具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。

实施例1

本实施例提供了一种熔石英损伤样品缺陷的太赫兹近场检测系统，主要由激光诱导损伤单元、太赫兹近场检测单元和位移台10三个单元构成，以下对这三个单元做详细介绍：

1、激光诱导损伤单元

激光诱导损伤单元包括激光源I1、衰减片2、反射镜I3、分束镜I4、能量卡计5、透镜I6、透镜II7、激光源II8和CCD探测器29；

激光源I1采用的是Nd：YAG纳秒脉冲激光源，激光源I发射出来的激光经衰减片2调节强度，再由反射镜I3反射，经分束镜I4分为两束激光：一束激光用于能量卡计5实时监测激光源I1输出的激光能量；另一束激光经透镜I6准直和透镜II7聚焦最终到达熔石英样品9上，由这束激光诱导样品9产生损伤。

激光源II8采用的是He-Ne激光源，用于照射样品9。控制器25上装载着CCD探测器29的配套软件，可通过CCD探测器29观测到样品9的表面损伤情况。

2、位移台

位移台10用于将样品9由激光诱导损伤单元的探测区域移动太赫兹近场检测单元的探测区域。本实施例位移台10采用电控三维位移台，在激光诱导熔石英样品9损伤形成后由电控位移平台控制样品移动到太赫兹近场成像系统中继续监测。

3、太赫兹近场检测单元

太赫兹近场检测单元包括激光源III11、分束镜II12、反射镜II13、反射镜III14、反射镜IV15、反射镜V16、反射镜VI17、电导天线18、斩波器19、离轴抛物面镜20、透镜III21、光电导微探针22、反射镜VII26、透镜IV27、反射镜VIII28、电流放大器23、锁相放大器24和控制器25。

在透射式太赫兹扫描近场成像系统中，依据相干探测探测原理，激光源III11采用飞秒激光器，产生中心波长为780nm的飞秒脉冲激光，飞秒激光被分束镜II12分为泵浦光和探测光：

在泵浦激光光路中，泵浦激光经由反射镜II13、反射镜III14、反射镜IV15和反射镜V16构成的延时光路改变与探测激光之间的光程差，再经反射镜VI17将泵浦激光聚焦到光电导天线18上从而辐射出太赫兹波。辐射出的太赫兹波经光学斩波器19调制后经离轴抛物面镜20准直，再由透镜III21(为太赫兹透镜)对太赫兹波进行聚焦后照射到样品9的下表面，穿过样品9的太赫兹波被位于样品9表面附近的光电导微探针22检测。

在探测光路中，探测激光经反射镜VII26反射，再由透镜IV27聚焦，最后经反射镜VIII28反射后到达光电导微探针22的针尖，用于产生自由载流子，进而在太赫兹电场的作用下产生光电流，经电流放大器23再输入到锁相放大器24，斩波器19的参考信号传送到锁相放大器24，锁相放大器24结合此参考信号随延时线变化得到完整的太赫兹脉冲波形，由锁相放大器24采集并处理后的太赫兹时域信号将输出传送到控制器25，在控制器25上可对数据进行进一步处理。

实施例2

本实施例提供了一种激光诱导熔石英损伤样品缺陷的太赫兹近场检测方法，采用实施例1提供的激光诱导熔石英损伤样品缺陷的太赫兹近场检测系统进行检测，具体步骤如下所示：

S1.制备激光诱导损伤熔石英样品，并通过CCD探测器实时观测熔石英样品表面。

光诱导熔石英样品损伤研究中是需要改变照射在熔石英样品9表面的激光能量，观测不同能量下的熔石英样品9的损伤情况。诱导损伤熔石英样品9通过以下方式实现：

(1)打开激光源II8与CCD探测器29，实时观测熔石英样品9的下表面。

(2)调整衰减片2和激光源I1以改变激光能量大小，通过能量卡计5测量光路中激光能量，激光通过透镜I6准直和透镜II7聚焦到熔石英样品9的表面，诱导熔石英样品9产生损伤。

S2.使激光诱导损伤后的熔石英样品移动到太赫兹近场单元探测区域。

控制装载样品9的电控三维位移平台，使样品9移动到太赫兹近场探测区域(如图1中虚线填充的样品示意位置)。

S3.使用光电导微探针进行太赫兹信号探测，对熔石英损伤样品进行太赫兹扫描近场成像。

电控三维位移平台控制样品9在近场探测区域二维移动，使用光电导微探针22进行太赫兹信号探测，对熔石英损伤样品9进行太赫兹扫描近场成像。经太赫兹近场成像获得熔石英损伤样品9表层与亚表层缺陷的高分辨率图像，能够较准确的标定损伤缺陷位置，同时也可获取熔石英损伤样品9的相位谱信息。

以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。