一端,原边漏感Lr的另一端作为变压器Tr的正输入端,励磁电感Lm的另一端作为变压器Tr的负输入端,副边漏感Lrec的另一端作为变压器Tr的正输出端,理想变压器T的次级线圈同名端作为变压器Tr的负输出端。

下面对自谐振驱动隔离低应力型双向Class E2高频功率变换器的工作过程做如下说明:

(1)当所述变换器的能量正向流动时,第一Class E谐振单元的第一端口与电源相连,第二Class E谐振单元的第二端口与负载相连;此时的变换器工作过程为:

第一Class E谐振单元中的开关管SF在高频开关状态下使LF与CF发生谐振,将该单元第一端口的直流电压逆变为高频交流量,同时LF、CF和变压器漏感Lr、变压器励磁电感Lm以及Crec谐振,将SF的电压应力降低并将该电压经变压器Tr传递至第二Class E谐振单元第一端口,然后经开关管Sd的高频通断以及Ld与Cd的谐振将其整流为直流电压输出至第二Class E谐振单元的第二端口。

(2)当所述变换器的能量反向流动时,第一Class E谐振单元的第一端口与负载相连,第二Class E谐振单元的第二端口与电源相连。此时的变换器工作过程为:

第二Class E谐振单元中的开关管Sd在高频开关状态下使Ld与Cd发生谐振,将该单元的第二端口的直流电压逆变为高频交流量,并由该单元的第一端口输出,然后经变压器Tr传递至第一Class E谐振单元第二端口,最后经开关管SF的高频通断以及LF与CF的谐振将其整流为直流电压输出至第一Class E谐振单元的第一端口。

通过分析变换器的工作过程可知,当变换器的能量正向流动时,第一Class E谐振单元用作逆变器、第二Class E谐振单元用作整流器;而当变换器的能量反向流动时,二者的功能正好相反。

同时,由于系统的工作频率与负载电阻在能量正向流动和反向流动时保持不变,则在谐振状态下,无论能量朝哪个方向流动,从输入端到输出端,系统在基波和各次谐波阻抗的变换比保持不变,因此,无论能量正向流动、还是反向流动,上述变换器均实现的是降压过程。

此外,由于变换器的电路结构及其各单元的电路功能在能量正向与反向流动的状态下互相对称,从任意一个流动方向着手设计电路,不仅能满足该流动方向的设计指标,也能满足与该流动方向相反状态下的电路指标,因此,变换器中能量流动方向不影响系统参数的设计,因此,本实施例选择以能量正向流动时的工作状态进行参数设计。

可以理解的是,变换器中各元件参数值的设计依赖于变换器的设计指标。示例性地,本实施例中的设计指标可以如表1所示。

表1变换器的设计指标

能量流向 工作频率 输入电压 输出电压 系统功率 负载电阻
正向 20MHz 48V 24V 120W 4.8Ω
反向 20MHz 24V 12V 30W 4.8Ω

下面以变压器的能量正向流动为例,说明其中的参数设计过程:

a.后级的Class E整流器(第二Class E谐振单元)的参数设计如下:

首先假设Cd两端并联了一个交流电流源,其频率与系统的开关频率一致,幅值Iin为输出电流的倍,且Sd的占空比Dd为0.5,那么根据相关电路原理可以得到方程组(1),然后将表1中的相关指标带入(1)中,即可计算出Ld和Cd的参数。

其中,ω=2πf,T=1/f,f为所述变换器的工作频率;Po为所述变换器的输出功率,Vo为所述变换器的输出电压;Ton=DdT,Toff=(1-Dd)T,Dd为所述第二Class E谐振单元中N型开关管Sd的工作占空比; 为Iin的初始相位角,其作为一中间变量,可通过方程(1)求得。

b.前级的Class E逆变器(第一Class E谐振单元)和隔离型匹配网络的参数设计如下:

由于输入电压较高,因此有必要通过网络谐振引入高次电压谐波来降低开关管SF的电压应力。在实际工作时,LF、CF与Lr、Lrec、Lm等共同参与谐振,实现对开关管电压谐波特性的调整,从而在不引入额外的LC支路就可以有效的降低开关管的电压应力。空芯变压器的使用可以提高系统的电气安全性且损耗与体积较低,有利于提高系统的效率和集成度。

忽略系统中三次谐波以上的高次谐波后,开关管SF的漏源电压表达式如(2)所示:

其中,VDS1、VDS2、VDS3分别为漏源电压的基波幅值、二次谐波幅值、三次谐波幅值,分别为漏源电压的基波相角、二次谐波相角、三次谐波相角。经数学推导可得,为了使vDS最小,从而最大限度减小开关管的电压应力,vDS的谐波特性应该满足:基波幅值是三次谐波幅值的6倍、二次谐波幅值为零以及三次谐波相角是基波相角的3倍这三个条件,对应的开关阻抗需满足的频率特性如下式所示:

这里面ZDS1、ZDS2、ZDS3分别为开关阻抗的基波阻抗、二次谐波阻抗和三次谐波阻抗。分别为开关阻抗的基波相角和三次谐波相角。

而系统开关阻抗的的等效模型如图5所示,其表达式如(4)所示

其中Zrec=Rrec+jXrec,Xrec=Rrec/2。采用零极点配置的方法来使得开关阻抗满足表达式(2)的条件,从而降低开关管的电压应力,并实现对图5中相关参数的求解。首先配置ZDS的零点为2ω,从而保证vDS的二次谐波幅值为零。然后配置ZDS极点m1ω和m2ω,通过对m1和m2的数据扫描,来确保基波幅值是三次谐波幅值的6倍并且三次谐波相角是基波相角的3倍,扫描结果为m1=1.0367,m2=3.0945。此时将m1和m2的值带入到由(3)和(4)联立得到的表达式(5)以及变压器表达式(6),即可计算出逆变环节和匹配环节的参数值。

其中,m1和m2分别为所述第一Class E谐振单元中N型开关管SF的电压应力的基波和三次谐波的极点系数,k为所述变压器的耦合系数;该值满足即可。Rinv=(1.5Vin)2/(2Po),Vin为所述变换器的输入电压;Rrec=Vo 2/Po,Xrec=Rrec/2。

c.自谐振驱动参数的设计

本文采用了自谐振驱动的工作方式实现对前后两级Class E谐振环节中的开关管的驱动,该种驱动方式的优势是能够增加系统集成度和工作效率,同时采用自谐振驱动的方式可以自动实现前后两级开关管驱动信号相位关系的对应。自谐振的电路原理图如图6所示,其工作原理是在开关管的栅极串接谐振电感LG,通过LG与开关管内部的寄生参数CGD、CGS、RG的谐振,将开关管的漏源电压vDS谐振到开关管的栅源极,从而产生驱动电压的基波分量,该基本分量与直流偏置电压Vb叠加,即构成了开关管的驱动电压。

根据相关电路原理,通过数学推导可以得到栅极电压与开关管漏源极电压之间的关系如式(7)、(8)所示。

具体地,根据以下公式确定LG1的取值:

其中,s为拉普帕斯算子,CGD1、CGS1分别为所述N型开关管SF的米勒寄生电容和栅源寄生电容,RG1为所述N型开关管SF的栅极寄生电阻;VDS_SF为所述N型开关管SF的漏源电压基波幅值;VGS_SF为所述N型开关管SF的栅源驱动电压的基波幅值。

还根据以下公式确定LG2的取值:

其中,s为拉普帕斯算子,CGD2、CGS2分别为所述N型开关管Sd的米勒寄生电容和栅源寄生电容,RG2为所述N型开关管Sd的栅极寄生电阻;VDS_Sd为所述N型开关管Sd的漏源电压基波幅值;VGS_Sd为所述N型开关管Sd的栅源驱动电压的基波幅值。

由于开关管内部的寄生参数已知,因此只需选取合适的驱动电压基波幅值,然后带入表达式(7)、(8),即可求解出前后两级的自谐振参数LG1和LG2,完成对驱动环节的设计。VGS_SF、VGS_Sd通常选择5V左右即可;计算LG1时,VDS_SF取值为正向输入电压的1.5倍;计算LG2时,VDS_Sd取值为正向输出电压的1.5倍。

按照上述方法,完成了对该电路拓扑的参数设计,并在电路仿真软件PSpice中仿真验证,仿真结果如图7和图8所示。

从图中可以看出,系统能量无论出于正向流动还是负向流动,开关管SF和Sd均实现了零电压导通,因而工作效率得到了有效提升。且系统处于正向流动时,SF的电压应力约为125V,约为正向输入电压的2.6倍,电压应力较低,系统的工作安全性得到了保证。

本实施例提供的自谐振驱动隔离低应力型双向Class E2高频功率变换器,开关管电压应力较低、系统体积较小且能量能够双向流动。采用高频空芯变压器来提供电气隔离,并在不引入LC支路的情况下,保证开关管电压应力得到有效降低。同时将开关管的驱动电路与系统的功率电路集成到一起,采用自谐振驱动的方式,从而降低系统的体积并提高系统的工作效率。此外,系统的逆变和整流环节采用了对称的谐振型Class E结构,有利于系统能量双向流动的实现,且无论系统工作在正向流动模式还是反向流动模式,逆变与整流两个环节的开关管均工作于零电压导通(ZVS)模式,因此提高了系统的安全性与工作效率。

该转换器可用于对电池充电,然后在不充电时将电能从电池传递到负载。比如在光伏路灯系统中,白天通过光伏面板给电池充电,而在晚上则将功率提供给LED路灯。随着技术的发展,未来该种功率变换器也可以集成在芯片内部,通过对相关参数的调整可使系统具有两种不同的传输比,从而降低变换器的生产成本。

本领域技术人员可以理解,实现上述实施例方法的全部或部分流程,可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的程序可存储于计算机可读存储介质中。其中,所述计算机可读存储介质为磁盘、光盘、只读存储记忆体或随机存储记忆体等。

以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

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